プログラムPDF版

平成１７年度 多元系機能材料研究会年末講演会プログラム
１１月２５日（金）
13:00-13:10
開会の挨拶
13:10-13:50
招待講演 1 「第 1 原理計算および熱力学計算によるナノレベルの物質設計」
纐纈明伯(東京農工大学、21 世紀 COE プロジェクトリーダー)
13:50-14:30
招待講演 2 「マイクロ空間化学技術を用いたナノサイズ蛍光粒子の合成と応用」
前田英明(産業技術総合研究所
ナノテクノロジー研究部門)
休憩（10 分）
14:40-15:58
ショート 1 P-1
P-26（交代時間も含めて１件 3 分）
休憩（17 分）
16:15-17:30
ショート 2 P-27 P-51（交代時間も含めて１件 3 分）
18:00-20:00
懇親会（東京農工大学生協第二食堂）
１１月２６日（土）
9:00-9:40
招待講演 3 「遷移金属、希土類金属添加 GaN ベース磁性半導体の成長と評価」
朝日
一(大阪大学
産業科学研究所)
休憩（10 分）
9:50-11:20
ポスターセッション
休憩（10 分）
11:30-12:10
招待講演 4 「量子サイズシリコンの多機能性」
12:10-12:20
写真撮影
12:20-12:30
閉会の挨拶
12:40
幹事会
越田信義(東京農工大学
共生科学技術研究部)
ポスターセッション
P01
ホットプレス法による AgGaSe2 の作成
木下綾、松尾整、吉野賢二（宮崎大学）
P02
蒸着法によるカルコパイライト型半導体 AgInSe2 の作成と評価
松尾整、吉野賢二
(宮崎大学)
P03
Hot
Filament 溶融法による Cu(InGa)Se2 薄膜の粒径肥大化 塚越貴史、宮崎尚、千葉善之、和田隆博、山田明、小長井誠（東京工業大学大学院）
P04
ジエチルセレンを用いたセレン化法による高 Ga 組成 CIGS 薄膜成長
木下淳紀、深谷真大、川下直哉、中園慎治、原田昂一、杉山睦、中西久幸、秩父重英*（東京理科大学、*筑波大学）
P05
ジエチルセレンを用いた Se 添加プリカーサの CIGS 薄膜成長
丸義太郎、中川智明、木下淳紀、深谷真大、F.B.Dejene*、杉山睦、中西久幸、秩父重英**（東京理科大学、*FreeState 大学、**筑波大学）
P06
パルスレーザ堆積法による Cu2ZnSnS4 薄膜の作製と評価（IV）
関口和哉、田中久仁彦、Ahamad
ADZWAN、森谷克彦、打木久雄（長岡技術科学大学）
P07
PCD 法で作製した Cu2ZnSnS4 プリカーサの硫化
森谷克彦（長岡技術科学大学）
P08
光-化学溶液堆積(PCD)法による Cu2ZnSnS4
薄膜の作製と評価(II)
渡部淳一（長岡技術科学大学）
P09
CuInS2 における束縛励起子の時間分解特性
大串直輝、阿部賢一郎、脇田和樹、佐藤伸也、望月勝美
（大阪府立大学大学院）
P10
CuAlS2 粉末からの励起子およびフォノンレプリカ発光
黒木雄一郎、長田
実*、加藤有行、岡元智一郎、高田雅介（長岡技術科学大学、物質・材料研究機構）
P11
三元同時スパッタ・気相硫化法による CZTS 薄膜太陽電池の作製
木村亮一、神保和夫、上村剛、山田覚、ウィン
シュウ
マウ、片桐裕則（長岡工業高等専門学校）
P12
Cu2ZnSnS4 結晶の作製と評価
島田聡郎、大石耕一郎、神保和夫、片桐裕則、荒木秀明、吉田理、山崎 誠、小林敏志*、坪井望*（長岡工業高等専門学校、*新潟大学工学部）
P13
Cu2ZnSnS4 バルク単結晶からの DA ペアー発光
田中久仁彦、宮本裕介、打木久雄、中澤圭介*、荒木秀明* (長岡技術科学大学、*長岡工業高等専門学校)
P14
Pb 添加 CaGa2S4 の時間分解スペクトル
設楽宗史（長岡技術科学大学）
P15
Cu(In,Ga)S2 薄膜の Ga 量変化に伴なう物性評価
海川龍治、大山鑑拡
（龍谷大学）
P16
Epitaxial
Growth
of
CuInS2
Thin
Films
on
(100)
GaP
and
Si
Substrates
by
Multisource
Evaporation
Reynaldo
M.
