ADG5436F - Analog Devices

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ADG5436F - Analog Devices

日本語参考資料
最新版英語データシートはこちら
故障保護／検出機能付き
10 Ω RONデュアルSPDTスイッチ
ADG5436F
データシート
機能ブロック図
特長
過電圧保護 : −55 V および+55 V まで
パワーオフ時の保護: −55 V および+55 V まで
ソース・ピンでの過電圧検出
故障ステータスを表示する割込みフラグ
低いオン抵抗: 10 Ω (typ)
オン抵抗平坦性: 0.5 Ω (最大)
ESD 定格: 人体モデル (HBM) 6 kV
ラッチアップなし
デジタル入力なしでもスイッチは既知状態
アナログ信号範囲: VSS～VDD
両電源動作: ±5 V～±22 V
単電源動作: 8 V～44 V
仕様を±15 V、±20 V、+12 V、+36 V 電源で規定
ADG5436F
S1A
S2A
D1
D2
S2B
FAULT
DETECTION
+
SWITCH DRIVER
IN1
IN2
EN
SF
FF
DR
NOTES
1. SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 1 INPUT.
12882-001
S1B
図 1.
アプリケーション
アナログ入力/出力モジュール
プロセス制御システム/分散型制御システム
データ・アクイジション
計装機器
航空電子機器
自動テスト装置
通信システム
リレーの置き換え
概要
ADG5436F は、独立に選択可能な 2 個の SPDT (単極双投) スイ
ッチを内蔵するアナログ・マルチプレクサです。EN 入力は、全
スイッチをディスエーブル（オフ）にするときに使います。マ
ルチプレクサ・アプリケーション向けに、両スイッチはブレー
ク・ビフォア・メーク・スイッチング動作を行います。
各チャンネルはオンのとき等しく両方向に導通し、各スイッチ
の入力信号範囲は電源電圧まで延びています。デジタル入力は、
全動作電源範囲で 3 V ロジック入力と互換です。
電源入力がないとき、スイッチはオフ状態を維持し、チャンネ
ル入力は高インピーダンスになります。通常動作状態では、い
ずれかのSxxピンのアナログ入力信号レベルがVDD またはVSS を
閾値電圧VT だけ上回ると、チャンネルがオフして、Sxxピンは
高インピーダンスになります。チャンネルがオンすると、ドレ
イン・ピンはドレイン応答 (DR) 入力ピンに応じた動作を行いま
す。DRピンがフローティングのまま、またはハイ・レベルの場
合、ドレインは高インピーダンスを維持してフローティング状
態となります。DR ピンがロー・レベルの場合は、ドレインは電
源レールを超えないよう信号を引き込みます。電源ありの状態
および電源なしの状態で、グラウンドに対して+55 Vまたは−55 V
までの入力信号レベルが阻止されます。ADG5436Fのオン抵抗は
小さく、かつ大部分の信号範囲で平坦であるため、優れた直線性
と小さい歪が必須のデータ・アクイジションとゲイン・スイッチ
ング・アプリケーションに最適なソリューションとなっています。
このデータシートでは、共用ピンの名前は関係する機能で参照し
ます。ピンの完全な名前と機能については、ピン配置およびピン
機能説明のセクションを参照してください。
製品のハイライト
1.
2.
3.
4.
5.
6.
電源レールより高い最大−55 V および+55 V までの電圧に対
してソース・ピンを保護しています。
電源なしの状態で、−55 V～+55 V の電圧に対してソース・
ピンを保護しています。
デジタル出力付きの過電圧検出機能により、スイッチの動
作状態を表示します。
トレンチ・アイソレーションによりラッチアップから保護し
ます。
低いオン抵抗とオン抵抗平坦性について最適化されていま
す。
ADG5436F は、±5 V～±22 V の両電源または 8 V～44 V の
単電源で動作することができます。
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって
生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示
的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、それぞれの所有
者の財産です。※日本語版資料は REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
Rev. 0
©2015 Analog Devices, Inc. All rights reserved.
本
社／〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル
電話 03（5402）8200
大阪営業所／〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー
電話 06（6350）6868
ADG5436F
データシート
目次
特長 ..................................................................................................... 1
テスト回路 ....................................................................................... 20
アプリケーション ............................................................................. 1
用語 ................................................................................................... 24
機能ブロック図 ................................................................................. 1
動作原理 ........................................................................................... 26
概要 ..................................................................................................... 1
スイッチ・アーキテクチャ ....................................................... 26
製品のハイライト ............................................................................. 1
故障保護機能 ............................................................................... 27
改訂履歴 ............................................................................................. 2
アプリケーション情報 ................................................................... 28
仕様 ..................................................................................................... 3
電源レール ................................................................................... 28
±15 V 両電源 .................................................................................. 3
電源シーケンシング保護 ........................................................... 28
±20 V 両電源 .................................................................................. 5
信号範囲 ....................................................................................... 28
12 V 単電源 .................................................................................... 7
低インピーダンス・チャンネル保護........................................ 28
36 V 単電源 .................................................................................... 9
電源の推奨事項 ........................................................................... 28
チャンネルあたりの連続電流、Sxx または Dx ........................ 11
高電圧サージ除去 ....................................................................... 28
絶対最大定格 ................................................................................... 12
インテリジェントな故障検出 ................................................... 28
ESD の注意 .................................................................................. 12
高電圧、高周波の信号 ............................................................... 29
ピン配置およびピン機能説明 ....................................................... 13
外形寸法 ........................................................................................... 30
スイッチの真理値表 ................................................................... 14
オーダー・ガイド ....................................................................... 30
代表的な性能特性 ........................................................................... 15
改訂履歴
1/15—Revision 0: Initial Version
Rev. 0
－ 2/30 －
ADG5436F
データシート
仕様
±15 V 両電源
特に指定がない限り、VDD = 15 V ± 10%、VSS = −15 V ± 10%、GND = 0 V、CDECOUPLING = 0.1 µF。
表 1.
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
VDD to VSS
V
14
16.5
Ω max
13.5
16
Ω max
VDD = 13.5 V, VSS = −13.5 V, see Figure 29
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
On Resistance, RON
Ω typ
10
11.2
Ω typ
9.5
10.7
On-Resistance Match Between
Channels, ∆RON
Ω typ
0.05
0.65
0.8
0.95
Ω max
0.7
0.8
Ω max
Ω typ
0.05
0.6
On-Resistance Flatness,
RFLAT(ON)
Ω typ
0.6
0.9
1.1
1.1
Ω max
0.5
0.5
Ω max
Ω typ
0.1
0.4
Threshold Voltage, VT
VS = ±10 V, IS = −10 mA
VS = ±9 V, IS = −10 mA
VS = ±10 V, IS = −10 mA
VS = ±9 V, IS = −10 mA
See Figure 25
±0.1
nA typ
VS = ±10 V, voltage on the Dx pin (VD) = ∓10 V, see Figure 30
VDD = 16.5 V, VSS = −16.5 V
±4.0
±20
±0.1
±0.5
Channel On Leakage, ID (On),
IS (On)
VS = ±9 V, IS = −10 mA
V typ
±0.5
Drain Off Leakage, ID (Off)
Voltage on the Sxx pins (VS) = ±10 V, IS = −10 mA
0.7
LEAKAGE CURRENTS
Source Off Leakage, IS (Off)
Test Conditions/Comments
±6.0
±24
±0.3
±1.0
nA max
nA typ
nA max
nA typ
±4.0
VS = ±10 V, VD = ∓10 V, see Figure 30
VS = VD = ±10 V, see Figure 31
±20
nA max
With Overvoltage
±72
µA typ
VDD = 16.5 V, VSS = −16.5 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
see Figure 34
Power Supplies Grounded or
Floating
±49
µA typ
VDD = 0 V or floating, VSS = 0 V or floating, GND = 0 V, EN = 0 V or
floating, INx = 0 V or floating, VS = ±55 V, see Figure 35
nA typ
VDD = 16.5 V, VSS = −16.5 V, GND = 0 V, VS = ±55 V, see
Figure 34
FAULT
Source Leakage Current, IS
Drain Leakage Current, ID
With Overvoltage
DR = floating or >2 V
±1.2
±4.0
±11
±45
nA max
Power Supplies Grounded
±10
nA typ
±30
±50
±100
nA max
Power Supplies Floating
±10
±10
±10
µA typ
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, INx = 0 V or floating,
VS = ±55 V, EN = 0 V, see Figure 35
VDD = floating, VSS = floating, GND = 0 V, VS = ±55 V,
