車載用

R3116x シリーズ
AEC-Q100 Grade 2 準拠
車載用途向け 遅延機能付き 0.8％精度 低電圧ボルテージディテクタ
NO.JC-161-161116
■ 概要
R3116xは、CMOSプロセス技術を用いて開発した低電圧動作仕様の超高精度、超低消費電流の遅延機能付き
電圧検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は、基準電圧源、ヒステリシスコンパレータ、
検出電圧用抵抗網、遅延回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。
検出電圧はIC内で固定され、±12mV (-VDET ˂ 1.5V)、±0.8% (-VDET ≧1.5V) という高精度を実現します。解除
遅延時間は、CD端子に接続するコンデンサによって設定できます。
出力形態は、Nchオープンドレイン、CMOSの2タイプがあります。
パッケージはSOT-23-5と、高密度実装が可能な超小型のDFN1212-4を採用しています。
■ 特長
● 動作電圧範囲 (最大定格) ························· 0.5V ~ 6.0V (7V)
● 動作温度範囲 ········································ −40 ~ 105°C
● 消費電流 ·············································· Typ. 0.35µA (-VDET =1.5V、VDD = -VDET+1V時)
● 検出電圧範囲 ········································ 0.7V ~ 5.0V（0.1V単位）
● 検出電圧精度 ········································ ±0.8% (-VDET ≧1.5V)
● 検出電圧の温度特性································ Typ. ±30ppm/°C
● 遅延回路内蔵 ········································ 100ms (CD = 0.022µF時)
⃰ 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能
● 遅延時間精度 ········································ ±15% (-VDET ≧1.5V)
● 出力形態 ·············································· Nchオープンドレイン、CMOSの2種類
● パッケージ ··········································· DFN1212-4、SOT-23-5
■ アプリケーション
● カーオーディオ、カーナビゲーションシステム、ETCシステムなどのカーアクセサリーの電圧監視
1
R3116x
NO.JC-161-161116
■ ブロック図
Nch オープンドレイン出力（R3116xxx1A）
VDD
OUT
CMOS 出力（R3116xxx1C）
VDD
Delay
Circuit
Delay
Circuit
OUT
Vref
Vref
GND
GND
CD
CD
■ セレクションガイド
R3116xは、検出電圧、出力ドライバの形態、パッケージ等を用途によって選択指定することができます。
製品名
R3116Lxx1∗-TR-#
パッケージ
1 リール個数
鉛フリー
ハロゲンフリー
DFN1212-4
3,000 pcs
○
○
SOT-23-5
3,000 pcs
○
○
R3116Nxx1∗-TR-#E
xx ：設定検出電圧 (-VSET) を 0.7V（07）～5.0V（50）まで、0.1V 単位で指定
∗ ：出力形態を下記から選択
（A）Nch オープンドレイン
（C）CMOS
# ：品質レベルの指定
動作温度範囲
A
-40°C ~ 105°C
2
スペック保証温度範囲
25°C
スクリーニング
高温
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 端子説明
• DFN1212-4
• SOT-23-5
Bottom View
Top View
5
3
4
4
(mark side)
2
1
1
2
3
● DFN1212-4
端子番号
端子名
1
OUT
2
CD
3
GND
4
VDD
機
能
機
能
出力端子 (検出時"L"を出力)
遅延用外付けコンデンサ接続端子
グラウンド端子
電源供給端子
● SOT-23-5
端子番号
端子名
1
OUT
出力端子 (検出時"L"を出力)
2
VDD
電源供給端子
3
GND
4
NC
ノーコネクション
5
CD
遅延用外付けコンデンサ接続端子
グラウンド端子
3
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 絶対最大定格
記 号
VDD
VOUT
IOUT
PD
Tj
Tstg
項 目
電源電圧
出力電圧 (Nch オープンドレイン出力)
定 格
単 位
7.0
V
VSS−0.3～7.0
VSS−0.3～VDD+0.3
出力電圧 (CMOS 出力)
出力電流
20
許容損失 (DFN1212-4)*
JEDEC STD. 51-7
準拠実装条件
455
許容損失 (SOT-23-5) *
標準実装条件
420
V
mA
mW
ジャンクション温度
−40～125
°C
保存周囲温度
−55～125
°C
∗「■パッケージ情報」に詳しく記述していますのでご参照ください。
絶対最大定格
絶対最大定格に記載された値を超えた条件下に置くことはデバイスに永久的な破壊をもたらすことがある
ばかりか、デバイス及びそれを使用している機器の信頼性及び安全性に悪影響をもたらします。
絶対最大定格値でデバイスが機能動作をすることは保証していません。
■ 推奨動作条件
記号
項目
動作範囲
単位
VDD
動作電圧
0.55 ~ 6.0
V
Ta
動作周囲温度
−40 ~ 105
°C
推奨動作条件について
半導体が使用される応用電子機器は半導体がその推奨動作条件の範囲で動作するように設計する必要が
あります。ノイズ､サージといえどもその範囲を超えると半導体の正常な動作は期待できなくなります。
推奨動作条件を越えた場合には、デバイス特性や信頼性に影響を与えますので、越えないように注意下さ
い。
4
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 電気的特性
で示した値は −40°C≦Ta≦105°C での設計保証値です。
● R3116xxx1A/C
記号
項
(Ta=25°C)
目
条
Ta=25°C
-VDET
検出電圧
−40°C≦Ta≦105°C
VHYS
消費電流
VDD=-VDET+1.0V
VDDL
Max.
