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page150-182 - 新エネルギー・産業技術総合開発機構
わが国の独創技術 世界に発信 国際的な研究連携 次世代量子ビーム利用ナノ加工プロセス技術 日本 Argonne ArgonneNational NationalLab. Lab. Optical OpticalCoating CoatingLab. Lab. Houston University Houston University Lucent LucentBell BellLab. Lab. New NewJersey JerseyInstitute InstituteofofTechnology Technology New NewYork YorkState StateUniversity University Massachusetts Institute Massachusetts InstituteofofTechnology Technology Boston Bostonuniversity university Harvard university Harvard university University UniversityofofFlorida Florida National NationalInstitute InstituteofofStandard Standardand and Technology Technology University of California Berkeley University of California Berkeley Milano Milanouniversity university Universitat UniversitatKarlsruhe Karlsruhe University UniversityofofSurrey Surrey Loughborough LoughboroughUniversity University University of Helsinki University of Helsinki Gothenburg GothenburgUniversity University Chalmers ChalmersUniversity UniversityofofTechnology Technology 47 /49 中間評価分科会資料(6月17日) 資料5-2 事業原簿 31 ページ クラスターイオンビーム技術の知的財産権確立・強化 次世代量子ビーム利用ナノ加工プロセス技術 2000 応用技術に関する特許 2006 1989 基本技術に関する特許 2000 [次世代量子ビーム利用ナノ加工技術開発] プロジェクト ガスクラスターイオンビームプロ セスに関する基本特許 セスに関する基本特許 31件 （山田公、 （山田公、出願ＪＳＴ） 公、出願ＪＳＴ） 技術基礎の確立 技術基礎の確立 本技術の基本特許は日本、米国、 ヨーロッパ で権利化されている。 プロジェクト参加企業による応用特許 プロジェクト参加企業による応用特許 分野別 分野別 （２００２－２００４） （２００２－２００４） 無損傷ナノ加工技術 ３件 無損傷ナノ加工技術 ３件 超高速・高精度ナノ加工技術 ４件 超高速・高精度ナノ加工技術 ４件 実用化に集中 実用化に集中 しかし、 米国、韓国で積極的な 特許戦略 が始まった 技術戦略委員会（弁理士を含む）を組織、 技術戦略委員会（弁理士を含む）を 組織、 知的財産権の強化を図る 知的財産権の強化を図る 事業原簿 32 ページ 48 /49 中間評価分科会資料(6月17日) 資料5-2 量子ビームプロセスの事業化に向けた応用分野 ナノテクノロジー分野に適した革新的加工技術 次世代量子ビーム利用ナノ加工プロセス技術 無損傷ナノ加工技術 超高速・超高精度ナノ加工技術 低エネルギー照射効果 ラテラルスパッタリング効果 高密度照射効果 高化学反応効果 磁性デバイス応用 磁気ヘッド、MRAM MRAM、 磁気ヘッド、 MRAM、FRAM プロセスモニター モニターウエハ、 半導体デバイス 半導体デバイス応用 デバイス応用 化合物半導体デバイス 化合物半導体デバイス ULSI 基板、SAW SAWフィルタ、 ULSI、 ULSI、SOI基板、 SOI基板、 SAWフィルタ、non フィルタ、nonnon-contact CMP 光学デバイス応用 EUV EUV基板形成、マイクロレンズ金型、 EUV基板形成、マイクロレンズ金型、 化合物半導体のエッチング加工 生体応用 特長 高いスループット 平坦度0.5nm 以下のRa 非接触表面平坦化加工 無損傷表面加工 フォトニックデバイス 光スイッチ 波長フイルター フラットパネルディスプレー DWDM大容量光通信用 DWDM大容量光通信用フィルター応用 大容量光通信用フィルター応用 高品位酸化物薄膜応用 （低損失、耐環境性、高密度薄膜） 高硬度DLC 薄膜 高硬度DLC薄膜 （高硬度、高温度耐性 超平坦表面） 特長 スループット フィルター特性 高密度非晶質性、耐熱性 産業用装置開発 ～ 20 ～ 20 µm µµm m 大電流・大面積 大電流・大面積 クラスターイオンビーム装置 装置 クラスターイオンビーム データーストレージデバイス用装置 フォトニクスデバイス用装置 半導体用装置 生体応用装置 特長 全コンピュータ制御とモニター、安定動作、コンタミ・パーティクル低減 49 /49 中間評価分科会資料(6月17日) 資料5-2 第2回「次世代量子ビーム利用ナノ加工 プロセス技術」(中間評価) 分科会 資料3 ナノテクノロジープログラム 次世代量子ビーム利用ナノ加工 プロセス技術 平成１４年度～平成１８年度 （ＦＹ２００２～２００６） 中間評価第二回分科会 補足説明 補足説明資料 説明資料 平成16年 月12日 日 平成 年8月 於：川崎日航ホテル 13:00 於：川崎日航ホテル 1 事業の位置づけ・必要性について 2 ナノテクプログラムにおける本事業の位置付け ナノテクノロジープログラム 2001 2003 2005 2007 技術シーズの発掘・育成 ナノマテリアル・プロセス技術技術 ナノマテリアル・プロセス技術技術 技術技術 研 究 開 発 内 容 ナノ計測・加工技術 実 用 化 補 助 次世代量子ビーム利用ナノ加工プロセス技術 ナノレベル電子セラミック材料低温・集積化技術 機能性ｶﾌﾟｾﾙ活用ﾌﾙｶﾗｰﾘﾗｲﾀﾌﾞﾙﾍﾟｰﾊﾟｰ 次世代情報通信システム用ナノデバイス・材料技術 次世代半導体デバイスプロセス等基盤技術プログラム 情報通信基盤高度化プログラム 知 的 基 盤 先進ナノバイオデバイス技術 ナノ構造における物性探索、機能解明 標準物質・計測標準の開発・提供 国際標準の獲得 成果の体系的整理 成果の体系的整理 施策との連携 産学連携 人材育成・流動化 学・協会とのﾈｯﾄﾜｰｸの構築 ２ ０ 出 ・ の ・ １ 国 新 ０ 産維 際 年 持 ま 業・ 競 で の増 争 創 に 進 力 