太陽電池製造関連技術 - 株式会社ノリタケカンパニーリミテド

その先を見据えるノリタケの技術
− 太陽電池製造関連技術 −
Cutting
Grinding
Heating
Material
結晶シリコン系太陽電池製造工程 ･･･ノリタケ製品
Solar Cell Manufacturing Process & Noritake Products
近年、太陽電池は、エネルギー・環境問題を背景として世界的な需要の高まりを見せています。
ノリタケは陶磁器製造で培った様々な技術を発展させてセラミック関連原材料、加工工具、製造設備などの分野で事業を展開しています。
これらの既存技術を、シリコンを主な材料とする結晶系太陽電池セル製造分野へ応用した製品開発を行っています。
At Noritake Co., Limited, we have nurtured our century-long tradition of manufacturing high quality tableware into new ceramic business
opportunities such as raw materials for ceramic manufacturing, grinding materials and tools as well ceramic manufacturing equipments.
We are also working ahead to address energy and environmental issues by developing materials and technologies for power generation
devices such as solar cells. In recent years, we have launched several new products related to the manufacturing of monocrystalline and
polycrystalline silicon solar cells. Silicon fusion furnaces, ingot cutting tools, electrode pastes as well as firing furnaces are some of the
specific products we have been offering for the manufacture of silicon power generation systems.
鋳造
Casting
シリコン
Silicon
ブロック研磨
インゴット切断
Block Sanding
Block Cutting
バンドソー
Band blade
ホイール
Wheel
ベルト
Coated
Abrasive
Directional solidification
ALTA
多結晶シリコン溶融炉
ダイヤモンドバンドソー
Polycrystalline
Si-Fusion Furnace
Diamond Band Blade
ダイヤモンドホイール ダイヤモンドベルト
Diamond Wheel
テキスチャー
スライス
Texturing
Slicing
研磨装置
Diamond Coated
Abrasive
Grinder
PNジャンクション形成
Formation of PN Junction
シリコンウエハ
Silicon wafer
マルチワイヤーソー
Multi wire saw
リン拡散
Phosphorus
テキスチャー
Texture
CENTRI CLEAN
ダイヤモンドワイヤー 遠心分離機
Diamond Wire
拡散炉
Centrifuge
Diffusion Furnace
反射防止膜
Antireflection Coating
モジュール
電極形成
Modules
Electrode Formation
SiNx : H
ソーラーセル
Solar cell
Ag
Fire through
電極
Electrode
P+
Al Ag Al
スタティックミキサー
電子ペースト
乾燥炉
焼成炉
Static Mixer
Electrode Paste
Drying Furnace
Firing Furnace
シリコン加工用ダイヤモンド工具
Diamond Tools for Silicon Manufacturing
ダイヤモンドバンドソー
Diamond Band Blade - Cropping / Blocking / Squaring -
太陽電池の原材料であるシリコンインゴットを切断（クロッピング、ブロックサイジング、
スクエアリング等）によって直方体に加工するときに使用される工具です。
多結晶シリコン用のメタルボンドタイプと、単結晶シリコン用の電着タイプの2種類を
ご用意しております。
Diamond bands are used for cutting (cropping, blocking and squaring) silicon ingots, the raw material used
to manufacture solar cells, into rectangular blocks. Two types of band are available; a metal bonded type
for polycrystalline silicon, and an electroplated type for monocrystalline silicon.
特長
Features
メタルボンドタイプ
Metal bonded type
・ 独自の砥粒分散技術による安定した切断能力
・ Stable cutting performance with Noritake's unique diamond grain
distribution technology.
・ チップの角だれが少ないため、斜断の発生を防ぎ長寿命を達成
・ Negligible tip corner drooping, preventing oblique cuts and
extending the blade life time.
電着タイプ Electroplated type
・ 高強度基板を採用して薄刃化、切断ロスが削減
・ Cutting loss can be cut by reducing the blade thickness with the adoption of a
high-strength substrate.
・ 基板の特殊テンション加工により、直進性が安定
・ Stable, straight cutting achieved with special tension machining of the substrate.
・ 切断条件に応じたパターン電着の採用により、高能率、高精度切断が可能
・ High-efficiency, high-precision cutting realized using an electroplating pattern to
match the cutting conditions.
