Comments
Description
Transcript
LT3585-0/LT3585-1LT3585-2/LT3585-3
LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 入力電流を調整可能な、 IGBTドライバ付き フォトフラッシュ・チャージャ 特長 ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 概要 LT®3585シリーズは、デジタルカメラやフィルム式カメラのフォ トフラッシュ･コンデンサを充電するために設計された高集積 ICです。新しい制御方式により、超小型のトランスを使用する ことができます。各デバイスは高電圧 NPN パワースイッチを内 蔵しています。 出力電圧検出回路は全て内蔵されているので、 ツェナー・ダイオードや抵抗は不要です。 トランスの巻数比を 変えるだけで出力電圧を調整できます。 入力電流を調整可能 内蔵 IGBTドライバ 出力分圧器が不要 小型トランスを使用：5.8mm×5.8mm×3mm 高速フォトフラッシュ充電時間 あらゆるサイズのフォトフラッシュ･コンデンサを充電 1セル・リチウムイオン電池、2 個のAA 電池など1.5V ～ 16Vのあらゆる電源で動作 小型 10ピン （3mm×2mm）DFN パッケージ 高速充電時間 ユーザーはCHRG/IADJピンによってこのデバイスを制御でき ます。CHRG/IADJピンを L にドライブするとデバイスは低消 費電力のシャットダウン･ モードになります。CHRG/IADJを 使用してチャージャの入力電流を低減することもできますが、 この機能はバッテリ寿命の延長に有効です。DONEピンはデ バイスが充電を完了したことを知らせます。 通常モード充電 削減モード充電 時間（秒） 時間（秒） バージョン 入力電流（mA） LT3585-3 800/400 3.3 LT3585-0 550/275 4.6 9.2 LT3585-2 400/200 5.8 12.6 LT3585-1* 250/115 5.0 14.6 6.6 LT3585シリーズのデバイスは小型 3mm 2mm DFN パッケー ジで供給されます。 L、LT、LTC、LTM、Linear Technologyおよび Linearのロゴはリニアテクノロジー社の登録商標 です。他の全ての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。 100µF capacitor, 320V, VIN = VBAT = 3.6V *50µF capacitor, 320V, VIN = VBAT = 3.6V アプリケーション ■ ■ ■ デジタルカメラやフィルム式カメラのフラッシュ PDA/ 携帯電話のフラッシュ 非常用ストロボ 標準的応用例 高さ2mm の高効率トランスを使用し、 同調可能なIGBTゲート・ドライブを備えたLT3585-1フォトフラッシュ・チャージャ LT3585-1 の充電波形 通常の入力電流モード 危険 高電圧！ 高電圧技術者のみ操作可 VBAT 2 AA OR 1 TO 2 Li-Ion 1:10:2 1 4.7μF 2 VBAT • •5 1M + 50μF PHOTOFLASH CAPACITOR SW DONE VIN 5V 320V 4 A TRIGGER T GND 1 CHRG/IADJ LT3585-1 VIN 0.22μF 2.2μF 600V 2 C IIN 500mA/DIV IGBTPU IGBTPD FLASHLAMP 3 IGBTPWR IGBTIN VOUT 50V/DIV TO GATE OF IGBT 20Ω TO 160Ω VBAT = 3.6V COUT = 50µF 3585 TA01a 1sec/DIV 3585 TA01b 3585f 1 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 絶対最大定格 ピン配置 （Note 1） VIN 電圧 ..................................................................................... 16V VBATT 電圧 ................................................................................. 16V SWの電圧 ................................................................................. 60V SWピンの負電流 ...................................................................... –1A CHRG/IADJの電圧 .................................................................... 10V IGBTPWRの電圧....................................................................... 10V IGBTINの電圧 ........................................................................... 10V IGBTPUの電圧 .......................................................................... 