ナ ノ テ 供ク ノ ・ ロ の野広 ジ 確の範 ー 立基な 基 盤産 盤 技業 を 術 分 確 立 ・ 提 「参加各企業の実用化研究の支援 「参加各企業の実用化研究の支援」 の支援」とともに 「次世代量子ビームによるナノテクノロジー技術 の基盤を確立・提供」も目標としている の基盤を確立・提供」も目標としている 3 参考資料 P.5 NEDO（国）が関与する必要性 次世代量子ビーム 波及効果が大きく広範囲な 産業分野の基盤技術 ＭＥＴＩ ＮＥＤＯ ナノテクプログラム 産学官連携の下で資源を 集中し基盤的研究開発 革新的プロセス技術 投資規模・期間とも大きく リスクが大 超 高高 付速 産加次 業価世 競値代 争デ通 力バ信 強イ等 に 化ス 分不 野可 の欠 な 4 参考資料 P.5，15 次世代量子ビーム利用ナノ加工プロセス技術開発の位置づけ 産業分野 従来技術 次世代 情報 ・ 通信用ナノ デバイス・材料 材料ナノ技術 半導体製造 基本的 なプロ セス完 成 技術など 技術など 量子ビーム 技術 ナノ製造技術イノベーション 電子情報 光通信機器 ウエアラブル機器 産業界に必要な基盤技術 製造技術のイノベーション 技術融合 セス プロ イス バ ない デ てい され し 用 活用 適 程を 高速情報通信・表示用 半導体材料ナノ加工技術 過程 スが い素 ロセ 新し いプ 無 に 技術 可能 従来 従来イオンビーム技術には無い 固体表面非線形相互作用を活用 高精度制御技術 高信頼技術 高密度記憶用磁気材料ナノ 加工技術 高品位品誘電体金属薄膜材 料ナノ加工技術 種々の先端プロセスの融合により 次世代ナノデバイスを実現 5 参考資料 P.2, 10, 11 次世代量子ビームプロセスは多様性を持つ技術であるが、実用化は？ 電子・磁気デバイス 光学デバイス 低エネルギー照射効果 ラテラルスパッタリング効果 高密度照射効果 高化学反応効果 磁性デバイス応用 磁気ヘッド、MRAM MRAM、 磁気ヘッド、 MRAM、FRAM プロセスモニター モニターウエハ、 半導体デバイス応用 化合物半導体デバイス ULSI ULSI、 ULSI、SOI基板、 SOI基板、SAW 基板、SAWフィルタ、 SAWフィルタ、non フィルタ、nonnon-contact CMP フォトニックデバイス 光スイッチ 波長フイルター フラットパネルディスプレー EUV基板形成、マイクロレンズ金型、 EUV基板形成、マイクロレンズ金型、 化合物半導体のエッチング加工 高品位酸化物薄膜応用 （低損失、耐環境性、高密度薄膜） 高硬度DLC 薄膜 高硬度DLC薄膜 （高硬度、高温度耐性 超平坦表面） 生体応用 特長 平坦度0.5nm 以下のRa 非接触表面平坦化加工 無損傷表面加工 産業用装置開発 特長 フィルター特性 高密度非晶質性、耐熱性 ～ 20 ～ 20 µm µµm m 大電流・大面積 クラスターイオンビーム装置 データーストレージデバイス用装置 フォトニクスデバイス用装置 半導体用装置 生体応用装置 特長 全コンピュータ制御とモニター、安定動作、コンタミ・パーティクル低減 「ガスクラスターイオンビームならでは」の応用分野が多方面に及んでいる 6 参考資料 P.4, 5, 9, 10, 11 海外における開発状況 電子・磁気、デバイス分野 光通信用WDMフィルター用 薄膜形成 圧電薄膜共振器 表面弾性波)フィルタ の周波数調整トリミング HDD磁性薄膜センサー の表面加工 200mm Ultra-Smoother 極端紫外線（EUV）露光シ ステム用マスク形成 有機発光ダイオードの高輝度 化と長寿命化 参考資料 P.4, 5, 9, 11 次世代デバイス開発にGCIBプロセスが応用されている プロセスが応用されている 次世代デバイス開発に 7 海外における実用化例 光学デバイス分野 1 mm DWDM filters laser fusion optic Color wheel assembly R+T R+T R R T 参考資料 P.4, 5, 9, 11 no GCIB GCIBプロセスの応用が進んで プロセスの応用が進んでいる いる プロセスの応用が進んで T with GCIB 8 海外における開発状況 生体材料分野 整形外科用 人工関節 Orthopaedic Atomic Level Smoothing Atomic Level Micro-Patterning 眼科疾患用 Ophthalmic 心臓血管疾患用 Cardiovascular Contaminant Removal Surface Polishing Direct Drug Deposition Surface Preparation Harvard-MIT Biomedical Engineering Center, において生体応用分野の展開をおこなっている。 Harvard-MIT Biomedical Engineering Center バイオメディカル分野においてもGCIB技術が利用されている バイオメディカル分野においても 技術が利用されている 9 参考資料 P.4, 5, 11 海外における開発状況 半導体デバイス応用 半導体デバイス応用 1.8E+22 Low energy B Im plant 1.6E+22 Concentration (atoms/cc) 1.4E+22 ポーラスLow-k材 料のアッシング・ シーリング 1.2E+22 G C IB B Im plant 1.0E+22 GCIB B Doping 8.0E+21 6.0E+21 4.0E+21 2.0E+21 0.0E+00 0 50 100 150 200 Depth (angstrom s) B, Ge超極浅イオン注入 ポーラスLow-k材 料の高指向性エ ッチング ITRS(国際半導体技術ロー ドマップ) 2003にクラスター が取り上げられている SOI基板の 膜厚補正 10 参考資料 P.4, 5, 9, 11 海外における開発状況 海外における開発状況 年分） （半導体デバイス応用 2004 （半導体デバイス応用 2004年分） GCIBの応用が急激に進んでいる。 の応用が急激に進んでいる。 