仕様
Specifications
粒度
Grain size
メタルボンドタイプ
Metal bonded type
電着タイプ
Electroplated type
#40∼200
(D427∼76)
#40∼200
(D427∼76)
周長
Length
基板幅
Core width
基板厚
Core thickness
砥材層厚
Diamond layer thickness
4,100∼9,800mm
50∼160mm
0.5∼2.0mm
0.9∼2.5mm
1,500∼9,000mm
10∼60mm
0.3∼1.0mm
0.5∼2.0mm
シリコン加工用ダイヤモンド工具
Diamond Tools for Silicon Manufacturing
ODブレード
OD Blade (Outer Diameter Diamond Blade) - Cropping / Blocking / Squaring -
太陽電池の原材料であるシリコンインゴットの切断作業（クロッピング、ブロックサイジング、スクエアリング等）に使用される、
メタルボンドタイプのダイヤモンドブレードです。直進性の向上により、カーフロス低減に効果を発揮します。
メタルボンドタイプ以外に、切れ味に優れた電着タイプもご用意しております。
This metal bonded type diamond blade is used for cutting (cropping, blocking and squaring) silicon ingots, the raw material used to
manufacture solar cells.
A reduction in kerf loss has been achieved by improving the straightness of the blade cut. In addition to the metal bonded type, an
electroplated type with outstanding cut is also available.
特長
Feature
波型セグメントチップの採用により、切断性能が向上。
Cutting performance improved with adoption of
corrugated segmented tips.
メタルボンドタイプ
Metal bonded type
粒度
Grain size
外径
Outer diameter
砥材層厚
Diamond layer thickness
#40∼120
(D427∼126)
φ 400mm
φ 560mm
φ 915mm
φ1260mm
2.5mm
3.4mm
4.0mm
4.2mm
平面研削ホイール
Surface Grinding Wheel - Surface Grinding / Chamfering -
シリコンインゴットの高能率加工に使用されるレジンボンドタイプの平面研削用ホイールです。
用途に応じてメタルボンドタイプ、ビトリファイドタイプもご用意しております。
This resinoid bonded surface grinding wheel is used for high-efficiency griding of silicon ingots.
Depending on the intended use, a metal bonded type and vitrified type are also available.
特長
Feature
シリコンブロックの粗加工、仕上げ加工等、加工条件に応じたスペックをご提供いたします。
This grinding wheel is available in a variety of specifications tailored to meet the
grinding specifications such as for rough processing or finishing of silicon blocks.
IDブレード
ID Blade (Inner Diameter Diamond Blade) - Cropping -
極薄基板の内周部にダイヤモンドを電着したブレードで、インゴットのクロッピングに
使われます。ブレード刃先の厚みを薄くすることにより、歩留まりを向上させます。
ID blade, Noritake's ultrathin blade with diamond electroplated on inner diameter, is used for
ingot cropping. Higher cutting yield rate can be obtained by thinning the blade edge.
特長
Feature
基板の薄肉化と厳選砥粒、最適スペックの選定で切れ味が向上します。
Superior cutting can be obtained by using ultra thin core and fine
abrasive grain and by selecting optimal blade's specification.
シリコン加工用ダイヤモンド工具
Diamond Tools for Silicon Manufacturing
ダイヤモンドワイヤー
Diamond Wire - Slicing -
太陽電池用のシリコン基板をインゴットからスライスするのに使用される工具で、
ワイヤーにダイヤモンド砥粒を固定したものです。従来の遊離砥粒方式と比べ、
「切断能率の向上」、「加工精度の安定」など、生産性が向上します。また、研削
液を濾過して循環使用することで、環境負荷の大幅な削減が可能となります。
レジンボンドタイプと電着タイプの2種類をご用意しております。
These diamond tools are used for slicing solar cell wafers (substrates) from silicon blocks, and are made
by bonding diamond grains to piano wire (core wire). Productivity in terms of "slicing efficiency" and
"slicing precision stability" has been improved over the conventional loose grain method. Furthermore, as
slurry is no longer required, significant reductions can be made to the environmental burden. Two types
of wire are available; a resinoid bonded type, and an electroplated type.
特長
Features
高能率切断：従来の遊離砥粒方式に比べ、高能率切断が可能
High slicing efficiency ; In addition to the conventional loose grain method, high slicing efficiency is now possible.
歩留まりが向上：切断精度が安定し、加工変質層も軽減
Improved slicing quality ; Stable slicing precision and reduction in altered layer.