単位
1.5V < -VDET ≦5.0V
-VDET
x0.992
VDET
X1.008
V
0.7V≦-VDET ≦1.5V
-12
+12
mV
1.5V < -VDET ≦5.0V
-VDET
x 0.985
-VDET
x1.015
V
0.7V≦-VDET ≦1.5V
-22.5
+22.5
mV
-VDET
x0.04
0.7V≦-VDET < 1.6V
-VDET
x0.07
1.400
1.6V≦-VDET < 3.1V
1.500
3.1V≦-VDET < 4.1V
1.600
4.1V≦-VDET ≦5.0V
1.700
0.7V≦-VDET < 1.6V
1.200
1.6V≦-VDET < 3.1V
1.200
3.1V≦-VDET < 4.1V
1.300
4.1V≦-VDET ≦5.0V
1.400
Min.
ヒステリシス幅
VDD=-VDET−0.1V
ISS
件
最小動作電圧
∗1
Ta=25°C
0.50
−40°C≦Ta≦105°C
0.55
VDD=0.55V, VDS=0.05V
Nch
IOUT
Typ.
出力電流
(ドライバ出力端子)
Pch
VDD=0.6V
VDS=0.5V
0.020
1.1V≦-VDET < 1.6V
VDD=1.0V
VDS=0.5V
0.400
1.6V≦-VDET < 3.1V
VDD=1.5V
VDS=0.5V
1.000
3.1V≦-VDET ≦5.0V
VDD=3.0V
VDS=0.5V
2.400
0.7V≦-VDET < 4.0V
VDD=4.5V
VDS=−2.1V
0.650
4.0V≦-VDET ≦5.0V
VDD=6.0V
VDS=−2.1V
0.900
∗2
tD
解除遅延時間
CD=0.022µF
VDD= -VDET-0.1V
→ -VDET x 1.1V
V
mA
mA
ILEAK Nch ドライバリーク電流 ∗3 VDD=6.0V, VDS=7.0V
80
0.7V≦-VDET < 1.5V
80
1.5V≦-VDET ≦5.0V
85
−40°C≦Ta≦ 0.7V≦-VDET < 1.5V
105°C
1.5V≦-VDET ≦5.0V
70
Ta=25°C
µA
µA
7
0.7V≦-VDET < 1.1V
V
100
nA
130
115
150
ms
100
75
135
すべての製品において、パルス負荷条件(Tj≈Ta=25℃)のもとで、全項目のテストを実施しています。
∗1 検出時の出力電圧が0.1V以下になる最小の電源電圧の値
(Nchオープンドレイン出力の場合、プルアップ抵抗470kΩ、プルアップ電圧5Vとします)
∗2 CMOS出力の場合
∗3 Nchオープンドレイン出力の場合
5
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 遅延動作の説明
VDD 端子に解除電圧よりも高い電源電圧が印
加されると、外付けコンデンサへの充電が始ま
解除電圧（+VDET） り、遅延端子電圧が増加していきます。遅延端
検出電圧（-VDET） 子電圧が遅延端子しきい値電圧に達するまで
出力電圧は "L" が保持され、遅延端子電圧が
遅延端子しきい値電圧より高くなると、出力電
遅延端子しきい値
圧が "L" → "H" に反転します。ここで、電源
電圧（VTCD）
電圧を印加した時点から出力電圧が反転する
GND
までの時間が解除遅延時間になります。
出力電圧が "L" → "H" に反転すると、外付
けコンデンサへ充電された電荷の放電が開始
されます。したがって、VDD 端子に検出電圧よ
GND
りも低い電源電圧が印加された時に出力電圧
が "H" → "L" に反転するまでの検出遅延時
検出遅延時間(tPHL)
間は外付けコンデンサの容量値に依存せず一
定となります。
電源電圧
（VDD）
遅延端子電圧
出力電圧
（VOUT）
解除遅延時間(tD)
● 解除遅延時間の求め方
解除遅延時間(tD)は外付けコンデンサの容量 CD を用いて、次式にて求めることができます。
tD(s)=4.5×106×CD(F)
■ 解除遅延時間(tD)の説明
解除遅延時間(tD)は以下の条件で規定します。
1. Nchオープンドレイン出力の場合
出力端子（OUT）を抵抗470kΩで5Vにプルアップし、VDDに(- VSET)−0.1V→(- VSET)×1.1Vのパルス電圧を印加し
た時点から出力電圧が2.5Vに達するまでの時間。
2. CMOS出力の場合
VDDに(- VSET)−0.1V→(- VSET)×1.1Vのパルス電圧を印加した時点から出力電圧が ((- VSET)×1.1V)/2に達するま
での時間。
-VSET×1.1V
-VSET×1.1V
電源電圧
(VDD)
-VSET−0.1V
GND
出力電圧
(VOUT)
電源電圧
(VDD)
5.0V
-VSET×1.1V
2.5V
(-VSET×1.1V)/2
出力電圧
(VOUT)
GND
tPHL
6
-VSET−0.1V
GND
tD
GND
tPHL
Nch オープンドレイン出力
CMOS 出力
(R3116xxx1A)
(R3116xxx1C)
tD
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 検出電圧別電気的特性
● R3116x071A/C～R3116x501A/C
・ 太字 で示した値は −40°C≦Ta≦105°C での設計保証値です。
製品名
R3116x071A/C
R3116x081A/C
R3116x091A/C
R3116x101A/C
R3116x111A/C
R3116x121A/C
R3116x131A/C
R3116x141A/C
R3116x151A/C
R3116x161A/C
R3116x171A/C
R3116x181A/C
R3116x191A/C
R3116x201A/C
R3116x211A/C
R3116x221A/C
R3116x231A/C
R3116x241A/C
R3116x251A/C
R3116x261A/C
R3116x271A/C
R3116x281A/C
R3116x291A/C
R3116x301A/C
R3116x311A/C
R3116x321A/C
R3116x331A/C
R3116x341A/C
R3116x351A/C
R3116x361A/C
R3116x371A/C
R3116x381A/C
R3116x391A/C
R3116x401A/C
R3116x411A/C
R3116x421A/C
R3116x431A/C
R3116x441A/C
R3116x451A/C
R3116x461A/C
R3116x471A/C
R3116x481A/C
R3116x491A/C
R3116x501A/C
(Ta=25°C)
検出電圧 1
検出電圧 2
ヒステリシス幅
消費電流 1
消費電流 2
-VDET1 [V]
-VDET2 [V]
VHYS [V]
ISS1 [µA]
ISS2 [µA]
Min.
