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研究業績 Achievements
2015 年度 学術論文 (Academic journals and proceedings in FY2015) 1. Hybrid hetero p-n junction between ZnO microspheres and p-type materials Tatsuya Ikebuchi, Norihiro Tetsuyama, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, and Tatsuo Okada Advanced Materials Research, 1119, pp 184-188 (April 2015). 2. Laser doping of Sb into ZnO nanowires in the Sb nanoparticle-dispersed liquid Hirotaka Kawamura, Tetsuya Shimogaki, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada Appl. Phys. B 119, pp 463-467 (June 2015). 3. Ultraviolet lasing action in aligned ZnO nanowall Kosuke Harada, Shihomi Nakao, Masahiro Takahashi, Mitsuhiro Higashihata, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada. Appl. Phys. B 119, pp 469-473 (June 2015). 4. Effect of excimer laser annealing on -InGaZnO thin-film transistors passivated by solution-processed hybrid passivation layers Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami Fujii, Toshiaki Nonaka, Ryoichi Ishihara, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka Journal of Physics D: Applied Physics, 49, 035102 (7pp) (2016). 5. Low-temperature (~180℃) position-controlled lateral solid phase crystallization of GeSn with laser-anneal seeding Ryo Matsumura, Hironori Chikita, Yuki Kai, Taizoh Sadoh, Hiroshi Ikenoue, and Masanobu Miyao Appl. Phys. Lett., 107, 262106 (2015). 6. Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, and Shigeaki Zaima Appl. Phys. Lett., 108, 052104 (2016). 7. Direct growth of graphene on SiC(0001) by KrF-excimer-laser irradiation Masakazu Hattori, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Kazuaki Furukawa, Makoto Takamura, Hiroki Hibino, and Tatsuo Okada Appl. Phys. Lett., 108, 093107 (2016). 8. Catalyst-free growth of ZnO nanowires on various-oriented sapphire substrates by pulsed-laser deposition Tetsuya Shimogaki, Masahiro Takahashi, Masaaki Yamasaki, Taichi Fukuda, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, and Tatsuo Okada. Journal of Semiconductors 37, 023001 (Feb. 2016). 9. Al doping of 4H-SiC by laser irradiation to coated Al film and its application to junction barrier Schottky diode Akihiro Ikeda, Rikuho Sumina, Hiroshi Ikenoue, and Tanemasa Asano Japanese Journal of Applied Physics 55, 04ER07, Feb. 29 (2016). 10. Observation of graphene growing process on SiC(0001) surface formed by KrF excimer-laser irradiation Masakazu Hattori; Hiroshi Ikenoue; Daisuke Nakamura; Tatsuo Okada Proc. SPIE. 9735, 97350Y. (March 14, 2016). 11. Fabrication and bandgap engineering of doped ZnO microspheres by simple laser ablation in air Daisuke Nakamura; Tetsuya Shimogaki; Toshinobu Tanaka; Fumiaki Nagasaki; Yuki Fujiwara; Mitsuhiro Higashihata; Hiroshi Ikenoue; Tatsuo Okada Proc. SPIE. 9735, 973511. (March 14, 2016). 12. Improvement in contact resistance of 4H-SiC by excimer laser doping using silicon nitride films R. Kojima, H. Ikenoue, M. Suwa, A. Ikeda, D. Nakamura, T. Asano, T. Okada Proc. SPIE. 9738, 973803. (April 06, 2016). 2015 年度 国際会議 (International Conference and Symposium in FY2015) 1. Time-resolved imaging of ZnO nanoparticles produced in high-pressure phase Daisuke Nakamura, Shuhei Takao, Tetsuya Shimogaki, Mitsuhiro Higashihata1, Hiroshi Ikenoue1, Tatsuo Okada The 7th International Congress on Laser Advanced Materials Processing (LAMP2015), May 26-29, 2015. 2. Structural and optical properties of ZnO nano/microcrystals grown on laser patterned ZnO buffer layer Tetsuya Shimogaki, Hirotaka Kawahara, Shihomi Nakao, Kosuke Harada, Kota Yamasaki, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Yoshiki Nakata, Tatsuo Okada The 7th International Congress on Laser Advanced Materials Processing (LAMP2015), May 26-29, 2015. 3. Formation of nanoporous SiO2 films by pulsed-laser deposition using F2 laser Daichi Taniyama, Hiroshi Ikenoue, Tomoyuki Ohkubo, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada The 7th International Congress on Laser Advanced Materials Processing (LAMP2015), May 26-29, 2015. 4. A novel direct patterning method of graphene on SiC(0001) by KrF excimer laser irradiation Masakazu Hattori, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada, Kazuaki Furukawa, Makoto Takamura, Hiroki Hibino The 7th International Congress on Laser Advanced Materials Processing (LAMP2015), May 26-29, 2015. 5. Effects of pulse duration on crystallization of poly-Si thin films by XeF excimer laser annealing Tomoyuki Ohkubo, Hiroshi Ikenoue, Yasuhiro Kamba, Yosuke Watanabe, Daisuke Nakamura, Hiroaki Oizumi, Kouji Kakizaki, Tatsuo Okada The 7th International Congress on Laser Advanced Materials Processing (LAMP2015), May 26-29, 2015. 6. Surface refractive index dependence on the oscillation peak of photoexcited ZnO microspheres Takeshi Ueyama, Yuta Sato, Mitsuhiro Higashihata, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue, Tatsuo Okada The 7th International Congress on Laser Advanced Materials Processing (LAMP2015), May 26-29, 2015. 7. Formation of Ge pn-junction diode by phosphorus doping with liquid immersion laser irradiation Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, and Shigeaki Zaima The 15th International Workshop on Junction Technology (IWJT2015), June 11 - 12, 2015. 8. LASER-ANNEAL SEEDED SOLID-PHASE CRYSTALLIZATION FOR ULTRA-LOW TEMPERATURE GROWTH OF GERMANIUM-TIN R. Matsumura, K. Moto, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao XXIV International Materials Research Congress, August 16 - 20, 2015. 