水溶性研削液 使用可能：作業環境が改善するとともに、洗浄など後工程が軽減
Use of clean soluble coolant ; Improved environmental conditions in the workplace and fewer post-processes such as washing.
廃棄ワイヤー、廃スラリーを大幅に削減 ： 切粉の回収が容易なため再資源化の可能性が向上
Significant reductions in waste wire and slurry; Sludge is now easy to collect, increasing the possibility of silicon reclamation.
仕様
Specifications
・細線化・太線化のさまざまなご要求にお応えします。
・ A variety of different wire thicknesses are available upon request.
・加工品位重視にはレジンボンド、加工能率重視には電着を選択下さい。
・ It is recommended that the resinoid bonded type be selected for high quality, and the electroplated type for high efficiency.
製品径
Diamond Wire diameter
粒度
Grain size
Grain
レジンボンドタイプ
Resinoid bonded type
φ150∼200μm
15∼40μm
Wire core
Resinoid bond
Grain
電着タイプ
Electroplated type
φ150∼350μm
10∼30μm
Wire core
Nickel plating
シリコン研磨用ダイヤモンド ベルト "アルタ"
Diamond Coated Abrasive ALTA for Silicon
シリコンブロックの表面処理をするベルト状研磨工具です。
面粗度
Upgraded abrasive for silicon block surface polishing.
シリコン
Silicon
特長
鋳造
ｼﾘｺﾝｲﾝｺﾞｯﾄ
Casting
Silicon ingot
切断
Block cutting
ｼﾘｺﾝﾌﾞﾛｯｸ
Silicon block
整面
Block grinding
研磨
Block polishing
スライス
Slicing
Ra0.07
Surface roughness
Ra 0.07
ｼﾘｺﾝｳｴﾊ
Silicon wafer
Features
ダイヤモンドベルト"アルタ"は、柔軟性と弾力性に優れた
ポリエステルに微細ダイヤモンド砥粒を均一にコーティングした
研磨材です。SD1500による自動連続研磨で、従来比 約3倍
の高速処理と面粗度Ra0.07を実現。
ダメージクラックが除去でき、ワイヤーソーによる
スライス時の歩留まりが大幅に向上します。
Our diamond coated abrasive can improve efficiency of wire-saw slicing
of silicone block for solar cells.
It can bring the surface roughness up to Ra 0.07 which removes the
crack damage and it will increase productivity nearly 3 times higher than
present operation method.
.
エッチング・クラックダメージ
[従来ブラシ研磨]10∼40μm→[アルタ研磨]4∼10μm
Etching and crack damage
Brush sanding 10-40 micron→ＡＬＴＡ　４－１０　ｍｉｃｒｏｎ
高品質インゴット High Quality Ingot
ダイヤモンドを布基材にコーティング。ダメージクラック除去に最適。
Best solution for removing crack damage.
高速自動研磨 High Speed Automatic Sanding
シリコンブロック研磨で、従来の三倍の生産性を実現。
High Productivity : Operation speed is 3 times faster !
従来方式 Conventional method
研磨材 SD240
Abrasive SD240
研磨材 SD240
Abrasive SD240
アルタベルト
ALTA
研磨材 SD800
Abrasive SD800
シリコンブロック
Silicon block
アルタ ALTA
研磨材 SD1500
Abrasive SD1500
High Speed 工程数を削減し短時間処理
High Quality 面粗度向上で歩留まりアップ
Automation 自動化で人件費を削減
Maintenance メンテナンスが容易
アルタベルトでのブロック研磨
Block Sanding by Diamond Coated Abrasive ALTA
Silicon
block
ALTA
ALTA
シリコンブロック用 クロスマチック式研磨装置
Crossmatic Type Grinder for Silicon Block
ノリタケ独自のダイヤモンド研磨ベルトによるシリコンブロック表面の高速・高精度研磨でダメージクラックを除去します。
A damage crack is removed by the high speed and high precision grinding of the silicone block surface by NORITAKE original diamond coated abrasive.