0.688
0.788
0.888
0.988
1.088
1.188
1.288
1.388
1.488
1.587
1.686
1.786
1.885
1.984
2.083
2.182
2.282
2.381
2.480
2.579
2.678
2.778
2.877
2.976
3.075
3.174
3.274
3.373
3.472
3.571
3.670
3.770
3.869
3.968
4.067
4.166
4.266
4.365
4.464
4.563
4.662
4.762
4.861
4.960
Max.
0.712
0.812
0.912
1.012
1.112
1.212
1.312
1.412
1.512
1.613
1.714
1.814
1.915
2.016
2.117
2.218
2.318
2.419
2.520
2.621
2.722
2.822
2.923
3.024
3.125
3.226
3.326
3.427
3.528
3.629
3.730
3.830
3.931
4.032
4.133
4.234
4.334
4.435
4.536
4.637
4.738
4.838
4.939
5.040
Min.
0.678
0.778
0.878
0.978
1.078
1.178
1.278
1.378
1.478
1.576
1.675
1.773
1.872
1.970
2.069
2.167
2.266
2.364
2.463
2.561
2.660
2.758
2.857
2.955
3.054
3.152
3.251
3.349
3.448
3.546
3.645
3.743
3.842
3.940
4.039
4.137
4.236
4.334
4.433
4.531
4.630
4.728
4.827
4.925
Max.
0.723
0.823
0.923
1.023
1.123
1.223
1.323
1.423
1.523
1.624
1.726
1.827
1.929
2.030
2.132
2.233
2.335
2.436
2.538
2.639
2.741
2.842
2.944
3.045
3.147
3.248
3.350
3.451
3.553
3.654
3.756
3.857
3.959
4.060
4.162
4.263
4.365
4.466
4.568
4.669
4.771
4.872
4.974
5.075
Min.
0.028
0.032
0.036
0.040
0.044
0.048
0.052
0.056
0.060
0.064
0.068
0.072
0.076
0.080
0.084
0.088
0.092
0.096
0.100
0.104
0.108
0.112
0.116
0.120
0.124
0.128
0.132
0.136
0.140
0.144
0.148
0.152
0.156
0.160
0.164
0.168
0.172
0.176
0.180
0.184
0.188
0.192
0.196
0.200
Max.
0.049
0.056
0.063
0.070
0.077
0.084
0.091
0.098
0.105
0.112
0.119
0.126
0.133
0.140
0.147
0.154
0.161
0.168
0.175
0.182
0.189
0.196
0.203
0.210
0.217
0.224
0.231
0.238
0.245
0.252
0.259
0.266
0.273
0.280
0.287
0.294
0.301
0.308
0.315
0.322
0.329
0.336
0.343
0.350
条件
Max.
条件
Max.
最大動作 最小動作
電圧
電圧
VDDH[V]
VDDL[V]
Max.
Max.
1.400
1.200
1.500
0.50
VDD=
-VDET
-0.1V
VDD=
-VDET
+1.0V
6
0.55
注 1)
1.600
1.300
1.700
1.400
注1）検出時の出力電圧が0.1V以下になる最小の電源電圧の値。
Nchオープンドレイン出力の場合は抵抗470kΩで5Vにプルアップ。
7
R3116x
NO.JC-161-161116
Nch ドライバ
出力電流 1
Nch ドライバ
出力電流 2
Pch ドライバ
出力電流
Nch ドライバ
リーク電流
検出電圧温度係数
解除遅延時間
IOUT1 [µA]
IOUT2 [mA]
IOUT3 [mA]
ILEAK [nA]
∆-VDET/∆Ta [ppm/°C]
tD [ms]
条件
Min.
条件
Min.
