LT5527 - Linear Technology

LT5527
400MHz～3.7GHz
5V高信号レベル・
ダウンコンバーティング・ミキサ
特長
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概要
50ΩシングルエンドのRFポートとLOポート
広いRF周波数範囲：400MHz～3.7GHz*
高い入力IP3：900MHzで24.5dBm、1900MHzで23.5dBm
変換利得：900MHzで3.2dB、1900MHzで2.3dB
LOバッファ内蔵：低いLOドライブ・レベル
高いLO-RF絶縁とLO-IF絶縁
LT®5527アクティブ・ミキサは、高直線性と広いダイナミックレ
ンジを必要とするダウンコンバータのアプリケーション向けに
最適化されています。
このデバイスは二重平衡ミキサをドライ
ブする高速差動LOバッファ・アンプを内蔵しています。RF入力
とLO入力の高帯域内蔵トランスにより、
シングルエンドの50Ω
インタフェースが与えられます。差動IF出力により、差動IFフィ
ルタや差動アンプへのインタフェースが簡単です。
また、
外部ト
ランスを使っても、使わなくても、簡単に整合させて50Ωシング
ルエンドをドライブすることができます。
低いノイズ指数：900MHzで11.6dB、1900MHzで12.5dB
非常に少ない外付け部品
イネーブル機能
電源電圧範囲：4.5V～5.25V
16ピン(4mm × 4mm) QFNパッケージ
アプリケーション
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■
携帯電話、WCDMA、TD-SCDMAおよびUMTSのインフラ
ストラクチャ
GSM900/GSM1800/GSM1900のインフラストラクチャ
900MHz/2.4GHz/3.5GHzのWLAN
MMDS、WiMAX
高直線性ダウンミキサ・アプリケーション
RF入力は1.7GHz∼3GHzで50Ωに内部で整合しており、LO入
力は1.2GHz∼5GHzで50Ωに内部で整合しています。両ポート
の周波数範囲は簡単な外部整合を使って簡単に拡張されま
す。IF出力は600MHzまでのIF周波数で部分的に整合してお
り、使用可能です。
LT5527は高度に集積化されているので、
ソリューション全体
のコスト、
ボード・スペースおよびシステム・レベルのバラつき
が最小に抑えられます。
、LT、LTCおよびLTMはリニアテクノロジー社の登録商標です。
他のすべての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。
*性能を下げれば、さらに広い周波数範囲の動作が可能です。情報と支援に関しては弊社
へお問い合わせください。
標準的応用例
マルチキャリヤのワイヤレス・インフラストラクチャ用
高信号レベル・ダウンミキサ
1.9GHzの変換利得、
IIP3、
SSB NFおよび
LO-RFリークとLO電力
LO INPUT
–3dBm (TYP)
24
100nH
IF+
1nF
RF
INPUT
220nH
RF
EN
VCC2 VCC1
100nH
5V
1nF
–30
IF = 240MHz
LOW SIDE LO –35
TA = 25°C
–40
VCC = 5V
–45
18
16
14
12 SSB NF
–50
10
–55
8
–60
LO-RF
6
4 G
C
2
–9
IF–
BIAS
GND
4.7pF
IF
OUTPUT
240MHz
–25
20
LO-RF LEAKAGE (dBm)
4.7pF
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
LT5527
–20
22 IIP3
–65
–70
–7
–5
–3
–1
LO POWER (dBm)
1
3
–75
5527 TA01b
1µF
5527 TA01a
5527fa
1
LT5527
絶対最大定格
ピン配置
(Note 1)
電源電圧 (VCC1、VCC2、IF＋、IF−) ........................................ 5.5V
イネーブル電圧 ........................................ −0.3V～(VCC＋0.3V)
LO入力電力
（380MHz～4GHz）....................................... 10dBm
LO入力のDC電圧 ............................................ −1V～(VCC＋1V)
連続RF入力電力
（400MHz～4GHz）........................................................... 12dBm
RF入力電力
（400MHz～4GHz）....................................... 15dBm
RF入力のDC電圧 ............................................................. ±0.1V
動作温度範囲......................................................−40℃～85℃
保存温度範囲....................................................−65℃～125℃
接合部温度（TJ）.............................................................. 125℃
NC
NC
LO
NC
TOP VIEW
16 15 14 13
NC 1
12 GND
NC 2
11 IF+
17
RF 3
10 IF–
9 GND
5
6
7
8
EN
VCC2
VCC1
NC
NC 4
UF PACKAGE
16-LEAD (4mm × 4mm) PLASTIC QFN
TJMAX = 125°C, θJA = 37°C/W
EXPOSED PAD (PIN 17) IS GND, MUST BE SOLDERED TO PCB
発注情報
鉛フリー仕様
テープアンドリール
製品マーキング
パッケージ
温度範囲
LT5527EUF#PBF
LT5527EUF#TRPBF
5527
16-Lead (4mm × 4mm) Plastic QFN
–40°C to 85°C
さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。
非標準の鉛ベース仕様の製品の詳細については、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。
鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。
テープアンドリールの仕様の詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/ をご覧ください。
DC電気的特性
注記がない限り、VCC = 5V、EN = “H”、
TA = 25℃。
図1に示されているテスト回路。(Note 3)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
5
5.25
VDC
60
88
mA
mA
mA
mA
Power Supply Requirements (VCC)
Supply Voltage
Supply Current
4.5
VCC1 (Pin 7)
VCC2 (Pin 6)
IF+ + IF– (Pin 11 + Pin 10)
Total Supply Current
23.2
2.8
52
78
Enable (EN) Low = Off, High = On
Shutdown Current
EN = Low
Input High Voltage (On)
100
3
Input Low Voltage (Off)