EN = 0 V, see Figure 35
DIGITAL INPUTS/OUTPUTS
Input Voltage High, VINH
2.0
V min
Input Voltage Low, VINL
0.8
V max
±1.2
µA max
Input Current, IINL or IINH
±0.7
µA typ
Digital Input Capacitance, CIN
6.0
pF typ
Output Voltage High, VOH
2.0
V min
Output Voltage Low, VOL
0.8
V max
Rev. 0
－ 3/30 －
VIN = VGND or VDD
ADG5436F
データシート
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
Test Conditions/Comments
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
DYNAMIC
CHARACTERISTICS 1
Transition Time, tTRANSITION
400
540
tON (EN)
515
tOFF (EN)
555
570
435
530
550
165
210
Break-Before-Make Time
Delay, tD
320
Overvoltage Response Time,
tRESPONSE
510
215
220
190
680
Overvoltage Recovery Time,
tRECOVERY
725
750
820
1100
ns max
VS = 10 V, see Figure 45
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns max
VS = 10 V, see Figure 44
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns max
VS = 10 V, see Figure 44
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns min
VS = 10 V, see Figure 43
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, see Figure 38
ns max
ns typ
1150
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, see Figure 39
1200
ns max
Interrupt Flag Response Time,
tDIGRESP
85
115
ns typ
CL = 12 pF, see Figure 40
Interrupt Flag Recovery Time,
tDIGREC
60
85
µs typ
CL = 12 pF, see Figure 41
CL = 12 pF, RPULLUP = 1 kΩ, see Figure 42
600
ns typ
Charge Injection, QINJ
−724
pC typ
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, see Figure 46
Off Isolation
−71
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 32
Channel-to-Channel Crosstalk
−73
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 33
Total Harmonic Distortion Plus
Noise, THD + N
0.001
% typ
RL = 10 kΩ, VS = 15 V p-p, f = 20 Hz to 20 kHz, see Figure 37
−3 dB Bandwidth
169
MHz typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, see Figure 36
Insertion Loss
−0.8
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 36
Source Capacitance (CS), Off
12
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
Drain Capacitance (CD), Off
24
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
37
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = 16.5 V, VSS = −16.5 V, GND = 0 V, digital inputs = 0 V,
5 V, or VDD
POWER REQUIREMENTS
Normal Mode
IDD
0.9
1.2
IGND
0.4
0.55
ISS
mA typ
1.3
mA typ
0.6
mA max
0.7
mA max
0.5
0.65
mA max
mA typ
Fault Mode
VS = ±55 V
IDD
1.2
IGND
0.8
ISS
0.5
1.6
1.0
1.0
VDD/VSS
1
mA typ
1.8
mA max
mA typ
1.1
mA max
mA typ
mA max
VS = ±55 V, VD = 0 V
±5
V min
GND = 0 V
±22
V max
GND = 0 V
設計上保証します。出荷テストは実施しません。
Rev. 0
Digital inputs = 5 V
1.8
－ 4/30 －
ADG5436F
データシート
±20 V 両電源
特に指定がない限り、VDD = 20 V ± 10%、VSS = -20 V ± 10%、GND = 0 V、CDECOUPLING = 0.1 µF。
表 2.
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
VDD to VSS
V
14.5
16.5
Ω max
14
16.5
Ω max
0.8
0.95
Ω max
0.7
0.8
Ω max
1.5
1.5
Ω max
0.5
0.5
Ω max
Analog Signal Range
On Resistance, RON
Ω typ
10
11.5
Ω typ
9.5
11
On-Resistance Match Between Channels, ∆RON
Ω typ
0.05
0.65
Ω typ
0.05
0.6
On-Resistance Flatness, RFLAT(ON)
Ω typ
1.0
1.4
Ω typ
0.1
0.4
Threshold Voltage, VT
VS = ±15 V, IS = −10 mA
VS = ±13.5 V, IS = −10 mA
VS = ±15 V, IS = −10 mA
VS = ±13.5 V, IS = −10 mA
See Figure 25
±0.1
nA typ
VS = ±15 V, VD = ±15 V, see Figure 30
VDD = 22 V, VSS = −22 V
±4.0
±20
±0.1
±0.5
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
VS = ±13.5 V, IS = −10 mA
V typ
±0.5
Drain Off Leakage, ID (Off)
VS = ±15 V, IS = −10 mA
0.7
LEAKAGE CURRENTS
Source Off Leakage, IS (Off)
Test Conditions/Comments
VDD = 18 V, VSS = −18 V, see Figure 29
ANALOG SWITCH
±6.0
±24
±0.3
±1.0
nA max
nA typ
nA typ
±4.0
VS = ±15 V, VD = ±15 V, see Figure 30
nA max
VS = VD = ±15 V, see Figure 31
±20
nA max
With Overvoltage
±84
µA typ
VDD = +22 V, VSS = −22 V, GND = 0 V,
VS = ±55 V, see Figure 34
Power Supplies Grounded or Floating
±49
µA typ
VDD = 0 V or floating, VSS = 0 V or floating,
GND = 0 V, EN = 0 V or floating, INx = 0 V
or floating, VS = ±55 V, see Figure 35
FAULT
Source Leakage Current, IS
Drain Leakage Current, ID
DR = floating or >2 V
With Overvoltage
±5.0
Power Supplies Grounded
±10
±4.0
Power Supplies Floating
nA typ
±11
±45
VDD = +22 V, VSS = −22 V, GND = 0 V,
INx = 0 V or floating, VS = ±55 V, see
Figure 34
µA max
nA typ
±30
±50
±100
nA max
±10
±10
±10
µA typ
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS =
±55 V, EN = 0 V, see Figure 35
VDD = floating, VSS = floating, GND = 0 V,
VS = ±55 V, EN = 0 V, see Figure 35
DIGITAL INPUTS
Input Voltage High, VINH
2.0
V min
Input Voltage Low, VINL
0.8
V max
1.2
µA max
Input Current, IINL or IINH
0.7
µA typ
Digital Input Capacitance, CIN
6.0
pF typ
Output Voltage High, VOH
2.0
V min
Output Voltage Low, VOL
0.8
V max
Rev. 0
－ 5/30 －
VIN = VGND or VDD
ADG5436F
データシート
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
555
570
Unit
Test Conditions/Comments
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
DYNAMIC CHARACTERISTICS 1
Transition Time, tTRANSITION
405
540
tON (EN)
430
535
tOFF (EN)
560
585
170
205
Break-Before-Make Time Delay, tD
330
Overvoltage Response Time, tRESPONSE
430
210
215
205
560
Overvoltage Recovery Time, tRECOVERY
VS = 10 V, see Figure 45
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns max
VS = 10 V, see Figure 44
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns max
VS = 10 V, see Figure 44
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns min
VS = 10 V, see Figure 43
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, see Figure 38
605
630
ns max
1500
1700
ns max
930
1300
ns max
ns typ
Interrupt Flag Response Time, tDIGRESP
85
115
ns typ
Interrupt Flag Recovery Time, tDIGREC
60
85
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, see Figure 39
CL = 12 pF, see Figure 40
µs typ
CL = 12 pF, see Figure 41
600
ns typ
CL = 12 pF, RPULLUP = 1 kΩ, see Figure 42
Charge Injection, QINJ
−737
pC typ
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, see
Figure 46
Off Isolation
−72
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure
32
Channel-to-Channel Crosstalk
−73
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure
33
Total Harmonic Distortion Plus Noise, THD + N
0.001
% typ
RL = 10 kΩ, VS = 20 V p-p, f = 20 Hz to
20 kHz, see Figure 37
−3 dB Bandwidth
171
MHz typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, see Figure 36
Insertion Loss
−0.8
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure
36
CS (Off)
11
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (Off)
23
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
36
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = 22 V, VSS = −22 V, digital inputs = 0
V, 5 V, or VDD
POWER REQUIREMENTS
Normal Mode
IDD
0.9
mA typ
1.2
IGND
mA max
0.6
mA max
0.7
mA max
0.4
mA typ
0.55
ISS
1.3
0.5
mA typ
0.65
Fault Mode
IDD
VS = ±55 V
1.2
mA typ
1.6
IGND
1.8
0.8
1.0
ISS
VDD/VSS
設計上保証します。出荷テストは実施しません。
Rev. 0
1.1
mA max
mA typ
Digital inputs = 5 V
1.8
mA max
VS = ±55 V, VD = 0 V
0.5
1.0
1
mA max
mA typ
－ 6/30 －
±5
V min
GND = 0 V
±22
V max
GND = 0 V
ADG5436F
データシート
12 V 単電源
特に指定がない限り、VDD = 12 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V、CDECOUPLING = 0.1 µF。
表 3.