Vequizo,
Satoshi
Kobayashi,
Nozomu
Tsuboi,
Koichiro
Oishi*
and
Futao
Kaneko
(Niigata
University,
*Nagaoka
National
College
of
Technology)
P17
裏面電極に透明導電膜を用いた CIGS 太陽電池
米村 実、松原 浩司*、石塚 尚吾*、櫻井 啓一郎*（東京理科大学、*産業技術総合研究所）
P18
温度差溶液成長法による ZnSnP2 バルク結晶成長
中谷圭吾、深堀兼史、杉山睦、中西久幸、白方祥*（東京理科大学、*電気電子情報工学科）
P19
第一原理計算による Cu 系カルコパイト型化合物の電子状態の評価
前田 毅、和田隆博（龍谷大学）
P20
スプレー法によるワイドギャップ透明導電膜 ZnMgO の作成
太田繁人、吉野賢二（宮崎大学）
P21
MOCVD 法による多結晶 Zn1-XMgXO
薄膜の作製
千葉善之、孟英凡、宮崎尚、山田明、小長井誠 （東京工業大学大学院）
P22
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化物半導体 CuAlO2 薄膜成
今尾隆、村山聡、佐伯圭太、中西久幸、杉山睦、秩父重英* （東京理科大学、*筑波大学）
P23
ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による透明導電膜 ZnO:Ga 薄膜成長
村山聡、佐伯圭太、今尾隆、長谷川貴史、中西久幸、杉山睦、秩父重英*（東京理科大学、*筑波大学）
P24
ZnCl2-H2O 及び Zn-H2O 原料系を用いた大気圧化学気相堆積法による酸化亜鉛ナノワイヤーの成長
寺迫智昭、梅木康介、宮崎裕規、八木下洋平、宮田晃、白方祥（愛媛大学）
P25
半導体超薄膜における誘電特性の数値計算による解析
石川真人、中山隆史*
(横河電機、*千葉大学)
P26
Ba-Cu-Sn-N
系化合物の合成と結晶構造
上西勇・山根久典、山田高広、梶原孝志、高橋純一、島田昌彦*（東北大学、*秋田工業高等専門学校）
P27
層状 3 元 Tl 化合物の主屈折率解析
岡田
亘、沈 用球、ナジム・マメドフ*（大阪府立大学大学院、*アゼルバイジャン科学アカデミー）
P28
In2Se3 多結晶薄膜の構造制御
岡本
保、中駄
良成、青木
達朗、鷹羽
佑太、山田
明*、小長井
誠*（木更津工業高等専門学校、*東京工業大学）
P29
GaN 系青色蛍光体の EDTA 錯体からの合成
中村和哉、小出晋也、三宅秀人、平松和政、中村
淳*、南部信義*（三重大学、*中部キレスト）
P30
EuGa2S4 ターゲットを用いたスパッタ膜の形成と発光
土肥稔，*加藤有行，飯田誠之（静岡理工科大学，*長岡技術科学大学）
P31
Ce と Na を共添加した CaGa2S4 の発光スペクトル
笈川 慎也、日高 千晴、 滝沢 武男（日本大学）
P32
アルカリ金属と Ce3+を共添加した SrGa2S4 の発光スペクトル
三浦和孝 日高千晴 滝沢武男（日本大学）
P33
希土類を添加した CaGa2S4 単結晶の光伝導
平栗 一磨 日高 千晴 滝沢 武男（日本大学）
P34
(Sr,Eu)Ga2S4 混晶の発光特性
日高 千晴、 滝沢 武男（日本大学）
P35
TlInSe2 におけるＰＬの温度依存性とＰＬＥスペクトル