EN Pin Input Current
EN = 5VDC
µA
VDC
50
0.3
VDC
90
µA
Turn-ON Time
3
µs
Turn-OFF Time
3
µs
AC電気的特性　図1に示されているテスト回路。(Note 2、3)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
RF Input Frequency Range
No External Matching (Midband)
With External Matching (Low Band or High Band)
400
LO Input Frequency Range
No External Matching
With External Matching
380
IF Output Frequency Range
Requires Appropriate IF Matching
TYP
1700 to 3000
1200 to 3500
0.1 to 600
MAX
UNITS
3700
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
5527fa
2
LT5527
AC電気的特性　図1に示されているテスト回路。(Note 2、3)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
RF Input Return Loss
ZO = 50Ω, 1700MHz to 3000MHz
LO Input Return Loss
ZO = 50Ω, 1200MHz to 3400MHz
IF Output Impedance
Differential at 240MHz
LO Input Power
1200MHz to 3500MHz
380MHz to 1200MHz
TYP
MAX
>10
–8
–5
UNITS
dB
>12
dB
407Ω||2.5pF
R||C
–3
0
2
5
dBm
dBm
注記がない限り、
VCC = 5V、
EN = “H”、
TA = 25℃、
PRF = −5dBm (2トーンのIIP3テストでは−5dBm/トーン、
∆f = 1MHz)、fLO = fRF - fIF、
PLO = −3dBm (450MHzと900MHzのテストでは0dBm)、
IF出力は240MHzで測定。
図1に示されているテスト回路。(Note 2、3、4)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
Conversion Gain
RF = 450MHz, IF = 140MHz, High Side LO
RF = 900MHz, IF = 140MHz
RF = 1700MHz
RF = 1900MHz
RF = 2200MHz
RF = 2650MHz
RF = 3500MHz, IF = 380MHz
TYP
2.5
3.4
2.3
2.3
2.0
1.8
0.3
MAX
UNITS
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
Conversion Gain vs Temperature
TA = –40°C to 85°C, RF = 1900MHz
–0.018
dB/°C
Input 3rd Order Intercept
RF = 450MHz, IF = 140MHz, High Side LO
RF = 900MHz, IF = 140MHz
RF = 1700MHz
RF = 1900MHz
RF = 2200MHz
RF = 2650MHz
RF = 3500MHz, IF = 380MHz
23.2
24.5
24.2
23.5
22.7
20.8
18.2
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
Single-Sideband Noise Figure
RF = 450MHz, IF = 140MHz, High Side LO
RF = 900MHz, IF = 140MHz
RF = 1700MHz
RF = 1900MHz
RF = 2200MHz
RF = 2650MHz
RF = 3500MHz, IF = 380MHz
13.3
11.6
12.1
12.5
13.2
13.9
16.1
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
LO to RF Leakage
fLO = 400MHz to 2100MHz
fLO = 2100MHz to 3200MHz
≤–44
≤–36
dBm
dBm
LO to IF Leakage
fLO = 400MHz to 700MHz
fLO = 700MHz to 3200MHz
≤–40
≤–50
dBm
dBm
RF to LO Isolation
fRF = 400MHz to 2200MHz
fRF = 2200MHz to 3700MHz
>43
>38
dB
dB
RF to IF Isolation
fRF = 400MHz to 800MHz
fRF = 800MHz to 3700MHz
>42
>54
dB
dB
2RF-2LO Output Spurious Product
(fRF = fLO + fIF/2)
900MHz: fRF = 830MHz at –5dBm, fIF = 140MHz
1900MHz: fRF = 1780MHz at –5dBm, fIF = 240MHz
–60
–65
dBc
dBc
3RF-3LO Output Spurious Product
(fRF = fLO + fIF/3)
900MHz: fRF = 806.67MHz at –5dBm, fIF = 140MHz
1900MHz: fRF = 1740MHz at –5dBm, fIF = 240MHz
–73
–63
dBc
dBc
Input 1dB Compression
RF = 450MHz, IF = 140MHz, High Side
LO RF = 900MHz, IF = 140MHz
RF = 1900MHz
9.5
8.9
9.0
dBm
dBm
dBm
Note 1：絶対最大定格はそれを超えるとデバイスに永続的な損傷を与える可能性がある
値。また、絶対最大定格状態が長時間続くと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響を与える
恐れがある。
Note 2：450MHz、
900MHzおよび3500MHzの性能はLOとRFの外部整合を使って測定される。
図1と「アプリケーション情報」を参照。
Note 3：−40℃～85℃の温度範囲での仕様は設計、
特性評価および統計学的なプロセス・コ
ントロールとの相関で確認されている。
Note 4：SSBノイズ指数は、
RF入力に小信号雑音源とバンドパス・フィルタを使い、他のRF
信号を与えずに測定される。
5527fa
3
LT5527
標準的AC性能特性　中帯域（LO/RFの外部整合なし）
注記がない限り、
VCC = 5V、
EN = “H”、
PRF = −5dBm (2トーンIIP3テストの場合−5dBm/トーン、
∆f = 1MHz)、PLO = −3dBm、240MHzで
測定されたIF出力。図1に示されているテスト回路。
変換利得、IIP3およびNFと
RF周波数
LOリークとLO周波数
IIP3
–35
20
–40
18
–45
SSB NF
14
12
TA = 25°C
IF = 240MHz
LOW SIDE LO
HIGH SIDE LO
10
8
6
4
0
1700
1900
2300
2500
2100
RF FREQUENCY (MHz)
2700
–60
–45
LO-IF
–65
–70
–85
–85
1800 2100 2400 2700
LO FREQUENCY (MHz)
変換利得およびIIP3と温度
（ハイサイドLO）