シリコン
鋳造
Silicon
Casting
ｼﾘｺﾝｲﾝｺﾞｯﾄ
Silicon ingot
切断
Block cutting
ｼﾘｺﾝﾌﾞﾛｯｸ
Silicon block
整面
Block grinding
研磨
Block polishing
スライス
Slicing
処理時間
8∼13 min/ block
処理物
単結晶シリコン、多結晶シリコンブロック
ブロックサイズ
Block size
□125mm×100∼500mm
□156mm×100∼500mm
研磨条件
部位
4平面、4コーナー全面研磨
コーナー
研磨形状
単結晶：R面(約R100mm)
Process time
Applications
特長
Polishing
condition
Features
■ 短時間研磨（従来比1/3倍）
■ 歩留まり：98％
■ 面ダレ軽減
Stable Edge Surface
■ 高生産性（従来比の3倍）
Mono-, Polycrystalline silicon block
Part
All polishing (4 planes, 4 corners)
Monocrystal: R-side(About R100mm)
Corner
多結晶：C面(約C1mm)
polishing form Polycrystal: C-side(About C100mm)
Grinding Time Reduction : 1/3
Yield：98%
ｼﾘｺﾝｳｴﾊ
Silicon wafer
研磨量
Polishing amount
(2ヘッド合計)
50μm (2
heads in total)
面粗度
Ra: 0.06μm、 Rz: 0.6μm
Surface roughness
High Productivity (3 Times of The Conventional System)
従来（ブラシ） Conventional method (by brush)
30 min/block
■ ウエハスライス時の良品率 98%
ノリタケダイヤモンド研磨ベルト Diamond coated abrasive
10 min/block
98% Yield for Slicing
ダイヤモンド研磨ベルトにより研磨後のダメージクラックが、従来（ブラシエッチング）の1/5∼1/10となり、ウエハスライス時の歩留まりが向上します。
Polishing by the diamond coated abrasive reduced the crack damage to 1/5 - 1/10 comparing by brush etching.
■ コーナー/Ｒ面研磨
Corner/Curved Surface Polishing
従来研磨方法ではコーナー/Ｒ面の表面を十分に研磨する事は不可能で
したが、ベルト研磨では平面研磨同様に50μｍ研磨が可能です。また､面
ダレも軽減できます。
Belts can sufficiency polish corners and curved surfaces at 50μm just
like flat surface which was difficult for conventional methods.
It can also improve stable edge surfaces.
■ 研磨工程の連続処理
Continuous Polishing Process
従来の研磨工程は、切断されたシリコンブロックを整面機で形状を整え、
その後、研磨装置にて表面研磨をしていました。ノリタケクロスマチック式
研磨装置では第一ヘッドにダイヤモンドホイールを用いることにより、１台
で整面-研磨の連続処理が可能となりました。歩留まりの向上及び作業
工程の削減を実現しました。
Using a diamond wheel for the first head, NORITAKE CROSSMATIC
TYPE GRINDER has made possible to grind and polish the cut silicon
blocks continuously in one equipment, while conventional grinding
processes firstly shape the blocks with grinder then polish the surface
with polishing machine. This can increase the yield while reducing the
processes.
整面（ホイール）
Grinding (Wheel)
研磨（ベルト）
Polishing (Belt)
超高精度型 遠心分離機 "センチュリクリーン
Super Precision Type Centrifuge "CENTRI CLEAN EX"
微粒子スラッジを高精度で除去する高遠心力タイプ
シリコンウエハの固定砥粒マルチワイヤーソー加工液の再利用に最適です
遠心力：2200G
High precision separator with strong centrifugal force
The best for reuse of fixed multi wire saw grinding fluid of silicon wafer
従来機：30％UP
特長
Centrifugal force:2200G
Comparison with conventional machine:30%UP
業界最高水準の遠心力で
Features
クーラント液中の微粒子を
分離濾過します。
■ 高効率分離濾過
High Efficient Separating Filtration
最大回転数(3200∼3400rpm)の高速回転で発生する最大2200Gの強力な遠心力により、
高効率な分離濾過を実現します。
Removes minute particulates in coolant liquid by strong
centrifugal force with industry's highest level
High efficient separating filtration is provided by powerful separating filtration capacity, which is 3200-3400rpm
of max revolving speed and 2200G of max centrifugal force.
■ 強力なスラッジ脱水性能
Powerful Dehydrating Performance of Sludge
スラッジは強力に脱水され、低含水率で回収可能です。
Sludge is recoverable with low water content through dewatering.
■ 全自動運転
Automatic Operation
分離濾過・脱水・スラッジ排出・洗浄までを全自動で行えます。
The automatic drive covers the process of separating filtration, dehydration, sludge discharging and cleaning.
■ 発泡防止機構搭載 Anti-foaming Function
特許申請中 Patent Pending
独自の泡防止機構により、従来問題であった発泡を抑制しました。
The original deforming function is installed as standard, and the problem of forming is reduced.