10V IGBTPDの電圧 .......................................................................... 10V DONEの電圧 ............................................................................. 10V DONEピンに流れ込む電流 ........................................0.2mA/–1mA 最大接合部温度.................................................................... 125°C 動作温度範囲（Note 2）.............................................–40°C ～ 85°C 保存温度範囲..........................................................–65°C ～ 125°C TOP VIEW IGBTIN 1 10 IGBTPU IGBTPWR 2 9 IGBTPD 8 SW VIN 4 7 CHRG/IADJ VBAT 5 6 DONE GND 3 11 DDB PACKAGE 10-LEAD (3mm × 2mm) PLASTIC DFN TJMAX = 125°C, θJA = 76°C/W EXPOSED PAD (PIN 11) IS GND, MUST BE SOLDERED TO PCB ORDER PART NUMBER DDB PART MARKING LT3585EDDB-0 LT3585EDDB-1 LT3585EDDB-2 LT3585EDDB-3 LCLK LCLJ LCLH LCFX Order Options Tape and Reel:Add #TR Lead Free:Add #PBF Lead Free Tape and Reel:Add #TRPBF Lead Free Part Marking: http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ より広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社へお問い合わせください。 発注情報 l は全動作接合部温度範囲の規格値を意味する。 それ以外は TA ＝ 25℃での値。 注記がない限り、VIN = VBAT = VCHRG = 3V（Note 2）。注記がない限り、仕様は、LT3585-0、LT3585-1、LT3585-2、LT3585-3 のもの。 PARAMETER CONDITIONS Quiescent Current VCHRG = 3V, Not Switching VCHRG = 0V, In Shutdown MIN TYP MAX UNITS 5 0 8 1 mA µA VIN Voltage Range l 2.5 16 V VBAT Voltage Range l 1.5 16 V 1.85 1.3 0.95 0.65 A A A A Switch Current Limit LT3585-3 (Note 3) LT3585-0 (Note 3) LT3585-2 (Note 3) LT3585-1 (Note 3) Switch VCESAT LT3585-3, ISW = 1.4A LT3585-0, ISW = 1A LT3585-2, ISW = 700mA LT3585-1, ISW = 400mA VOUT Comparator Trip Voltage Measured as VSW – VBAT VOUT Comparator Overdrive 300ns Pulse Width DCM Comparator Trip Voltage Measured as VSW – VBAT CHRG/IADJ Pin Current VCHRG = 3V VCHRG = 0V Switch Leakage Current VBAT = VSW = 5V, In Shutdown CHRG/IADJ Minimum Enable Voltage 1.55 1.1 0.75 0.45 1.7 1.2 0.85 0.55 485 330 230 140 l 31 30.5 80 l l 1.1 mV mV mV mV 31.5 31.5 32 32.5 V V 200 400 mV 130 180 mV 45 0 70 0.1 µA µA 0.01 1 µA V 3585f 2 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 電気的特性 l は全動作接合部温度範囲の規格値を意味する。 それ以外は TA ＝ 25℃での値。 注記がない限り、VIN = VBAT = VCHRG = 3V（Note 2）。注記がない限り、仕様は、LT3585-0、LT3585-1、LT3585-2、LT3585-3 のもの。 PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX CHRG/IADJ Three-State Voltage for Reduced Input Current CHRG/IADJ > 1.1V then Float 1.1 1.28 1.4 V 10 V 0.3 V CHRG/IADJ Voltage Range for Normal Input Current l CHRG/IADJ Low Voltage l 1.6 UNITS Delay Time for Reduced Input Current Mode CHRG/IADJ Pin Three Stated: VBAT = 4.2V, Fresh Li-Ion Cell VBAT = 2.8V, Dead Li-Ion Cell VBAT = 3V, Fresh 2 AA Cells VBAT = 2V, Dead 2 AA Cells 5.2 7.2 6.8 9.5 µs µs µs µs Minimum CHRG/IADJ Pin Low Time High→Low→High 20 µs DONE Output Signal High 100kΩ from VIN to DONE 3 V DONE Output Signal Low 33µA into DONE Pin DONE Leakage Current VDONE = 3V, DONE NPN Off IGBTPWR Voltage Range l 2.5 IGBT Input High Level l 1.5 IGBT Input Low Level l 120 200 mV 1 100 nA 10 V V 0.5 V IGBT Output Rise Time IGBTPU Pin, COUT = 4000pF, IGBTPWR = 5V, IGBTIN = 0V→1.5V, 10%→90% 0.4 µs IGBT Output Fall Time IGBTPD Pin, COUT = 4000pF, IGBTPWR = 5V, IGBTIN = 1.5V→0V, 90%→10% 0.13 µs Note 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可 能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響 を与える可能性がある。定格はDCレベルの場合のみ。 Note 2：LT3585シリーズは0℃～ 85℃の温度範囲で性能仕様に適合することが保証されてい る。–40℃～ 85℃の動作温度範囲での仕様は設計、特性評価および統計学的なプロセス・ コントロールとの相関で確認されている。 Note 3：電流制限は設計および静的テストとの相関によって保証されている。 3585f 3 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 標準的性能特性 注記がない限り、LT3585-0の曲線は図11を使用、LT3585-1の曲線は図12を使用、LT3585-2の曲線は図13を使用、 LT3585-3 の曲線は図 14を使用。 LT3585-0 の充電波形 通常の入力電流モード LT3585-1 の充電波形 通常の入力電流モード VOUT 50V/DIV LT3585-2 の充電波形 通常の入力電流モード VOUT 50V/DIV VOUT 50V/DIV AVERAGE INPUT CURRENT 1A/DIV VBAT = 3.6V COUT = 50µF 0.5s/DIV 3585 G01 AVERAGE INPUT CURRENT 500mA/DIV VBAT = 3.6V COUT = 50µF LT3585-3 の充電波形 通常の入力電流モード 2s/DIV 3585 G02 LT3585-0 の充電波形 減少させた入力電流モード VOUT 50V/DIV 0.5s/DIV 3585 G04 VOUT 50V/DIV AVERAGE INPUT CURRENT 1A/DIV VBAT = 3.6V COUT = 50µF LT3585-2 の充電波形 減少させた入力電流モード 3585 G03 1s/DIV LT3585-1 の充電波形 減少させた入力電流モード VOUT 50V/DIV AVERAGE INPUT CURRENT 1A/DIV VBAT = 3.6V COUT = 50µF AVERAGE INPUT CURRENT 1A/DIV VBAT = 3.6V COUT = 50µF 0.5s/DIV 3585 G05 AVERAGE INPUT CURRENT 500mA/DIV VBAT = 3.6V COUT = 50µF LT3585-3 の充電波形 減少させた入力電流モード 3585 G06 2s/DIV 充電時間 * 通常の入力電流モード 8 LT3585-0 LT3585-1 LT3585-2 LT3585-3 VOUT 50V/DIV AVERAGE INPUT CURRENT 1A/DIV VBAT = 3.6V COUT = 50 F CHARGE TIME (SECONDS) 7 VOUT 50V/DIV 1s/DIV 3585 G07 AVERAGE INPUT CURRENT 1A/DIV VBAT = 3.6V COUT = 50µF 0.5s/DIV 6 5 4 3 2 3585 G08 1 0 2 3 4 5 6 VBAT (V) 7 8 10 9 3585 G09 *USING RUBYCON 330V, 50µF PHOTOFLASH OUTPUT CAPACITOR (FW SERIES) 3585f 4 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 標準的性能特性 注記がない限り、LT3585-0の曲線は図11を使用、LT3585-1の曲線は図12を使用、LT3585-2の曲線は図13を使用、 LT3585-3 の曲線は図 14を使用。 