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
On Resistance, RON
0 V to VDD
V
31
37
Ω max
14
16.5
Ω max
0.8
0.95
Ω max
0.8
0.95
Ω max
19
23
Ω max
1.1
1.3
Ω max
Ω typ
22
24.5
Ω typ
10
11.2
On-Resistance Match Between Channels, ∆RON
Ω typ
0.05
0.65
Ω typ
0.05
0.65
On-Resistance Flatness, RFLAT(ON)
Ω typ
12.5
14.5
Ω typ
0.6
0.9
Threshold Voltage, VT
0.7
V typ
LEAKAGE CURRENTS
Source Off Leakage, IS (Off)
±0.1
nA typ
±4.0
±20
±6.0
±24
±0.1
±0.5
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
VS = 0 V to 10 V, IS = −10 mA
VS = 3.5 V to 8.5 V, IS = −10 mA
VS = 0 V to 10 V, IS = −10 mA
VS = 3.5 V to 8.5 V, IS = −10 mA
VS = 0 V to 10 V, IS = −10 mA
VS = 3.5 V to 8.5 V, IS = −10 mA
See Figure 25
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V
±0.5
Drain Off Leakage, ID (Off)
Test Conditions/Comments
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V, see Figure 29
nA typ
±0.3
±1.0
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V, see Figure 30
nA max
nA typ
±4.0
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V, see Figure 30
nA max
VS = VD = 1 V/10 V, see Figure 31
±20
nA max
With Overvoltage
±65
µA typ
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V, GND = 0 V,
VS = ±55 V, see Figure 34
Power Supplies Grounded or Floating
±49
µA typ
VDD = 0 V or floating, VSS = 0 V or floating,
GND = 0 V, EN = 0 V or floating, VS = ±55 V,
see Figure 35
FAULT
Source Leakage Current, IS
Drain Leakage Current, ID
With Overvoltage
DR = floating or >2 V
±1.2
±4.0
Power Supplies Grounded
Power Supplies Floating
nA typ
±11
±45
±10
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V or floating, GND =
0 V, INx = 0 V or floating, VS = ±55 V, see
Figure 34
nA max
nA typ
±30
±50
±100
nA max
±10
±10
±10
µA typ
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
EN = 0 V, see Figure 35
VDD = floating, VSS = floating, GND = 0 V, VS
= ±55 V, EN = 0 V, see Figure 35
DIGITAL INPUTS
Input Voltage High, VINH
2.0
V min
Input Voltage Low, VINL
0.8
V max
1.2
µA max
Input Current, IINL or IINH
0.7
µA typ
Digital Input Capacitance, CIN
6.0
pF typ
Output Voltage High, VOH
2.0
V min
Output Voltage Low, VOL
0.8
V max
Rev. 0
－ 7/30 －
VIN = VGND or VDD
ADG5436F
データシート
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
560
570
Unit
Test Conditions/Comments
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
DYNAMIC CHARACTERISTICS 1
Transition Time, tTRANSITION
400
545
tON (EN)
435
515
tOFF (EN)
530
550
185
230
Break-Before-Make Time Delay, tD
300
Overvoltage Response Time, tRESPONSE
590
240
250
180
770
Overvoltage Recovery Time, tRECOVERY
VS = 10 V, see Figure 45
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns max
VS = 8 V, see Figure 44
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns max
VS = 8 V, see Figure 44
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns min
VS = 8 V, see Figure 43
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, see Figure 38
830
870
910
1000
ns max
680
850
ns max
ns max
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, see Figure 39
Interrupt Flag Response Time, tDIGRESP
85
115
ns typ
CL = 12 pF, see Figure 40
Interrupt Flag Recovery Time, tDIGREC
60
85
µs typ
CL = 12 pF, see Figure 41
600
ns typ
CL = 12 pF, RPULLUP = 1 kΩ, see Figure 42
Charge Injection, QINJ
−341
pC typ
VS = 6 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, see Figure 46
Off Isolation
−68
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 32
Channel-to-Channel Crosstalk
−70
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 33
Total Harmonic Distortion Plus Noise, THD + N
0.007
% typ
RL = 10 kΩ, VS = 6 V p-p, f = 20 Hz to 20 kHz,
see Figure 37
−3 dB Bandwidth
152
MHz typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, see Figure 36
Insertion Loss
−0.8
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 36
CS (Off)
14
pF typ
VS = 6 V, f = 1 MHz
CD (Off)
30
pF typ
VS = 6 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
41
pF typ
VS = 6 V, f = 1 MHz
POWER REQUIREMENTS
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V, digital inputs = 0 V, 5
V, or VDD
Normal Mode
IDD
0.9
1.2
IGND
mA max
0.6
mA max
0.7
mA max
0.4
0.55
ISS
mA typ
1.3
mA typ
0.5
0.65
mA typ
Fault Mode
IDD
VS = ±55 V
1.2
1.6
IGND
1
1.1
1.8
mA max
mA typ
Digital inputs = 5 V
mA max
VS = ±55 V, VD = 0 V
8
V min
GND = 0 V
44
V max
GND = 0 V
設計上保証します。出荷テストは実施しません。
Rev. 0
mA max
mA typ
0.5
1.0
VDD
1.8
0.8
1.0
ISS
mA typ
－ 8/30 －
ADG5436F
データシート
36 V 単電源
特に指定がない限り、VDD = 36 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V、CDECOUPLING = 0.1 µF。
表 4.
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
On Resistance, RON
0 V to VDD
37
14
16.5
Ω max
0.8
0.95
Ω max
0.7
0.8
Ω max
19
23
Ω max
0.5
0.5
Ω max
Ω typ
Ω typ
0.05
0.65
Ω typ
0.05
0.6
On-Resistance Flatness, RFLAT(ON)
Ω typ
12.5
14.5
Ω typ
0.1
0.4
Threshold Voltage, VT
0.7
V typ
LEAKAGE CURRENTS
Source Off Leakage, IS (Off)
±0.1
nA typ
±4.0
±20
±6.0
±24
±0.1
±0.5
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
VS = 4.5 V to 28 V, IS = −10 mA
VS = 0 V to 30 V, IS = −10 mA
VS = 4.5 V to 28 V, IS = −10 mA
VS = 0 V to 30 V, IS = −10 mA
VS = 4.5 V to 28 V, IS = −10 mA
See Figure 25
VDD =39.6 V, VSS = 0 V
±0.5
Drain Off Leakage, ID (Off)
VS = 0 V to 30 V, IS = −10 mA
Ω max
31
10
11
V
Ω typ
22
24.5
On-Resistance Match Between Channels, ∆RON
Test Conditions/Comments
VDD = 32.4 V, VSS = 0 V, see Figure 29
nA typ
±0.3
±1.0
VS = 1 V/30 V, VD = 30 V/1 V, see Figure 30
nA max
nA typ
±4.0
VS = 1 V/30 V, VD = 30 V/1 V, see Figure 30
nA max
VS = VD = 1 V/30 V, see Figure 31
±20
nA max
With Overvoltage
±60
µA typ
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V, GND = 0 V,
INx = 0 V or floating, VS = +55 V, −40 V,
see Figure 34
Power Supplies Grounded or Floating
±49
µA typ
VDD = 0 V or floating, VSS = 0 V or floating,
GND = 0 V, INx = 0 V or floating, VS = +55
V, −40 V, see Figure 35
nA typ
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V or floating, GND =
0 V, VS = +55 V, −40 V, see Figure 34
FAULT
Source Leakage Current, IS
Drain Leakage Current, ID
With Overvoltage
DR = floating or >2 V
±1.2
±4.0
±11
±45
nA max
Power Supplies Grounded
±10
nA typ
±30
±50
±100
nA max
Power Supplies Floating
±10
±10
±10
µA typ
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS =
+55 V, −40 V, EN = 0 V, see Figure 35
VDD = floating, VSS = floating, GND = 0 V, VS
= +55 V, −40 V, EN = 0 V, see Figure 35
DIGITAL INPUTS
Input Voltage High, VINH
2.0
V min
Input Voltage Low, VINL
0.8
V max
1.2
µA max
Input Current, IINL or IINH
0.7
µA typ
Digital Input Capacitance, CIN
6.0
pF typ
Output Voltage High, VOH
2.0
V min
Output Voltage Low, VOL
0.8
V max
Rev. 0
－ 9/30 －
VIN = VGND or VDD
ADG5436F
データシート
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
555
570
Unit
Test Conditions/Comments
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
DYNAMIC CHARACTERISTICS 1
Transition Time, tTRANSITION
400
540
tON (EN)
440
520
tOFF (EN)
540
560
160
190
Break-Before-Make Time Delay, tD
330
Overvoltage Response Time, tRESPONSE
260
195
200
210
340
Overvoltage Recovery Time, tRECOVERY
Interrupt Flag Recovery Time, tDIGREC
VS = 10 V, see Figure 45
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns max
VS = 18 V, see Figure 44
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns max
VS = 18 V, see Figure 44
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns min
VS = 18 V, see Figure 43
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, see Figure 38
360
385
2400
2700
ns max
85
115
ns typ
CL = 12 pF, see Figure 40
60
85
µs typ
CL = 12 pF, see Figure 41
1500
2100
Interrupt Flag Response Time, tDIGRESP
ns max
ns max
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, see Figure 39
600
ns typ
CL = 12 pF, RPULLUP = 1 kΩ, see Figure 42
Charge Injection, QINJ
−627
pC typ
VS = 18 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, see Figure
46
Off Isolation
−71
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see
Figure 32
Channel-to-Channel Crosstalk
−73
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure
33
Total Harmonic Distortion Plus Noise, THD + N
0.001
% typ
RL = 10 kΩ, VS = 18 V p-p, f = 20 Hz to 20
kHz, see Figure 37
−3 dB Bandwidth
173
MHz typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, see Figure 36
Insertion Loss
−0.8
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see
Figure 36
CS (Off)
11
pF typ
VS = 18 V, f = 1 MHz
CD (Off)
23
pF typ
VS = 18 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
36
pF typ
VS = 18 V, f = 1 MHz
POWER REQUIREMENTS
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V, digital inputs = 0
V, 5 V, or VDD
Normal Mode
IDD
0.9
1.2
IGND
mA max
0.6
mA max
0.7
mA max
0.4
0.55
ISS
mA typ
1.3
mA typ
0.5
0.65
mA typ
VS = +55 V, −40 V
Fault Mode
IDD
1.2
IGND
0.8
ISS
0.5
1.6
1.0
1.0
VDD
1
mA typ
1.8
1.1
mA max
mA typ
Digital inputs = 5 V
1.8
mA max
VS = ±55 V, VD = 0 V
8
V min
GND = 0 V
44
V max
GND = 0 V
設計上保証します。出荷テストは実施しません。
Rev. 0
mA max
mA typ
－ 10/30 －
ADG5436F
データシート
チャンネルあたりの連続電流、Sxx または Dx
表 5.