9. Synthesis of submicrometer-sized spherical particles by laser irradiation in liquid with different laser pulse width S. Sakaki1, N. Koshizaki, H. Ikenoue, T. Tsuji, Y. Ishikawa The 13th Conference on Laser Ablation (COLA-2015), 31 August – 4 September 2015. 10. Crystalline Si solar cells fabricated by CO2 laser doping Yasuaki Ishikawa, Tatsuki Honda, Seiya Yoshinaga, Yunjian Jian, Yukiharu Uraoka, Yosuke Watanabe, and Hiroshi Ikenoue 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, June 14-19, 2015. 11. Synthesis of submicrometer-sized spherical particles by laser irradiation in liquid with different laser pulse width S. Sakaki, N. Koshizaki, H. Ikenoue, T. Tsuji, Y. Ishikawa The 13th Conference on Laser Ablation (COLA-2015), August 31– September 4, 2015. 12. Thermally-Stable High Sn Concentration (~9%) GeSn on Insulator by Ultra-Low Temperature (~180°C) Solid-Phase Crystallization Triggered by Laser-Anneal Seeding R. Matsumura, K. Moto, Y. Kai, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep. 27-30, 2015. 13. Ultra-low temperature (~180°C) solid-phase crystallization of GeSn on insulator triggered by laser-anneal seeding R. Matsumura, K. Moto, Y. Kai, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao. The 228th ECS Meeting, October 11-16, 2015. 14. Non-thermal equilibrium formation of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) crystal on insulator by pulsed laser annealing K. Moto, R. Matsumura, H. Chikita, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao The 228th ECS Meeting, October 11-16, 2015. 15. Al doping from laser irradiated Al film deposited on 4H-SiC Akihiro Ikeda, Rikuho Sumina, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2015), Oct. 4-9, 2015. 16. Bonding of LiNbO3 Thin Film on Si Substrate Using Laser Irradiation Hiroki Kawano, Ryo Takigawa, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano 20th Microoptics Conference (MOC’15), Fukuoka, Japan, Oct. 25 - 28, 2015. 17. Electrical characteristics of Ge pn-junction diodes prepared by using liquid immersion laser doping Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka and Shigeaki Zaima International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISTES 2015), Nov. 27-29, 2015. 18. Laser-Annealing-Induced Crystallization of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) on Insulating Substrate K. Moto, R. Matsumura, T. Sadoh, H. Ikenoue, and M. Miyao 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2015), Dec. 7-9, 2015. 19. KrF Excimer Laser Annealing of a-InGaZnO Thin-Film Transistors with Solution Processed Hybrid Passivation Layers J. P. S. Bermundo, Y. Ishikawa, M. N. Fujii, T. Nonaka, H. Ikenoue, Y. Uraoka The 22nd International Display Workshops (IDW 2015), Dec. 9-11, 2015. 20. Stable Crystallization of a-Si Film on a Flexible Substrate T. Ashitomi, T. Harada, K. Nakao, C. J. Koswaththage, T. Okada, T. Noguchi, N. Kawamoto, H. Ikenoue, T. Okuyama, A. Suwa, K. Noda The 22nd International Display Workshops (IDW 2015), Dec. 9-11, 2015. 21. Improvement in Contact Resistance of 4H-SiC by Excimer Laser Doping using Silicon Nitride films Ryota Kojima, Hiroshi Ikenoue, Akihiro Ikeda, Daisuke Nakamura, Tanemasa Asano, Tatsuo Okada. SPIE Photonics west 2016, Feb. 13-18, 2016. 22. Observation of graphene growth on SiC(0001) surfaces induced by KrF excimer laser irradiation Masakazu Hattori, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada. SPIE Photonics west 2016, Feb. 13-18, 2016. 23. Research of Controlling ZnO Nanowire Growth Using Several Steps of UV-Laser Processing T. Shimogaki, M. Takahashi, T. Fukuda, M. Yamasaki, H. Ikenoue, D. Nakamura, Y. Nakata, T. Okada SPIE Photonics west 2016, Feb. 13-18, 2016. 24. Analysis of a-IGZO films irradiated by KrF Excimer Laser for Self-Align a-IGZO Thin Film Transistors on Flexible Substrates Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka International Thin Film Transistor Conference (ITC 2016), Feb. 25-26, 2016. 2015 年度 国内学会 (Domestic Conference and Symposium in FY2015) 1. Crystallization of GeSn on insulating substrates by lateral solid-phase crystallization technique Ryo Matsumura, Kenta Moto, Hironori Chikita, Taizoh Sadoh, Hiroshi Ikenoue, and Masanobu Miyao 第 34 回電子材料シンポジウム，2015 年 7 月 15 日～17 日． 2. 液中レーザー溶融法におけるパルス周波数の影響 榊 祥太、越崎 直人、池上 浩、石川 善恵、辻 剛志 第 76 回応用物理学会秋季学術講演会，2015 年 9 月 13 日～16 日． 3. F2 レーザーを用いたパルスレーザー堆積法により形成されたナノポーラス SiO2 膜の構造解析 谷山大地、池上浩、大久保智幸、中村大輔、岡田龍雄 第 76 回応用物理学会秋季学術講演会，2015 年 9 月 13 日～16 日． 4. [招待講演] Mg ドープによる ZnO マイクロ球の紫外 WGM レーザー発振の短波長化 中村 大輔、田中 稔伸、永嵜 史明、藤原 優輝、東畠 三洋、池上 浩、岡田 龍雄 第 76 回応用物理学会秋季学術講演会，2015 年 9 月 13 日～16 日． 5. パルスレーザーアニールによる非晶質 GeSn/絶縁膜の非熱平衡成長 茂藤 健太、松村 亮、佐道 泰造、池上 浩、宮尾 正信 第 76 回応用物理学会秋季学術講演会，2015 年 9 月 13 日～16 日． 6. エキシマレーザードーピングによる 4H-SiC コンタクト抵抗の改善 小島 遼太、池上 浩、池田 晃裕、中村 大輔、浅野 種正、岡田 龍雄 第 76 回応用物理学会秋季学術講演会，2015 年 9 月 13 日～16 日． 7. SiC(0001)ステップ＆テラス構造におけるグラフェンのレーザー誘起成長過程観察 服部 正和、池上 浩、中村 大輔、岡田 龍雄、古川 一暁、高村 真琴、日比野 浩樹 第 76 回応用物理学会秋季学術講演会，2015 年 9 月 13 日～16 日． 8. 紫外レーザープロセスを利用した ZnO ナノワイヤの無触媒成長におけるサファイア基板面方位への依存性 下垣 哲也、高橋 将大、東畠 三洋、中村 大輔、池上 浩、中田 芳樹、岡田 龍雄 第 76 回応用物理学会秋季学術講演会，2015 年 9 月 13 日～16 日． 9. 堆積 Al 薄膜へのレーザー照射による 4H-SiC への Al ドーピング 角名陸歩, 池田晃裕, 池上浩, 浅野種正 薄膜材料デバイス研究会 第 12 回研究集会，2015 年 10 月 30 日～31 日． 10. 堆積 Al 薄膜へのレーザ照射による 4H-SiC への Al ドーピング 角名 陸歩, 池田 晃裕, 池上 浩, 浅野 種正 応用物理学会九州支部学術講演会，2015 年 12 月 5 日～6 日． 11. SiNx 膜レーザーアブレーションによる 4H-SiC への窒素ドーピング及び電気特性評価 小島遼太，池上浩，諏訪輝，池田晃裕，中村大輔，浅野種正，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 36 回年次大会，2016 年 1 月 9 日～11 日． 12. F2 レーザーパルスレーザー堆積法により形成されたナノポーラス SiO2 膜の電気特性評価 谷山大地，池上浩，諏訪輝，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 36 回年次大会，2016 年 1 月 9 日～11 日． 