23
8
22
7
22
7
21
6
21
17
GC
16
–25
25
50
0
TEMPERATURE (°C)
2
17
1
15
–50
–25
25
50
0
TEMPERATURE (°C)
75
5527 G04
22
19
17
15
13
SSB NF
LOW SIDE LO
IF = 240MHz
–40°C
25°C
85°C
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
24
23
11
9
7
5
3
1
GC
–9
–7
–5
–3
–1
LO INPUT POWER (dBm)
1
3
5527 G07
20
14
3
2
14
12
SSB NF
10
8
6
GC
4
1
2
0
100
0
4.5
5
4.75
5.25
SUPPLY VOLTAGE (V)
5.5
5527 G06
2200MHz変換利得、
IIP3
およびNFとLO電力
IIP3
SSB NF
22
LOW SIDE LO
IF = 240MHz
–40°C
25°C
85°C
12
10
8
6
4
5527 G03
24
18
16
2700
LOW SIDE LO
IF = 240MHz
–40°C
25°C
85°C
18
16
1900MHz変換利得、
IIP3
およびNFとLO電力
25
IIP3
4
IIP3
20
5527 G05
1700MHz変換利得、
IIP3
およびNFとLO電力
21
5
GC
16
0
100
75
19
18
6
IF = 240MHz
1700MHz
1900MHz
2200MHz
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
15
–50
9
20
3
24
22
10
IIP3
GC (dB)
18
4
IIP3 (dBm)
8
GC (dB)
23
5
2300
2500
2100
RF FREQUENCY (MHz)
1900MHz変換利得、
IIP3
およびNFと電源電圧
24
IF = 240MHz
1700MHz
1900MHz
2200MHz
1900
5527 G02
25
19
–90
1700
3000
9
20
RF-IF
–70
–75
5527 G01
IIP3
24
–60
–65
–80
1500
RF-LO
–55
–75
10
25
–50
–80
変換利得およびIIP3と温度
（ローサイドLO）
IIP3 (dBm)
–40
–55
–90
1200
TA = 25°C
–35
LO-RF
–50
GC
2
TA = 25°C
PLO = –3dBm
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
16
LO LEAKAGE (dBm)
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
22
RF絶縁とRF周波数
–30
ISOLATION (dB)
–30
24
GC
20 IIP3
18
16
14
12
8
6
4 GC
2
2
0
–7
–5
–3
–1
LO INPUT POWER (dBm)
1
3
5527 G08
LOW SIDE LO
IF = 240MHz
–40°C
25°C
85°C
10
0
–9
SSB NF
–9
–7
–5
–3
–1
LO INPUT POWER (dBm)
1
3
5527 G09
5527fa
4
LT5527
標準的AC性能特性　中帯域（LO/RFの外部整合なし）
注記がない限り、
VCC = 5V、
EN = “H”、
PRF = −5dBm (2トーンIIP3テストの場合−5dBm/トーン、
∆f = 1MHz)、PLO = −3dBm、240MHzで測定された
IF出力。
図1に示されているテスト回路。
TA = 25°C
5 LO = 1660MHz
–5 IF = 240MHz
IFOUT
–10
–40
–50
OUTPUT POWER (dBm)
–20
–30
2×2および3×3のスパーと
（シングル・トーン）
LO電力
15
0
OUTPUT POWER/TONE (dBm)
IFOUT、
2×2および3×3のスパーと
（シングル・トーン）
RF入力電力
TA = 25°C
RF1 = 1899.5MHz
RF2 = 1900.5MHz
LO = 1660MHz
–60
–70
IM3
–80
–90
–100
–21
–15
–50
–55
IFOUT
(RF = 1900MHz)
RELATIVE SPUR LEVEL (dBc)
10
IF出力電力、
IM3およびIM5と
（2つの入力トーン）
RF入力電力
–25
–35
–45
3RF-3LO
(RF = 1740MHz)
–55
–65
2RF-2LO
(RF = 1780MHz)
–75
–95
–18 –15 –12 –9 –6 –3 0 3 6
RF INPUT POWER (dBm)
0
–6
–3
–18 –15 –12 –9
RF INPUT POWER (dBm/TONE) 5527 G10
–65
2RF-2LO
(RF = 1780MHz)
–70
–75
–80
–85
TA = 25°C
LO = 1660MHz
IF = 240MHz
PRF = –5dBm
–90
–95
–85
IM5
3RF-3LO
(RF = 1740MHz)
–60
9
–100
12
–7
–9
5527 G11
–3
–1
–5
LO INPUT POWER (dBm)
3
1
5527 G12
高帯域（外部RF整合を使った3500MHzアプリケーション）　注記がない限り、VCC = 5V、EN = “H”、
PRF = −5dBm (2トーンIIP3テストの場合
−5dBm/トーン、∆f = 1MHz)、
ローサイドLO、PLO = −3dBm、380MHzで測定されたIF出力。図1に示されているテスト回路。
変換利得、IIP3およびSSB NFと
RF周波数
3500MHz変換利得、
IIP3
およびSSB NFとLO電力
19
IIP3
SSB NF
14
12
LOW SIDE LO
IF = 380MHz
TA = 25°C
10
8
6
4
2
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
16
SSB NF
15
11
LOW SIDE LO
IF = 380MHz
TA = 25°C
9
7
5
3
3500
3400
3600
RF FREQUENCY (MHz)
–1
3700
–7
5527 G13
–3
–1
–5
LO INPUT POWER (dBm)
3
1
50
LO-RF
–40
RF-LO
–50
–60
GC
–9
60
–30
13
1
GC
0
3300
–20
IIP3
17
40
30
20
LO-IF
–70
3000
3400
3200
3600
LO/RF FREQUENCY (MHz)
5527 G14
RF-LO ISOLATION (dB)
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
18
LO LEAKAGE (dBm)
20
LOリークおよびRF-LO絶縁と
LOおよびRFの周波数
10
3800
5527 G15
低帯域（外部RF/LO整合を使った450MHzアプリケーション）　注記がない限り、VCC = 5V、EN = “H”、
PRF = −5dBm (2トーンIIP3テストの場合
−5dBm/トーン、∆f = 1MHz)、PLO = 0dBm、140MHzで測定されたIF出力。図1に示されているテスト回路。
変換利得、
IIP3
およびNFとRF周波数
14
IIP3
22
HIGH SIDE LO
TA = 25°C
IF = 140MHz
SSB NF
12
10
8
6
20
16
14
8
6
2
5527 G18
–30
10
4
500
SSB NF
HIGH SIDE LO
IF = 140MHz
–40°C
25°C