用途
Application
シリコン加工
Silicon processing
太陽電池、半導体ウェハ材料等の各種加工、固定砥粒マルチスライスワイヤソー加工、バンドソー加工等
Each processing for photovoltaic, semiconductor wafer, fixed multislice wire saw, band saw etc.
サファイア・ガラス加工
LED基板等の各種加工、ハードディスク基板等の各種加工、ラッピング加工、内外面加工等
Sapphire, glass processing Each processing for substrate of HDD, LED, Lapping grinding, inner/outer grinding etc.
各種工作機械
NCA-200 type
ガンドリル機、ホーニング機、放電加工機、精密研磨機、電解研磨機、歯車研磨機、
Various machine tool 洗浄機、切断機、センタレス機、両頭機などの研削・研磨加工液の浄化、切粉の回収
The working liquid of grinding and polishing machine are purified, and the sludge is collected as following machine;
gun drill machine, honing, electrical discharge machine, precision polishing machine, electrical polishing machine,
gear grinding, washing machine, cutting machine, center-less grinding machine, two-headed machine etc.
[導入例 Introduction case]
固定砥粒ワイヤソーによるシリコンウェハ加工
Multislice of silicon wafer with fixed abrasive wire saw
●遠心分離機の有無による付属タンクのSS濃度変化
50000
タンク内SS濃度
Concentration in attached tank
Concentration change of attached tank in case with centrifuge or without centrifuge
遠心分離機
Centrifuge
ワイヤソーMC
Wire saw
付属タンク
Attached tank
40000
遠心分離機なし
Without centrifuge
30000
80%低減
Reduction
20000
10000
遠心分離機あり
0
加工時間
Processing time
※弊社にて実施した性能試験結果です。 This is the result of performance test at our plant.
With centrifuge
導入効果
Introduction effect
SS濃度の低位安定化
Stabilized in lower concentration
● 液のリユースが可能となり、ランニングコスト削減
Running cost reduction by reuse of liquid
※性能テスト条件
[テスト試料] ガラス研磨スラッジ(比重2.5）
平均粒子径2.3μm [テスト液] 水
* Performance test condition
[Sample] Grinding sludge of glass(specific gravity2.5),
Average partcle diameter 2.3μm [Liquid] Water
SS濃度
サンプル
除去率
Concentration Extration rate
Sample
ダーティ液
8461ｍｇ/L
―
Dirty liquid
1パスクリーン液(新型)
75％
1pass-clean liquid(NEW) 2105ｍｇ/L
●粒度分布変化 Particle size distribution
600
― ダーティ液
Dirty liquid
500
― 1パスクリーン液(新型)
1pass-clean liquid
400
300
200
100
0
0.1
● 安定加工を実現
Labor cost reduction by saving of liquid exchange
Performance
SS濃度(mg/L) Concentration
性能
● 液交換の手間が省け、人件費削減
1
10
粒径(μm) Particle size
100
Model
電源
Power
適正送液量
Routine filtration capacity
最大回転数
Max. number of revolutions
最大遠心力
Max. centrifugal force
電気容量 メインモーター
Electric
Main motor
capacity
ギアモーター
Gear motor
ダーティポンプ
Dirty pump
必要エアー圧力
Pressure of air
Stable processing is possible
NCA-50
NCA-200
三相 200V 50/60HZ
3phase 200V 50/60HZ
20∼40L/min 70∼140L/min
3400rpm
3200rpm
2200G
7.5kW
5.5kW
0.2kW
0.75kW
0.40kW
0.5MPa
太陽電池用ペースト
Paste for Solar Cells
ノリタケでは、金属粉末を均一に分散してペースト化するコア技術にて、太陽電池に必要となる電極用のAgおよびAlペーストの分野に進出しています。
Noritake has advanced into the photovoltaic market with the advanced Ag and Al electrode paste for solar cells by application of our core technology of high dispersion of metal powder.
受光面用Agペースト
特長
Ag Paste for Front Surfaces
Features
断面積の広いグリッドライン形成に適したレオロジーで、
受光面積が増え変換効率向上が図れます。
The rheology is suitable for forming larger cross section area of gridline to enlarge
the acceptance surface area and improve the conversion efficiency.
高い導電性で、更なるファインライン化が可能
Possible to obtain superior electrical conductive and finer gridlines.