13. SiC(0001)表面におけるグラフェンのレーザー誘起成長機構解明 服部正和，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 36 回年次大会，2016 年 1 月 9 日～11 日． 14. レーザーパターニングを利用した水熱合成法による ZnO マイクロ結晶アレイの作製 中村大輔，山崎正瑛，東畠三洋，池上浩，I. A. Palani，中田 芳樹，N. J. Vasa，岡田 龍雄 レーザー学会学術講演会第 36 回年次大会，2016 年 1 月 9 日～11 日． 15. レーザー堆積法によりサファイア基板上に製膜した ZnO バッファ層の結晶方位と ZnO ナノワイヤ成長基板としての機能 下垣哲也，高橋将大，山崎正瑛，福田泰地，東畠三洋，中村大輔，池上 浩，I. A. Palani，中田 芳樹，N. J. Vasa，岡田 龍雄 レーザー学会学術講演会第 36 回年次大会，2016 年 1 月 9 日～11 日． 16. KrF エキシマレーザー照射によって形成された SiC(0001)上グラフェンの成長過程の解明 服部正和、池上浩、中村大輔、岡田龍雄 第 63 回応用物理学会春季学術講演会，2016 年 3 月 19 日～22 日． 17. パルス幅依存性から考えられる液中レーザー溶融法サブミクロン球状粒子生成過程 榊祥太、越崎直人、池上浩、石川善恵、辻剛志 第 63 回応用物理学会春季学術講演会，2016 年 3 月 19 日～22 日． 18. 繰り返しレーザーアニール法による非晶質 GeSn/絶縁膜の非熱平衡成長－過飽和 Sn 濃度の冷却速度依存性－ 茂藤健太、松村亮、佐道泰造、池上浩、宮尾正信 第 63 回応用物理学会春季学術講演会，2016 年 3 月 19 日～22 日． 19. 堆積薄膜へのレーザ照射による 4H-SiC への Al のドーピング特性 角名陸歩、池田晃裕、池上浩、浅野種正 第 63 回応用物理学会春季学術講演会，2016 年 3 月 19 日～22 日． 20. SiNx 膜レーザーアブレーションによる 4H-SiC への窒素ドーピングと窒素拡散機構に関する研究 小島遼太、池上浩、諏訪輝、池田晃裕、中村大輔、浅野種正、岡田龍雄 第 63 回応用物理学会春季学術講演会，2016 年 3 月 19 日～22 日． 21. レーザー干渉パターニングを利用した水熱合成法により合成した周期構造酸化亜鉛マイクロ結晶の特性評価 山崎正瑛、下垣哲也、小田晃司、IyamperumalPalani、中村大輔、東畠三洋、中田芳樹、池上浩、NileshVasa、岡田龍雄 第 63 回応用物理学会春季学術講演会，2016 年 3 月 19 日～22 日． 22. スパッタ Si 膜へのマルチショット ELA とメタルソース・ドレイン構造 TFT 原田大成、我喜屋風太、安次富卓哉、岡田竜弥、野口隆、野田勘治、諏訪明、池上浩、奥山哲雄 第 63 回応用物理学会春季学術講演会，2016 年 3 月 19 日～22 日． 2014 年度 学術論文 (Academic journals and proceedings in FY2014) 1. Fabrication and Characterization of Spherical Micro Semiconductor Crystals by Laser Ablation Method Tetsuya Shimogaki, Kota Okazaki, Kota Yamasaki, Koshi Fusazaki, Yasuaki Mizokami, Norihiro Tetsuyama, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, and Tatsuo Okada Applied Physics A 117, pp269-273 (May. 2014). 2. Aluminum doping of 4H-SiC by irradiation of excimer laser in aluminum chloride solution Daichi Marui, Akihiro Ikeda, Koji Nishi, Hiroshi Ikenoue and Tanemasa Asano Japanese Journal of Applied Physics 53, 06JF03 (4pp) (May 2014). 3. Controlling ZnO nanowire surface density during its growth by altering morphological properties of a ZnO buffer layer by UV laser irradiation Tetsuya Shimogaki, Hirotaka Kawahara, Shihomi Nakao, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Yoshiki Nakata, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada Appl. Phys. A 118, 1239 (Oct. 2014) 4. Nitrogen doping of 4H-SiC by KrF excimer laser irradiation in liquid nitrogen Akihiro Ikeda, Daichi Marui, Hiroshi Ikenoue and Tanemasa Asano Japanese Journal of Applied Physics 54, 04DP02 (4pp) (Jan. 2015) 5. Extremely Enhanced Diffusion of Nitrogen in 4H-SiC Observed in Liquid-Nitrogen Immersion Irradiation of Excimer Laser A.Ikeda, D. Marui, H. Ikenoue and T. Asano Materials Science Forum Vol 821-823, pp 448-451 (Jan. 2015). 6. Direct growth of patterned graphene on SiC(0001) surfaces by KrF excimer-laser irradiation Masakazu Hattori, Kazuaki Furukawa, Makoto Takamura, Hiroki Hibino, Hiroshi Ikenoue Proc. of SPIE 9351: Laser-based Micro- and Nanoprocessing IX, 93511A (March 2015) 7. Synthesis of Sb-doped ZnO microspheres by pulsed laser ablation and their photoluminescence properties T. Tanaka, T. Shimogaki, F. Nagasaki, M. Higashihata, D. Nakamura, H. Ikenoue, T. Okada Proc. of SPIE 9350, Laser Applications in Microelectronic and Optoelectronic Manufacturing (LAMOM) XX, 93501L (March, 2015) 8. Fabrication of ZnO crystals by UV-laser annealing on ZnO nanoparticles prepared by laser ablation method T. Shimogaki, H. Kawahara, M. Higashihata, H. Ikenoue, D. Nakamura, Y. Nakata, T. Okada Proc. of SPIE 9364: Oxide-based Materials and Devices VI, 93640C (March, 2015). 2014 年度 国際会議 (International Conference and Symposium in FY2014) 1. The Absorption Property Change of Quartz in Micromachining by ns Pulsed CO 2 Laser Kota Yamasaki, Hiroshi Ikenoue, Yousuke Watanabe, Daisuke Nakamura and Tatsuo Okada The First Smart Laser Processing Conference 2014, April 22-24, 2014. 2. Fabrication of ZnO spherical particles by pulsed laser melting in liquid using KrF excimer laser Shota Sakaki, Naoto Koshizaki, Hiroshi Ikenoue, Yoshie Ishikawa Advanced Nanoparticle Generation and Excitation by Laser in Liquids (ANGEL 2014), May 19-21, 2014. 3. Effect of laser irradiation on the properties of ZnO thin films and its application to selective-growth of ZnO nano/microcrystals T. Shimogaki, K. Yamasaki, H. Kawahara, S. Nakao, K. Harada, M. Higashihata, H. Ikenoue, Y. Nakata, D. Nakamura, T. Asano, T. Okada The 15th International symposium on laser precision microfabrication, June 17-20, 2014. 4. Laser-induced growth of graphene on SiC(0001) surfaces by KrF excimer laser irradiation Masakazu Hattoria, Kazuaki Furukawa, Makoto Takamura, Hiroki Hibino, Hiroshi Ikenoue International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep. 7-11, 2014. 5. The optical property and crystallinity of ZnO film formed by CO 2 laser annealing in SiO2 matrix K. Yamasaki, H. Ikenoue, T. Shimogaki, Y. Watanabe, D. Nakamura, T. Okada 9th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications (ICPEPA-9), Sep. 29-Oct. 3,2014. 6. Absorption Property Change of Quartz during ns Pulsed CO 2 Laser processing Y. Watanabe, H. Ikenoue, K. Yamasaki, D. Nakamura and T. Okada 9th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications (ICPEPA-9), Sep. 29-Oct. 3,2014. 7. Nitrogen Doping of 4H-SiC by Excimer Laser Irradiation in Liquid Nitrogen Akihiro Ikeda, Daichi Marui, Hiroshi Ikenoue and Tanemasa Asano 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), Sep. 8-11, 2014. 8. CO2 Laser Doping to Fabricate Crystalline Silicon Solar Cell T. Honda, Y. Ishikawa, H. Ikenoue, Y. Watanabe, S. Yoshinaga, Y. Jiang, and Y. Uraoka 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6), Nov. 23-27, 2014. 