85°C
12
4
450
425
475
RF FREQUENCY (MHz)
IIP3
18
2
GC
0
400
–20
LO LEAKAGE (dBm)
20
18
16
LOリークとLO周波数
24
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
24
22
450MHz変換利得、
IIP3
およびNFとLO電力
0
GC
–6
TA = 25°C
PLO = 0dBm
LO-IF
(450MHz APP)
–40
–50
–60
LO-RF
(450MHz APP)
–70
–4
–2
0
2
LO INPUT POWER (dBm)
4
6
5527 G19
LO-RF
(900MHz APP)
–80
400
LO-IF
(900MHz APP)
600
800
1000
LO FREQUENCY (MHz)
1200
5527 G20
5527fa
5
LT5527
標準的AC性能特性
低帯域（外部RF/LO整合を使った900MHzアプリケーション）　注記がない限り、VCC = 5V、EN = “H”、
PRF = −5dBm (2トーンIIP3テストの場合
−5dBm/トーン、∆f = 1MHz)、PLO = 0dBm、140MHzで測定されたIF出力。図1に示されているテスト回路。
変換利得、
IIP3およびNFと
（900MHzローサイド・
RF周波数
900MHz変換利得、
IIP3およびNFと
LO電力
（ローサイドLO）
アプリケーション）
25
23
21
LOW SIDE LO
TA = 25°C
IF = 140MHz
19
17
15
13
11
9
SSB NF
7
5
3
LOW SIDE LO
IF = 140MHz
–40°C
25°C
85°C
19
17
15
SSB NF
13
11
9
7
800
850
900
950
1000
RF FREQUENCY (MHz)
1050
23
21
HIGH SIDE LO
TA = 25°C
IF = 140MHz
19
–6
17
15
13
SSB NF
7
3
–4
1
750
–2
0
2
LO INPUT POWER (dBm)
4
6
5527 G22
–45
HIGH SIDE LO
IF = 140MHz
–40°C
25°C
85°C
17
15
13 SSB NF
11
9
7
GC
5
850
900
950
1000
RF FREQUENCY (MHz)
1
1050
12
5527 G23
–50
TA = 25°C
LO = 760MHz
IF = 140MHz
PRF = –5dBm
–55
2RF-2LO
(RF = 830MHz)
–60
–65
–70
–75
3RF-3LO
(RF = 806.67MHz)
–80
–85
3
800
9
2×2および3×3のスパーとLO電力
（シングル・トーン）
IIP3
19
GC
3RF-3LO
(RF = 806.67MHz)
–100
–18 –15 –12 –9 –6 –3 0 3 6
RF INPUT POWER (dBm)
–40
21
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
25
23 IIP3
5
–70
900MHz変換利得、
IIP3およびNFと
（ハイサイドLO）
LO電力
25
2RF-2LO
(RF = 830MHz)
–60
–90
変換利得、IIP3およびNFと
（900MHzハイサイド・
RF周波数
アプリケーション）
9
–40
–50
–80
5527 G21
11
–20
–30
3
1
IFOUT
(RF = 900MHz)
–10
GC
5
GC
1
750
IIP3
21
20
TA = 25°C
10 LO = 760MHz
0 IF = 140MHz
OUTPUT POWER (dBm)
IIP3
RELATIVE SPUR LEVEL (dBc)
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
23
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
25
IF OUT 、2 × 2 および 3 × 3 のスパーと
RF入力電力
（シングル・トーン）
–6
5527 G24
–4
–2
0
2
LO INPUT POWER (dBm)
4
6
–90
–6
–4
5527 G25
0
2
–2
LO INPUT POWER (dBm)
4
6
5527 G26
標準的DC性能特性　図1に示されているテスト回路。
電源電流と電源電圧
シャットダウン電流と電源電圧
82
100
SUPPLY CURRENT (mA)
80
SHUTDOWN CURRENT (µA)
81
85°C
79
78
25°C
76
60°C
0°C
–40°C
75
74
73
10
85°C
1
72
71
4.5
5
4.75
5.25
SUPPLY VOLTAGE (V)
5.5
5527 G16
0.1
4.5
60°C
25°C
–40°C
0°C
5.25
4.75
5
SUPPLY VOLTAGE (V)
5.5
5527 G17
5527fa
6
LT5527
ピン機能
NC
（ピン1、2、4、8、13、14、16）
：内部で接続されていません。
こ
1μFのコンデンサでデカップリングします。
RF
（ピン3）
：RF信号のシングルエンド入力。
このピンは内部で
GND
（ピン9、12）
：グランド。
これらのピンは絶縁を良くするため
内部で裏面のグランドに接続されています。
これらを回路基
板上のRFグランドに接続します。
ただし、
これらでパッケージ
の裏面コンタクトを介した主要な接地を置き換えることは意
図されていません。
れらのピンはLOとRF間およびLOとIF間の絶縁をよくするため
に回路基板上で接地します。
RF入力トランスの1次側に接続されており、
グランドへの小さ
なDC抵抗があります。RFソースがDCブロックされていない場
合、直列にブロッキング・コンデンサを使う必要があります。
RF入力は1.7GHz∼3GHzで内部整合されています。簡単な外
部整合を使うと、下は400MHzまで、上は3700MHzまで動作
可能です。
EN
（ピン5）
：イネーブル・ピン。入力イネーブル電圧が3Vより高
いとき、
ピン6、7、10、
および11によって電力を供給されるミキ
サ回路がイネーブルされます。入力電圧が0.3Vより低いとき、
すべての回路がディスエーブルされます。入力電流はEN = 5V
のとき標準50μAで、
EN = 0Vのとき0μAです。
このピンはフロー
ト状態のままにしないでください。
いかなる場合も
（起動時で
あっても）、ENピンの電圧はV CC＋0.3Vを超してはいけませ
ん。
V CC2（ ピン 6 ）
：バイアス回路の電源ピン。電流消費は標準
IF−、
IF＋
（ピン10、11）
：IF信号の差動出力。
出力を整合させる
ためにインピーダンス変換が必要になることがあります。
これ
らのピンは、
インピーダンス整合用のインダクタ、RFチョークコ
イル、
またはトランスのセンタータップを介して、VCCに接続す
る必要があります。
LO
（ピン15）
：ローカル発振器信号のシングルエンド入力。
この
ピンは内部でLOトランスの1次側に接続されており、内部で
DCブロックされています。外部にブロッキング・コンデンサは
不要です。LO入力は1.2GHz∼5GHzで内部整合されていま
す。簡単な外部整合を使うと、下は380MHzまで動作可能で
す。
露出パッド
（ピン17）
：デバイス全体の回路のグランド・リター
ン。
これはプリント回路基板のグランド・プレーンに半田付け
する必要があります。
2.8mAです。
このピンは外部でVCC1ピンに接続し、1000pFと
1μFのコンデンサでデカップリングします。
VCC1
（ピン7）
：LOバッファ回路の電源ピン。電流消費は標準で
23.2mAです。
このピンは外部でVCC2ピンに接続し、1000pFと