11 参考資料 P.4, 5, 9, 11 研究開発マネージメントについて 12 6 企業と大学との連携 ～集中研究体方式～ 集中研究体 高精度クラスターイオンビーム 高精度クラスターイオンビーム発生 クラスターイオンビーム発生装置 発生装置 H15年 H15年3月稼動 低損傷ナノ加工装置 H16年 10月 稼働予定 月 稼働予定 H16年10 高エネルギーナノ加工装置 H16年 H16年9月 稼働予定 装置・消耗品を集中的に運営・管理し、効率よく研究を推進 研究者の派遣・常駐 無損傷ナノ加工技術 (株)日立製作所 三井造船(株) 川崎重工業(株) エピオン・ジャパン(株) (財)大阪科学技術センター 超高速・高精度ナノ加工技術 三菱電機(株) 日本航空電子工業(株) (財)大阪科学技術センター 集中研内・研究会 でのコミュニケーション 企業が個別に研究を行うのではなく、研究リソースの集中化を行っている 13 参考資料 P.2, 3, 4, 7, 8, 16 各テーマ間の連携 基盤技術確立 無損傷ナノ加工技術 超高速・高精度ナノ加工技術 0 1x1 0 5 Mas s [ a.m .u] 5 5 2 x1 0 3x10 4x10 5 5x10 5 1 .0 ・高精度クラスター の生成技術 磁性材料の 無損傷加工 0 .8 0 .6 0 .4 0 .2 0 .0 0 2 000 400 0 600 0 8 000 100 0012 000 Cl us ter si ze [at om s/c lust er ] ・加工損傷の サイズ依存性の解析 SiC化合物半導体の 化合物半導体の 無損傷加工 ・高エネルギー クラスターの生成技術 ・反応性クラスター の生成技術 混合ガス ノズル ディスプレイ基板の 超高速ナノ加工 ・反応脱離過程の解析 装置開発 ・高精度クラスター ビーム発生装置 光デバイスの 高精度ナノ加工 技術を実験に使用 得られた知見を利用 基礎と応用の各研究テーマが有機的に連携して応用展開を図っている 参考資料 P.2, 3, 4, 7, 8, 13, 15, 16, 17, 22 14 研究戦略委員会・発明審査会の位置づけ NEDO METI プロジェクトリーダー 山田 公 京都大学名誉教授 運営委員会 発明審査会 研究開発委員会 (年 回以上） 研究開発委員会 年2回以上） 発明者の認定、共同発明におけ る持分比率の認定、出願要否の 判定などを行う。 合同研究会 企業 6 企業 6 社 大阪科学技術センター 京都大学 兵庫県立大学 年 2 年 2 回 程度 京都大学集中研究体 研究戦略委員会 兵庫県立大学集中研究体 ４社 ４社 集中研究体 研究会 (月 回） 集中研究体 研究会 月1回） 集中研究体 研究会 ( 集中研究体 研究会 (月1回） 産業動向の調査・研究開発の評 価を行うもの。基本戦略がクリア できたので、応用戦略に軸を移す。 応用戦略に軸を移す。 特別研究会 (随時） 国際ワークショップ (年 年1 回 京都 東京 交互） 回 京都 東京 交互） 15 参考資料 P.2, 3, 4, 7, 10 特許戦略：GCIB基本特許の先行権利化 公開特許件数の年次変化 平成15 年現在 公開特許件数の年次変化 平成15年現在 70 60 50 国内特許件数 米国特許件数 国内特許積算 米国特許積算 米国特許積算数 件数 国内特許積算数 40 この時期までに、 本技術の基本特許は日本、 米国、ヨーロッパで 権利化されている。 30 20 米国特許 件数 ※本文中に「ガスクラス ターイオンビーム」があ るものを検索 10 国内特許件数 0 H4 H5 H6 H7 H8 H9 H10 H11 H12 H13 H14 H15 年度 日本が特許化(基本特許）では先行！ 日本が特許化 基本特許）では先行！ 2000年 年(H12)以降、応用特許の出願が米国で急増！ 以降、応用特許の出願が米国で急増！ 参考資料 P.2, 4, 6, 7, 9, 10, 19 16 特許戦略：研究開発の経過と特許化 1. 1988年 京都大学 イオン工学実験施設で ガスクラスターイオンビームの生成を確認 年 京都大学 イオン工学実験施設で ガスクラスターイオンビームの生成を確認 引き続きプロセス素過程と装置技術の研究開発を行う。 科学技術振興事業団、文部省科学研究費、科学技術振興調整費、日本学術振興 会産学支援共同研究、NEDO地域コンソーシアム、NEDO提案公募などにおいて 基礎研究を実施。 基本特許の確立 海 外 で 積 極 的 な 取 り 組 み が 行 わ れ た 2. 1997 Houston University : Surface smoothing of Superconducting materials 3. 4. 1998 Philips Laboratory : Ion Implantation in Semiconductor 1998 NIST ATP (Advanced Technology Program award) : Surface modification Semiconductor Film Deposition 5. 1999 Epion Corporation : Commercial Equipment Development 6. 1999 DOD SBIR Proposal Topics (Advanced Adaptive Optical Coating Process Technologies):Optical Coating Technology 7. 2000 New Jersey Institute of Technology : Ion Implantation in Semiconductor 8. 2000 Lucent Bell Laboratory : Ion Implantation in Semiconductor 9. 2000 Lawrence Berkley Laboratory : Ion Implantation in Semiconductor 10. 2001 Boston University Photonics Center : GaN Thin Film Growth 11. 2001 National Science Foundation (NSF) : Cluster SIMS Equipment、 わが国の独創技術が海外で積極的に取り組まれている。 技術開発を遅滞なく行い、後塵を拝さないことが肝要。 17 参考資料 P.2, 4, 6, 7, 9 日米における公開特許の分野 平成15 年現在 平成15年現在 クラスターイオンビームプロセス関係 公開特許( 公開特許(日本） イオン注入 4% その他 4% 装置 20% 表面加工 50% US Issued Patents (gas cluster ions) その他 9% イオン注入 0% 表面加工 58% 装置 15% 薄膜 22% 薄膜 18% 米国が出願している分野は、 先行している日本とほぼ同じである。 18 参考資料 P.2, 3, 4, 6, 7, 9, 10, 13, 19 分野別公開特許数 平成15 年現在 平成15年現在 公開特許（日本・海外） B ：その他 7% M ：装置 23% E ：電子デバイス 11% 装置 デバイス H ：磁気デバイス 17% T ：薄膜形成 21% I ：イオン注入 2% F ：表面加工 19% プロセス 装置・プロセス・デバイス分野をバランス良く出願。 ナノデバイス分野に集中して特許が出願されている。 19 参考資料 P.2, 3, 4, 6, 7, 9, 10, 13, 19 特許出願計画 高速・高精度（予定） 無損傷（予定） 高速・高精度（出願済み） 無損傷（出願済み） 10 9 8 １６年上期に６－８件の 出願を準備中。 7 6 件数 5 4 3 2 1 0 １ ４ 年度下 期 １ ５ 年度上 期 技術封印の影響。 各社の個別出願分は含まれない。 １ ５ 年度下期 １ ６ 年度上期 １ ６ 年度下 期 年度 企業から、応用特許の積極的な 企業から、応用特許の積極的な 出願が計画されている 20 参考資料 P.2, 6, 7, 9, 10, 13, 19 研究開発成果について 21 従来プロセスに無いGCIBの原理的特長 クラスターイオ ンビームの素 過程の特長 超低エネルギー効果 ラテラルスパッタ効果 高化学反応効果 特有の低エネルギー照射効果 がある。固体表面における作 用エネルギーは加速エネルギー の数10から数10万分の一。 原理的に高いスパッタ率(1-2桁） が得られる。 表面作用が顕著、特有の平坦化 プロセスがある。 高密度照射により、より高 い反応効果が生ずる。 極浅イオン注入 極浅イオン注入 表面ナノ加工 加工 表面ナノ 極浅接合形成が可能 低損傷加工が可能 原理的に平坦化効果を持つ （表面に集中して注入できる） （少ない電流で注入原子が多い） プロセスの特長 と主な応用分 野 〔通常のイオンプラズマプロセスと逆） 超高速エッチング 高品位薄膜形成 化学反応による高速加工 （スパッタ率は2-3桁高い） B1 B10 GCIB照射部 Ra=4Å (Ar cluster 20keV 2×1015ions/cm2) 表面で反応に関わる原子の 高密度照射ができ、反応エ ネルギーが精密に制御でき る。 Ar monomer Ar cluster SF cluster 6 ５０Å ５０Å GCIB未照射部 Ra=12Å Sputtering yield [atoms/ion] 1000 1000 100 100 10 10 11 W Au Si SiC 原子集合体（クラスター）イオンが単原子イオンにない効果を生む 22 参考資料 P.2, 5 無損傷加工と超高速・高精度加工のニーズと特長 無損傷ナノ加工技術 各 社 の ニ ー ズ 利 用 す る 特 長 超高速・高精度ナノ加工技術 （株）日立製作所 三菱電機（株） 磁性材料の無損傷加工が必要 中間目標： 3nm以下 最終目標：損傷深さ1nm以下 ディスプレイ基板の超高速ナノ加工 が必要 中間目標：3µm/min 最終目標：10µm/min 三井造船（株） 日本航空電子工業（株） SiC化合物半導体の無損傷加工 化合物半導体の無損傷加工 が必要 中間目標：２枚/日以上 最終目標：Ra=0.5nm、５枚/日 光デバイスの高精度ナノ加工 が必要 中間目標：パターン幅<250nm 最終目標：パターン幅<100nm •表面平坦化効果 •低損傷かつ高効率な表面プロセス •高スパッタ率 (低エネルギー効果+高密度照射効果) •高エネルギービームプロセスの活用 •高い質量電荷比 (ラテラルスパッタリング+高反応性効果) •サイズ効果 応用によって加工に求められる研究開発要素 応用によって加工に求められる研究開発要素が異なる 開発要素が異なる 23 参考資料 P.2, 5, 6, 12, 19 GCIBにしか実現できないプロセス クラスターイオンビームの低エネルギー効果 サイズ1 サイズ10 サイズ600 サイズ6000 一般的なイオンビーム 2体衝突に基づく イオン侵入・ 損傷形成 クラスターイオンビーム 1原子あたりのエネルギーが低下し、 基板極表面での多体衝突が生じる。 低損傷化 サイズ制御による超低エネルギー照射はGCIBにしか実現できないプロセス サイズ制御による超低エネルギー照射は にしか実現できないプロセス 24 参考資料 P.2, 5, 21 クラスターサイズとスパッタ率の関係 1.2 スパッタ率 (atoms/ion) 50 0.6 0.4 0.2 45 40 35 30 25 20 15 10 モノマー 5 0.0 0 10000 20000 0 30000 0 クラスター サイ ズ(atoms) 2000 4000 6000 8000 10000 12000 ピーククラスターサ イズ (atoms) スパッタ率 (atoms/ion) 加速エネルギ ー:20keV Si Au Cu 55 0.8 強度 300 60 ピーク サイズ 2000 ピーク サイズ 3000 ピーク サイズ 5000 ピーク サイズ 10000 1.0 10keV 20keV 30keV 50keV 75keV 100keV 250 200 150 100 50 照射に用いた クラスターサイズ分布 スパッタ率のサイズ依存性 (実験値) 0 0 2000 4000 6000 8000 10000 クラスターサイズ (atoms) ArクラスターによるSiスパッタ率の実験式 実験式より得られたスパッタ率の クラスターサイズ依存性 (Arクラスター → Si) Y(n)=0.0013n1.1 (E/n-4.7) n:クラスターサイズ E:加速エネルギー 現在用いられているサイズ2000では、 75kVの加速電圧で照射とスパッタ効率が良い クラスターサイズの違いにより 無損傷ナノ加工 超高速・高精度ナノ加工 を自在に制御 25 参考資料 P.2, 5, 18, 21 GCIBにしか実現できないプロセス ラテラルスパッタによる平坦化効果 被スパッタ粒子の角度分布 Ta薄膜の平坦化 垂直入射時 -40° -30° -20° -10° 0° 10° 20° 20ke V Ar + -50° 30° GCIB照射部 Ra=4Å (Ar cluster 20keV 2×1015ions/cm2) 40° 50° 20ke V Ar 2000 clus te r 10ke V -60° Ar2000 cluste r 60° -70° 70° -80° 80° -90° 90° 入射角度依存性 -40° -30° -20° -10° 0° -50° 10° 30° 40° 20keV Ar2000 cluster 50° 60° -60° -70° 10° 20° 60° 70° -80° 80° -90° 90° GCIB未照射部 Ra=12Å ラテラルスパッタリングにより表面 凸部のエッチングが選択的に行わ れ、表面平坦化効果が得られる。 ラテラルスパッタはGCIBにしか実現できないプロセス ラテラルスパッタは にしか実現できないプロセス 参考資料 P.2, 5, 18, 21 26 反応性GCIBによる高精度ナノ加工の特徴 従来のエッチング 反応性クラスター イオンビーム + + + 高い質量電荷比 (ほぼ中性) チャージアップの抑制 + 高エネルギービーム (通常のRIE: <1keV GCIB: 数10keV) + + ビームの発散を抑え、 最深部までビームを輸送 + + 平坦化効果 底面・側面ともに平坦化 + ノッチング + チャージアップダメージ + SiO2 + Si 100nm ビームプロセスの持つ再現性・制御性も生かし高精度加工が可能 27 参考資料 P.1, 2, 5, 9, 18, 21 反応性GCIBによる超高速加工の実現 ～高化学反応効果を用いた高速エッチング～ GCIBによるホール先端の加工例 100nmの溝も原理的にエッチング可能 Crマスク 45 keV Siに対するスパッタ率 (atoms/ion) Sidewall: 