充電時間 * 減少させた入力電流モード 20 15 10 700 600 5 0 3 5 4 6 7 8 500 400 300 200 0 10 9 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 0 100 800 350 700 250 200 150 100 200 100 200 300 3585 G12 300 500 400 300 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 100 0 300 LT3585-0 の入力電流 減少させた入力電流モード 600 0 100 200 250 200 150 100 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 50 0 300 0 100 VOUT (V) 200 300 VOUT (V) 3585 G13 3585 G14 LT3585-1 の入力電流 減少させた入力電流モード 3585 G15 LT3585-2 の入力電流 減少させた入力電流モード 120 LT3585-3 の入力電流 減少させた入力電流モード 250 500 200 400 INPUT CURRENT (mA) 80 60 40 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 20 0 100 200 300 VOUT (V) INPUT CURRENT (mA) 450 100 INPUT CURRENT (mA) 0 350 VOUT (V) 0 0 300 VOUT (V) 200 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 0 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 50 INPUT CURRENT (mA) 900 INPUT CURRENT (mA) INPUT CURRENT (mA) 450 0 100 LT3585-3 の入力電流 通常の入力電流モード 400 50 150 3585 G11 LT3585-2 の入力電流 通常の入力電流モード 100 200 200 VOUT (V) 3585 G10 VBAT (V) *USING RUBYCON 330V, 50µF PHOTOFLASH OUTPUT CAPACITOR (FW SERIES) 300 LT3585-1 の入力電流 通常の入力電流モード 250 100 2 300 INPUT CURRENT (mA) LT3585-0 LT3585-1 LT3585-2 LT3585-3 INPUT CURRENT (mA) CHARGE TIME (SECONDS) 25 LT3585-0 の入力電流 通常の入力電流モード 150 100 50 0 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 0 100 200 300 VOUT (V) 3585 G16 350 300 250 200 150 100 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 50 0 0 100 200 300 VOUT (V) 3585 G17 3585 G18 3585f 5 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 標準的性能特性 注記がない限り、LT3585-0の曲線は図11を使用、LT3585-1の曲線は図12を使用、LT3585-2の曲線は図13を使用、 LT3585-3 の曲線は図 14を使用。 LT3585-0 の効率 通常の入力電流モード 90 USING KIJIMA SBL-5.6-1 TRANSFORMER 70 60 50 70 60 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 50 100 150 200 VOUT (V) 50 300 250 60 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 50 100 150 200 VOUT (V) 90 USING TDK LDT565630T-041 TRANSFORMER 150 200 VOUT (V) 70 50 300 250 90 USING KIJIMA SBL-5.6-1 TRANSFORMER 50 100 150 200 VOUT (V) 250 50 300 100 150 200 VOUT (V) 250 300 3585 G25 USING KIJIMA SBL-5.6S-1 TRANSFORMER VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 50 100 150 200 VOUT (V) 300 250 3585 G24 LT3585-0 の出力電圧 330 USING TDK LDT565630T-041 TRANSFORMER 328 VOUT (V) 70 50 326 324 60 50 300 60 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 80 EFFICIENCY (%) EFFICIENCY (%) 80 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 250 70 LT3585-3 の効率 減少させた入力電流モード 60 150 200 VOUT (V) 3585 G23 LT3585-2 の効率 減少させた入力電流モード 70 100 80 3585 G22 50 90 USING KIJIMA SBL-5.6-1 TRANSFORMER EFFICIENCY (%) EFFICIENCY (%) EFFICIENCY (%) 100 50 LT3585-1 の効率 減少させた入力電流モード 60 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 50 VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 3585 G21 80 60 90 50 300 250 LT3585-0 の効率 減少させた入力電流モード 80 50 70 3585 G19 LT3585-3 の効率 通常の入力電流モード 70 USING KIJIMA SBL-5.6-1 TRANSFORMER 80 3585 G19 90 90 USING KIJIMA SBL-5.6S-1 TRANSFORMER 80 EFFICIENCY (%) EFFICIENCY (%) 80 LT3585-2 の効率 通常の入力電流モード EFFICIENCY (%) 90 LT3585-1 の効率 通常の入力電流モード VBAT = 4.2V VBAT = 3.6V VBAT = 2.5V 50 100 150 200 VOUT (V) 250 300 3585 G26 322 TA = –40ϒC TA = 25ϒC TA = 85ϒC 2 3 4 5 VBAT (V) 6 7 8 3585 G27 3585f 6 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 標準的性能特性 注記がない限り、LT3585-0の曲線は図11を使用、LT3585-1の曲線は図12を使用、LT3585-2の曲線は図13を使用、 LT3585-3 の曲線は図 14を使用。 LT3585-2 の出力電圧 320 324 318 322 316 TA = –40ϒC TA = 25ϒC TA = 85ϒC 314 330 TA = –40ϒC TA = 25ϒC TA = 85ϒC 3 4 5 6 VBAT (V) 7 314 8 326 324 322 316 2 TA = –40ϒC TA = 25ϒC TA = 85ϒC 328 318 312 310 LT3585-3 の出力電圧 330 VOUT (V) 326 VOUT (V) VOUT (V) LT3585-1 の出力電圧 322 2 3 4 5 6 7 320 8 2 3 VBAT (V) 3585 G28 4 5 VBAT (V) 6 3585 G29 LT3585-0 のスイッチ波形 通常の入力電流モード VSW 10V/DIV IPRI 1A/DIV IPRI 1A/DIV VBAT = 3.6V VOUT = 100V 2µs/DIV 3585 G31 LT3585-0 のスイッチ波形 通常の入力電流モード VSW 10V/DIV IPRI 1A/DIV VBAT = 3.6V VOUT = 100V LT3585-0 のスイッチ波形 減少させた入力電流モード 2µs/DIV 3585 G32 VBAT = 3.6V VOUT = 300V 1.8 CURRENT LIMIT (A) IPRI 1A/DIV VBAT = 3.6V VOUT = 300V 2µs/DIV 3585 G34 1.2 10 8 LT3585-0 0.9 LT3585-2 0.6 LT3585-1 3585 G33 SW PIN IS RESISTIVE UNTIL BREAKDOWN VOLTAGE DUE TO INTEGRATED RESISTORS. THIS DOES NOT INCREASE QUIESCENT CURRENT OF THE PART TA = –40ϒC TA = 25ϒC TA = 85ϒC 9 LT3585-3 SWITCH CURRENT (mA) 1.5 2µs/DIV LT3585-0/LT3585-1/LT3585-2/LT3585-3 のスイッチのブレークダウン電圧 スイッチの DC 電流制限 * VSW 10V/DIV 8 3585 G30 LT3585-0 のスイッチ波形 減少させた入力電流モード VSW 10V/DIV 7 7 6 5 4 3 2 0.3 1 0 –50 –30 –10 10 20 30 40 60 TEMPERATURE (ϒC) *DYNAMIC CURRENT LIMIT IS HIGHER THAN DC CURRENT LIMIT 80 3585 G35 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 SWITCH VOLTAGE (V) 3585 G36 3585f 7 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 ピン機能 IGBTIN（ピン 1） ：IGBTドライバのロジック入力。 このピンが 1.5Vより上にドライブされると、出力が H になります。 このピ ンが 0.5Vより低いと、 出力は L になります。 