Parameter
25°C
85°C
125°C
Unit
Test Conditions/Comments
16-Lead TSSOP
θJA = 112.6°C/W
Rev. 0
113
77
50
mA max
VS = VSS + 4.5 V to VDD − 4.5 V
88
61
42
mA max
VS = VSS to VDD
－ 11/30 －
ADG5436F
データシート
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA = 25 °C。
表 6.
Parameter
Rating
VDD to VSS
VDD to GND
VSS to GND
Sxx to GND
Sxx to VDD or VSS
VS to VD
Dx Pin1 to GND
48 V
−0.3 V to +48 V
−48 V to +0.3 V
−55 V to +55 V
80 V
80 V
VSS − 0.7 V to VDD + 0.7 V or
30 mA, whichever occurs first
GND − 0.7 V to 48 V or 30 mA,
どちらか先に起こる条件
Digital Inputs to GND
Peak Current, Sxx or Dx Pins
Continuous Current, Sxx or Dx
Digital Output
Dx Pin, Overvoltage State,
DR = GND, Load Current
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Junction Temperature
Thermal Impedance, θJA
14-Lead TSSOP, θJA
(4-Layer Board)
Reflow Soldering Peak Temperature,
Pb-Free
ESD Rating, HBM: ESDA/JEDEC
JS-001-2011
Input/Output (I/O) Port to Supplies
I/O Port to I/O Port
All Other Pins
同時に複数の絶対最大定格条件を適用することはできません。
ESD の注意
288 mA (pulsed at 1 ms, 10%
duty cycle maximum)
Data2 + 15%
GND − 0.7 V to 6 V or 30 mA,
どちらか先に起こる条件
1 mA
−40°C to +125°C
−65°C to +150°C
150°C
112.6°C/W
JEDEC J-STD-020 規定に従う
6 kV
6 kV
6 kV
1
Dx ピンの過電圧、内蔵ダイオードによりクランプされます。電流は、規定
された最大定格に制限してください。
2
表 5 を参照。
Rev. 0
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒
久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格
の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ
ョンに記載する規定値以上での製品動作を定めたものではあり
ません。製品を長時間絶対最大定格状態に置くと製品の信頼性
に影響を与えます。
－ 12/30 －
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
ADG5436F
データシート
ピン配置およびピン機能説明
1
16 SF
S1A 2
15 FF
D1
3
S1B
4
ADG5436F
14 EN
TOP VIEW
13 VDD
(Not to Scale)
12 S2B
VSS
5
GND
6
11 D2
NIC
7
10 S2A
DR
8
9
IN2/F2
NOTES
1. NIC = NO INTERNAL CONNECTION.
12882-002
IN1/F1
図 2.ピン配置
表 7.ピン機能の説明
ピン番号
記号
1
IN1/F1
説明
ロジック・コントロール入力 1 (IN1)。表 8 を参照してください。
デコーダ・ピン (F1)。このピンと特定の故障フラグ・ピン (SF)を組み合わせて使用して、故障状態の入力を表示しま
す。表 9 を参照してください。
過電圧保護されたソース・ピン 1A。このピンは、入力または出力として使うことができます。
2
S1A
3
D1
ドレイン・ピン 1。入力または出力として使うことができます。
4
S1B
過電圧保護されたソース・ピン 1B。このピンは、入力または出力として使うことができます。
5
VSS
負電源電位。
6
GND
グラウンド・リファレンス(0 V)電位。
7
NIC
内部接続なし。
8
DR
ドレイン応答デジタル入力。このピンを GND に接続すると、過電圧故障状態中にドレインを VDD または VSS 電圧へ
保持できるようになります。ピンがフローティングのままの場合、または VDD に接続されている場合、ドレインのデ
フォルト状態はオープンです。
9
IN2/F2
ロジック・コントロール入力 2 (IN2)。表 8 を参照してください。
デコーダ・ピン (F2)。このピンと特定の故障フラグ・ピン (SF)を組み合わせて使用して、故障状態の入力を表示しま
す。表 9 を参照してください。
過電圧保護されたソース・ピン 2A。このピンは、入力または出力として使用することができます。
10
S2A
11
D2
ドレイン・ピン 2。入力または出力として使用することができます。
12
S2B
過電圧保護されたソース・ピン 2B。このピンは、入力または出力として使用することができます。
13
VDD
正電源電位。
14
EN
アクティブ・ハイのデジタル入力。このピンがロー・レベルのとき、デバイスはディスエーブルされるため、すべて
のスイッチがオフします。このピンがハイ・レベルのとき、INx ロジック入力によりオンするスイッチが指定されま
す。
15
FF
故障フラグ・デジタル出力。このピンは、デバイスの通常動作ではハイ・レベルを出力し、いずれかの Sxx 入力で故
障状態が発生するとロー・レベルを出力します。FF ピンは内部で弱くプルアップされているため、複数のデバイスを
含む大きなモジュールに対して複数の信号を 1 本の割込みにまとめることができます。
16
SF
特定故障フラグ・デジタル出力。このピンは、デバイスの通常動作ではハイ・レベルを出力し、表 9 に示す F1 と F2
の状態に応じて、特定のピンで故障状態が検出されるとロー・レベルを出力します。
Rev. 0
－ 13/30 －
ADG5436F
データシート
スイッチの真理値表
表 8.真理値表
INx
SxA
SxB
0
1
Off
On
On
Off
表 9.故障診断出力の真理値表
State of Specific Fault Pin (SF) with Decoder Pins (F2, F1)
故障を起こしているピ
ン1
F2 = 0, F1 = 0
F2 = 0, F1 = 1
F2 = 1, F1 = 0
F2 = 1, F1 = 1
State of Fault Flag (FF)
None
S1A
S1B
S2A
S2B
S1A, S1B
S1A, S2A
S1A, S2B
S1B, S2A
S1B, S2B
S2A, S2B
S1A, S1B, S2A
S1A, S1B, S2B
S1A, S2A, S2B
S1B, S2A, S2B
S1A, S1B, S2A, S2B
1
0
1
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
0
1
0
0
1
0
0
1
1
1
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1 回に複数ピン故障する場合があることに注意してください。詳細については、アプリケーション情報のセクションを参照してください。
Rev. 0
－ 14/30 －
ADG5436F
データシート
代表的な性能特性
25
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
35
VDD = +20V
VSS = –20V
VDD = +18V
VSS = –18V
15
VDD = +16.5V
VSS = –16.5V
30
ON RESISTANCE (Ω)
20
ON RESISTANCE (Ω)
40
VDD = +22V
VSS = –22V
VDD = +13.5V
VSS = –13.5V
10
20
+125°C
15
+85°C
10
VDD = +15V
VSS = –15V
5
25
+25°C
–40°C
–20
–15
–10
–5
10
5
0
15
20
25
VS, VD (V)
0
–15
12882-003
0
–25
–12
–9
–6
–3
0
3
6
9
12
15
VS, VD (V)
図 3.VS と VD 対 RON
両電源
12882-006
5
図 6.VS と VD 対 RON の温度特性
±15 V 両電源
40
25
VDD = +20V
VSS = –20V
TA = 25°C
35
VDD = 12V
VSS = 0V
30
VDD = 10.8V
VSS = 0V
15
10
VDD = 13.2V
VSS = 0V
25
20
+125°C
15
+85°C
10
+25°C
5
5
0
2
4
6
8
10
12
14
VS, VD (V)
0
–20
12882-004
0
–40°C
–15
–10
–5
0
5
10
図 4. VS と VD 対 RON
12 V 単電源
20
図 7. VS と VD 対 RON の温度特性
±20 V 両電源
40
25
VDD = 12V
VSS = 0V
TA = 25°C
35
20
VDD = 36V
VSS = 0V
30