100 nm Original 導入ガス圧:4000Torr イオン化電子電圧:500V イオン化電子電流:300mA 1000 10 23000 Ar monomer Si 1 230 2300 Ar cluster 1 0.1 ×4000 SF6 cluster 100 23 10 10µmエッチング時間（分） (＠1mA,6インチウエハ) 2.3 10000 230000 100 加速エネルギー (keV) シリコン 反応性エッチングにより １0μmを１0分でエッチング可能 （＠１ｍA, A, ３０ ３０keV keV，６ ，６インチウエハ） （＠１ｍ ，６インチウエハ） 反応性GCIBにより により100nm以下の溝の高速エッチングが可能 以下の溝の高速エッチングが可能 反応性 により 参考資料 P.1, 2, 5, 9, 18, 21 28 実用化・事業化の見通しについて 29 ナノテク応用分野と本技術開発関係の市場予測 ナノテクノロジーに関しては、２０１０年頃を見越した市場予測を行う試みもいくつかあるが、エレクトロニ クス系、光デバイス系（磁気材料、半導体、フォトニクス等）に将来の市場が見込まれている。 0 分子エレクトロニクス材料 量子デバイス 10,000 290 20,000 30,000 40,000 （単位：億円／年） 50,000 100,000 （単位：億円／年） 2,213 282 1,380 27,075 高密度記憶用磁気材料 10,313 光メモリ用材料 5,051 次世代超メモリ 17,063 1,875 24,450 半導体製造装置 31,950 200 2,025 超精密加工装置 300 250 （単位：億円／年） 1,875 薄膜製造装置 45,813 95,813 単位：億円/ 年 16,309 2,963 137 ナノメートル水準の検査機器 368 マイクロマシン 5,020 143 7,723 150 （単位：億円／年） フラーレン、ナノチューブ 292 インテリジェント材料 1,026 1,139 100 581 高選択性・高性能触媒材料 680 583 光触媒材料 50 1,826 153 分子設計タンパク質 178 616 バイオリアクタ 1,387 0 4,346 遺伝子治療薬 4,510 遺伝子診断 359 医療用マイクロマシン 287 バイオセンサ 443 1,071 1,200 1,193 （出典）三菱総合研究所と日本経済新聞社の共同調査 に基づく （２００１年２月） 2005年 2010年 本技術寄与分 市場規模 磁気記録 デバイス モニター ウエハー システム 光スイッチ オンパネル フォトニクス GCIB装置 250 210 100 25,000 700 10,000 100 100 1,000 100 本研究開発各テーマの市場規模予測 (2010年） ナノテク分野で ナノテク分野で成長が見込まれる 分野で成長が見込まれる領域で応用 成長が見込まれる領域で応用を 領域で応用を図っている 図っている 30 参考資料 P.3, 5, 7, 19, 21 研究開発における目標値と最終製品の関係 （株）日立製作所 磁性材料の無損傷加工 次世代超高密度磁気ヘッド 磁気スペーシング の低減 目標値：損傷深さ<1nm 面密度：500 Gb/in2 ヘッド浮上量：3 nm 三井造船（株） SiC化合物半導体の無損傷加工 SiC化合物半導体の無損傷加工 目標値：Ra=0.5nm、５枚/日 超鏡面SiCモニターウェハ 表面の超平坦化 0.1mm以上のパーティクル数： 10（個/wafer）以下 三菱電機（株） 三菱電機（株） 大面積ディスプレイ 基板の高速ナノ加工 超高速ナノ加工技術の開発 目標値：10µm/min 多結晶Si薄膜トランジスタ ゲート長：２mm以下 ホール移動度：100cm2/Vs以上 日本航空電子工業（株） 高精度ナノ加工技術の開発 目標値：パターン幅<100nm 高アスペクト比な 高精度ナノ加工 川崎重工業 川崎重工業(株 重工業 株) エピオン・ジャパン エピオン・ジャパン(株 ジャパン 株) 高精度クラスタービーム発生技術 高精度クラスター ビーム生成 目標値:ΔE<±1eV/atom フォトニック結晶 Loss <1dB/cm 波長精度 ～0.1nm 産業用GCIB装置 クラスターサイズ制御、 自動制御、 クリーン度半導体レベル、 装置価格 他 31 参考資料 P.5, 7, 9, 13, 19, 20 競合する技術との比較 （競合プロセスに対する利点、課題） （株）日立製作所 磁性材料の無損傷加工 三井造船（株） SiC化合物半導体の 無損傷加工 三菱電機（株） 超高速ナノ加工技術の開発 日本航空電子工業（株） 高精度ナノ加工技術の開発 競合するプロセス：機械研磨 次世代超高密度磁気ヘッド 利点 ： 加工損傷が少ない、平坦性が良い 課題 ： コスト（加工速度） 超鏡面SiCモニターウェハ 利点 ： 加工損傷が少ない、多結晶でも超平坦化可能 課題 ： コスト（加工速度） 競合するプロセス：他のドライエッチング 多結晶ｼﾘｺﾝ薄膜ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ 利点 ： 突起の選択エッチが可能、削り量制御性が良い 課題 ： 大面積化が必要 フォトニック結晶 利点 ： 側壁・底面の平坦性が良い、ビーム直進性が良い 課題 ： ビームの良質化が必要 加工性能は優れているが、低コスト化・装置性能向上が求められている 32 参考資料 P.4, 7, 9, 10, 11, 13, 15, 19, 20, 21 加工速度向上に向けての装置開発状況 イオン電流 クラ ス きる タ ー は か？ 発生 で クラスターイオンビームの大電流化 ア ンペ ア ロ ） イク 当 マ 相 ００ (1A ０ １ プロセス デモンストレーション （超高真空・コンピューター制御型自動装置） 2000 2001 2002 @2x1015 ions/cm2, 5min. @1mA 難加工材の 平坦化 17 1x10 平坦化 16 1x10 薄膜形成 注入 15 1x10 ウエハー径 (inch) イオンドーズ (ions/cm 2) 2003 16 18 1x10 12 2003 8 4 2001 0 0.0 14 1x10 1 10 100 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 クラ スター イオ ンビー ム電流 (mA) 処理時間 (分) イオン電流1 イオン電流1mA時の加工速度 mA時の加工速度 イオン電流と５分／枚で処理可能なウエハー径 加工速度向上のため、1mAを越える大電流 加工速度向上のため、 を越える大電流GCIB装置の開発が進んでいる 装置の開発が進んでいる を越える大電流 33 参考資料 P.5, 10, 11, 12, 19, 20, 22 大型基板・高品質ビーム装置の開発 大型基板化・良質ビーム化大面積化への取り組み 大型基板（12inch）対応 半導体応用(良質ビーム) 超大型基板（50cm）対応 