ブロック図
15
LO
REGULATOR
LIMITING
AMPLIFIERS
VCC1
GND 12
LINEAR
AMPLIFIER
3
EXPOSED
17
PAD
IF+
IF–
RF
DOUBLE-BALANCED
MIXER
11
10
GND 9
BIAS
VCC2
EN
5
6
VCC1
7
5527 BD
5527fa
7
LT5527
テスト回路
LOIN
L4
C4
0.062"
16
低周波数のLOにのみ
外部整合
2
ZO
50Ω
L (mm)
C5
低帯域または高帯域の
場合にのみ外部整合
APPLICATION
LO
14
NC
13
NC
NC
GND
IF
4
GND
12
T1
L1
+ 11
3
RF
IF–
NC
GND
•
10
1
9
•
4
2
C3
LT5527
3
BIAS
0.018"
NC
IFOUT
240MHz
5
L2
VCC2 VCC1 NC
EN
5
EN
LO MATCH
15
NC
1
RFIN
RF
GND
εR = 4.4
0.018"
6
7
8
C2
C1
RF MATCH
VCC
GND
RF
LO
L4
C4
L
C5
450MHz
High Side
6.8nH
10pF
4.5mm
12pF
900MHz
Low Side
3.9nH
5.6pF
1.3mm
3.9pF
900MHz
High Side
—
2.7pF
1.3mm
3.9pF
3500MHz
Low Side
—
—
4.5mm
0.5pF
5527 F01
REF DES
VALUE
SIZE
PART NUMBER
REF DES
C1
1000pF
0402
AVX 04025C102JAT
L4, C4, C5
VALUE
C2
1µF
0603
AVX 0603ZD105KAT
L1, L2
C3
2.7pF
0402
AVX 04025A2R7CAT
T1
82nH
SIZE
PART NUMBER
0402
See Applications Information
0603
Toko LLQ1608-A82N
4:1
M/A-Com ETC4-1-2 (2MHz to 800MHz)
図1．ダウンミキサのテスト回路−標準的IF整合（240MHzのIF）
LOIN
L4
DISCRETE
IF BALUN
C4
16
低周波数のLOにのみ
外部整合
1
2
ZO
50Ω
RFIN
低帯域または高帯域の
場合にのみ外部整合
L (mm)
C5
3
4
NC
LO
14
NC
13
NC
NC
GND
IF
NC
RF
IF–
NC
GND
5
12
C6
+ 11
LT5527
EN
EN
15
10
L1
L3
C7
7
IFOUT
240MHz
9
L2
VCC2 VCC1 NC
6
C3
8
C1
C2
VCC
GND
5527 F02
REF DES
VALUE
SIZE
PART NUMBER
REF DES
C1, C3
1000pF
0402
AVX 04025C102JAT
L4, C4, C5
1µF
0603
AVX 0603ZD105KAT
L1, L2
100nH
4.7pF
0402
AVX 04025A4R7CAT
L3
220nH
C2
C6, C7
VALUE
SIZE
PART NUMBER
0402
See Applications Information
0603
Toko LLQ1608-AR10
0603
Toko LLQ1608-AR22
図2．ダウンミキサのテスト回路−ディスクリートのバランを使ったIF整合（240MHzのIF）
5527fa
8
LT5527
アプリケーション情報
RF入力ポート
図3に示されているミキサのRF入力は内蔵トランスと高直線
性の差動アンプによって構成されています。
トランスの1次側
端子はRFピン
（ピン3）
とグランドに接続されています。
トランス
の2次側は内部でアンプの差動入力に接続されています。
トランスの1次側の片方の端子は内部で接地されています。RF
ソースにDC電圧が存在する場合、
RF入力ピンに直列にカップ
リング・コンデンサを使う必要があります。
RF入力は1.7GHz∼3GHzで内部整合されていますので、
この
周波数範囲では外付け部品は不要です。図4aに示されている
入力リターン損失は帯域幅の両端で標準10dBです。帯域幅
の低い方の端の入力整合は2.7pFのコンデンサをピン3に直
列に使って最適化することができ、1.7GHzのリターン損失が
20dBを超すまで改善されます。
低帯域または
高帯域の場合にのみ
外部整合
RFIN
TO
MIXER
ZO = 50Ω
L = L (mm)
3
RF
C5
5527 F03
図3．RF入力回路
代わりに、
シャント・コンデンサ(C5)をRF入力に追加して、入
力の整合を400MHzまで下げるか、3700MHzまで上げるこ
とができます。評価用ボードの50Ω伝送ライン上にピン3から
4.5mm離してC5 = 12pFを追加すると、450MHzの入力整合が
実現されます。900MHzの入力整合を得るには、1.3mmのとこ
ろに配置したC5 = 3.9pFが必要です。3500MHzの入力整合
は、4.5mmのところに配置したC5 = 0.5pFによって実現されま
す。
0
RF PORT RETURN LOSS (dB)
2種類の評価回路を利用できます。図1に示されている標準評
価回路はトランスをベースにしたIF整合を備えており、最低
のLO-IFリーク・レベルと最大のIF帯域幅を必要とするアプリ
ケーション向けです。図2に示されている2番目の評価回路で
は、
ソリューションのコストとサイズを減らすため、IFトランス
がディスクリートのIFバランで置き換えられています。
ディスク
リートのIFバランは同等のノイズ指数と直線性を与え、変換
利得は高くなりますが、LO-IFリークが劣り、IF帯域幅が減少
します。
同様に、2.7GHzの整合は1.5nHのインダクタを直列に使って
30dBを超すまで改善することができます。1.5nH/2.7pFの直列
ネットワークは帯域幅の上下両端を同時に最適化し、RF入力
帯域幅を1.1GHz∼3.3GHzに拡大します。
これら3つの場合に
測定したRF入力のリターン損失も図4aに示します。
NO EXTERNAL
MATCHING
–5
–10
–15
–20
–25
SERIES 1.5nH
SERIES 2.7pF
SERIES 2.7pF
SERIES 1.5nH
–30
0.2
0.7
1.2
1.7 2.2 2.7 3.2
FREQUENCY (GHz)
3.7
4.2
5527 F04a
(4a) 直列リアクタンス整合
0
RF PORT RETURN LOSS (dB)
はじめに
LT5527は高直線性の二重平衡ミキサ、RFバッファ・アンプ、高
速リミットLOバッファ・アンプ、
およびバイアス/イネーブル回路
で構成されています。RF入力とLO入力は両方ともシングルエ
ンドです。IF出力は差動です。
ローサイドまたはハイサイドの
LOインジェクションを使うことができます。
–5
–10
–15
NO EXTERNAL
MATCHING
–20
–25
450MHz
C5 = 12pF
L = 4.5mm
–30
0.2
0.7
900MHz
C5 = 3.9pF
L = 1.3mm
3.5GHz
C5 = 0.5pF
L = 4.5mm
1.2 1.7 2.2 2.7 3.2
RF FREQUENCY (GHz)
3.7
4.2
5527 F04b
(4b) 直列シャント整合
図 4 ．外部整合を使った場合と使わ
ない場合のRF入力のリターン損失
5527fa
9
LT5527
アプリケーション情報
これら3つの場合（450MHz、900MHzおよび3500MHz）
の入力
リターン損失を図4bに示します。
比較のため、外部整合なしの
入力リターン損失も再度図4bに示します。
RF入力インピーダンスおよびS11と周波数（外部整合なし）
が
表1に記載されており、
ピン3を基準にしています。
カスタム整合
ネットワークを設計し、RF入力フィルタへの基板レベルのイン