ON RESISTANCE (Ω)
ON RESISTANCE (Ω)
15
VS, VD (V)
12882-007
ON RESISTANCE (Ω)
ON RESISTANCE (Ω)
20
VDD = 32.4V
VSS = 0V
15
10
20
+125°C
15
+85°C
10
VDD = 39.6V
VSS = 0V
5
25
+25°C
–40°C
0
5
10
15
20
25
VS, VD (V)
30
35
40
0
12882-005
0
0
4
6
8
10
VS, VD (V)
図 5. VS と VD 対 RON
36 V 単電源
Rev. 0
2
図 8. VS と VD 対 RON の温度特性
12 V 単電源
－ 15/30 －
12
12882-008
5
ADG5436F
データシート
2
40
VDD = 36V
VSS = 0V
35
LEAKAGE CURRENT (nA)
ON RESISTANCE (Ω)
30
25
20
+125°C
15
+85°C
10
+25°C
0
VDD = +12V
VSS = 0V
VS = VD = +1V, –10V
–2
IS (OFF) +IS (OFF) –+
IS, ID (ON)++
ID (OFF) +–
ID (OFF) –+
IS, ID (ON) – –
–4
–40°C
0
4
8
12
16
20
24
28
32
–6
12882-009
0
36
VS, VD (V)
0
100
120
100
120
5
–1
VDD = +15V
VSS = –15V
VS = VD = +10V, –10V
–2
–3
–4
IS (OFF) +IS (OFF) –+
IS, ID (ON)++
–5
ID (OFF) +–
ID (OFF) –+
IS, ID (ON) – –
–6
–7
0
20
60
40
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
0
–5
–10
–15
VS = –30V
VS = –55V
VS = +30V
VS = +55V
–20
12882-010
–8
VDD = +15V
VSS = –15V
0
20
40
60
80
TEMPERATURE (°C)
12882-014
OVERVOLTAGE LEAKAGE CURRENT (nA)
0
図 13.過電圧リーク電流の温度特性、±15 V 両電源
図 10.リーク電流の温度特性、±15 V 両電源
5
OVERVOLTAGE LEAKAGE CURRENT (nA)
2
0
VDD = +20V
VSS = –20V
VS = VD = +15V, –15V
–2
–4
IS (OFF) +IS (OFF) –+
IS, ID (ON)++
–6
ID (OFF) +–
ID (OFF) –+
IS, ID (ON) – –
–8
VDD = +20V
VSS = –20V
0
–5
–10
–15
VS = –30V
VS = –55V
VS = +30V
VS = +55V
–20
–25
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
0
12882-011
–10
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
図 14.過電圧リーク電流の温度特性、±20 V 両電源
図 11.リーク電流の温度特性、±20 V 両電源
－ 16/30 －
12882-015
LEAKAGE CURRENT (nA)
80
図 12.リーク電流の温度特性
12 V 単電源
1
LEAKAGE CURRENT (nA)
60
40
TEMPERATURE (°C)
図 9. VS と VD 対 RON の温度特性
36 V 単電源
Rev. 0
20
12882-012
5
ADG5436F
データシート
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
VS = –30V
VS = –55V
VS = +30V
VS = +55V
–14
–16
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–80
–100
100k
1M
10M
100M
1G
10G
図 18.チャンネル間クロストークの周波数特性
800
VDD = 36V
VSS = 0V
TA = 25°C
700
600
CHARGE INJECTION (pC)
–2
–4
–6
–8
–10
VS = –38V
VS = –40V
VS = +38V
VS = +55V
–14
0
20
400
300
200
100
VDD = 12V, VSS = 0V
VDD = 36V, VSS = 0V
–100
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–200
0
図 16.過電圧リーク電流の温度特性
36 V 単電源
5
10
15
20
VS (V)
25
30
35
40
12882-020
–12
500
0
12882-017
OVERVOLTAGE LEAKAGE CURRENT (nA)
–60
FREQUENCY (Hz)
2
図 19.ソース・ピン電圧(VS)対チャージ・インジェクション
単電源
0
900
TA = 25°C
VDD = 15V
800
–20
TA = 25°C
700
CHARGE INJECTION (pC)
OFF ISOLATION (dB)
–40
–120
10k
図 15.過電圧リーク電流の温度特性、12 V 単電源
0
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–20
12882-019
0
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK (dB)
VDD = 12V
VSS = 0V
12882-016
OVERVOLTAGE LEAKAGE CURRENT (nA)
2
–40
–60
–80
600
500
400
300
200
VDD = +15V, VSS = –15V
VDD = +20V, VSS = –20V
100
0
–100
1M
100M
10M
FREQUENCY (Hz)
1G
10G
–200
–20
12882-018
100k
–10
–5
0
VS (V)
図 17.オフ・アイソレーションの周波数特性
Rev. 0
–15
5
10
15
20
12882-021
–100
–120
10k
図 20.ソース・ピン電圧(VS)対チャージ・インジェクション
両電源
－ 17/30 －
ADG5436F
データシート
0
490
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
WITH DECOUPLING CAPACITORS
–100
–200
480
470
tTRANSITION (ns)
–300
ACPSRR (dB)
VDD = +12V, VSS = 0V
VDD = +36V, VSS = 0V
VDD = +15V, VSS = –15V
VDD = +20V, VSS = –20V
–400
–500
–600
460
450
–700
440
–800
430
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
420
–40
12882-022
–100
10k
–20
40
20
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
図 21.ACPSRR の周波数特性
図 24. tTRANSITION の温度特性
0.020
0.9
0.015
0.010
0.005
0
10
5
15
20
FREQUENCY (kHz)
0.7
0.6
0.5
–40
12882-023
0
0.8
–20
0
20
40
60
80
100
12882-026
VDD = +12V, VSS = 0V, VS = 6V p-p
VDD = +36V, VSS = 0V, VS = 18V p-p
VDD = +15V, VSS = –15V, VS = 15V p-p
VDD = +20V, VSS = –20V, VS = 20V p-p
THRESHOLD VOLTAGE, VT (V)
LOAD = 10kΩ
TA = 25°C
THD + N (%)
0
120
TEMPERATURE (°C)
図 25.閾値電圧 (VT)の温度特性
図 22.THD + N の周波数特性
0
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–0.5
T
SOURCE
BANDWIDTH (dB)
–1.0
–1.5
VDD
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
2
DRAIN
–4.0
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
100M
CH1 5.00V
CH3 5.00V
CH2 5.00V
M400ns
A CH2
T
–10.00ns
10.1V
図 26.正の過電圧に対するドレイン出力応答
(DR ピン = フローティングまたはハイ・レベル)
図 23.周波数対帯域幅
－ 18/30 －
12882-027
–5.0
10k
12882-024
–4.5
Rev. 0
12882-025
–900
ADG5436F
データシート
24
TA = 25°C
VDD = +10V
VSS = –10V
SIGNAL VOLTAGE (V p-p)
20
DRAIN
1
VSS
16
12
DISTORTIONLESS
OPERATING
REGION
8
4
CH2 5.00V
A CH2
M400ns