開発済み 開発済み 開発進行中 2002 2003 2004 2005 無損傷ナノ加工、高精度・高速ナノ加工装置開発への取り組み プロジェクト使用装置 既存汎用GCIB照射装置 （２００µA相当） 高精度クラスター イオンビーム発生装置 2000 2001 2002 GCIB高エネルギー ナノ加工装置 GCIB低損傷 ナノ加工装置 2003 2004 2005 2006 大型基板用装置、高品質ビームの開発が進んでいる 参考資料 P.5, 10, 11, 12, 13, 19, 20, 22 34 SiCモニターウェハー実用化（スループット改善） スループット 自動化対応(×4倍） 電流100μA→1mA(x10倍) 基材改善 (前処理など)(×2倍) 装置3台 15000枚/月 2500枚/月 8inch 160枚/日 100枚/月 6inch 5枚/日 8inch 80枚/日 2007年度 2010年度 スループット改善により、実用化を見込んでいる ※詳細説明は個別テーマでの議論で行う 35 参考資料 P. 3, 6, 7, 9, 10, 11, 12, 13, 15, 16, 19, 20, 21 事業化の計画 実用化のシナリオ 次世代超高密度磁気ヘッド実証 実証研究 研究 次世代超高密度磁気ヘッド実証 2007 2007～ 07～2010 2010 面密度：500 Gb/in2 ヘッド浮上量：3 nm 高密度記録の実現に不可欠なヘッド浮上量低減のための無損傷加工技術の実証研 究 パーティクルモニター用超鏡面 超鏡面SiC SiCウエハー ウエハー試作 試作研究 パーティクルモニター用 超鏡面SiC ウエハー 試作 研究 2007 2007～2009 2009 0.1µm以上のパーティクル数：10（個/wafer）以下 加工速度：１００枚/日以上 使い捨てのシリコン基板に変わる再利用可能な省エネ型モニターウェハーの試作、 実証研究 電子デバイス対応高速加工装置の実証 電子デバイス対応高速加工装置の実証研究 実証研究 2007～ 2007～2010 クラスター電流値：１mA以上 重金属汚染：検出限界以下 次世代の電子デバイスのナノ加工プロセス実現に不可欠な高精度クラスタービーム を発生し、デバイスプロセスに応用できる量産型加工装置の開発 システムオンパネル用TFT システムオンパネル用TFTの TFTの試作研究 試作研究 2007～ 2007～2009 ゲート長：２µm以下 ホール移動度：100cm2/Vs以上 高付加価値のシステムオンパネル用ポリシリコンの加工技術として高速・大面積加 工の実証研究 フォトニック結晶による光スイッチ実証 実証研究 研究 フォトニック結晶による光スイッチ実証 HDDドライブ 市場規模：2兆5千億円／年 （本技術寄与分：１％ 250億円） 半導体ウェハー分野 モニターウェハー 市場規模：７００億円／年 80万枚／年 （本技術の寄与分：３０％ ２１０億円） 産業装置産業 クラスター加工装置 市場規模：１００ 市場規模：１００億円／年 １００億円／年 ３０ 億円／年 ３０ 台／年以上 （シェア： 年以上 （シェア：１００ （シェア：１００％） １００％） 表示デバイス分野 システムオンパネル 市場規模：1兆円／年 （本技術の寄与分：１％ 100億円） 2007～ 2007～2010 波長：1.5mm 加工アスペクト：１０以上 次世代の大容量通信用フォトニックデバイスの試作と高精度微細加工技術の実証 磁気記録デバイス分野 光通信情報分野 光スイッチ（フォトニック） 市場規模：１000億円／年 （本技術の寄与分：１０％ 100億円） 各社においてコスト・競合技術を含めた検討を行い、実用化計画を立てている ※詳細説明は個別テーマでの議論で行う 36 参考資料 P. 3, 5, 6, 7, 9, 10, 11, 15, 16, 20, 21 本研究開発の基本的考え：まとめ 大学（教授）の役割： 教育と研究の場。 専門分野の継承、蓄積、教育にとどまらず 科学・技術の発展のために、（彼の） 専門分野において創造と発展に責任がある 独創性技術であれば、特に新分 野の研究開発の初期の成果は、事 業化や商業化に明確に直結しない。 19８８ ガスクラスタービームの発生と検出に成功、 高スパッタ率、平坦化効果など特有の基礎現象を確認 クラスタービームは発 生できるか？ 1992 ラテラルスパッタリングの確立 1988 GCIB 装置 の基本構成確立 クラスターの基礎研究 科学技術振興事業団 実験調査費 科学技術振興事業団 戦略的研究成果展開事業 文部科学省 科学研究補助金 科学技術庁 科学技術振興調整費 日本学術振興会 産学協同支援事業 NEDO 提案公募 NEDO 地域コンソーシアム クラスターならではの データー。従来の常識 NEDO 調査研究 を破る結果が実験、MDで 他 示され、逐次プロセス基 礎を確立した。 技術 シ 発掘 ーズの ・ フェ 育成 ーズ ミレニアムプロジェクト ナノテクノロジープログラム ナノテクノロジープログラム 実用 化 フェ 補助 ーズ プ 1993 低エネルギー照射効果の確立 ロ 1992 装 1993 30keV 高電流 GCIB 装置 (~100nA) 置 1994 ス の 1996 表面照射効果観測用UHV GCIB 装置の製作 1994 高スパッター効果の発見 セ 研 1998 高温STM付UHV GCIB 装置の製作 1996 高化学反応効果の確認 の 1996 1996 浅いイオン注入効果の実現 研 究 究 開 1998 1999 GCIB-SIMS/AES装置の開発 1999 GCIB援用薄膜 形成装置の開発 1996 40 ｎｍ P-MOSFET の製作 開 発 基礎的な物理の理解・ 理論化を忘れると先 で行き詰る。 1998 高二次イオン放出効果の発見 発 1999 1999 高品質薄膜形成 の実証 2000 1999 産業用l GCIB 装置の商品化 (米国） (Ultra-smoother） NEDO ミレニアムプロジェクト 「クラスターイオンビームプロセス テクノロジー」の開始 2002 2000 ガスクラスター励起 SIMSの開発 SIMSの開発 NEDOナノテクノロジープログラム NEDOナノテクノロジープログラム 「次世代量子ビーム利用ナノ加工プ ロセス技術」の開始 企業のコミットメント 開発スケールアップ 市場投入 技術を如何にビジネスにしてゆくか？ 参考資料 P3, 11, 19, 21 1990 1992 200kV GCIB 装置 (Ar,<nA) 基礎プロセスの特長が明らかになり産業 応用分野が見えてきた。 基盤技術と応用技術の確立 1992 表面平坦化効果の実現 1988 企業の役割： 利益の目的で生産要素を統合し、継続的に事 業を経営する。 すなわち新技術を開発し、これを駆使して新製品を生み出し、 しかも自社の利益を追求すると共に、新産業に貢献する。 37 参考資料１ 評価の実施方法 本評価は、「技術評価実施規程」（平成 15 年 10 月制定）に基づいて研究評価を 実施する。 