タフェースをシミュレートするには、S11データをマイクロ波回
路シミュレータに使うことができます。
表1．RF入力インピーダンスと周波数
FREQUENCY
(MHz)
INPUT
IMPEDANCE
S11
MAG
ANGLE
50
4.8 + j2.6
0.825
173.9
300
9.0 + j11.9
0.708
152.5
450
11.9 + j15.3
0.644
144.3
600
14.3 + j18.2
0.600
137.2
900
19.4 + j23.8
0.529
123.2
1200
26.1 + j29.8
0.467
107.4
1500
37.3 + j33.9
0.386
89.3
1850
57.4 + j29.7
0.275
60.6
2150
71.3 + j10.1
0.193
20.6
2450
64.6 – j13.9
0.175
–36.8
2650
53.0 – j21.8
0.209
–70.3
3000
35.0 – j21.2
0.297
–111.2
3500
20.7 – j9.0
0.431
–155.8
4000
14.2 + j6.2
0.564
164.8
5000
10.4 + j31.9
0.745
113.3
LO入力ポート
図5に示されているミキサへのLO入力は内蔵トランスと高速リ
ミット差動アンプによって構成されています。最高の直線性と
最低のノイズ指数を得るため、
これらのアンプは精確にミキサ
をドライブするよう設計されています。
内部DCブロッキング・コ
ンデンサがトランスの1次側に直列に接続されているので、外
部ブロッキング・コンデンサは不要です。
LO入力は内蔵アンプにより最大有効周波数が3.5GHzに制
限されていますが、
内部で1.2GHz∼5GHzで整合しています。
入力整合はピン15に1個のシャント・コンデンサ(C4)を使って
750MHzまでシフトさせることができます。一例を図6に示しま
す。
この場合、C4 = 2.7pFにより850MHz∼1.2GHzの整合が得
られます。
750MHzより下のLO入力整合には、図5に示されている直列
インダクタ(L4)/シャント・コンデンサ(C4)のネットワークが必
要です。2つの例を図6に示します。
この場合、L4 = 3.9nH/C4 =
5.6pFにより650MHz∼830MHzの整合が得られ、L4 = 6.8nH/
C4 = 10pFにより540MHz∼640MHzの整合が得られます。評
価用ボードにはL4用のパッドがありませんので、
ピン15の近く
で回路トレースを切断してL4を挿入する必要があります。L4に
は低コストの多層チップ・インダクタで十分です。
アンプは数dBのLO入力電力の変動に対して順応するように
設計されており、
ミキサ性能の大きな変動は生じませんが、最
適LOドライブは1.2GHzを超すLO周波数では­3dBmです。
低帯域だけの
場合の外部整合
LOIN
L4
TO
MIXER
15
LO
C4
VBIAS
LIMITER
VCC2
5527 F05
図5．LO入力回路
0
–5
LO PORT RETURN LOSS (dB)
この直列伝送ライン/シャント・コンデンサの整合トポロジーを
使用すると、
回路基板のレイアウトを修正せずに、LT5527を複
数の周波数規格で使用することができます。
レイアウトを小さ
くするには、直列伝送ラインを直列チップ・インダクタで置き換
えることもできます。
L4 = 6.8nH
C4 = 10pF
–10
L4 = 0nH
C4 = 2.7pF
NO
EXTERNAL
MATCHING
–15
L4 = 3.9nH
C4 = 5.6pF
–20
–25
–30
0.1
1
LO FREQUENCY (GHz)
5
5527 F06
図6．LO入力のリターン損失
5527fa
10
LT5527
アプリケーション情報
1.2GHzより下では、­3dBmでも十分な変換利得と直線性を
与えますが、最適ノイズ指数を得るには、0dBmのLOドライブ
を推奨します。
表2に記載されているポート・インピーダンスのデータを使っ
て、
カスタム整合ネットワークを設計することができます。
この
データは外部整合を使わないLOピンを基準にしています。
INPUT
IMPEDANCE
DIFFERENTIAL OUTPUT
IMPEDANCE (RIF || XIF)
1
415||-j64k
ANGLE
10
415||-j6.4k
S11
MAG
表3．IF出力インピーダンスと周波数
FREQUENCY (MHz)
表2．LO入力インピーダンスと周波数
FREQUENCY
(MHz)
波数に依存する差動IF出力のインピーダンスを表3に示しま
す。
このデータはパッケージのピンを基準にしており
（外付け
部品なし）、
デバイスとパッケージの寄生要素の影響を含んで
います。低い方は数kHzまで、高い方は600MHzまでのIF周波
数に対してIF出力を整合させることができます。
50
30.4 – j355.7
0.977
–15.9
70
415||-j909
300
8.7 – j52.2
0.847
–86.7
140
413||-j453
450
9.4 – j25.4
0.740
–124.8
240
407||-j264
600
11.5 – j8.9
0.635
–158.7
300
403||-j211
900
19.7 + j12.8
0.463
146.7
380
395||-j165
1200
34.3 + j24.3
0.330
106.9
450
387||-j138
1500
49.8 + j21.3
0.209
78.5
500
381||-j124
1850
53.8 + j8.9
0.093
61.7
2150
50.4 + j3.2
0.032
80.5
2450
45.1 + j0.3
0.052
176.5
2650
41.1 + j2.4
0.101
163.1
• 直接8：1トランス
3000
41.9 + j8.1
0.124
129.8
3500
49.0 + j12.0
0.120
87.9
• ローパス整合＋4：1トランス
4000
55.4 + j8.6
0.096
53.2
5000
33.2 + j8.7
0.226
146.7
IF出力ポート
IF出力
（IF＋とIF­）
は、
内部でミキサのスイッチング・トランジス
タのコレクタに接続されています
（図7を参照）。両方のピンと
も電源電圧でバイアスする必要があります。電源電圧はトラ
ンスのセンタータップまたは整合インダクタを通して与えるこ
とができます。各IFピンには26mAの電源電流が流れます
（合
計52mA）。最適なシングルエンド性能を得るには、IFトランス
またはディスクリートのIFバラン回路を通して、
これらの差動
出力を外部で結合します。標準評価用ボード
（図1を参照）
に
はインピーダンス変換と差動からシングルエンドへの変換の
ためにIFトランスが備わっています。2番目の評価用ボード
（図
2を参照）
は、
ディスクリートIFバラン回路を使って同じ機能を
実現しています。
IF出力インピーダンスは低周波数では2.5pFに並列に接続さ
れた415Ωとしてモデル化することができます。
（ボンドワイヤの
インダクタンスを含む）等価小信号モデルを図8に示します。
周
差動からシングルエンドへのIFの整合のための以下の3つの
方法について説明します。
• ディスクリートIFバラン
IF+
11
L1
4:1
C3
IF–
10
IFOUT
50Ω
VCC
L2
VCC
5527 F07
図7．外部整合付きIF出力
0.7nH
RS
415Ω
IF+
11
2.5pF
IF–
10
0.7nH
5527 F08
図8．IF出力の小信号モデル
5527fa
11
LT5527
アプリケーション情報
直接8：1トランスによる整合
100MHzより低いIF周波数では、最も簡単なIF整合方法とし
て、IFピンに8：1トランスを接続します。
このトランスはインピー
ダンスを変換し、