VDD=
0.6V
VDS=
0.5V
0.020
条件
Min.
条件
Max.
Typ.
条件
VDD=
1.0V
VDS=
0.5V
Min.
Max.
80
130
70
150
85
115
75
135
0.400
VDD=
4.5V
VDD=
1.5V
1.000
VDS=
0.5V
0.650
CD=
0.022µF
VDS=
-2.1V
VDD=
0.55V
VDD=
6.0V
7
80
VDS=
0.05V
VDS=
7.0V
±30
VDD=
-VDET
-0.1V
↓
-VDET
×1.1V
注 2)
VDD=
3.0V
2.400
VDS=
0.5V
VDD=
6.0V
0.900
VDS=
-2.1V
注2）1. CMOS出力の場合：
VDDに(- VDET)−0.1V→(- VDET)×1.1Vのパルス電圧を印加した時点から、出力電圧が((- VDET)×1.1V)/2の電位に達
するまでの時間。
2. Nchオープンドレイン出力の場合
出力端子を抵抗470kΩで5Vにプルアップし、VDDに(- VDET)−0.1V→(- VDET)×1.1Vのパルス電圧を印加した時点から、
出力電圧が2.5Vの電位に達するまでの時間。
8
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 基本回路例
● R3116xxx1A
CPU リセット回路（Nch オープンドレイン出力）
(1) R3116xxx1A の入力電圧と CPU の入力電圧が
(2) R3116xxx1A の入力電圧と CPU の入力電圧が
等しい場合
異なる場合
VDD
VDD
470kΩ
R
R3116xxx1A
CD
VDD1
VDD
CPU
CD
OUT
GND
GND
● R3116xxx1C
470kΩ
R3116xxx1A
RESET
OUT
VDD2
VDD
R
VDD
CPU
RESET
GND
GND
CPU リセット回路（CMOS 出力）
VDD
VDD
VDD
CPU
R3116xxx1C
CD
RESET
OUT
GND
GND
● メモリ・バックアップ回路
VDD
VCC
D1
D2
A
B
C
Y1
Y2
Y3
Y4
VCC
VCC
VCC
VCC
RAM1
RAM2
RAM3
RAM4
GND CS GND CS GND CS GND CS
VDD
CD
R3116xxx1C
GND
OUT
GND
9
R3116x
NO.JC-161-161116
● 電圧レベルインジケータ回路（電圧低下時点灯タイプ）
（Nch オープンドレイン出力）
VDD
VDD
R3116xxx1A
CD
OUT
GND
● 任意電源電圧検出回路 1（Nch オープンドレイン出力）
Vup
VDD
Ra
VDD
OUT
Rup
検出電圧=(-VDET)×(Ra+Rb) / Rb
ヒステリシス幅=VHYS×(Ra+Rb) / Rb
R3116xxx1A
注 1) 発振対策のため、Ra≦1kΩ, Rb≦100Ωとして下さい。
注 2) Ra の値が大きくなると、IC の消費電流により Ra で生じ
る電圧降下が大きくなるため、検出電圧とヒステリシス
幅が計算式と異なってきますのでご注意下さい。
注 3) Vup を IC の VDD 端子に接続した場合は、検出時に生じる
Rup での電圧降下の影響により、ヒステリシス幅が計算
式と異なってきますのでご注意下さい。
CD
Rb
GND
● 任意電源電圧検出回路 2（Nch オープンドレイン出力）
Vup
VDD
Ra
VDD
Rb
C
OUT
R3116xxx1A
CD
GND
10
Rup
検出電圧=(-VDET)×(Ra+Rb) / Rb
ヒステリシス幅=VHYS×(Ra+Rb) / Rb
注 1) 発振対策のため、Ra≦10kΩ, Rb≦1kΩ, C≧1µF として
下さい。
注 2) Ra の値が大きくなると、IC の消費電流により Ra で生じ
る電圧降下が大きくなるため、検出電圧とヒステリシス
幅が計算式と異なってきますのでご注意下さい。
注 3) Vup を IC の VDD 端子に接続した場合は、検出時に生じる
Rup での電圧降下の影響により、ヒステリシス幅が計算
式と異なってきますのでご注意下さい。
注 4) Ra, Rb および C の値が大きくなると、IC の入力電圧の
遅延が大きくなるのでご注意下さい。
R3116x
NO.JC-161-161116
● ウィンドウコンパレータ回路（Nch オープンドレイン出力）
VDD
VDD
Rup1
-VDET1
-VDET2
Rup2
CD R3116xxx1A
OUT
WC_OUT
-VDET2
VDD
R3116xxx1A
CD
VDD
GND
GND
OUT
-VDET1
WC_OUT
GND
GND
● 過充電防止回路
R2
D1
VDD
R3116xxx1C
R3
OUT
R4
Load
R1
Solar Battery
Light
GND
11
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 使用上の注意点
● VDD 端子に抵抗を接続する場合について
本製品の入力に抵抗を挿入する場合は、[ICの消費電流] x [抵抗値]の分だけ入力電圧が低下します。
また、検出状態から解除状態に切り替わるときに流れる貫通電流*1 によって [貫通電流] x [抵抗値] の分だけ
入力端子の電圧が低下し、この入力端子の電圧低下が解除電圧と検出電圧の差より大きいと、本製品は再び検出
状態になります。
入力の抵抗値が大きく、入力端子電圧の立ち上がりが解除電圧付近で緩やかな場合には、この動作を繰り返し
て出力が発振することがあります。
本製品の入力に抵抗R1を挿入する場合 (図A / 図B参照) は100kΩ以下を目安とし、0.1uF以上の入力コンデ
ンサCINを入力端子/GND間に接続してください。その上で、実際の使用条件で温度特性を含めた評価を行い、貫
通電流が問題ないことを確認してください。
R1
R1
VDD
CIN*2
Voltage
VDD
R2
OUT pin
Detector
CIN*2
Voltage