9. Formation of Solution-Derived SiO2 Thin Films by CO2 Laser Annealing for Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors. Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yosuke Watanabe, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka, The 21st International Display Workshops, Dec. 3-5, 2014. 10. Laser direct patterning of graphene on SiC(0001) surfaces by KrF excimer laser irradiation Masakazu Hattori, Kazuaki Furukawa, Makoto Takamura, Hiroki Hibino, Hiroshi Ikenoue SPIE Photonics west, Feb. 7-12, 2015. 11. Nano-pulsed-CO2-Laser drilling for glass and its absorption change during laser processing. Yosuke Watanabe, Kota Yamasaki, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada SPIE Photonics west, Feb. 7-12, 2015. 12. Fabrication of ZnO crystals by UV-Laser Annealing on ZnO Nanoparticles prepared by Laser Ablation Method Tetsuya Shimogaki, Hirotaka Kawahara, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada SPIE Photonics west, Feb. 7-12, 2015. 13. Local Nitrogen Doping in 4H-SiC by Laser Irradiation in Nitrogen Plasma at Atmospheric-Pressure Ryota Kojima, Hiroshi Ikenoue, Yosuke Watanabe, Akihiro Ikeda, Daisuke Nakamura, Tanemasa Asano, Tatsuo Okada SPIE Photonics west, Feb. 7-12, 2015. 14. XeCl and KrF Excimer Laser Annealing of Oxide Thin-Film Transistors with Hybrid Passivation Layer J. P. Bermundo, Y. Ishikawa, R. Ishihara, M. N. Fujii1, H. Ikenoue, M. van der Zwan, Y. Uraoka The 11th International Thin-Film Transistor Conference 15. Hybrid hetero p-n junction between ZnO microspheres and p-type materials Tatsuya Ikebuchi, Norihiro Tetsuyama, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura and Tatsuo Okada 5th International Conference on Key Engineering Materials 2014 年度 国内学会 (Domestic Conference and Symposium in FY2014) 1. ［招待講演］絶縁膜上における IV 族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点 Sn の活用 ～ 黒澤昌志・田岡紀之・池上 浩・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明 シリコン材料・デバイス研究会（SDM），2014 年 6 月 19 日． 2. CO2 レーザーを用いた P 拡散プロセスの開発 本多 竜規、石河 泰明、池上 浩、渡邊 陽介、吉永 征矢、姜 雲建、浦岡 行治 日本学術振興会 第 175 委員会「次世代の太陽光発電システム」2014 年 7 月 3 日～4 日． 3. 大気圧窒素プラズマ中レーザー照射による 4H-SiC 中への窒素ドーピング 中への窒素ドーピング 小島遼太，池上浩，池田晃裕，中村大輔，浅野種正，岡田龍雄 レーザ学会九州支部学生講演会，2014 年 9 月 7 日． 4. 大気中レーザーアブレーションにより作製した ZnO マイクロ単結晶球の発光特性 中村大輔，佐藤雄太，池渕達也，田中稔伸，植山健史，東畠三洋，池上浩，岡田龍雄 レーザー学会第 465 回研究会「レーザー応用」2014 年 9 月 8 日． 5. SiO2 埋込み CO2 レーザーアニールにより形成した ZnO 薄膜の結晶性と光応答特性 山崎 恒太，池上 浩，下垣 哲也，渡邊 陽介，中村 大輔，岡田 龍雄 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 17p-S9-10，2014 年 9 月 17 日～20 日． 6. レーザ誘起成長により形された SiC(0001) 上グラフェンの雰囲気圧力依存性 服部正和，古川一暁，高村真琴，日比野浩樹，池上浩 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 17p-S9-9，2014 年 9 月 17 日～20 日． 7. 水中レーザーアブレーション法により生成される DLC の捕獲の試み 谷山大地，池上浩，大久保智幸，中村大輔，岡田龍雄 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 18p-S9-7，2014 年 9 月 17 日～20 日． 8. 大気圧窒素プラズマ中レーザー照射による 4H-SiC 中への窒素ドーピング 小島遼太，池上浩，渡邊陽介，池田晃裕，中村大輔，浅野種正，岡田龍雄 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 17p-A17-11，2014 年 9 月 17 日～20 日． 9. KrF エキシマレーザーの液体窒素中照射による 4H-SiC への N のドーピング 丸井 大地, 池田 晃裕, 池上 浩, 浅野 種正 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 17p-A17-12，2014 年 9 月 17 日～20 日． 10. Nd:YAG レーザーと KrF エキシマレーザーによる液中レーザー溶融法生成粒子の比較 榊祥太，越崎直人，池上浩，辻剛志，石川善恵 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 17p-S9-15，2014 年 9 月 17 日～20 日． 11. リン酸溶液中レーザドーピングによる Ge ダイオードの低温形成 高橋恒太、黒澤昌志、池上浩、坂下満男、竹内和歌奈、中塚理、財満鎭明 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 18a-A19-4，2014 年 9 月 17 日～20 日． 12. ポリシラザン塗布膜の CO2 レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジスタ応用 菱谷大輔，堀田昌宏, 石河泰明, 渡辺陽介, 池上浩, 浦岡 行治． 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 19a-A17-11，2014 年 9 月 17 日～20 日． 13. CO2 レー ザドーピングのレーザ周波数がのレーザ周波数が結晶シリコン太陽電池に与える影響 本多竜規，石河泰明，池上浩，渡邊陽介，吉永征矢，姜雲健，浦岡行治 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 18p-A25-15，2014 年 9 月 17 日～20 日． 14. 大気中レーザー照射による Sb 添加 ZnO マイクロ球の作製 中村大輔，田中稔伸，植山健史，池渕達也，下垣哲也，東畠三洋，池上浩，岡田龍雄 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 18p-S9-4，2014 年 9 月 17 日～20 日． 15. XeF エキシマレーザーアニールによる低温多結晶 Si 薄膜の形成 大久保智幸, 池上浩, 渡邊陽介, 中村大輔, 岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 35 回年次大会, 2015 年 1 月 11 日～12 日． 16. SiO2 埋込み CO2 レーザーアニールが ZnO 薄膜の結晶性に与える影響 山崎 恒太, 池上 浩, 下垣 哲也, 渡邊 陽介, 中村 大輔, 岡田 龍雄 レーザー学会学術講演会第 35 回年次大会, 2015 年 1 月 11 日～12 日． 17. KrF エキシマレーザー照射による SiC(0001)上でのグラフェンのマイクロパターニング 服部正和, 古川一暁, 高村真琴, 日比野浩樹, 池上浩 レーザー学会学術講演会第 35 回年次大会, 2015 年 1 月 11 日～12 日． 18. F2 レーザーを用いた PLD 法による SiO2 薄膜の形成 谷山 大地, 池上 浩, 大久保 智幸, 中村 大輔, 岡田 龍雄 レーザー学会学術講演会第 35 回年次大会, 2015 年 1 月 11 日～12 日． 19. 大気圧窒素プラズマ中レーザー照射による 4H-SiC への窒素ドーピングとその電気特性評価 小島遼太, 池上浩, 渡邊陽介, 池田晃裕, 中村大輔, 浅野種正, 岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 35 回年次大会, 2015 年 1 月 11 日～12 日． 20. 紫外レーザープロセスを利用した ZnO ナノ・マイクロ結晶の作製と評価 下垣 哲也, 川原 裕貴, 中尾 しほみ, 原田 浩輔, 東畠 三洋, 池上 浩, 中村 大輔, 中田 芳樹, 岡田 龍 レーザー学会学術講演会第 35 回年次大会, 2015 年 1 月 11 日～12 日． 21. 液中レーザー溶融法生成粒子に及ぼすパルス波形の影響 榊祥太、越崎直人、池上浩、辻 剛志、石川 善恵 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 22. 垂直配向 ZnO ナノウォールアレイの作製とランダムレージング 高橋将大、原田浩輔，中尾しほみ、東畠三洋、池上浩、中村大輔、中田芳樹、岡田龍雄 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 23. 