T
–10.00ns
–14.7V
0
1
図 27.負の過電圧に対するドレイン出力応答
(DR ピン = フローティングまたはハイ・レベル)
Rev. 0
10
FREQUENCY (MHz)
図 28.大信号電圧トラッキングの周波数特性
－ 19/30 －
100
12882-029
CH1 5.00V
CH3 5.00V
12882-028
SOURCE
ADG5436F
データシート
テスト回路
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
NETWORK
ANALYZER
VSS
SxA
図 29.オン抵抗
ID (OFF)
A
A
IS
ID
Sxx
A
VD
12882-031
VS
SxA
Dx
SxB
A
図 34.スイッチ過電圧リーク
VDD = VSS = GND = 0V
ID (ON)
IS
A
ID
Sxx
A
Dx
IS (OFF)
図 35.電源なしのスイッチ・リーク
図 31.チャンネル・オン時リーク
VDD
VDD
VSS
VDD
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sxx
INx
50Ω
RL
50Ω
50Ω
Sxx
VS
Dx
VOUT
OFF ISOLATION = 20 log
VIN
RL
50Ω
GND
VOUT
VS
INSERTION LOSS = 20 log
図 36.帯域幅
図 32.オフ時アイソレーション
Rev. 0
NETWORK
ANALYZER
VSS
INx
12882-033
Dx
GND
0.1µF
VDD
VS
VIN
VSS
0.1µF
0.1µF
0.1µF
A
RL
10kΩ
VS
12882-032
VD
VS
A
RL
10kΩ
|VS| > |VDD| OR |VSS|
図 30.オフ時リーク
NC
Dx
－ 20/30 －
VOUT
VOUT WITH SWITCH
VOUT WITHOUT SWITCH
12882-037
Dx
SxB
12882-035
SxA
図 33.チャンネル間クロストーク
12882-036
A
VOUT
VS
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log
12882-034
12882-030
RON = V/IDS
IS (OFF)
VS
GND
IDS
VS
SxB
Dx
Sxx
VOUT
Dx
RL
50Ω
V
RL
50Ω
ADG5436F
データシート
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
VDD
AUDIO
PRECISION
VSS
RS
Sxx
VS
V p-p
INx
Dx
VIN
VOUT
RL
10kΩ
12882-038
GND
図 37.THD + N
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
VDD + 0.5V
VSS
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
SxA
Dx
VS
VD
SxB
RL
1kΩ
0V
CL*
2pF
tRESPONSE
INx
2.4V
VDD × 0.9V
12882-039
OUTPUT
(VD)
GND
0V
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
図 38.過電圧応答時間 tRESPONSE
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
VDD
SxA
Dx
VS
SxB
VD
RL
1kΩ
CL*
2pF
0V
tRECOVERY
INx
2.4V
GND
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
図 39.過電圧回復時間 tRECOVERY
Rev. 0
－ 21/30 －
12882-040
OUTPUT
(VD)
VDD × 1
0V
ADG5436F
データシート
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
S1A
VS
ADG5436F
0V
tDIGRESP
S1B
FF
CL*
12pF
D1
OUTPUT
(VFF)
0V
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
12882-041
GND
0.1VOUT
図 40.割込みフラグ応答時間 tDIGRESP
VDD
VSS
0.1µF
VDD + 0.5V
0.1µF
VDD
VSS
S1A
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VS
ADG5436F
0V
S1B
FF
tDIGREC
CL*
12pF
D1
0.9VOUT
OUTPUT
(VFF)
0V
12882-042
GND
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
図 41.割込みフラグ回復時間 tDIGREC
VDD
VSS
0.1µF
VDD + 0.5V
0.1µF
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
S1A
VS
5V
ADG5436F
0V
tDIGREC
S1B
3V
OUTPUT
FF
5V
CL*
12pF
D1
GND
0V
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
図 42.割込みフラグ回復時間 tDIGREC、1 kΩ プルアップ抵抗
Rev. 0
－ 22/30 －
12882-043
OUTPUT
(VFF)
RPULLUP
1kΩ
ADG5436F
データシート
0.1µF
VDD
VSS
VDD
VSS
SxB
VS
0.1µF
VIN
Dx
VOUT
SxA
RL
300Ω
INx
VOUT
CL
35pF
80%
tD
tD
12882-044
GND
VIN
図 43.ブレーク・ビフォア・メーク時間遅延 tD
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
3V
VSS
VDD
VIN
50%
50%
INx
SxB
VS
SxA
0V
tON (EN)
tOFF (EN)
0.9VOUT
VIN
VOUT
Dx
EN
VOUT
50Ω
35pF
300Ω
12882-045
GND
0.1VOUT
図 44.イネーブル遅延、tON (EN)、tOFF (EN)
0.1µF
VDD
VSS
VDD
VSS
SxB
VS
0.1µF
Dx
SxA
VIN
VOUT
RL
300Ω
INx
CL
35pF
50%
50%
90%
VOUT
tON
tOFF
12882-046
10%
GND
VIN
図 45.アドレス―出力間のスイッチング時間、tTRANSITION
VDD
VSS
VDD
VSS
0.1µF
SxB
VS
NC
Dx
VOUT
SxA
CL
1nF
INx
VIN
GND
VIN
VOUT
ΔVOUT
QINJ = CL × ΔVOUT
図 46.チャージ・インジェクション QINJ
Rev. 0
－ 23/30 －
12882-047
0.1µF
ADG5436F
データシート
用語
IDD
正の電源電流。
tOFF
デジタル・コントロール入力から出力スイッチ・オフまでの遅
延(図 44 参照)。
ISS
負の電源電流。
VD、VS
VD と VS は、それぞれ Dx ピンと Sxx ピンのアナログ電圧を表し
ます。
RON
RON は、Dx ピンと Sxx ピンの間の抵抗を表します。
∆RON
任意の 2 チャンネル間の RON の差。
tD
あるアドレス状態から別のアドレス状態へ切り替わるときの両
スイッチの 90%ポイント間で測定したオフ時間。
tDIGRESP
tDIGRESP は FF ピンがロー・レベル (0.3 V)になるために要する時
間で、ソース・ピン電圧が電源電圧を 0.5 V 上回ることにより
測定されます。
tDIGREC
tDIGREC は FF ピンがハイ・レベルに戻るために要する時間で、
Sxx ピン電圧が電源電圧 + 0.5 V を下回ることにより測定されま
す。
RFLAT(ON)
仕様で規定されたアナログ信号範囲におけるオン抵抗の最大値
と最小値の差として定義される抵抗値の平坦性です。
tRESPONSE
tRESPONSE は、ソース電圧が電源電圧を 0.5 V 上回ってから、ドレ
イン電圧が電源電圧の 90%を下回るまでの遅延を表します。
IS (Off)
スイッチ・オフ時のソース・リーク電流。
ID (Off)
スイッチ・オフ時のドレイン・リーク電流。
ID (On)、IS (On)
スイッチ・オン時のチャンネル・リーク電流。
tRECOVERY
tRECOVERY は、Sxx ピンの過電圧が電源電圧 + 0.5 V を下回ってか
ら、ドレイン電圧が 0 V から電源電圧の 10%を上回るまでの遅
延を表します。
VINL
ロジック 0 の最大入力電圧。
オフ・アイソレーション
オフ状態のスイッチを通過する不要信号の大きさを表します。
VINH
ロジック 1 の最小入力電圧。
チャージ・インジェクション
スイッチング時にデジタル入力からアナログ出力へ伝達される
グリッチ・インパルスの大きさを表します。
IINL、IINH
デジタル入力のそれぞれロー・レベルおよびハイ・レベルでの
入力電流。
CD (Off)
スイッチ・オフのドレイン容量。グラウンドを基準として測定。
CS (Off)
スイッチ・オフのソース容量。グラウンドを基準として測定。
CD (On)、CS (On)
スイッチ・オンの容量。グラウンドを基準として測定。
CIN
デジタル入力容量。
tON
デジタル・コントロール入力から出力スイッチ・オンまでの遅
延(図 44 参照)。
Rev. 0