広範囲の焼成温度に対応可能
Wide range for firing process window
ハンダの濡れ性が良好で接着強度が高く、優れた信頼性
（無鉛ハンダ使用可能）
Screen opening
Provide excellent solderability and perfect adhesion
(lead-free solder is applicable)
高シート抵抗セルに対応し、高効率を実現
Suitable for high sheet resistance cells and realize excellent conversion efficiency.
Development
NP-4692E series
60μm
70μm
NP-4692D series
80μm
90μm
100μm
NP-4692B
NP-4682D
50Ω/sq
60Ω/sq
70Ω/sq
80Ω/sq
Sheet resistance
Agペーストの膜形成例
Agグリッドラインの断面図 Cross sections of Ag gridline
An example of film formation
by our Ag paste
従来Aｇペースト 新Aｇペースト Conventional Ag paste
Advanced Ag paste
グリッドライン
Gridline
裏面用Alペースト
Al Paste for Back Surfaces
※レーザー顕微鏡イメージ Laser microscope images
裏面用Alペースト
特長
Al Paste for Back Surfaces
Si基板とAl電極界面の断層SEM写真
SEM cross-section image showing Al layer, BSF layer and silicon wafer.
Features
環境負荷の少ない無鉛タイプ
Environmentally friendly lead-free paste
BSF層の厚みをコントロールすることで、高出力を実現
Realize higher conversion efficiency by controlling the BSF thickness. * BSF ＝ Back Surface Field
裏面用Agペースト
特長
Features
Ag Paste for Back Surfaces
膜厚と接着強度の関係 Effect of thickness on adhesion
新Agペースト
New Paste
Excellent solderability (lead-free solder is applicable)
接着強度が高く、優れた信頼性
High adhesion and superior reliability
従来品より、使用量３０％減が可能 (当社比)
Usage quantity will be 30% down (compared with our conventional type)
無鉛Alペーストとの相性良好
Good compatibility with lead-free Al Paste
無鉛タイプ
Lead-free type
＊商品の詳細につきましては、是非お問合せください。
For more information on Noritake Maxsunny or other Noritake products, please contact your local representative.
接着強度 Adhesion
優れたハンダ濡れ性（無鉛ハンダ使用可能）
必要強度レベル
General level
従来Agペースト
Conventional
Paste
膜厚 Film thickness
使用量30％減！
Usage is 30% DOWN !!
※当社との測定機器や条件等の違いにより結果が異なる場合があります。
Different value may be presented due to variation or correlation of the inspection method.
太陽電池セル加熱用 乾燥炉・焼成炉
Drying Furnace / Firing Furnace for Solar Cells
電極ペーストを印刷した基板を加熱する装置です。
It is equipment heating wafer printed with electrode paste.
ライン構成 Line configuration
裏 Ag
Loader
Back Ag
Back Ag
裏 Ag
Al
Al
Al
Front Ag
Front Ag
焼成炉
印刷機
乾燥炉
印刷機
乾燥炉
印刷機
乾燥炉
Firing furnace
Printer
Drying furnace
Al
Printer
表 Ag
Drying furnace
Printer
表 Ag
乾燥炉
焼成炉
高効率な加熱方式
消費電力の低減
・遠赤外線ヒーターによる放射加熱
・金属メッシュベルトの加熱負荷低減により、約50％
（当社ベルト搬送式対比）の省エネルギー化を実現しました。
Drying furnace
Max. 3420 sheets/hr
Firing furnace
High-efficiency heating method
Radiant heating by far-infrared heater
高効率溶剤回収機構
High efficiency collecting solvents method
・水冷式溶剤回収により約40％回収可能(*オプション)
About 40% of solvent collection is made possible by
water-cooled collecter. (*option)
・触媒燃焼装置により約100％溶剤処理可能(*オプション)
About 100% of solvent processing is made possible by
catalytic combustion equipment.(*option)
基板外観向上
Less scratch on wafer surface
・基板の端面保持方式により基板の外観が向上
Wafer appearance has been improved by holding
wafer edge method.
Unloader
Drying furnace
Energy saving
Saving about 50% energy (compared with our belt conveyer type)
is possible by decreased in heating load of metallic mesh belt.
高温焼成時間の短縮
Fast firing
・近赤外線ヒーター加熱と独自搬送方式により、炉内（加熱部）
通過時間約36secで焼成を実現しました。
Transit time about 36 seconds in furnace (heating section) is possible by near infrared heater and original conveyance system.