Detector
GND
図A
*1
*2
12
CMOS 出力タイプでは、出力端子を充電する電流を含む
コンデンサのバイアス依存性に注意してください。
GND
図B
OUT pin
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 動作説明
● 動作状態の説明（R3116xxx1A）
VDD
Ra
Comparator
Delay
Circuit
OUT 端子は外部電圧に
プルアップして下さい。
OUT
Rb
Vref
Nch
Tr.1
Rc
GND
CD
外付けコンデンサ接続時のブロック図（R3116xxx1A）
1
解除電圧 +VDET
検出電圧 -VDET
A
2
3
4
ヒステリシス幅
5
B
電源電圧(VDD)
動作状態
1
2
3
4
5
コンパレータ（－）
端子入力電圧
Ⅰ
Ⅱ
Ⅱ
Ⅱ
Ⅰ
コンパレータ出力
L
H
不定
H
L
最小動作電圧 VDDL
GND
出力 Tr.
Ⅰ
プルアップ電圧
検出遅延時間
出力電圧(VOUT)
tPHL
OFF ON 不定 ON OFF
Tr.1
解除遅延時間
tD
Ⅱ
Nch
OFF ON 不定 ON OFF
Rb+Rc
×VDD
Ra+Rb+Rc
Rb
Ra+Rb
×VDD
GND
動作状態説明図
● 動作状態の説明
1． 出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります。
2． 入力電圧が検出電圧（A点）まで下がると、Vref≧VDD×(Rb+Rc)/(Ra+Rb+Rc)となりコンパレータの出力が反
転し、出力電圧はGNDと等しくなります。
3． 電源電圧が最小動作電圧より小さいときには出力トランジスタの動作は不定となり、プルアップ電圧が出
力されます。
4． 出力電圧はGNDと等しくなります。
5． 入力電圧が解除電圧（B点）より高くなると、Vref≦VDD×Rb/(Ra+Rb)となりコンパレータの出力が反転し、
出力電圧はプルアップ電圧と等しくなります。
∗）解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります。
13
R3116x
NO.JC-161-161116
● 動作状態の説明（R3116xxx1C）
VDD
Comparator
Ra
Pch
Delay
Circuit
OUT
Rb
Vref
Nch
Tr.1
Rc
GND
CD
外付けコンデンサ接続時のブロック図（R3116xxx1C）
1
解除電圧 +VDET
A
検出電圧 -VDET
2
3
4
ヒステリシス幅
5
動作状態
1
2
3
4
5
コンパレータ（-）
端子入力電圧
Ⅰ
Ⅱ
Ⅱ
Ⅱ
Ⅰ
コンパレータ出力
L
H
不定
H
L
B
電源電圧(VDD)
最小動作電圧 VDDL
GND
出力 Tr.
出力電圧(VOUT)
検出遅延時間
tPHL
OFF ON 不定 ON OFF
Tr.1
解除遅延時間
tD
GND
Ⅰ
Ⅱ
Pch
ON OFF 不定 OFF ON
Nch
OFF ON 不定 ON OFF
Rb+Rc
×VDD
Ra+Rb+Rc
Rb
Ra+Rb
×VDD
動作状態説明図
● 動作状態の説明
1． 出力電圧は電源電圧（VDD）と等しくなります。
2． 入力電圧が検出電圧（A点）まで下がると、Vref≧VDD×(Rb+Rc)/(Ra+Rb+Rc)となりコンパレータの出力が反
転し、出力電圧はGNDと等しくなります。
3． 電源電圧が最小動作電圧より小さいときには出力トランジスタの動作は不定となります。
4． 出力電圧はGNDと等しくなります。
5． 入力電圧が解除電圧（B点）より高くなると、Vref≦VDD×Rb/(Ra+Rb)となりコンパレータの出力が反転し、
出力電圧は電源電圧（VDD）と等しくなります。
∗）解除電圧と検出電圧の差がヒステリシス幅になります。
14
R3116x
NO.JC-161-161116
● VDD 端子電圧のグリッチによる検出動作について
解除状態でVDD端子に検出電圧以下のパルスを入れた時に解除状態を保持できるパルスの振幅量/パルス幅を
示したグラフです。
CD=0.022µF,
VDD=-VDET+2V→ -VDET−VOD (R3116x071A/C)
VDD=-VDET+1V→ -VDET−VOD (R3116x501A/C)
CD=0.022µF,
VDD=-VDET×1.1→ -VDET−VOD
(R3116x071A/C, R3116x501A/C)
∗VOD: Over Drive Voltage
Pulse Width
Supply Voltage (VDD)
Detector Threshold (-VDET)
Over Drive
VDD Input Waveform
このグラフは、解除状態を保持できる最大のパルス条件を示しており、グラフのパルスよりも振幅量や幅の大
きいパルスがVDD端子に入った場合は、リセット信号が出力されてしまう場合がありますのでご注意ください。
15
R3116x
NO.JC-161-161116
■ パッケージ情報
● 許容損失 (DFN1212-4)
DFN1212-4パッケージの許容損失について特性例を示します。
なお、許容損失は実装条件に左右されますので、本特性例は下記測定条件での参考データとなります。
測定条件
JEDEC STD. 51-7 準拠実装条件
測定状態
基板実装状態 (風速 0m/s)
基板材質
ガラスエポキシ樹脂 (４層基板)
基板サイズ
76.2mm × 114.3mm × 1.6mm
表裏層:60mm角 :配線率 10%以下
内層 :74.2mm 角 :配線率 100%
配線率
スルーホール
直径 0.85mm×44 個
測定結果
（Ta=25°C, Tjmax=125°C）
JEDEC STD. 51-7 準拠実装条件
許容損失
455mW
θja＝(125-25°C)/0.455W = 220°C/W
熱抵抗値
θjc＝68°C/W
76.2
60
40
600
60
JEDEC STD. 51-7準拠実装条件
400
300
114.3
許容損失 PD (mW)
500
200