チャンネル間クロストーク
寄生容量に起因して 1 つのチャンネルから別のチャンネルに混
入する不要信号の大きさを表します。
−3 dB 帯域幅
−3 dB 帯域幅は、出力が 3 dB 減衰する周波数です。
オン応答
オン状態にあるスイッチの周波数応答。
挿入損失
スイッチのオン抵抗に起因する損失。
全高調波歪み + ノイズ (THD + N)
高調波振幅と信号ノイズの和の基本波に対する比。
－ 24/30 －
ADG5436F
データシート
AC 電源変動除去比(ACPSRR)
電源上の AC 信号と出力信号振幅の変調振幅に対する比。
ACPSRR は、電源電圧ピンに現れるノイズとスプリアス信号が
スイッチ出力へ混入するのを防止するデバイスの能力を表しま
す。デバイスの DC 電圧が、0.62 V p-p の正弦波で変調され、ス
イッチ出力が測定されます。
Rev. 0
VT
VT は過電圧保護回路が機能を開始する電圧閾値です (図 25 参照)。
－ 25/30 －
ADG5436F
データシート
動作原理
スイッチ・アーキテクチャ
ADG5436F の各チャンネルは、NDMOS トランジスタと PDMOS
トランジスタの並列対から構成されています。この構造は、信号
範囲で優れた性能を提供します。ADG5436F の並列対チャンネ
ルは、VSS～VDD の電圧を持つ入力信号を加えた場合、標準的な
スイッチとして動作します。例えば、オン抵抗が 10 Ω (typ)で、
スイッチの開閉は該当するコントロール・ピンから制御される
スイッチです。
追加の内部回路を使うと、ソース・ピンの電圧を VDD および
VSS と比較することにより、過電圧入力をスイッチに検出させる
ことができます。信号が電源電圧を電圧閾値 VT だけ上回るとそ
の信号は過電圧と見なされます。閾値電圧は 0.7 V (typ)ですが、
範囲として 0.8 V (−40°C 動作)～0.6 V (+125°C 動作)になり得ます。
VT の動作温度による変化については、図 25 を参照してくださ
い。
すべてのソース入力に加えることができる最大電圧は-55 V また
は +55 V です。25 V より高い単電源からデバイス電源を供給す
る場合、負側の最大電圧信号レベルは −55 V より減少ます。例
えば、80 V の最大定格を満たすため、VDD = 40 V とした場合、
負側の電圧限界は−40 V に減少します。製造プロセス構造によ
り、チャンネルはオープン時のスイッチ間電圧 80 V に耐えるこ
とができます。これらの過電圧制限は、電源の有無によらず適
用されます。
VDD
ESD
PROTECTION
ESD
DIODE
Dx
Sxx
DR
ESD
DIODE
SWITCH
DRIVER
過電圧イベントが発生した場合、過電圧入力の影響を受けない
チャンネルは、クロストークの増加なく通常動作を続けます。
ESD 性能
ADG5436F の ESD (HBM) 定格は 6 kV です。
ドレイン・ピン(Dx)には両電源レールに接続された ESD 保護ダ
イオードが内蔵されており、これらのピンの電圧は、電源電圧
を超えることはできません。
ソース・ピン (Sxx)には特別な ESD 保護ダイオードが内蔵され
ているため、信号電圧は±22 V の両電源の場合は±55 V に達する
ことができ、+40 V の単電源の場合は−40 V～+55 V の範囲にす
ることができます。スイッチ・チャンネルの概要については、
図 47 を参照してください。いずれかのソース入力が±55 V を超
えると、デバイスの ESD 保護回路が損傷を受けることがありま
す。
トレンチ・アイソレーション
ADG5436F では、各スイッチの NDMOS トランジスタと
PDMOS トランジスタ間に、絶縁酸化物層（トレンチ）が設け
てあります。絶縁ジャンクションによりスイッチ内の複数のト
ランジスタ間に発生する寄生ジャンクションがなくなるため、
いかなる場合でもラッチアップのないスイッチが得られます。
このデバイスは、仕様の中で最も厳しい±500 mA、1 sec 間の
JESD78D ラッチアップ・テストに合格しています。
VSS
LOGIC
BLOCK
12882-048
FAULT
DETECTOR
ン・ピン(Dx)は電源レールに駆動されます。ドレイン・ピンを
電源レールに駆動するデバイスは、約 40 kΩ のインピーダンスを
持ちます。このため Dx ピン電流は、負荷短絡状態で約 1 mA に
制限されます。また、この内部インピーダンスは、故障時に必要
とされる電圧レベルへドレイン・ピンを駆動するために必要な
最小外付け負荷抵抗も決定します。
NDMOS
PDMOS
P-WELL
N-WELL
図 47.スイッチ・チャンネルと制御機能
過電圧状態では、ソース・ピン(Sxx)を流れるリーク電流は数十
μA に制限されます。DR ピンがフローティングまたはハイ・レ
ベルの場合、ドレイン・ピン (Dx)を流れるリーク電流も小さく
数 nA になります。DR ピンがロー・レベルの場合は、ドレイ
Rev. 0
－ 26/30 －
TRENCH
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
図 48.トレンチ・アイソレーション
12882-049
ソース・ピン (Sxx)で過電圧状態が検出されると、スイッチが自
動的に開き、ソース・ピン (Sxx)は高インピーダンスになって、
スイッチを流れる電流をゼロにします。DR ピンがロー・レベル
の場合は、ドレイン・ピン Dx は信号が超えた電源電圧に引き
とどめられます。例えば、ソース電圧が VDD を超えた場合、ド
レイン出力は VDD に駆動されます。VSS についても同様です。
DR ピンがフローティングまたはハイ・レベルの場合は、ドレ
イン Dx ピンもオープンになります。Dx ピンの電圧はスイッチ
が完全にオフするまではソース・ピン Sxx の電圧に追従し、ドレ
イン電圧は負荷を通して放電します。ドレインの最大電圧は内
蔵 ESD ダイオードにより制限され、出力電圧が放電するレート
は、ピンの負荷に依存します。
ADG5436F
データシート
さい。
故障保護機能
+22V
ソース入力の電圧が VDD または VSS を VT だけ超えると、スイッ
チがオフします。デバイスに電源が加わっていない場合は、スイ
ッチはオフ状態を維持します。スイッチ入力はデジタル入力状
態または負荷抵抗に無関係に高インピーダンスを維持し、出力
は仮想的な断線として機能します。ソース・ピンと電源ピンの
間電圧の 80 V 制限を満たすかぎり、電源ありおよび電源なしの
状態で、+55 V および−55 V までの信号レベルが入出力間で阻止
されます。
0V
VDD
–22V
GND
VSS
ADG5436F
+22V S1A
S2A +22V
D1
D2
–55V S1B
S2B +55V
FAULT
DETECTION
+
SWITCH DRIVER
スイッチがオン状態であるためには、次の3つの条件を満たす必
要があります。



VDD～VSS ≥ 8 V
VSS − VT < 入力信号 < VDD + VT
デジタル・ロジック制御入力 INx がオン
F1
またスイッチは、VDD または VSS を閾値電圧 VT だけ上回るアナ
ログ入力に応答してオフします。絶対入力電圧制限値は−55 V
および +55 V で、ソース・ピンと電源レール間の 80 V 制限を守
らなければなりません。スイッチは、ソース・ピンの電圧が
VDD～VSS の範囲に戻るまでオフを維持します。
±15 V の両電源を使う場合の故障検出応答時間 (tRESPONSE)は 510
ns (typ)で、故障からの回復時間 (tRECOVERY) は 820 ns です。これ
らは、電源電圧と出力負荷条件により変わります。
いずれかのソース入力が±55 V を超えると、デバイスの ESD 保
護回路が損傷を受けることがあります。
スイッチ・チャンネル間の最大ストレス耐量は 80 V です。この
ため、40 V の単電源でデバイスを使用する場合は、この制限に
注意する必要があります。この場合、スイッチ・チャンネル間
の 80 V を維持するためには、負側の最大電圧条件は−40 V にな
ります。
低い電圧状態と過電圧状態については、デバイスが図 49 のよう
にセットアップされるケースで考えてみます。



VDD/VSS = ±22 V。
S1A および S2A = 22 V、かつ両方ともオン。したがって、
D1 および D2 = 22 V。
S1B に−55 V 故障電圧が、S2B に+55 V 故障電圧が、それぞ
れ発生。
S1B―D1 間電圧 = 22 V − (−55 V) = +77 V。
S2B―D2 間電圧= 22 V− 55 V = -33 V。
これらの計算はすべてデバイスの仕様を満たしています。すな
わち、オン・ソース入力では 55 V の最大故障電圧、オフ・スイ
ッチ・チャンネル間は最大 80 V の範囲内です。
FF は故障状態表示ためロー・レベルになります。故障中のスイ
ッチの特定は、F2 と F1 を変えて、SF の状態を知ることにより
推定することができます。この例では、F2 = 0 かつ F1 = 1 のと
き SF はロー・レベル (アサート); F2 = 1 かつ F1 = 0 のときもロ
ー・レベル。これにより、S1B と S2B での故障と分かります。
F2 と F1 による SF のデコードについては、表 9 を参照してくだ
Rev. 0
3V
FF
0V
EN DR
5V
図 49.過電圧状態の ADG5436F の例
スイッチがオンすると、電源レールまでの信号レベルが入出力
間を通過します。


F2
SF
12882-050
パワーオン保護機能
パワーオフ保護機能
電源入力がないとき、スイッチはオフ状態を維持し、スイッチ入
力は高インピーダンスになります。この状態は、電流が流れない
ようにして、スイッチまたは接続する後段回路に対する損傷を防