光励起 ZnO マイクロ球の紫外レーザー発振における周囲媒質の影響 植山健史、佐藤雄太、東畠三洋、中村大輔、池上浩、岡田龍雄 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 24. ZnO バッファ層の四光束干渉 UV レーザー照射によるパターン加工と ZnO 微小結晶の作製 下垣哲也、川原裕貴、中尾しほみ、東畠三洋、池上浩、中村大輔、中田芳樹、岡田龍雄 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 25. Low temperature excimer laser annealing of a-InGaZnO thin-film transistors passivated by hybrid organic-inorganic passivation layer Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami Fujii1, Michiel van der Zwan, Hiroshi Ikenoue, Ryoichi Ishihara, Toshiaki Nonaka, Yukiharu Uraoka 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 26. GeSn/絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法（３）-パルスレーザーアニール・シーディングの検討松村亮、知北大典、佐道泰造、池上浩、宮尾正信 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 27. レーザー誘起成長により形成された SiC(0001)上グラフェンの成長過程観察 服部正和、池上浩，中村大輔、岡田龍雄、古川一暁、高村真琴、日比野浩樹 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 28. F2 レーザーを用いたパルスレーザー堆積法によるポーラス SiO2 膜の形成 谷山大地、池上浩、大久保智幸、中村大輔、岡田龍雄 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 29. [第 6 回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] GeSn 多結晶薄膜の進展 〜3D-IC を目指して〜 黒澤昌志、池上浩、田岡紀之、中塚理、財満鎭明 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 30. リン酸溶液中レーザドーピングにおける Ge 基板面方位の効果 高橋恒太、黒澤昌志、池上浩、柴山茂久、坂下満男、竹内和歌奈、中塚理、財満鎭明 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 31. 表面に堆積した Al 薄膜へのレーザ照射による 4H-SiC への p 型ドーピング 池田晃裕、角名陸歩、池上浩、浅野種正 第 62 回応用物理学会春季学術講演会，2015 年 3 月 11 日～15 日． 2013 年度 学術論文 (Academic journals and proceedings in FY2013) 1. Effect of High Repetition Pulsed Laser Annealing on Optical Properties of Phosphorus Ion-Implanted ZnO Nanorods Tetsuya Shimogaki, Taihei Ofuji, Norihiro Tetsuyama, Kota Okazaki, Mitsuhiro Higashihata, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano, Tatsuo Okada Advanced Materials Research, 699, pp 383-386 (May 2013). 2. Phosphorus Doping into 4H-SiC by Irradiation of Excimer Laser in Phosphoric Solution K. Nishi, A. Ikeda, H. Ikenoue, T. Asano. Japanese Journal of Applied Physics, 52 06GF02 (4pp) (Jun. 2013). 3. Impact of Underwater Laser Annealing on Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor for Inactivation of Electrical Defects at Super Low-Temperature E. Machida, M. Horita , K. Yamasaki, Y. Ishikawa, Y. Uraoka, H. Ikenoue. IEEE Journal of Display Technology, 9, pp.741-746 (Sep. 2013). 4. Acceleration Effect of Quartz Micromachining by High Repetition Rate Shots of ns Pulsed CO 2 Laser Kota Yamasaki, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Yousuke Watanabe and Tatsuo Okada Proc. of the 6th International Congress on Laser Advanced Materials Processing, A157 (pp4) (Oct. 2013). 5. Synthesis of Various Sized ZnO Microspheres by Laser Ablation and Their Lasing Characteristics Daisuke Nakamura, Tetsuya Simogaki, Kota Okazaki, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Tatsuo Okada, Journal of Laser Micro/Nano engineering 8, pp296-299 (Dec. 2013). 6. Effect of Laser Annealing Using High Repetition Rate Pulsed Laser on Optical Properties of Phosphorus Ion-Implanted ZnO Nanorods T. Shimogaki, T. Ofuji, N. Tetsuyama, K. Okazaki, M. Higashihata, D. Nakamura, H. Ikenoue, T. Asano and T. Okada Applied Physics A, 114, pp625-629 (2014). 7. Patterned growth of ZnO nanowalls by nanoparticle-assisted pulsed laser deposition D. Nakamura, T. Shimogaki, S. Nakao, K. Harada, Y. Muraoka, H. Ikenoue, T. Okada J. Phys. D: Appl. Phys.47, 034014 (8pp) (2014). 8. Large grain growth of tensile-strained Ge-rich GeSn on insulator by pulsed laser annealing in flowing water Masashi Kurosawa, Noriyuki Taoka, Hiroshi Ikenoue, Osamu Nakatsuka, and Shigeaki Zaima Appl. Phys. Lett. 104, 061901 (4pp) (Feb. 2014). 9. n- and p-type doping of 4H-SiC by wet-chemical laser processing Koji Nishi, Akihiro Ikeda, Daichi Marui, Hiroshi Ikenoue, and Tanemasa Asano Materials Science Forum, Vol. 778-780, pp. 645-648 (Feb. 2014). 10. High quality ZnO film formation by CO2 laser annealing of buried films in SiO2 matrix Kota Yamasaki, Hiroshi Ikenoue, Tetsuya Shimogaki, Yousuke, Watanabe, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada Proc. of SPIE, 8967, ‘Laser Applications in Microelectronic and Optoelectronic Manufacturing (LAMOM) XIX’, 89671E (Mar. 2014). 11. Emission characteristics of electrically- and optically-pumped single ZnO micro-spherical crystal Daisuke Nakamura, Tetsuya Shimogaki, Koshi Fusazaki, Yasuaki Mizokami, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Tatsuo Okada Proc. of SPIE 8987, ‘Oxide-based Materials and Devices V’, 89870B (Mar. 2014). 12. Control of optical and electrical properties of ZnO nanocrystals by nanosecond-laser annealing Tetsuya Shimogaki, Taihei Ofuji, Norihiro Tetsuyama, Hirotaka Kawahara, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada Proc. of SPIE 8987, ‘Oxide-based Materials and Devices V’, 89870G (Mar. 2014). 13. Electroluminescence from ZnO nanowire-based heterojunction LED Daisuke Nakamura, Norihiro Tetsuyama, Tetsuya Shimogaki, Mitsuhiro Higashihata, Hiroshi Ikenoue, Tatsuo Okada Proc. of SPIE 8987, ‘Oxide-based Materials and Devices V’, 89870H (Mar. 2014). 2013 年度 国際会議 (International Conference and Symposium in FY2013) 1. Forming of SiO2 Film by Spin-On Glass and CO2 Laser Annealing for Gate Insulator of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yukiharu Uraoka, Yosuke Watanabe, Hiroshi Ikenoue The 2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2013) , June 5-6, 2013 2. Optical Properties Evaluation of Sb-doped ZnO Nanorods Using UV Laser Doping Taihei Ofuji, Tetsuya Shimogaki, Kota Okazaki, Hiroshi Ikenoue, Mitsuhiro Higashihata, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim（CLEO-PR 2013）June 30-July 4, 2013. 3. Dependence on Repetition Rate in Post-Laser Annealing Process of Ion-Implanted ZnO Nanorods Using KrF Excimer Laser Tetsuya Shimogaki, Taihei Ofuji, Norihiro Tetsuyama, Kota Okazaki, Mitsuhiro Higashihata, Daisuke Nakamura, Hiroshi Ikenoue, Tanemasa Asano, Tatsuo Okada The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim（CLEO-PR 2013）June 30-July 4, 2013. 