シングルエンドの50Ω出力を与えます。他の
整合は不要です。
この手法を使って測定された性能を図9に
示します。
この整合は、標準評価用ボード上でL１とL2のパッ
ド間を短絡し、4：1トランスを8：1トランスで置き換えることによ
り
（C3は実装されない）、簡単に実装されます。
25
IIP3
21
19
17
15
SSB NF
13
RF = 900MHz
HIGH SIDE LO AT 0dBm
VCC = 5V DC
TA = 25°C
C4 = 2.7pF, C5 = 3.9pF
表4．IF整合素子の値
PLOT
IF FREQUENCY
(MHz)
L1, L2
(nH)
C3
(pF)
IF
TRANSFORMER
1
1 to 100
Short
—
TC8-1 (8：1)
2
140
120
—
ETC4-1-2 (4：1)
3
190
110
2.7
ETC4-1-2 (4：1)
4
240
82
2.7
ETC4-1-2 (4：1)
5
380
56
2.2
ETC4-1-2 (4：1)
6
450
43
2.2
ETC4-1-2 (4：1)
0
11
9
–5
7
GC
5
3
1
10
20
30 40 50 60 70 80 90 100
IF OUTPUT FREQUENCY (MHz)
5527 F09
図9．8:1のIFトランスを使った場合の
標準的な変換利得、IP3およびSSB NF
ローパス＋4：1 IFトランスによる整合
図7に示されている簡単な3素子のローパス整合ネットワーク
を使って、LO-IFリークを最小に抑え、IF帯域幅を広くするこ
とができます。整合素子C3、L1およびL2は、
内部の2.5pFの容
量と組み合わされて、望みのIF周波数に調整された400Ω∼
200Ωのローパス整合ネットワークを形成します。次に、4：1のト
ランスが200Ωの差動出力を50Ωのシングルエンド出力に変換
します。
この整合ネットワークは約40MHzを超すIF周波数に最適で
す。40MHzより下では、直列インダクタ
（L1とL2）
の値が高くな
り過ぎ、
インダクタの値と寄生成分によっては安定性の問題
が生じるおそれがあります。
したがって、低いIF周波数では、8：
1のトランスの使用を推奨します。
いくつかの周波数に対する推奨ローパス整合素子の値を表
4に示します。高いQをもった巻線チップ・インダクタ
（L1とL2）
IF PORT RETURN LOSS (dB)
GC (dB), IIP3 (dBm), SSB NF (dB)
23
を使うと、
ミキサの変換利得が10分の数dBだけ改善されます
が、直線性にはほとんど影響しません。単純な8：1トランスの
方法とローパス/4：1トランスの方法の、
それぞれの場合に測定
した出力リターン損失を図10に示します。
–10
–15
–20
2
–25
–30
1
0
4
3
5
6
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
IF FREQUENCY (MHz)
5527 F10
図10．ローパス/トランスによる整合
を使ったときのIF出力リターン損失
ディスクリートのIFバランによる整合
多くのアプリケーションで、IFトランスを図2に示されている
ディスクリートのIFバランで置き換えることができます。望みの
IF周波数で180度の位相シフトを実現し、50Ωのシングルエン
ド出力を与えるには、L1、L2、C6およびC7の値を以下の式を
使って計算します。
インダクタL3は1pFの内部容量をキャンセ
ルするように計算します。
また、L3はIF＋ピンにバイアス電圧を
供給します。L1とL2には低コストの多層チップ・インダクタで十
分です。変換利得を最大にし、IF＋ピンのDC電圧降下を最小
に抑えるため、
L3にはQの高い巻線チップ・インダクタを推奨し
ます。C3はDCブロッキング・コンデンサです。
5527fa
12
LT5527
アプリケーション情報
XIF
L3 =
ωIF
よく使われる4つのIF周波数のためのディスクリートIFバラン
素子の値を表5に示します。対応するIF出力の測定されたリ
ターン損失を図11に示します。表5に示されている値は、基板
と部品の寄生成分のため、計算値とはわずかに異なります。4
つのIF周波数のすべての例について、標準的変換利得、IIP3
およびLO-IFリークとRF入力周波数を図12に示します。
同じ回
路の標準的変換利得、IIP3およびノイズ指数とIF出力周波数
を図13に示します。
表5．ディスクリートIFバランの素子の値（ROUT = 50Ω）
IF FREQUENCY
(MHz)
L1, L2
(nH)
C6, C7
(pF)
L3
(nH)
190
120
6.8
220
240
100
4.7
220
380
56
3
68
450
47
2.7
47
完全に差動のIFアーキテクチャでは、IFトランスを取り除くこ
とができます。一例を図14に示します。
この場合、
ミキサのIF出
力はSAWフィルタに直接整合しています。
–10
–15
190MHz
–20
240MHz
–30
380MHz
450MHz
–25
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550
IF FREQUENCY (MHz)
5527 F11
図11．ディスクリート・バランによる整合を使ったときのIF出力
リターン損失
26
0
24
22
IIP3
20
–10
190IF
240IF
380IF
450IF
18
16
14
LOW SIDE LO (–3dBm)
–20
TA = 25°C
–30
12
10
LO-IF
8
6
4
–50
GC
2
1700
–40
LO-IF LEAKAGE (dBm)
ローパス/4：1トランスによる整合方法に比べて、
このネット
ワークは
（IFトランスの損失が除かれているため）約0.8dBほど
高い変換利得を与え、
ノイズ指数とIIP3は同等です。IF中心周
波数から 15%オフセットすると、変換利得とノイズ指数が約
1dBほど低下します。 15%を外れると、変換利得は徐々に減
少しますが、
ノイズ指数は急速に増加します。IIP3は帯域幅に
対してそれほど敏感ではありません。IF帯域幅以外では、最も
大きな違いはLO-IFリークです。
これはローパス/4：1トランスに
よる整合で実現される優れた性能に比べると、約­38dBmに
悪化します。
GC (dB), IIP3 (dBm)
1
ωIF • RIF • ROUT
IF PORT RETURN LOSS (dB)
–5
1900
2300
2500
2100
RF INPUT FREQUENCY (MHz)
–60
2700
5527 F12
図12．ディスクリートIFバランによる整合を使ったときの変換
利得、
IIP3およびLO-IFリークとRF入力周波数
GC, SSB NF (dB), IIP3 (dBm)
C6,C7 =
0
RIF • ROUT
ωIF
L1, L2 =
26
24
22
IIP3
20
LOW SIDE LO (–3dBm)
TA = 25°C
18
16
14
12
SSB NF
190IF
10
240IF
8
380IF
6
450IF
GC
4
2
0
150 200 250 300 350 400 450 500 550
IF OUTPUT FREQUENCY (MHz)
5527 F13
図13．ディスクリートIFバランによる整合を使ったとき
の変換利得、
IIP3およびSSB NFとIF出力周波数
5527fa
13
LT5527
アプリケーション情報
ミキサのIFピンへの電源電圧はバンドパスIF整合ネットワー
クの整合インダクタを通して与えられます。L1、L2およびC3の
値は、望みのIF帯域幅を満足させる品質係数を使って、望み
のIF周波数で共振を生じるように計算します。次に、LとCの値
は、
ミキサの内部の2.5pFの容量とSAWフィルタの入力容量を
考慮して調節されます。
この場合、
バンドパス・ネットワークは
インピーダンスを変換しないので、差動IF出力のインピーダン