クリーン加熱搬送
Dust free conveyance
・金属メッシュベルトが無い為、炉内での発塵が無く、クリーン加熱が可能です。
There is no dust in furnace because metallic mesh belt is not used.
Therefore dust free conveyance is made possible.
基板外観向上
No contact with the wafer surface
・ウォーキングビーム搬送と基板の端面保持方式により、基板表面のキズ、
メッシュ痕が無く 外観の仕上りが向上します。
Walking beam conveyance and holding wafer edge method prevent scratch and mesh
mark on wafer surface. Wafer appearance improvement is realized.
処理基板
Treatment wafer
単結晶シリコン、多結晶シリコン
Mono-, Polycrystalline silicon
基板サイズ
Wafer size
装置寸法
Dimension
□125mm、□156mm
処理能力
Throughput
[Ag] 1250W×3900L×1700H（2列）
(Belt type 2 sheets/row)
[Al] 1250W×4900L×1700H（2列）
(Belt type 2 sheets/row)
1200枚/hr （30MW）
1200 sheets/hr (30MW)
2400枚/hr (60MW）
2400 sheets /hr (60MW)
炉内温度
Furnace temp.
250℃ (Max.300℃）
ベルト搬送式焼成炉
Conveyer belt furnace
☆
クリーン度
Clean level
（ベルトと受け材との擦れ有り）
(Friction of belt and support)
加熱時間
Heating time
（ベルトの加熱時間が必要）
（Heating time of belt required）
高性能焼成炉
High-performance firing furnace
☆
ランニングコスト（当社比）
☆
Running cost
（58kW）
アフターコスト（ヒーター本数）
☆
After cost (The number of heater)
（70∼76）
* 50MW用焼成炉での比較 Comparison at the firing furnace for 50 MW
処理基板
Treatment wafer
基板サイズ Wafer size
装置寸法 Dimension
処理能力 Throughput
炉内温度 Furnace temp.
☆☆☆
（炉内での搬送箇所擦れ無し）
（No friction of conveying parts in furnace）
☆☆☆
（短時間）
（Short time）
☆☆☆
（32kW）
☆☆☆
（46）
単結晶シリコン、多結晶シリコン
Mono-, Polycrystalline silicon
□125mm、□156mm
1650W×3490L×1700H（4列） (4 rows)
1710枚/hr （30MW） 1710 sheets/hr (30MW)
3420枚/hr (60MW） 3420 sheets/hr (60MW)
Max.950℃
テスト機を用意しております。お気軽にご用命ください。 We have demonstration line. Please feel free to contact us.
太陽電池用 自動電極形成ライン
Automatic Metallization Line for Solar Cell
太陽電池セルの電極形成工程を自動連続処理が可能なシステムです。
This system is capable of automatic continuous process for solar cell electrode formation.
ライン構成
Line configuration
連続処理
裏 Ag
Loader
Back Ag
Back Ag
Al
Al
Al
Front Ag
Front Ag
焼成炉
印刷機
乾燥炉
印刷機
乾燥炉
印刷機
乾燥炉
Firing furnace
Printer
特長
Continuous process
裏 Ag
Drying furnace
Al
Printer
表 Ag
Drying furnace
Printer
表 Ag
Unloader
Drying furnace
Features
高生産性(90MW対応)
High productivity (90MW)
3枚同時印刷及び、3列搬送加熱方式により4500枚/ｈｒの高い生産能力を実現
Three-sheets simultaneous printing and three-rows conveyance heating
system realize high productive capacity of 4500 sheets/hr.
薄型基板対応
Thinner wafer correspondence
低印圧での印刷及び、独自の搬送機構により基板への低負荷処理が
可能となり、厚み160μm基板に対応。（破損率：＜0.2％）
Low load processing to a substrate is attained
according to low pressure printing and our original
conveyance method. Thinner wafer (160μm)
correspondence （Breakage rate：＜0.2％)
高性能化 High performance
印刷機 Printer
90MW対応
■最適アスペクト比印刷
90MW correspondence!
Optimal aspect ratio printing
・独自印刷機構により版離れ性を向上させ、
最適アスペクト比の印刷を実現。
According to our original printing methods,
performance of "peel off" is improved and
optimal aspect ratio is realized.
破損率：0.2％以下
Breakage rate：0.2% or less
稼働率：95％以上
Operating ratio：95% or more
印刷精度：±12.5μm以下
■高印刷精度
High printing precision
・独自のアラインメント機構により、多層印刷などの高精度印刷工程に対応。
Our original Alignment mechanism makes possible high-precision
printing processes such as multilayer printing.