4. Characteristic of pn Junction Formed in 4H-SiC by using Excimer-laser Processing in Phosphoric Solution Akihiro Ikeda, Koji Nishi, Daichi Marui, Hiroshi Ikenoue and Tanemasa Asano 13th International Workshop on Junction Technology 2013 June 6-7, 2013 5. Forming of High Quality SiO2 Thin Film by Spin-On Glass and CO2 Laser Annealing on Polycrystalline Silicon Thin Film Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Yosuke Watanabe, Yukiharu Uraoka The 20th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), July 2-5, 2013. 6. Formation of pn junction in 4H-SiC by Irradiating of Excimer Laser in Phosphoric Solution Koji Nishi, Akihiro Ikeda, Hiroshi Ikenoue, and Tanemasa Asano Asia-Pasific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor devices (AWAD)，June 26-28 , 2013. 7. Acceleration Effect of Quartz Micromachining by High Repetition Rate Shots of ns Pulsed CO2 Laser Kota Yamasaki, Hiroshi Ikenoue, Daisuke Nakamura, Yousuke Watanabe, Tatsuo Okada The 6th International Congress on Laser Advanced Materials Processing（LAMP 2013）July 23-26, 2013. 8. Synthesis of Various Sized Microspheres by Laser Ablation and Their Lasing Characteristics D. Nakamura, T. Shimogaki, K. Okazaki, M. Higashihata, H. Ikenoue, T. Okada The 6th International Congress on Laser Advanced Materials Processing（LAMP 2013）July 23-26, 2013. 9. Effect of Laser Irradiation on ZnO Nanocrystal Growth by Nanoparticle-Assisted Pulsed Laser Deposition” D. Nakamura, T. Shimogaki, Y. Muraoka, S. Nakao, K. Harada, M. Higashihata, Y. Nakata, H. Ikenoue, T. Okada The 6th International Congress on Laser Advanced Materials Processing（LAMP 2013）July 23-26, 2013. 10. n- and p-type doping of 4H-SiC by wet-chemical laser processing K. Nishi, A. Ikeda, D. Marui, H. Ikenoue, T. Asano The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 29 - October 4, 2013. 11. The Fabrication of Spherical Micro Semiconductor crystals by the Simple Laser Ablation Method T. Shimogaki, K. Fusazaki, Y. Mizokami, N. Tetsuyama, M. Higashihata, H. Ikenoue, D. Nakamura, T. Okada 12th International Conference on Laser Ablation (2013.10) 12. Formation of SiO2 Thin Films on Polycrystalline Silicon Thin Films from Polysilazane Solution by CO 2 Laser Annealing Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yosuke Watanabe, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka The 20th International Display Workshops, Dec. 4-6, 2013. 13. Formation of SiO2 Thin Films from Polysilazane Solution by CO2 Laser Annealing for Gate Insulator of Polycrystalline Silicon Thin Films Transistors Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yosuke Watanabe, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka The 10th International Thin-Film Transistor Conference, Jan.23-24, 2014. 14. Control of Optical and Electrical Properties of ZnO Nanocrystals by Nanosecond-Laser Annealing T. Shimogaki, T. Ofuji, N. Tetsuyama, H. Kawahara, M. Higashihata, H. Ikenoue, D. Nakamura, T. Okada SPIE Photonics West 2014, Feb.1-6, 2014. 15. High quality ZnO film formation by CO2 laser annealing of buried films in SiO2 matrix K. Yamasaki, H. Ikenoue, T. Simogaki, Y., Watanabe, D. Nakamura, T. Okada SPIE Photonics West 2014, Feb.1-6, 2014. 16. Electroluminescence from ZnO nanowire-based heterojunction LED D. Nakamura, N. Tetsuyama, T. Shimogaki, M. Higashihata, H. Ikenoue, T. Okada SPIE Photonics West 2014, Feb.1-6, 2014. 17. Emission characteristics of electrically- and optically-pumped single ZnO micro-spherical crystal D. Nakamura, T. Shimogaki, K. Fusazaki, Y. Mizokami, M. Higashihata, H. Ikenoue, T. Okada SPIE Photonics West 2014, Feb.1-6, 2014. 18. Sn-assisted low temperature crystallization of polycrystalline Ge1-xSnx thin-films on insulating surfaces Masashi Kurosawa, Takashi Yamaha, Wakana Takeuchi, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Hiroshi Ikenoue, and Shigeaki Zaima 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, O-7, Jan. 27-28, 2014. 2013 年度 国内学会 (Domestic Conference and Symposium in FY2013) 1. エキシマレーザー及び Q スイッチ CO2 レーザーを用いた新規プロセス技術の開発と評価 池上浩 第 8 回サステナブル・先端応用へむけたレーザプロセシング技術調査専門委員会 2013 年 9 月 2 日． 2. レーザーを用いた SiC(0001) 上でのグラフェン形成 服部 正和，古川 一暁，高村 真琴，日比野 浩樹，池上 浩 レーザー学会九州支部学生講演会 2013 年 9 月 8 日． 3. アンモニア水溶液中レーザー照射による 4H-SiC 中への窒素ドーピングとその電気特性評価 井上 祐樹 ，池上 浩 ，池田 晃裕 ，中村 大輔， 岡田 龍雄，浅野 種正 レーザー学会九州支部学生講演会 2013 年 9 月 8 日． 4. 高繰り返しレーザーを用いた ZnO ナノロッドへの Sb レーザードーピング 大藤 太平，下垣哲也，東畠三洋，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会九州支部学生講演会 2013 年 9 月 8 日． 5. ZnO ナノ結晶成長と光学特性におけるレーザー照射効果 中村大輔、下垣哲也、村岡佑樹、中尾しほみ、原田浩輔、東畠三洋、池上浩、中田芳樹、岡田龍雄 レーザー学会第 449 回研究会「レーザー応用」2013 年 9 月 9 日． 6. SiO2 埋込み薄膜の CO2 レーザーアニールによる高品質 ZnO 薄膜の形成 山崎恒太，池上 浩，下垣哲也，渡邉陽介，中村大輔，岡田龍雄 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会 17a-A3-6，2013 年 9 月 16 日～20 日 7. アンモニア水溶液中レーザー照射による 4H-SiC 中への窒素ドーピング 井上祐樹，池上 浩，池田晃裕，中村大輔，岡田龍雄，浅野種正 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会 19a-P9-8，2013 年 9 月 16 日～20 日 8. KrF エキシマレーザーの溶液中照射による 4H-SiC への Al のドーピング 丸井大地，池田晃裕，西 紘史，池上 浩，浅野種正 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会 17p-B3-4，2013 年 9 月 16 日～20 日 9. SiC(0001)上でのグラフェンのレーザー誘起選択成長 服部正和，古川一暁，高村真琴，日比野浩樹，池上 浩 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会 16p-P7-28，2013 年 9 月 16 日～20 日 10. スピンオングラスおよび CO2 レーザーアニールを用いた多結晶シリコン薄膜上への SiO2 薄膜形成 菱谷大輔，堀田昌宏，石河泰明，渡辺陽介，池上 浩，浦岡行治 第 74 回応用物理学会秋季学術講演会 17a-B5-3，2013 年 9 月 16 日～20 日 11. ZnO ナノウォールのパターン成長と ZnO ナノウォールのレーザー発振特性 原田浩輔，村岡祐樹，中尾しほみ，東畠三洋，中村大輔，池上浩，中田芳樹，岡田龍雄 電気関係学会九州支部連合大会(第 66 回連合大会) 2013 年 9 月 24 日, 25 日 12. レーザーアニールによる ZnO 薄膜のモルフォロジー変化とその ZnO ナノワイヤの成長密度制御への利用 坂本弘明，下垣哲也，大藤太平，川原裕貴，東畠三洋，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 平成 25 年度応用物理学会九州支部学術講演会 2013 年 11 月 31 日～12 月 1 日． 