100
0
0
25
50
75
100
125
105
周囲温度 (°C)
許容損失特性
150
基板レイアウト
IC 実装位置(単位: mm)
16
R3116x
NO.JC-161-161116
A
1.20
0.44±0.05
● パッケージ外形図 (DFN1212-4)
B
0.5
3
4
X4
0.22±0.05
1.20
0.05
0.8Max.
INDEX
S
C0.1
2
1
0.28±0.05
0.05 M AB
Bottom View
(Unit : mm)
0.05 S
● マーキング仕様 (DFN1212-4)
: 製品名 (略号) … 「マーク略号一覧表」参照
: 当社ロット No. … 英数字によるシリアル No.
①②
③④
17
R3116x
NO.JC-161-161116
● マーク略号一覧表 (DFN1212-4)
R3116Lxx1A
製品名
R3116L071A
R3116L081A
R3116L091A
R3116L101A
R3116L111A
R3116L121A
R3116L131A
R3116L141A
R3116L151A
R3116L161A
R3116L171A
R3116L181A
R3116L191A
R3116L201A
R3116L211A
R3116L221A
R3116L231A
R3116L241A
R3116L251A
R3116L261A
R3116L271A
R3116L281A
R3116L291A
R3116L301A
R3116L311A
R3116L321A
R3116L331A
R3116L341A
R3116L351A
R3116L361A
R3116L371A
R3116L381A
R3116L391A
R3116L401A
R3116L411A
R3116L421A
R3116L431A
R3116L441A
R3116L451A
R3116L461A
R3116L471A
R3116L481A
R3116L491A
R3116L501A
18

NA
NB
NC
ND
NE
NF
NG
NH
NJ
NK
NL
NM
NN
NP
NQ
NR
NS
NT
NU
NV
NW
NX
NY
NZ
PA
PB
PC
PD
PE
PF
PG
PH
PJ
PK
PL
PM
PN
PP
PQ
PR
PS
PT
PU
PV
設定電圧
0.7V
0.8V
0.9V
1.0V
1.1V
1.2V
1.3V
1.4V
1.5V
1.6V
1.7V
1.8V
1.9V
2.0V
2.1V
2.2V
2.3V
2.4V
2.5V
2.6V
2.7V
2.8V
2.9V
3.0V
3.1V
3.2V
3.3V
3.4V
3.5V
3.6V
3.7V
3.8V
3.9V
4.0V
4.1V
4.2V
4.3V
4.4V
4.5V
4.6V
4.7V
4.8V
4.9V
5.0V
R3116Lxx1C
製品名
R3116L071C
R3116L081C
R3116L091C
R3116L101C
R3116L111C
R3116L121C
R3116L131C
R3116L141C
R3116L151C
R3116L161C
R3116L171C
R3116L181C
R3116L191C
R3116L201C
R3116L211C
R3116L221C
R3116L231C
R3116L241C
R3116L251C
R3116L261C
R3116L271C
R3116L281C
R3116L291C
R3116L301C
R3116L311C
R3116L321C
R3116L331C
R3116L341C
R3116L351C
R3116L361C
R3116L371C
R3116L381C
R3116L391C
R3116L401C
R3116L411C
R3116L421C
R3116L431C
R3116L441C
R3116L451C
R3116L461C
R3116L471C
R3116L481C
R3116L491C
R3116L501C

RA
RB
RC
RD
RE
RF
RG
RH
RJ
RK
RL
RM
RN
RP
RQ
RR
RS
RT
RU
RV
RW
RX
RY
RZ
SA
SB
SC
SD
SE
SF
SG
SH
SJ
SK
SL
SM
SN
SP
SQ
SR
SS
ST
SU
SV
設定電圧
0.7V
0.8V
0.9V
1.0V
1.1V
1.2V
1.3V
1.4V
1.5V
1.6V
1.7V
1.8V
1.9V
2.0V
2.1V
2.2V
2.3V
2.4V
2.5V
2.6V
2.7V
2.8V
2.9V
3.0V
3.1V
3.2V
3.3V
3.4V
3.5V
3.6V
3.7V
3.8V
3.9V
4.0V
4.1V
4.2V
4.3V
4.4V
4.5V
4.6V
4.7V
4.8V
4.9V
5.0V
R3116x
NO.JC-161-161116
● 許容損失 (SOT-23-5)
SOT-23-5パッケージの許容損失について特性例を示します。
なお、許容損失は実装条件に左右されますので、本特性例は下記測定条件での参考データとなります。
測定条件
標準実装基板
測定状態
基板実装状態 (風速 0m/s)
基板材質
ガラスエポキシ樹脂（両面基板）
基板サイズ
40mm×40mm×1.6mm
配線率
表面: 約 50％、裏面: 約 50％
スルーホール
直径 0.5mm×44 個
測定結果
(Ta = 25°C,Tjmax = 125°C)
標準実装条件
単体宙吊り
許容損失
420mW
250mW
熱抵抗値
θja = (125-25°C)/0.42W = 238°C /W
400℃/W
600
許容損失 PD (mW)
500
標準実装条件
420
400
300
単体宙吊り
250
200
100
0
0
25
50
75
100
105
周囲温度（°C）
125
150
許容損失特性
19
R3116x
NO.JC-161-161116
● パッケージ外形図 (SOT-23-5)
2.9±0.2
1.1±0.1
1.9±0.2
0.8±0.1
(0.95)
4
1
2
0～0.1
0.2min.