焼成炉 Furnace
■基板端面搬送
Wafer Edge-Supporting Transportation
・基板端面を保持することより電極面を傷つけることなく搬送
No damage on the electrode surfaces by supporting the edges
of Wafers while transporting.
・基板がベルトに直接接触しないので基板面内を均一焼成が可能 Homogeneous heating over the Wafer surface as there is no direct
contact with belts.
Printing accuracy：±12.5 micrometers or less
処理能力
Throughput
処理基板
Treatment wafer
Normal: 3000∼3600 sheets/hr, Max.:4500 sheets/hr
基板サイズ
Wafer size
ライン寸法
Line dimension
Normal: □125mm、□156mm Thickness: 160μm∼
■触媒燃焼装置による排気ガスのクリーン化
Clean Off-Gas Through Catalytic Combustor
・バインダーガスのダストへの付着が少ないため、メンテナンス時間短縮、
メンテナンスコスト低減が可能
Less dust on the binder gas can reduce the maintenance time and cost.
1700W x 35350L(mm)
装置寸法
印刷機
Machine dimension Printer
■急昇温、急冷却プロファイル実現
Rapid Temperature Ramping/Quenching Profiles
・独自のヒーター構成、給排気機構により急昇温、急冷却が可能
Our unique heater layout and ventilation system have enabled rapid
heat-up and quenching.
単結晶シリコン、多結晶シリコン
Mono-, Polycrystalline Silicon
ユーティリティ
Utility
1700W x 3400L
乾燥炉
Drying furnae
1700W x 3000L(Ag), 5000L(Al)
(Belt type 3 sheets/row)
焼成炉
Firing furnace
1700W x 6400L (3 rows)
電源
Power supply
AC220V×50Hz×360KVA
C.D.A.
15Nm3/min×0.5MPa 排気
Exhaust gas
60Nm3/min
■多列搬送焼成による高生産性に対応（９０MW）
Mass Production by Multi Lane Transportation (90MW)
・３列同時搬送処理により高生産性を確保、省スペースで生産が可能
High efficiency production with small footprint by 3-lanes simultaneous
transportation.
テスト機を用意しております。お気軽にご用命ください。
We have demonstration line. Please feel free to contact us.
お問合わせ先 Contact us - Question about our products
Noritake Co., Limited
* 本社
* Head Quarters
〒451-8501 名古屋市西区則武新町3-1-36
1-36, Noritake-Shinmachi, 3-chome, Nishi-ku, Nagoya 451-8501 Japan
E-MAIL: [email protected]
E-MAIL: [email protected]
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ダイヤモンド工具 Diamond tools
工業機材事業本部
TEL: 052-561-9833 E-MAIL: [email protected]
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ペースト Paste
セラミック・マテリアル事業本部 電子材料事業部
TEL: 0561-34-1272 E-MAIL: [email protected]
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乾燥・焼成炉 Drying / Firing Furnace
エンジニアリング事業部 ヒートテクノ部
TEL: 052-561-9878 E-MAIL: [email protected]
_
Industrial Products Group
TEL: +81-52-561-9833 E-MAIL: [email protected] _
Ceramics & Materials Group Electronic Materials Div.
TEL: +81-561-34-1272 E-MAIL: [email protected]
_
Engineering Group Heat Technology Dept.
TEL: +81-52-561-9878 E-MAIL: [email protected]
濾過装置 Filtration
エンジニアリング事業部 流体テクノ部
TEL: 052-561-4268 E-MAIL: [email protected]
Engineering Group Fluid Technology Dept.
TEL: +81-52-561-4268 E-MAIL: [email protected]
研削装置 Grinder
エンジニアリング事業部 マシンテクノ部
TEL: 052-561-7253 E-MAIL: [email protected]
Engineering Group Machine Technology Dept.
TEL: +81-52-561-7253 E-MAIL: [email protected]
ダイヤモンドベルト Diamond coated abrasive
株式会社ノリタケコーテッドアブレーシブ
TEL: 0561-34-2108 E-MAIL: [email protected]
Noritake Coated Abrasive Co., Ltd.
TEL: +81-561-34-2108 E-MAIL: [email protected]
※本カタログに記載の内容は予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。 The contents of this catalog is subject to change without prior notice.
2012/2