13. 垂直配向 ZnO ナノ構造体のパターン成長とレーザー発振特性", 高橋将大，村岡佑樹，原田浩輔，中尾しほみ，東畠三洋，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 平成 25 年度応用物理学会九州支部学術講演会 2013 年 11 月 31 日～12 月 1 日． 14. 【支部発表奨励賞受賞】KrF エキシマレーザーの溶液中照射による 4H-SiC への Al のドーピング 丸井 大地，池田晃裕, 西 紘史, 池上 浩, 浅野種正 平成 25 年度応用物理学会九州支部学術講演会，30Bp-10（2013 年 11 月）． 15. SiO2 埋込み薄膜の CO2 レーザーアニールによる高品質 ZnO 薄膜形成とその発光特性 山崎恒太，池上浩，下垣哲也，渡邊陽介，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会，2014 年 1 月 20 日～22 日． 16. 高繰り返し紫外レーザーを用いた ZnO へのレーザードーピング 大藤太平，下垣哲也，東畠三洋，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会，2014 年 1 月 20 日～22 日． 17. ZnO 薄膜へのレーザーアニール効果と ZnO ナノ・マイクロ結晶の選択成長 下垣哲也，大藤太平，川原裕貴，村岡佑樹，中尾しほみ，原田浩輔，東畠三洋，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会，2014 年 1 月 20 日～22 日． 18. 【論文発表奨励賞受賞】アンモニア水溶液中レーザー照射による 4H-SiC 中への窒素ドーピングと活性化特性 井上祐樹，池上浩，池田晃裕，中村大輔，岡田龍雄，浅野種正 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会，2014 年 1 月 20 日～22 日． 19. ZnO ナノウォールのパターン成長と紫外レーザー発振特性 原田浩輔，村岡佑樹，中尾しほみ，東畠三洋，池上浩，中村大輔，中田芳樹，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会，2014 年 1 月 20 日～22 日． 20. ZnO 薄膜へのレーザーアニール効果と ZnO ナノ・マイクロ結晶の選択成長 下垣哲也，大藤太平，川原裕貴，村岡佑樹，中尾しほみ，原田浩輔，東畠三洋，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会，2014 年 1 月 20 日～22 日． 21. CO2 ナノ秒レーザーアブレーションによる吸収特性変化によるガラスの加工促進効果 渡邊陽介，池上浩，山崎恒太，大久保智幸，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会 ，2014 年 1 月 20 日～22 日． 22. 【招待講演】リソグラフィ用光源を用いた新規レーザープロセシングの開拓研究 池上浩，渡邊陽介，大久保智幸，山崎恒太，井上祐樹，服部正和，栗原啓志郎，寺嶋克知，中山潤，松永隆，溝口計，東畠三 洋，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会，2014 年 1 月 20 日～22 日． 23. 酸化亜鉛ナノワイヤ成長制御へのレーザプロセスの応用 下垣哲也,山崎恒太,川原裕貴,中尾しほみ,原田浩輔,東畠三洋,池上浩,中田芳樹,中村大輔,岡田龍雄 電気学会 光・量子デバイス研究会，2014 年 3 月 7 日． 24. ZnO ナノ構造体成長における ZnO バッファ層の影響及び ZnO バッファ層へのレーザー照射がもたらす効果 下垣哲也，大藤太平，川原裕貴，村岡佑樹，中尾しほみ，東畠三洋，池上浩，中村大輔，岡田龍雄, 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 17a-E10-1，2014 年 3 月 17 日～20 日． 25. ナノ秒パルス CO2 レーザーを用いた合成石英加工時に生じる加工特性の変化 渡邊陽介，池上浩，山崎恒太，中村大輔，岡田龍雄 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 17a-F3-8，2014 年 3 月 17 日～20 日． 26. ZnO ナノウォールの作製とレーザー発振特性評価 原田浩輔，村岡佑樹，中尾しほみ，東畠三洋，池上浩，中村大輔，中田芳樹，岡田龍雄 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 18p-PA3-9，2014 年 3 月 17 日～20 日． 27. KrF エキシマレーザーを用いた液中レーザー溶融法による酸化亜鉛球状粒子の作製 榊祥太，越崎直人，池上浩，辻剛志，石川善恵 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 19p-D1-2，2014 年 3 月 17 日～20 日． 28. SiC(0001)上でのレーザー誘起選択成長によるグラフェンの直接描画 服部正和，古川一暁，高村真琴，日比野浩樹，池上浩 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 19p-D1-9，2014 年 3 月 17 日～20 日． 29. 薬液中レーザー照射による 4H-SiC の n 形化と不純物の拡散特性 井上祐樹，池上浩，池田晃裕，中村大輔，岡田龍雄，浅野種正 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 19p-D1-11，2014 年 3 月 17 日～20 日． 30. 水中レーザ結晶化による poly-GeSn の大粒径成長とデバイス応用 黒澤昌志，池上浩，鎌田善己，田岡紀之，中塚理，手塚勉，財満鎭明 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 19p-PG3-21，2014 年 3 月 17 日～20 日． 2012 年度 学術論文 (Academic journals and proceedings in FY2012) 1. Effect of laser annealing on photoluminescence properties of Phosphorus implanted ZnO nanorods T. Shimogaki, K. Okazaki, M. Higashihata, D. Nakamura, H. Ikenoue, T. Asano, T. Okada Opt. Exp., 20, 15247-15252 (Jun. 2012). 2. Crystallization to polycrystalline silicon thin film and simultaneous inactivation of electrical defects by underwater laser annealing E. Machida, M. Horita, K. Yamasaki, Y. Ishikawa, Y. Uraoka, H. Ikenoue. Appl. Phys. Lett. 101, 252106 (4pp) (Dec. 2012). 3. Phosphorus doping of 4H SiC by liquid immersion excimer laser irradiation A.Ikeda, K.Nishi, H.Ikenoue, T.Asano. Appl. Phys. Lett. 102, 052104 (4pp) (Feb. 2013). 4. Effect of Laser Annealing Using High Repetition Rate Pulsed Laser on Optical Properties of Phosphorus Ion-Implanted ZnO Nanorods T. Shimogaki, T. Ofuji, N. Tetsuyama, K. Okazaki, M. Higashihata, D. Nakamura, H. Ikenoue, T. Asano, T. Okada Appl. Phys. A, DOI 10.1007/s00339-013-7638-y (Feb. 2013). 5. Applications of nanosecond laser annealing to fabricating p-n homo junction on ZnO nanorods T. Shimogaki, T. Ofuji, N. Tetsuyama, K. Okazaki, M. Higashihata, D. Nakamura, H. Ikenoue, T. Asano, T. Okada Proc. SPIE, 8626, 86260V (Mar. 2013). 2012 年度 国際会議 (International Conference and Symposium in FY2012) 1. A new in situ observation method of laser ablation by electric field measurement using a ring electrode probe C. OHGURO, H. IKENOUE, H. SHIBA, T. OKADA Proc. of The 13th International Symposium on Laser Precision Microfabrication, p232 (2012-7). 2. ‘Poster Award’ Crystallization of Polycrystalline Silicon Films by Underwater Laser Annealing and Its Application to Thin Film Transistors E. MACHIDA, M. HORITA, Y. ISHIKAWA, Y. URAOKA, H. IKENOUE Proc. of The 19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, p111 (2012-7). 3. ‘Invited’ Super Low Temperature Fabrication of Thin Film Transistors with Polycrystalline Si and Oxide Semiconductor Materials M. HORITA, E. MACHIDA, Y. ISHIKAWA, Y. URAOKA, H. IKENOUE. Proc. of The 12th International Meeting on Information Display, pp13-14 (2012-8). 4. Phosphorus Doping of 4H-SiC by KrF Excimer Laser Irradiation in Phosphoric Solution A. IKEDA, K. NISHI , H. IKENOUE, T. ASANO Proc. of 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp1251-1252 (2012-9). 5. Phosphorus Incorporation in 4H-SiC by Irradiation of Excimer Laser in Phosphoric Solution K. NISHI, A. IKEDA, H. IKENOUE, T. ASANO 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, (2012-10). 6. Local Characterization of Defect Sites at Grain and Grain Boundary of Polycrystalline Silicon Thin Films and Their Effect on Device Performance E. MACHIDA, M. HORITA, Y. ISHIKAWA, Y. URAOKA, H. IKENOUE 2012 MRS FALL MEETING, (2012-11). 