+0.2
1.6-0.1
5
2.8±0.3
(0.95)
3
+0.1
0.15-0.05
0.4±0.1
Unit : mm
● マーキング仕様 (SOT-23-5)
: 製品名 (略号) … 「マーク略号一覧表」参照
: 当社ロット No. … 英数字によるシリアル No.
5
4

1
20
2
3
R3116x
NO.JC-161-161116
● マーク略号一覧表 (SOT-23-5)
R3116Nxx1A
製品名
R3116N071A
R3116N081A
R3116N091A
R3116N101A
R3116N111A
R3116N121A
R3116N131A
R3116N141A
R3116N151A
R3116N161A
R3116N171A
R3116N181A
R3116N191A
R3116N201A
R3116N211A
R3116N221A
R3116N231A
R3116N241A
R3116N251A
R3116N261A
R3116N271A
R3116N281A
R3116N291A
R3116N301A
R3116N311A
R3116N321A
R3116N331A
R3116N341A
R3116N351A
R3116N361A
R3116N371A
R3116N381A
R3116N391A
R3116N401A
R3116N411A
R3116N421A
R3116N431A
R3116N441A
R3116N451A
R3116N461A
R3116N471A
R3116N481A
R3116N491A
R3116N501A

D0A
D0B
D0C
D0D
D0E
D0F
D0G
D0H
D0J
D0K
D0L
D0M
D0N
D0P
D0Q
D0R
D0S
D0T
D0U
D0V
D0W
D0X
D0Y
D0Z
E0A
E0B
E0C
E0D
E0E
E0F
E0G
E0H
E0J
E0K
E0L
E0M
E0N
E0P
E0Q
E0R
E0S
E0T
E0U
E0V
設定電圧
0.7V
0.8V
0.9V
1.0V
1.1V
1.2V
1.3V
1.4V
1.5V
1.6V
1.7V
1.8V
1.9V
2.0V
2.1V
2.2V
2.3V
2.4V
2.5V
2.6V
2.7V
2.8V
2.9V
3.0V
3.1V
3.2V
3.3V
3.4V
3.5V
3.6V
3.7V
3.8V
3.9V
4.0V
4.1V
4.2V
4.3V
4.4V
4.5V
4.6V
4.7V
4.8V
4.9V
5.0V
R3116Nxx1C
製品名
R3116N071C
R3116N081C
R3116N091C
R3116N101C
R3116N111C
R3116N121C
R3116N131C
R3116N141C
R3116N151C
R3116N161C
R3116N171C
R3116N181C
R3116N191C
R3116N201C
R3116N211C
R3116N221C
R3116N231C
R3116N241C
R3116N251C
R3116N261C
R3116N271C
R3116N281C
R3116N291C
R3116N301C
R3116N311C
R3116N321C
R3116N331C
R3116N341C
R3116N351C
R3116N361C
R3116N371C
R3116N381C
R3116N391C
R3116N401C
R3116N411C
R3116N421C
R3116N431C
R3116N441C
R3116N451C
R3116N461C
R3116N471C
R3116N481C
R3116N491C
R3116N501C

D1A
D1B
D1C
D1D
D1E
D1F
D1G
D1H
D1J
D1K
D1L
D1M
D1N
D1P
D1Q
D1R
D1S
D1T
D1U
D1V
D1W
D1X
D1Y
D1Z
E1A
E1B
E1C
E1D
E1E
E1F
E1G
E1H
E1J
E1K
E1L
E1M
E1N
E1P
E1Q
E1R
E1S
E1T
E1U
E1V
設定電圧
0.7V
0.8V
0.9V
1.0V
1.1V
1.2V
1.3V
1.4V
1.5V
1.6V
1.7V
1.8V
1.9V
2.0V
2.1V
2.2V
2.3V
2.4V
2.5V
2.6V
2.7V
2.8V
2.9V
3.0V
3.1V
3.2V
3.3V
3.4V
3.5V
3.6V
3.7V
3.8V
3.9V
4.0V
4.1V
4.2V
4.3V
4.4V
4.5V
4.6V
4.7V
4.8V
4.9V
5.0V
21
R3116x
NO.JC-161-161116
■ 特性例
※ 以下の特性例は参考値であり、それぞれの値を保証するものではありません。
1）消費電流対入力電圧特性例
R3116x071A/C
R3116x151A/C
R3116x271A/C
R3116x451A/C
2）検出電圧対周囲温度特性例
0.75
+VDET
0.74
0.73
0.72
0.71
-VDET
0.70
0.69
105
-40 -25
22
R3116x151A/C
0
25
50
Temperature Ta (℃)
75
100
Detector Threshold/Released Voltage
V DET (V)
Detector Threshold/Released Voltage
V DET (V)
R3116x071A/C
1.60
+VDET
1.58
1.56
1.54
1.52
-VDET
1.50
1.48
105
-40 -25
0
25
50
