2SK2371/2SK2372

データ・シート
MOS形電界効果トランジスタ
MOS Field Effect Transistors
2SK2371/2SK2372
NチャネルパワーMOS FET
スイッチング用
工業用
2SK2371/2SK2372はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源
用途に最適です。
特
徴
○ゲート耐圧±30 V保証です。
○低入力容量です。
Ciss = 3600 pF標準
○ゲートカットオフ電圧幅が狭い。
VGS（off） = 2.5 ∼ 3.5 V
○アバランシェ耐量を保証。
外 形 図（単位：mm）
内部等価回路
Drain
4.7 MAX.
1.5
15.7 MAX
6.0
4.5 ± 0.2
7.0
4
1
2
3
Body
Diode
Gate
Source
3.0 ± 0.2
19 MIN.
20.0 ± 0.2
1.0
φ3.0 ± 0.2
1.0 ± 0.2
2.2 ± 0.2
5.45
5.45
0.6 ± 0.1
2.8 ± 0.1
TOP-3（MP-88）
電極接続
１．ゲート ２．ドレイン
３．ソース
４．フィン（ドレイン）
本製品は絶縁ゲート構造を有しておりますので，取り扱いにご注意ください。
資料番号
D13192JJ2V0DS00（第２版）
（旧資料番号 TC-8064）
発行年月 December 1997
N
2SK2371/2SK2372
絶対最大定格（TA = 25 ℃）
項
目
略 号
条
件
定
格
単 位
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
VGS = 0
450／500
V
ゲート・ソース間電圧
VGSS
VDS = 0
± 30
V
ドレイン電流（直流）
ID（DC）
TC = 25 ℃
± 25
A
ドレイン電流（パルス）
ID（pulse）
PW ≦ 10 μs, Duty ≦ 1 ％
± 100
A
全損失
PT1
TC = 25 ℃
160
W
全損失
PT2
TA = 25 ℃
3.0
W
チャネル温度
Tch
150
℃
保存温度
Tstg
−55 ∼ ＋150
℃
単発アバランシェ電流
IAS
スターティングTch = 25℃，
25
A
RG = 25 Ω，VGS = 20 V → 0
446
mJ
単発アバランシェエネルギ EAS
電気的特性（TA = 25 ℃）
項
目
略 号
条
件
MIN.
TYP.
ドレインしゃ断電流
IDSS
VDS = VDSS, VGS = 0
ゲート漏れ電流
IGSS
VGS = ± 30 V, VDS = 0
ゲートカット電圧
VGS（off）
VDS = 10 V, ID = 1 mA
2.5
3.0
順伝達アドミタンス
｜y fs ｜
VDS =10 V, ID = 13 A
8.0
13
MAX.
単 位
100
μA
± 100
nA
3.5
V
S
ドレイン・ソース間オン抵 RDS（on）
VGS = 10 V
2SK2371
0.20
0.25
抗
ID = 13 A
2SK2372
0.23
0.27
Ω
入力容量
Ciss
VDS = 10 V
3600
pF
出力容量
Coss
VGS = 0
700
pF
帰還容量
Crss
f = 1 MHz
50
pF
オン時遅延時間
td（on）
ID = 13 A
40
ns
立ち上がり時間
tr
VGS （on）= 10 V
70
ns
オフ時遅延時間
td（off）
VDD = 150 V
160
ns
下降時間
tf
RG = 11.5 Ω
60
ns
ゲート全電荷量
QG
ID = 25 A
95
nC
ゲート・ソース間電荷量
QGS
VDD = 400 V
20
nC
ゲート・ドレイン間電荷量 QGD
VGS = 10 V
40
nC
内部ダイオード順電圧
IF = 25 A, VGS = 0
1.0
V
IF = 25 A, VGS = 0
500
ns
di/dt = 50 A/μs
4.5
μC
VF（S-D）
内部ダイオード逆回復時間 trr
逆回復電荷量
2
Qrr
2SK2371/2SK2372
Test Circuit 1 Avalanche Capability
D.U.T.
RG = 25Ω
PG
VGS = 20 - 0 V
Test Circuit 2 Switching Time
D.U.T.
L
VDD
50Ω
VGS
RL
RG
RG = 10Ω
PG.