7. ‘Best Paper Award’ Super Low-Temperature Formation of Polycrystalline Silicon Films on Plastic Substrates by Underwater Laser Annealing E. MACHIDA, M. HORITA, Y. ISHIKAWA, Y. URAOKA, H. IKENOUE The 19th International Display Workshops in conjunction with Asia Display, pp303-306 (2012-12). 8. Applications of nanosecond laser annealing to fabricating p-n homo junction on ZnO nanowires T. SHIMOGAKI, T. OFUJI, N. TETSUYAMA, K. OKAZAKI, M. HIGASHIHATA, D. NAKAMURA, H. IKENOUE, T. ASANO, T.OKADA 2013 SPIE Photonics west, (2013-2) 9. Effect of High Repetition Pulsed Laser Annealing on Optical Properties of Phosphorus Ion-Implanted ZnO Nanorods T. SHIMOGAKI, T. OFUJI, N. TETSUYAMA, K. OKAZAKI, M. HIGASHIHATA, D. NAKAMURA, H. IKENOUE, T. ASANO, T. OKADA 2013 Iernational Conference on Materials Science and Chemical Engineering, (2013-2). 2012 年度 国内学会 (Domestic Conference and Symposium in FY2012) 1. ナノ秒パルス CO2 レーザーによる合成石英加工の繰返し周波数依存性 山崎恒太，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 2012 年 秋季 第 73 回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p04-238（2012 年 9 月）． 2. 水中レーザーアニールによるプラスチック基板上多結晶シリコン膜形成 町田 絵美，堀田 昌宏，石河 泰明，浦岡 行治，奥山 哲雄，池上浩 2012 年 秋季 第 73 回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p13-108（2012 年 9 月） 3. 水中レーザーアニールによるプラスチック基板上多結晶シリコン膜形成 町田 絵美，堀田 昌宏，石河 泰明，浦岡 行治，奥山 哲雄，池上浩 2012 年 秋季 第 73 回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p13-108（2012 年 9 月） 4. ホウ酸水中での n-Si へのレーザー照射による pn 接合の形成 池田 晃裕，西紘史，池上浩，浅野種正 2012 年 秋季 第 73 回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p13-118（2012 年 9 月） 5. KrF エキシマレーザーによる 4H-SiC への P のレーザー化学ドーピング 西紘史，池田晃裕，池上浩，浅野種正 2012 年 秋季 第 73 回応用物理学会学術講演会講演予稿集，p15-278（2012 年 9 月） 6. Q-Switch CO2 レーザーアニールによる多結晶シリコン薄膜の形成と膜質評価 山﨑浩司，町田絵美，堀田昌宏，石河泰明，浦岡行治，池上浩 薄膜材料デバイス研究会第９回研究集会「薄膜デバイスの未来」，pp158-160（2012 年 11 月） 7. ［支部発表奨励賞］ナノ秒パルス CO2 レーザーによる合成石英加工の基板温度依存性 山崎恒太，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 平成 23 年度応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集，p57（2012 年 11 月） 8. エキシマレーザーを用いた P のレーザー化学ドーピングによる 4H-SiC への低抵抗層の形成 西紘史，池田晃裕，池上浩，浅野種正 平成 23 年度応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集，p191（2012 年 11 月） 9. Q-switch CO2 レーザー高繰返し照射により生じる合成石英加工促進の効果 山崎恒太，池上浩，中村大輔，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 33 回年次大会予稿集, D830pⅡ05（2013 年 1 月） 10. 電極プローブを用いたパルスレーザー加工の実時間観察と加工制御法 渡邊陽介，池上浩，中村大輔，松永隆，溝口計，岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 33 回年次大会予稿集, D930pⅡ10（2013 年 1 月） 11. P ドープ ZnO ナノロッドへの高繰り返し紫外パルスレーザアニール効果 下垣哲也, 大藤太平, 鉄山紀弘, 岡﨑功太, 東畠三洋, 中村大輔, 池上浩, 浅野種正, 岡田龍雄 レーザー学会学術講演会第 33 回年次大会予稿集, D930pⅡ10（2013 年 1 月） 12. ［シンポジウム講演］水中レーザーアニール法による多結晶 GeSn 薄膜の低温形成 黒澤昌志, 田岡紀之, 中塚理, 池上浩, 財満鎭明 2013 年 第 60 回応用物理学会春季学術講演会，(2013 年 3 月) 13. レーザードーピングによる Sb ドープ ZnO ナノロッドの作製と光学特性 大藤太平，下垣哲也, 岡﨑功太，東畠三洋, 池上浩, 中村大輔, 岡田龍雄 2013 年 第 60 回応用物理学会春季学術講演会，(2013 年 3 月) 14. 三次元構造デバイス応用に向けた CO2 レーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成 山﨑浩司, 町田絵美, 堀田昌宏, 石河泰明, 浦岡行治, 池上浩 2013 年 第 60 回応用物理学会春季学術講演会，(2013 年 3 月) 15. リン酸中レーザ照射を用いた 4H-SiC への不純物ドーピングの研究 池田晃裕，丸井大地，西紘史，池上浩，浅野種正 2013 年 第 60 回応用物理学会春季学術講演会，(2013 年 3 月) 16. 高繰り返し KrF エキシマレーザーによる P-implanted ZnO ナノロッドのポストアニール 下垣哲也，大藤太平，鉄山紀弘，岡﨑功太，東畠光洋，池上浩，中村大輔，浅野種正，岡田龍雄 2013 年 第 60 回応用物理学会春季学術講演会，(2013 年 3 月)． 2011 年度 国際会議 (International Conference and Symposium in FY2011) 1. Novel Direct Patterning Technique of Vapor-Deposited Si Thin Films by Laser-Induced Si/Ag Layer Exchange M. KIYOOKA, H. IKENOUE Proc. of 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp302-303 (2011-9). 2. Crystallinity of Polycrystalline Silicon Formed by Underwater Laser Annealing E. MACHIDA, M. HORITA, Y. ISHIKAWA, Y. URAOKA, H. IKENOUE The 11th International Meeting on Information Display, (2011-10). 3. Super Low-Temperature Crystallization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Underwater Laser Annealing E. MACHIDA, M. HORITA, Y. ISHIKAWA, Y. URAOKA, T. OKUYAMA, H. IKENOUE International Thin-Film Transistor Conference, (2012-1). 2011 年度 国内学会 (Domestic Conference and Symposium in FY2011) 1. 薄膜液中レーザーアブレーションによる Ni ナノ粒子の生成 藤本尚也，池上浩 2011 年秋季 第 72 回応用物理学会学術講演会，1a-B-7（2011 年 9 月）． 2. 水中レーザーアニールによる LTPS-TFT 欠陥不活性化処理中に生成される気泡の挙動観察 青木麻野，池上浩，町田絵美，堀田昌宏，石河泰明，浦岡行治 2011 年秋季 第 72 回応用物理学会学術講演会，1p-M-8（2011 年 9 月）． 3. 水中レーザーアニールによる多結晶シリコン薄膜の超低温結晶化 町田絵美，堀田昌宏，石河泰明，浦岡行治，奥山哲雄，池上浩 2012 年春季 第 59 回 応用物理学関係連合講演会講演予稿集，p13-131（2012 年 3 月）． 受賞 (Award) 1. Poster Award Crystallization to Polycrystalline Silicon Films by Underwater Laser Annealing and ItsApplication to Thin Film Transistors E. MACHIDA, M. HORITA, Koji, Y. ISHIKAWA, Y. URAOKA, H. IKENOUE The 19th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (2012-07). 2. Best Paper Award Super Low-Temperature Formation of Polycrystalline Silicon Films on Plastic Substrates by Underwater Laser Annealing E. MACHIDA, M. HORITA, Koji, Y. ISHIKAWA, Y. URAOKA, H. IKENOUE The 19th International Display Workshops in conjunction with Asia Display (2012-12). 3. 支部発表奨励賞 「ナノ秒パルス CO2 レーザーによる合成石英加工の基板温度依存性」 山崎恒太，池上浩，中村大輔，岡田龍雄，平成 24 年度応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集，p57（2012 年 11 月）． 4. 支部発表奨励賞 「KrF エキシマレーザーの溶液中照射による 4H-SiC への Al のドーピング」 丸井 大地，池田晃裕, 西 紘史, 池上 浩, 浅野種正，平成 25 年度応用物理学会九州支部学術講演会，30Bp-10（2013 年 11 月）． 5. 論文発表奨励賞(2014 年 5 月 25 日) 「アンモニア水溶液中レーザー照射による 4H-SiC 中への窒素ドーピングと活性化特性」 井上祐樹，池上浩，池田晃裕，中村大輔，岡田龍雄，浅野種正 レーザー学会学術講演会第 34 回年次大会，2014 年 1 月 20 日～22 日． 6. 第 6 回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞 (2015 年 3 月 13 日) 受賞論文’Large grain growth of tensile-strained Ge-rich GeSn on insulator by pulsed laser annealing in flowing water’ Masashi Kurosawa, Noriyuki Taoka, Hiroshi Ikenoue, Osamu Nakatsuka, and Shigeaki Zaima, Appl. Phys. Lett. 104, 061901 (4pp) (Feb. 2014).