Temperature Ta (℃)
75
100
R3116x
NO.JC-161-161116
R3116x451A/C
Detector Threshold/Released Voltage
V DET (V)
Detector Threshold/Released Voltage
V DET (V)
R3116x271A/C
2.90
+VDET
2.85
2.80
2.75
-VDET
2.70
2.65
105
-40 -25
0
25
50
Temperature Ta (℃)
75
100
4.90
+VDET
4.80
4.70
4.60
-VDET
4.50
4.40
105
-40 -25
0
25
50
Temperature Ta (℃)
75
100
3）出力電圧対入力電圧特性例
R3116x071C
R3116x151C
R3116x271C
R3116x451C
23
R3116x
NO.JC-161-161116
R3116x071A
R3116x151A
R3116x271A
R3116x451A
4）Nch ドライバ出力電流対入力電圧特性例 (VDS=0.5V)
R3116x071A/C
24
R3116x151A/C
R3116x
NO.JC-161-161116
R3116x271A/C
R3116x451A/C
5）Nch ドライバ出力電流対 VDS 特性例
R3116x071A/C
R3116x151A/C
R3116x271A/C
R3116x451A/C
25
R3116x
NO.JC-161-161116
6）Pch ドライバ出力電流対入力電圧特性例 (VDS=-2.1V)
R3116x071C
R3116x151C
R3116x271C
R3116x451C
7）Pch ドライバ出力電流対 VDS 特性例
R3116x071C
26
R3116x151C
R3116x
NO.JC-161-161116
R3116x271C
R3116x451C
8）遅延時間対遅延端子外付け容量特性例
R3116x071A/C
R3116x271A/C
R3116x151A/C
R3116x451A/C
27
R3116x
NO.JC-161-161116
9）解除遅延時間対周囲温度特性例 (CD=22nF)
R3116x071A/C
R3116x151A/C
130
Output Delay Time TD (ms)
Output Delay Time TD (ms)
130
120
110
100
90
80
70
0
25
50
Temperature Ta (℃)
75
110
100
90
80
70
105
-40 -25
120
100
105
-40 -25
R3116x271A/C
100
75
100
130
Output Delay Time TD (ms)
Output Delay Time TD (ms)
75
R3116x451A/C
130
120
110
100
90
80
70
105
-40 -25
28
0
25
50
Temperature Ta (℃)
0
25
50
Temperature Ta (℃)
75
100
120
110
100
90
80
70
105
-40 -25
0
25
50
Temperature Ta (℃)
本ドキュメント掲載の技術情報及び半導体のご使用につきましては以下の点にご注意ください。
1. 本ドキュメントに記載しております製品及び製品仕様は、改良などのため、予告なく変更することがありま
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お問合せください。
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6. 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生します。故障
の結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動
作防止設計等安全設計に十分ご留意ください。誤った使用又は不適切な使用に起因するいかなる損害
等についても、当社は責任を負いかねますのでご了承ください。
7. 本ドキュメントに記載しております製品は、耐放射線設計はなされておりません。
8. X線照射により製品の機能・特性に影響を及ぼす場合があるため、評価段階で機能・特性を確認の上で
ご使用ください。
9. WLCSPパッケージの製品は、遮光状態でご使用ください。光照射環境下（動作、保管中含む）
では、機
能・特性に影響を及ぼす場合があるためご注意ください。
10. パッケージ捺印は、画像認識装置の仕様によって文字認識に差が生じることがあります。
画像認識装置にて文字認識をする場合は、事前に弊社販売店または弊社営業担当者までお問い合わ
せください。
11. 本ドキュメント記載製品に関する詳細についてのお問合せ、その他お気付きの点がございましたら当社又
は販売店までご照会ください。
弊社は地球環境保全の観点から環境負荷物質の低減に取り組んでいます。
Halogen Free
2006年4月1日以降、弊社はRoHS指令に適合した製品を提供しています。
また、2012年4月1日以降は、
ハロゲンフリー製品を提供しています。
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・
弊社デバイスに関する詳しい内容をお知りになりたい方は下記へアクセスしてください。
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