止します。スイッチ出力は、仮想的なオープンとして機能します。
VDDとVSS 電源が0 Vであるかフローティングであるかに無関係
に、スイッチはオフ状態を維持します。ただし正しい動作のた
めには、常にGND リファレンスが存在する必要があります。電
源がない状態で、±55 Vまでの信号レベルが阻止されます。
デジタル入力保護機能
ADG5436F は、電源なしでデバイスへ入力されるデジタル信号
に耐えることができます。デバイスに電源がない場合、デジタ
ル・ロジック信号の状態に無関係にスイッチはオフ状態を維持
します。
デジタル入力は、最大 44 V の正側故障電圧に対して保護されて
いますが、負側過電圧に対しては保護されていません。GND に
接続された ESD 保護ダイオードが、デジタル入力に内蔵されて
います。
過電圧割込みフラグ
ADG5436F のソース入力電圧が連続的にモニタされて、スイッ
チの状態がアクティブ・ローのデジタル出力ピン FF で表示され
ます。
FF ピン電圧は、ソース入力ピンが故障状態にあるか否かを表示
します。FF ピン出力は、すべてのソース・ピンが通常動作範囲
内にある場合、公称 3 V です。いずれかのソース・ピン電圧が、
電源電圧を VT だけ上回ると、FF 出力は 0.8 V より低くなります。
特定故障表示デジタル出力ピン SF を使って、故障状態にある入
力をデコードしてください。SF ピンは、表 9 に示す F1 と F2 の
状態に応じて、特定のピンで故障状態が検出されると 0.8 V よ
り低い電圧を出力します。また、この特定故障検出機能はスイ
ッチがディスエーブル (EN ピンがロー・レベル)されているとき
にも機能します。このため、ドレイン出力に故障状態を出力す
ることなく、故障状態をチェックすることができます。
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ADG5436F
データシート
アプリケーション情報
電源レール
デバイスの正常動作を保証するためには、0.1 µF のデカップリ
ング・コンデンサが必要です。
ADG5436F は、±5 V～±22 V の両電源で動作することができま
す。VDD と VSS の電源は対称である必要はありませんが、VDD～
VSS の電位差は、44 V を超えてはいけません。また、ADG5436F
は VSS を GND に接続した 8 V～44 V の単電源で動作させること
もできます。
電源の推奨事項
アナログ・デバイセズは、大部分の高性能シグナル・チェーン
の条件を満たす広範囲なパワーマネジメント製品を提供してい
ます。
両電源ソリューションの例を図 50 に示します。ADP7118 と
ADP7182 を使って、デュアル・スイッチング・レギュレータ出力
からクリーンな正電源と負電源を発生することができます。これ
らの電源を使って、一般的なシグナル・チェーン内で ADG5436F、
アンプ、および／または高精度コンバータに電源を供給するこ
とができます。
+16V
12V
INPUT
ADG5436F は ±15 V、±20 V、12 V、+36 V の電源範囲で仕様が
規定されています。
ADP7118
LDO
–16 V
ADP7182
LDO
電源シーケンシング保護
+15V
–15V
図 50.両電源ソリューション
デバイスの電源がないとき、スイッチ・チャンネルはオープン
を維持します。デバイスに損傷を与えることなく、−55 V～+55
V の信号を加えることができます。電源が接続され、かつ適切
なデジタル制御信号が INx ピンに入力され、さらに信号が通常
動作範囲内にある場合にのみ、スイッチ・チャンネルが閉じま
す。外部コネクタと過電圧に敏感な部品の間に ADG5436F を配
置すると、電源電圧が使用可能になる前に信号がソース・ピン
に入力されるシステムで保護機能を提供します。
信号範囲
ADG5436Fには入力に過電圧検出回路が内蔵されています。こ
の回路は、ソース・ピンの電圧レベルをVDDおよびVSSと比較し
ます。過電圧状態から接続される後段回路を保護するため、目
的とした信号範囲に一致する電圧でADG5436Fの電源を供給し
てください。オン抵抗の小さいスイッチの使用により、電源レ
ールまでの信号をほぼ歪みなしで通過させることができます。
電源レールを閾値電圧だけ上回る信号がブロックされます。こ
の信号ブロックが、デバイスと後段回路に対する保護を提供し
ます。
低インピーダンス・チャンネル保護
ADG5436Fは、チャンネル・インピーダンスと過電圧信号に対
して敏感なシグナル・チェーン内で保護エレメントとして使う
ことができます。これまで直列抵抗を使って、脆弱な部品を保
護するため過電圧状態の電流を制限していました。
これらの直列抵抗はシグナル・チェーンの性能に影響を与えて、
精度を低下させていました。脆弱な部品を保護するためには十
分大きい直列抵抗値が有利ですが、同時にシグナル・チェーン
の精度性能を損なわないようにするためには十分小さい直列抵抗
値にする必要がありました。
表 10.推奨パワーマネジメント・デバイス
Product
Description
ADP7118
ADP7142
ADP7182
20 V, 200 mA, low noise, CMOS LDO
40 V, 200 mA, low noise, CMOS LDO
−28 V, −200 mA, low noise, linear regulator
高電圧サージ除去
ADG5436Fは、非常に高い電圧でのアプリケーションを対象に
していません。トランジスタの最大動作電圧は80 Vです。入力
にブレークダウン電圧を超える過電圧が加わりそうなアプリケ
ーションでは、過渡電圧サプレッサ (TVS)または同等品を使用
してください。
インテリジェントな故障検出
ADG5436F のデジタル出力ピン FF は、マイクロプロセッサまた
は制御システムとインターフェースすることができ、割込みフ
ラグとして使用することができます。この機能は、デバイス状態
とそれに接続されるシステム状態のリアルタイム診断情報を提
供します。
制御システムはデジタル割込み FF を使って、次のような動作を
実行することができます。



ADG5436Fを使うと、これらの抵抗を省略して、回路保護を犠牲
にすることなく精度性能を維持することができます。
Rev. 0
DUAL
SWITCHING
REGULATOR
12882-051
スイッチとマルチプレクサの過電圧保護ファミリーは、過電圧
信号が存在し、かつその過電圧信号以後もシステムが動作を維
持しなければならない計装用、工業用、航空宇宙用、その他の
厳しい環境に対して、強固なソリューションを提供します。
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過電圧故障源に対する問い合わせを開始します
過電圧状態に対する応答としてクリティカル・システムをシ
ャットダウンさせます
データ・レコーダを使って、これらイベント時のデータを
信頼度が低い、または仕様外としてマーキングします
ADG5436F
データシート
起動シーケンス時に敏感なシステムの場合、フラグのアクティ
ブ・ロー動作により、ADG5436F がパワーアップし、かつ動作
開始前にすべての入力電圧が通常動作範囲内にあることをシス
テムが保証できるようになります。
がディスエーブル (EN ピンがロー・レベル)されているときにも
機能します。このため、ドレイン出力に故障状態を出力するこ
となく、故障状態をチェックすることができます。
FF ピンは内部で軽いプルアップがされているため、複数のデバ
イスを含む大きなモジュールに対して複数の信号を 1 本の割込
みにまとめることができます。
高電圧、高周波の信号
1 kΩ の外部プルアップ抵抗を使うと、回復時間 tDIGREC を 60 µs
(typ)から 600 ns へ短縮することができます。
特定故障検出デジタル出力ピン SF を使って、故障状態にある入
力をデコードしてください。SF ピンは、表 9 に示す F1 と F2 の
状態に応じて、特定ピンでの故障状態が検出されると 0.8 V よ
り低い電圧を出力します。また、この特定故障機能はスイッチ
Rev. 0
図 28 に、ADG5436F が対応できる電圧範囲と周波数を示します。
VSS ～VDD のフル信号範囲を持つ信号に対しては、周波数を 3
MHz より低く維持してください。所望周波数が 3 MHz を超える
場合は、信号インテグリティを維持するため信号範囲を適切に小
さくしてください。
－ 29/30 －
ADG5436F
データシート
外形寸法
5.10
5.00
4.90
16
9
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
1
8
PIN 1
1.20
MAX
0.15
0.05
0.20
0.09
0.65
BSC
0.30
0.19
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
8°
0°
0.75
0.60
0.45
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB
図 51.16 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ[TSSOP]
(RU-16)
寸法: mm
オーダー・ガイド
Model 1
Temperature Range
Package Description
Package Option
ADG5436FBRUZ
ADG5436FBRUZ-RL7
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP]
16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP]
RU-16
RU-16
1
Z = RoHS 準拠製品。
Rev. 0
－ 30/30 －