スは400Ωです。
SAWフィルタの入力インピーダンスが400Ωより小さい場合、
または大きい場合、追加の整合素子が必要になるかもしれま
せん。
アプリケーション支援に関しては弊社へお問い合わせく
ださい。
標準評価用ボードのレイアウト
L1
IF+
SAW
FILTER
IF
AMP
C3
IF–
SUPPLY
DECOUPLING
L2
5527 F14
VCC
図14．差動IFアーキテクチャのバンドパスIF整合
ディスクリートのIF評価用ボードのレイアウト
5527fa
14
LT5527
パッケージ
UFパッケージ
16ピン・プラスチックQFN
（4mm×4mm）
(Reference LTC DWG # 05-08-1692)
0.72 ±0.05
4.35 ± 0.05
2.15 ± 0.05
2.90 ± 0.05 (4 SIDES)
パッケージの外形
0.30 ±0.05
0.65 BSC
推奨する半田パッドのピッチと寸法
露出パッドの底面
4.00 ± 0.10
(4 SIDES)
0.75 ± 0.05
R = 0.115
TYP
15
ピン1のノッチR = 0.20
（標準）
または0.35 45˚の面取り
16
0.55 ± 0.20
ピン1の
トップマーク
(NOTE 6)
1
2.15 ± 0.10
(4-SIDES)
2
(UF16) QFN 10-04
0.200 REF
0.00 – 0.05
0.30 ± 0.05
0.65 BSC
NOTE：
1. 図面はJEDECのパッケージ外形MO-220のバリエーション
（WGGC）
に適合
2. 図は実寸とは異なる
3. すべての寸法はミリメートル
4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない。
モールドのバリは
（もしあれば）各サイドで0.15mmを超えないこと
5. 露出パッドは半田メッキとする
6. 網掛けの部分はパッケージの上面と底面のピン1の位置の参考に過ぎない
5527fa
リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負い
ません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資
料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。
15
LT5527
関連製品
製品番号
説明
インフラストラクチャ
LT5511
高直線性アップコンバーティング・ミキサ
LT5512
DC∼3GHz高信号レベル・ダウンコンバーティング・ミキサ
LT5514
デジタル利得制御付き超低歪みIFアンプ/ADCドライバ
LT5515
LT5516
LT5517
LT5519
1.5GHz∼2.5GHz直接変換直交復調器
0.8GHz∼1.5GHz直接変換直交復調器
40MHz∼900MHz直交復調器
0.7GHz∼1.4GHz高直線性アップコンバーティング・ミキサ
LT5520
1.3GHz∼2.3GHz高直線性アップコンバーティング・ミキサ
LT5521
LT5522
LT5524
LT5525
LT5526
LT5557
LT5504
800MHz∼2.7GHzのRF測定用レシーバ
LTC®5505
LTC5507
LTC5508
LTC5509
LTC5530
100kHz∼1000MHzのRFパワー検出器
300MHz∼7GHzのRFパワー検出器
300MHz∼3GHzのRFパワー検出器
300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器
LTC5532
LT5534
LTC5536
RF出力：最大3GHz、IIP3：17dBm、内蔵LOバッファ
HF/VHF/UHFアプリケーションに最適化、
IIP3：20dBm、NF：11dB
帯域幅：850MHz、OIP3：47dBm（100MHz）、利得制御範囲：
10.5dB∼33dB
IIP3：20dBm、内蔵LO直交ジェネレータ
IIP3：21.5dBm、内蔵LO直交ジェネレータ
IIP3：21dBm、内蔵LO直交ジェネレータ
IIP3：1GHzで17.1dBm、50Ω整合付き内蔵RF出力トランス、
シングルエンドのLOポートとRFポートの動作
IIP3：1.9GHzで15.9dBm、50Ω整合付き内蔵RF出力トランス、
シングルエンドのLOポートとRFポートの動作
10MHz∼3700MHz高直線性アップコンバーティング・ミキサ
IIP3：1.95GHzで24.2dBm、NF = 12.5dB、3.15V∼5.25Vの
電源、シングルエンドのLOポート動作
400MHz∼2.7GHz高信号レベル・ダウンコンバーティング・ミキサ 4.5V∼5.25V電源、IIP3：900MHzで25dBm、NF = 12.5dB、
50ΩシングルエンドのRFポートとLOポート
低消費電力、低歪みADCドライバ
帯域幅：450MHz、OIP3：40dBm、利得制御範囲：
（利得をデジタルでプログラム可能）
4.5dB∼27dB
高直線性、低消費電力のダウンコンバーティング・ミキサ
シングルエンド50ΩのRFポートとLOポート、IIP3：
17.6dBm（1900MHz）、ICC = 28mA
高直線性、低消費電力のダウンコンバーティング・ミキサ
3V∼5.3V電源、IIP3：16.5dBm、RF：100kHz∼2GHz、
NF = 11dB、ICC = 28mA、LO-RFリーク：­65dBm
400MHz∼3.8GHz、
3.3V高信号レベル･ダウンコンバーティング･
シングルエンドのRFポートとLOポート、
ミキサ
IIP3：1950MHzで24.7dBm、NF：11.7dB
RFパワー検出器
LTC5531
注釈
ダイナミックレンジが > 40dBのRFパワー検出器
80dBのダイナミックレンジ、温度補償、2.7V∼5.25Vの
電源
300MHz∼3GHz、温度補償、2.7V∼6Vの電源
100kHz∼1GHz、温度補償、2.7V∼6Vの電源
44dBのダイナミックレンジ、温度補償、SC70パッケージ
36dBのダイナミックレンジ、低消費電力、
SC70パッケージ
高精度VOUTオフセット制御、シャットダウン、
調節可能な利得
300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器
高精度VOUTオフセット制御、シャットダウン、
調節可能なオフセット
300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器
高精度VOUTオフセット制御、調節可能な利得と
オフセット
ダイナミックレンジが60dBの50MHz∼3GHzのRFパワー検出器 全温度範囲で 1dBの出力変動、応答時間：38ns
高速コンパレータ出力付き高精度600MHz∼7GHzのRF検出器 応答時間：25ns、コンパレータの基準入力、
ラッチ・イネーブル入力、入力範囲：­26dBm∼＋12dBm
低電圧RFビルディング・ブロック
LT5546
500MHz直交復調器、VGA付き、17MHzベースバンド帯域幅
広帯域幅ADC
LTC1749
12ビット、80Msps
LTC1750
14ビット、80Msps
17MHzベースバンド帯域幅、40MHz∼500MHzのIF、
1.8V∼5.25Vの電源、­7dB∼56dBのリニア電力利得
帯域幅S/H：500MHz、SNR：71.8dB
帯域幅S/H：500MHz、SNR：75.5dB
5527fa
16
リニアテクノロジー株式会社
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F
TEL 03-5226-7291 FAX 03-5226-0268 www.linear-tech.co.jp
●
●
LT 1108 REV A • PRINTED IN JAPAN
 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2005