VGS
Wave Form
0
VGS（on）
10 ％
90 ％
VDD
ID
90 ％
90 ％
BVDSS
IAS
ID
ID
VGS
0
VDS
ID
Wave Form
t
VDD
Starting Tch
t = 1us
Duty Cycle ≦ 1％
0
10 ％
10 ％
td（on）
tr
td（off）
ton
tf
toff
Test Circuit 3 Gate Charge
D.U.T.
IG = 2 mA
PG.
50Ω
RL
VDD
本資料に掲載の応用回路および回路定数は，例示的に示したものであり，量産設計を対象とするもので
はありません。
3
2SK2371/2SK2372
特性曲線（TA = 25 ℃）
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
210
PT - Total Power Dissipation - W
80
60
40
20
0
20
40
60
ID - Drain Current -（A）
ted
Limi )
n）
S（o
D
0
1 V
R
S =
( VG
ID（DC）
Po
10
we
rD
iss
ipa
1.0
ID（pulse）P
W
=1
10
0μ
0μ
s
s
1m
s
ms
tio
nL
im
ite
20
40
60
80
100 120 140 160
VGS = 10 V
Pulsed
8V
6V
15
10
5
5V
d
2SK2371
2SK2372
10
100
1 000
100
10
Tch = 125 ℃
75 ℃
25 ℃
−25 ℃
1
0.1
VDS = 10 V
Pulsed
5
10
VGS - Gate to Source Voltage -（V）
0
5
10
VDS - Drain to Source Voltage -（V）
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
ID - Drain Current -（A）
30
20
TA = 25 ℃
Single Pulse
VDS - Drain to Source Voltage -（V）
4
60
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
ID（DC）
0
90
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
100
0.1
1
120
TC - Case Temperature -（℃）
1 000
10
150
0
100 120 140 160
80
180
TC - Case Temperature -（℃）
ID - Drain Current -（A）
dT - Percentage of Rated Power - %
100
15
15
2SK2371/2SK2372
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth（t） - Transient Thermal Resistance - ℃/W
1 000
100
Rth（ch-a） = 41.7 ℃/W
10
Rth（ch-c） = 0.78 ℃/W
1.0
0.1
0.01
0.001
10μ
Tc = 25 ℃
Single Pulse
100μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
100
Tch = −25 ℃
25 ℃
75 ℃
125 ℃
10
1.0
0.1
VDS = 10 V
Pulsed
1.0
10
100
1 000
RDS（on）- Drain to Source On-State Resistance -（Ω）
ID - Drain Current -（A）
RDS（on）- Drain to Source On-State Resistance -（Ω）
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1.5
1.0
0.5
VGS = 10 V
0
1.0
10
100
ID - Drain Current -（A）
Pulsed
1 000
Pulsed
1.5
1.0
ID = 25 A
13 A
6A
0.5
0
5
10
15
20
VGS - Gate to Source Voltage -（V）
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
VGS（off）- Gate to Source Cutoff Voltage - V
｜yfs｜ - Forward Transfer Admittance -（S）
PW - Pulse Width -（s）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
−50
0
50
100
150
Tch - Channel Temperature -（℃）
5
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
1.0
0.5
ID = 25 A
13 A
−50
0
50
100
100
10
1.0
VGS = 0 V
0.1
0.01
0
150
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
1 000
Coss
100
Crss
10
VGS = 0 V
f = 1 MHz
0.1
1.0
10
100
t（on）
d
, tr, td（off）, tf - Switching Time -（ns）
Ciss
1 000
tr
100
td（on）
10
1.0
0.1
VDD = 150 V
VGS = 10 V
Rin = 10 Ω
10
100
1.0
ID - Drain Current -（A）
REVERSE RECOVERY TIME vs.
REVERSE DRAIN CURRENT
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
20
500
18
600
VDD = 400 V
250 V
125 V
400
500
VDS（V）
tW - Reverse Recovery Time -（ns）
tf
td（off）
VDS - Drain to Source Voltage -（V）
400
300
16
14
12
300
VGS
10
8
200
6
200
100
100
1.0
10
IF - Forward Current -（A）
100
0
4
VDS
di/dt = 50 A/μs
VGS = 0
0.1
6
Pulsed
1.5
1.0
1 000
10 000
Ciss, Coss, Crss - Capacitance - pF
0.5
VSD - Source to Drain Voltage -（V）
Tch - Channel Temperature -（℃）
1.0
VGS = 10 V
20
40
2
60
Qg（nC）
80
100
0
120
VGS（V）
0
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
ISD - Diode Forward Current -（A）
RDS（on）- Drain to Source On-State Resistance -（Ω）
2SK2371/2SK2372
2SK2371/2SK2372
SINGLE AVALANCHE ENERGY vs.