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）における研究評価 の手順は、以下のように被評価プロジェクト毎に分科会を設置し、同分科会にて研 究評価を行い、評価報告書(案)を策定の上、研究評価委員会において確定している。 ! 「NEDO 技術委員・技術委員会等規程」に基づき研究評価委員会を設置 ! 研究評価委員会はその下に分科会を設置 国 民 評価結果公開 ＮＥＤＯ 理事長 評価結果の事業等への反映 推進部署 評価書報告 研究評価委員会 評価報告書（案）審議 ・確定 事務局 分科会Ａ 研究評価部 分科会Ｃ 分科会Ｂ 分科会Ｄ 評価報告書（案）作 成 プロジェクトの説明 図１評価手順 参考資料 1-1 推進部署 実施者 １．評価の目的 評価の目的は「技術評価実施規程」において、 ! 業務の高度化等の自己改革を促進する。 ! 社会に対する説明責任を履行するとともに、経済・社会ニーズを取り 込む。 ! 評価結果を資源配分に反映させ、資源の重点化及び業務の効率化を促 進する。 としている。 本評価においては、この趣旨を踏まえ、本事業の意義、研究開発目標・計画の妥 当性、計画と比較した達成度、成果の意義、成果の実用化の可能性等について検討・ 評価した。 ２．評価者 技術評価実施規程に基づき、事業の目的や態様に即した外部の専門家、有識者か らなる委員会方式により評価を行う。分科会委員選定に当たっては以下の事項に配 慮して行う。 ! 科学技術全般に知見のある専門家、有識者 ! 当該研究開発の分野の知見を有する専門家 ! 研究開発マネジメントの専門家、経済学、環境問題その他社会的ニー ズ関連の専門家、有識者 ! 産業界の専門家、有識者 また、評価に対する中立性確保の観点から事業の推進側関係者を選任対象から除 外し、また、事前評価の妥当性を判断するとの側面にかんがみ、事前評価に関与し ていない者を主体とする。 これらに基づき、分科会委員名簿にある７名を選任した。 なお、本分科会の事務局については、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合 開発機構研究評価部が担当した。 ３．評価対象 平成１３年度に開始された「次世代量子ビーム利用ナノ加工プロセス技術」プロ ジェクトを評価対象とした。 なお、分科会においては、当該事業の推進部署から提出された事業原簿、プロジ ェクトの内容、成果に関する資料をもって評価した。 参考資料 1-2 ４．評価方法 分科会においては、当該事業の推進部室及び研究実施者からのヒアリングと、そ れを踏まえた分科会委員による評価コメント作成、評点法による評価及び実施者側 等との議論等により評価作業を進めた。 なお、評価の透明性確保の観点から、知的財産保護の上で支障が生じると認めら れる場合等を除き、原則として分科会は公開とし、研究実施者と意見を交換する形 で審議を行うこととした。 ５．評価項目・評価基準 分科会においては、次に掲げる「評価項目・評価基準」で評価を行った。これは、 研究評価委員会による『各分科会における評価項目・評価基準は、被評価プロジェ クトの性格、中間・事後評価の別等に応じて、各分科会において判断すべきもので ある。』との考え方に従い、第１回分科会において、事務局が、研究評価委員会に より示された「標準的評価項目・評価基準」（参考資料１−７頁参照）をもとに改 訂案を提示し、承認されたものである。 プロジェクト全体に係わる評価においては、主に事業の目的、計画、運営、達成 度、成果の意義や実用化への見通し等について評価した。各個別テーマに係る評価 については、主にその目標に対する達成度等について評価した。 参考資料 1-3 評価項目・評価基準 【本分科会における評価項目・評価基準の考え方】 本分科会では、標準的評価項目・評価基準（参考資料を参照）の第５項 「その他」を除くすべての項目を評価項目・評価基準として採用する。 １．事業の位置付け・必要性について (1)ＮＥＤＯの事業としての妥当性 ・ 特定の施策（プログラム）、制度の下で実施する事業の場合、当該施策・制 度の選定基準等に適合しているか。 ・ 民間活動のみでは改善できないものであること、又は公共性が高いことによ り、ＮＥＤＯの関与が必要とされる事業か。 ・ 当該事業を実施することによりもたらされる効果が、投じた予算との比較に おいて十分であるか（知的基盤・標準整備等のための研究開発の場合を除く）。 (2)事業目的の妥当性 ・ 内外の技術開発動向、国際競争力の状況、エネルギー需給動向、市場動向、 政策動向、国際貢献の可能性等から見て、事業の目的は妥当か。 ２．研究開発マネジメントについて (1)研究開発目標の妥当性 ・ 内外の技術動向調査、市場動向調査等に基づき、戦略的な目標が設定されて いるか。 ・ 具体的かつ明確な開発目標を可能な限り定量的に設定しているか。 ・ 目標達成度を測定・判断するための適切な指標が設定されているか。 (2)研究開発計画の妥当性 ・目標達成のために妥当なスケジュール、予算（各個別研究テーマ毎の配分を 含む）となっているか。 ・目標達成に必要な要素技術を取り上げているか。 ・研究開発フローにおける要素技術間の関係、順序は適切か。 ・継続プロジェクトや長期プロジェクトの場合、技術蓄積を、実用化の観点か ら絞り込んだうえで活用が図られているか。 (3)研究開発実施者の事業体制の妥当性 ・適切な研究開発チーム構成での実施体制になっているか。 ・安易な業界横並び体制に陥ることなく、真に技術力と事業化能力を有する企 業を実施者として選定しているか。 ・研究管理法人を経由する場合、研究管理法人が真に必要な役割を担っている 参考資料 1-4 か。 ・全体を統括するプロジェクトリーダー等が選任され、十分に活躍できる環境 が整備されているか ・目標達成及び効率的実施のために必要な、実施者間の連携 and／or 競争が十 分に行われる体制となっているか。 ・実用化シナリオに基づき、成果の受け取り手（活用・実用化の想定者）に対 して、成果を普及し関与を求める体制を整えているか。 (4)情勢変化への対応等 ・進捗状況を常に把握し、計画見直しを適切に実施しているか。 ・社会・経済の情勢の変化及び政策・技術動向に機敏かつ適切に対応している か。 ・計画見直しの方針は一貫しているか（中途半端な計画見直しが研究方針の揺 らぎとなっていないか）。 ３．研究開発成果について (1)目標の達成度 ・成果は目標値をクリアしているか。 ・全体としての目標達成はどの程度か。 ・目標未達成の場合、目標達成までの課題を把握し、課題解決の方針が明確に なっているか。 (2)成果の意義 ・成果は市場の拡大或いは市場の創造につながることが期待できるか。 ・成果は、世界初あるいは世界最高水準か。 ・成果は、新たな技術領域を開拓することが期待できるか。 ・成果は汎用性があるか。 ・投入された予算に見合った成果が得られているか。 (3)特許の取得 ・特許等（特許、著作権等）は事業戦略に沿って適切に出願されているか。 ・外国での積極的活用が想定される場合、外国の特許を取得するための国際出 願が適切にされているか。 (4)論文発表・成果の普及 ・論文の発表は、質・量ともに十分か。 ・成果の受け取り手（活用・実用化の想定者）に対して、適切に成果を 普及しているか。 ・一般に向けて広く情報発信をしているか。 参考資料 1-5 ４．実用化、事業化の見通しについて (1)成果の実用化可能性 ・産業技術としての見極め（適用可能性の明確化）ができているか。 ・実用化に向けて課題が明確になっているか。課題解決の方針が明確になって いるか。 (2)波及効果 ・成果は関連分野への技術的波及効果及び経済的波及効果を期待できるもの か。 ・プロジェクトの実施自体が当該分野の研究開発や人材育成等を促進するなど の波及効果を生じているか。 (3)事業化までのシナリオ ・コストダウン、導入普及、事業化までの期間、事業化とそれに伴う経済効果等 の見通しは立っているか。 参考資料 1-6 標準的評価項目・評価基準 【本標準的項目・基準の位置付け（基本的考え方）】 本項目・基準は、研究開発プロジェクト及び課題設定型助成事業の中間・事 後評価における標準的な評価の視点の例であり、各分科会における評価項目・ 評価基準は、被評価プロジェクトの性格、中間・事後評価の別等に応じて、各 分科会において判断すべきものである。 なお、短期間（３年以下）又は少額（予算総額 10 億円未満）のプロジェクト 及び課題設定型助成事業に係る事後評価については、以下の「３． 」及び「４．」 を主たる視点として、より簡素な評価項目・評価基準を別途設定して評価をす ることができるものとする。 １．事業の位置付け・必要性について (1)ＮＥＤＯの事業としての妥当性 ・ 特定の施策（プログラム）、制度の下で実施する事業の場合、当該施策・制 度の選定基準等に適合しているか。 ・ 民間活動のみでは改善できないものであること、又は公共性が高いことによ り、ＮＥＤＯの関与が必要とされる事業か。 ・ 当該事業を実施することによりもたらされる効果が、投じた予算との比較に おいて十分であるか（知的基盤・標準整備等のための研究開発の場合を除く）。 (2)事業目的の妥当性 ・ 内外の技術開発動向、国際競争力の状況、エネルギー需給動向、市場動向、 政策動向、国際貢献の可能性等から見て、事業の目的は妥当か。 ２．研究開発マネジメントについて (1)研究開発目標の妥当性 ・ 内外の技術動向調査、市場動向調査等に基づき、戦略的な目標が設定されて いるか。 ・ 具体的かつ明確な開発目標を可能な限り定量的に設定しているか。 ・ 目標達成度を測定・判断するための適切な指標が設定されているか。 (2)研究開発計画の妥当性 ・目標達成のために妥当なスケジュール、予算（各個別研究テーマ毎の配分を 含む）となっているか。 ・目標達成に必要な要素技術を取り上げているか。 ・研究開発フローにおける要素技術間の関係、順序は適切か。 参考資料 1-7 ・継続プロジェクトや長期プロジェクトの場合、技術蓄積を、実用化の観点か ら絞り込んだうえで活用が図られているか。 (3)研究開発実施者の事業体制の妥当性 ・適切な研究開発チーム構成での実施体制になっているか。 ・安易な業界横並び体制に陥ることなく、真に技術力と事業化能力を有する企 業を実施者として選定しているか。 ・研究管理法人を経由する場合、研究管理法人が真に必要な役割を担っている か。 ・全体を統括するプロジェクトリーダー等が選任され、十分に活躍できる環境 が整備されているか ・目標達成及び効率的実施のために必要な、実施者間の連携 and／or 競争が十 分に行われる体制となっているか。 ・実用化シナリオに基づき、成果の受け取り手（活用・実用化の想定者）に対 して、成果を普及し関与を求める体制を整えているか。 (4)情勢変化への対応等 ・進捗状況を常に把握し、計画見直しを適切に実施しているか。 ・社会・経済の情勢の変化及び政策・技術動向に機敏かつ適切に対応している か。 ・計画見直しの方針は一貫しているか（中途半端な計画見直しが研究方針の揺 らぎとなっていないか）。 ３．研究開発成果について (1)目標の達成度 ・成果は目標値をクリアしているか。 ・全体としての目標達成はどの程度か。 ・目標未達成の場合、目標達成までの課題を把握し、課題解決の方針が明確に なっているか。 (2)成果の意義 ・成果は市場の拡大或いは市場の創造につながることが期待できるか。 ・成果は、世界初あるいは世界最高水準か。 ・成果は、新たな技術領域を開拓することが期待できるか。 ・成果は汎用性があるか。 ・投入された予算に見合った成果が得られているか。 (3)特許の取得 参考資料 1-8 ・特許等（特許、著作権等）は事業戦略に沿って適切に出願されているか。 ・外国での積極的活用が想定される場合、外国の特許を取得するための国際出 願が適切にされているか。 (4)論文発表・成果の普及 ・論文の発表は、質・量ともに十分か。 ・成果の受け取り手（活用・実用化の想定者）に対して、適切に成果を 普及しているか。 ・一般に向けて広く情報発信をしているか。 ４．実用化、事業化の見通しについて (1)成果の実用化可能性 ・産業技術としての見極め（適用可能性の明確化）ができているか。 ・実用化に向けて課題が明確になっているか。課題解決の方針が明確になって いるか。 (2)波及効果 ・成果は関連分野への技術的波及効果及び経済的波及効果を期待できるもの か。 ・プロジェクトの実施自体が当該分野の研究開発や人材育成等を促進するなど の波及効果を生じているか。 (3)事業化までのシナリオ ・コストダウン、導入普及、事業化までの期間、事業化とそれに伴う経済効果等 の見通しは立っているか。 ※ 基礎的・基盤的研究及び知的基盤・標準整備等の研究開発の場合は、適宜 ５．を参照するものとする。 ５．その他 (1)基礎的・基盤的研究開発 ・実用化イメージ・出口イメージが明確になっているか。 ・実用化イメージ・出口イメージに基づき、開発の各段階でマイルストーンを 明確にしているか。 (2)知的基盤・標準整備等の研究開発 参考資料 1-9 ・成果の公共性を担保するための措置、或いは普及方策を講じているのか（Ｊ ＩＳ化、国際規格化等に向けた対応は図られているか、一般向け広報は積極 的に為されているか等）。 ・公共財としての需要が実際にあるか。見込みはあるか。 ・ 公共性は実際にあるか。見込みはあるか。 参考資料 1-10 本研究評価委員会報告は、独立行政法人新エネルギー・産業技 術総合開発機構（ＮＥＤＯ技術開発機構）研究評価部が委員会 の事務局として編集しています。 平成１６年８月 ＮＥＤＯ技術開発機構 研究評価部 部長 奥田 昌宏 主幹 高松 秀章 担当 森本 和夫 ＊研究評価委員会に関する情報はＮＥＤＯ技術開発機構のホー ムページに掲載しています。 （http://www.nedo.go.jp/iinkai/kenkyuu/index.html） 〒212-8554 神奈川県川崎市幸区大宮町1310番地 ﾐｭｰｻﾞ川崎ｾﾝﾄﾗﾙﾀﾜｰ(19F) TEL 044-520-5160 FAX 044-520-5162