阿部賢一郎、村上剛、脇田和樹、沈用球、マメドフナジム
P36
（大阪府立大学大学院）
デラフォサイト酸化物 CuYO2 での Y サイトへの希土類とアクセプタの共添加による導電性酸化物蛍光体の開発
星野貴信,
坪井望,
小林敏志,
加藤景三,
金子双男（新潟大学）
P37
ストイキオメトリック Nd モリブデン酸・タングステン酸化合物の電荷補償効果と Nd 発光
加藤有行*，内富直隆*，大石修治**，宍戸統悦***，飯田誠之*,****（*長岡技科大学，**信州大学，***東北大学金研，****静岡理工科大）
P38
Ce 添加 CaGa2S4 結晶のナノ秒ポンプ−プローブ分光
高山勝彦，田中久仁彦，打木久雄,
日高千晴*，滝沢武男*
（長岡技科大,*日本大学）
P39
Nd1+xBa2-xCu3O7+d 超電導体へのナノサイズピン止めセンター導入による臨界電流特性の向上
町敬人，腰塚直己（超電導工学研究所）
P40
新奇ｄ波超伝導体 CeCoIn5 の単結晶育成と超伝導特性評価 野口悟*,**、橋長大輔*、石田武和*,**＾（*大阪府大院工、**ＪＳＴ−ＣＲＥＳＴ）
P41
YBCO 系高温超伝導体および CeO2 を用いた SFQ デバイス用酸化物７層構造の作製
安達成司，若菜裕紀，上谷
愛，田辺圭一（超電導工学研究所）
P42
Bi 添加 Y3Fe5O12/Bi2Sr2CaCu2O8+x 積層構造の作製と評価
湯舟秀太、川田哲也、石橋隆幸、佐藤勝昭（東京農工大学）
P43
スピンコート法による ZnO:H 薄膜の製作
吉岡香織、江川慎一、馬場太一、小林俊章、杉本浩一、本田徹、川西英雄（工学院大学）
P44
再蒸発を促進した GaN:O 薄膜の低温堆積
新井雅俊,杉本浩一,江川慎一,馬場太一,澤田勝,本田徹,川西英雄（工学院大学）
P45
希土類元素二重添加 CaGa2S4 中の希土類イオン間電子エネルギー移動
茂木
淳文、日高
千晴、滝沢
武男 （日本大学）
P46
Si(001)基板上への GaSb 層の MBE 成長とその評価
戸田哲郎、神保良夫、内富直隆
（長岡技術科学大学）
P47
Self-assembled
nanowiskers
on
InP(001)
surface
A.D.
Bouravleuv*,**,
K.
Minami*,
T.
Ishibashi*
and
K.Sato*（*東京農工大学、**ヨッフェ研究所）
P48
Zn
incorporation
and
its
effect
on
the
properties
of
GaMnAs
ferromagnetic
semiconductors
grown
by
molecular
beam
epitaxy
Joel
T.
Asubar,
Shin'ya
Sato,
Yoshio
Jinbo,
Naotaka
Uchitomi
(Nagaoka
University
of
Technology)
P49
Si(001)基板上への(Ga,Mn)As 薄膜の結晶成長とその磁気特性
佐藤慎哉、神保良夫、内富直隆（長岡技術科学大学）
P50
MnGeP2 薄膜の作製と物性評価
南和幸*、佐藤豊*、A.D.
Bouravleuv*,**,石橋隆幸*、佐藤勝昭*（*東京農工大学、**ヨッフェ研究所）
P51
SbTe 系相変化材料における結晶化過程の観察
永塚俊一*、清水直樹*,**、木下延博**、石井紀彦**、佐藤勝昭*（*東京農工大学、**NHK 放送技研）