STARTING CHANNEL TEMPERATURE
SINGLE AVALANCHE ENERGY vs.
INDUCTIVE LOAD
100
IAS - Single Avalanche Energy -（A）
EAS - Single Avalanche Energy - mJ
600
IAS ≦ 25 A
RG = 25 Ω
VGS = 20 V → 0
VDD = 150 V
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
VDD = 150 V
RG = 25 Ω
VGS = 20 → 0 V
IAS = 25 A
EA
S
10
=4
46
mJ
1.0
150
100μ
Starting Tch - Starting Channel Temperature -（℃）
1m
10 m
100 m
L - Inductive load -（H）
参考資料
資
料
名
資料番号
NEC半導体デバイスの信頼性品質管理
C11745J
パワーMOS FETの特徴とスイッチング電源への応用
TEA-566
パワーMOS FETの安全動作領域について
TEA-578
パワーMOS FET整流回路
TEA-572
パワーMOS FET応用回路集
TEA-576
パワーMOS FETを用いたDCモータ駆動回路について
TEP-512
高アバランシェ耐量MOS FETシリーズ
TEA-579
パワートランジスタの取り付け方法と取り付け部品一覧表
TEI-603
パワー デバイスの自動実装対応について
TEA-571
静電気放電（ESD）破壊対策ガイド
C11892J
μPC1094C, 1094Gの使い方
IEA-631
μPC1099CX/GSの使い方
G13006J
μPC1905CX/GS, μPC1906CX/GSの使い方
IEA-695
7
2SK2371/2SK2372
〔メ モ〕
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○この製品を使用したことにより，第三者の工業所有権等にかかわる問題が発生した場合，当社製品の構
造製法に直接かかわるもの以外につきましては，当社はその責を負いませんのでご了承ください。
○当社は品質，信頼性の向上に努めていますが，半導体製品はある確率で故障が発生します。当社半導体
製品の故障により結果として，人身事故，火災事故，社会的な損害等を生じさせない冗長設計，延焼対
策設計，誤動作防止設計等安全設計に十分ご注意願います。
○当社は，当社製品の品質水準を「標準水準」，「特別水準」およびお客様に品質保証プログラムを指定
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を意図しておりますので，当社製品の品質水準をご確認の上ご使用願います。
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器，産業用ロボット
特別水準：輸送機器（自動車，列車，船舶等），交通用信号機器，防災／防犯装置，各種安全装置，
生命維持を直接の目的としない医療機器
特定水準：航空機器，航空宇宙機器，海底中継機器，原子力制御システム，生命維持のための医療機
器，生命維持のための装置またはシステム等
当社製品のデータ・シート／データ・ブック等の資料で，特に品質水準の表示がない場合は標準水準製
品であることを表します。当社製品を上記の「標準水準」の用途以外でご使用をお考えのお客様は，必
ず事前に当社販売窓口までご相談頂きますようお願い致します。
○この製品は耐放射線設計をしておりません。
M4 94.6
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北 支
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山 支
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浦 支
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奈 川 支
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社
社
店
店
店
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店
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社
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太
宇
小
長
甲
埼
立
千
静
北
田 支
都 宮 支
山 支
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府 支
玉 支
川 支
葉 支
岡 支
陸 支
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社
社
社
社
社
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(0285)24- 5011
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(0425)26- 5981
(043)238- 8116
(054)254- 4794
(076)232- 7303
福
富
三
京
神
中
鳥
岡
松
九
井
山
重
都
戸
国
取
山
山
州
支
支
支
支
支
支
支
支
支
支
店
店
店
社
社
社
店
店
店
社
福 井
富 山
津
京 都
神 戸
広 島
鳥 取
岡 山
松 山
福 岡
(0776)22- 1866
(0764)31- 8461
(0592)25- 7341
(075)344- 7824
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