IGBTPWR（ピン2） ：IGBTドライバの電源ピン。品質の良いセ ラミック・コンデンサを使ってローカルにバイパスする必要が あります。IGBTドライバの最小動作電圧は2.5Vです。 GND（ピン3） ：グランド。 ローカル・グランド・プレーンに直接接 続します。 VIN（ピン4） ：入力電源ピン。品質の良いセラミック・コンデンサ を使ってローカルにバイパスする必要があります。VIN の最小 動作電圧は2.5Vです。 VBAT（ピン5）: バッテリ電源ピン。品質の良いセラミック・コン デンサを使ってローカルにバイパスする必要があります。VBAT の最小動作電圧は1.5Vです。 DONE（ピン6） ：オープンNPNコレクタの通知ピン。 目標の出 力電圧に達するとNPN がオンします。 このピンには適切なプル アップ抵抗または電流源が必要です。 CHRG/IADJ（ピン7） ：充電および入力電流調整ピン。 このピン が L（<0.3V）から H（>1.1V）に遷移すると、デバイスは電 力供給モードになります。目標の出力電圧に達するとデバイ スは出力の充電を停止します。 このピンをトグルすると充電が 再開されます。 シャットダウンするにはグランドに接続します。 入力電流削減モードに入るには、このピンの電圧を H （>1.1V）より上にドライブしてからフロートさせます（詳細に ついてはこのデータシートの「動作」のセクションを参照）。通 常モードに入るには、電圧を1.6Vより上にドライブします。 SW（ピン8） ：スイッチ・ピン。 これは内部 NPN パワースイッチの コレクタです。 このピンに接続されるメタルトレースの面積を 小さくしてEMIを抑えます。 トランスの1 次側の片方をこのピン に接続します。 目標の出力電圧はトランスの巻数比によって設 定されます。 次式にしたがって巻数比 Nを選択します。 N= VOUT + 2 31.5 ここで、VOUT は目標の出力電圧です。 IGBTPD（ピン9） ：IGBTゲートのプルダウン出力。 このピンを IGBTゲートに接続します。直列抵抗を追加してターンオフ時 間を長くし、IGBTを保護します。 IGBTPU（ピン10） ：IGBTゲートのプルアップ出力。 このピンは IGBTのゲートに接続します。 露出パッド （ピン11） ：グランド。 ローカル・グランド・プレーン に直接接続します。 3585f 8 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 ブロック図 4 VIN CHIP POWER VBAT – + – + UVLO A4 + Q R Q2 UVLO + R1 2.5k A2 7 2 1 CHRG/IADJ VOUT COMPARATOR – 1.25V REFERENCE + – 130mV S R SWITCH Q LATCH DRIVER Q1 + A1 20mV – +– RM GND IGBTPU IGBT DRIVE CIRCUITRY COUT VARIABLE DELAY RESET DOMINANT ONE SHOT IGBTPWR IGBTIN + A3 Q1 ENABLE Q S SW DCM COMPARATOR Q3 MASTER LATCH • R2 60k 1.5V MAX 2.5V MAX A5 8 – DONE 5 VOUT SECONDARY C2 6 • PRIMARY C1 VIN D1 T1 TO BATTERY IGBTPD 3 10 9 3585 F01 LT3585-3, RM = 12mΩ LT3585-0, RM = 17mΩ LT3585-2, RM = 24mΩ LT3585-1, RM = 36mΩ 図 1． 3585f 9 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 動作 LT3585シリーズのデバイスは不連続導通モードの端で動作 します。CHRG/IADJ が 1.1Vより上にドライブされると、マスタ ラッチがセットされます。 これにより、デバイスがイネーブルさ れて電力をフォトフラッシュ・コンデンサに供給します。 パワー スイッチ （Q1） がオンすると、トランスの1 次側の電流が増加し 始めます。所期の電流レベルに達すると、コンパレータA1 の 出力が H になり、Q1を制御するスイッチラッチをリセットし、 DCMコンパレータの出力が L になります。 これでQ1 がオフ し、SWノードのフライバック波形が VOUT に比例したレベル まで急速に上昇します。2 次側電流は高電圧ダイオード（D1） を通り、 フォトフラッシュ・コンデンサに流れます。2 次側の電流 がゼロに減衰すると、SWピンの電圧は急落します。 この電圧 が VBAT の130mV 上に達すると、A3の出力が H になります。 これによりスイッチラッチがセットされ、パワースイッチ （Q1） が 再度オンします。 このサイクルが目標のVOUT レベルに達する まで繰り返されます。 目標のVOUT に達するとマスタ・ラッチが リセットし、DONEピンが L になります。 LT3585シリーズの回路の入力電流は、CHRG/IADJピンの電 圧を変えることにより減らすことができます。 このピンが1.1V∼ 1.4Vのとき、A3 が H になったときからスイッチ・ラッチがセッ トされるまでの遅延時間が追加されます（図 2を参照）。 デバ 通常動作 CHRG/IADJ ≥ 1.6V IPRI イスがイネーブルされており、CHRG/IADJピンがフロート状 態だと、 内部回路がこのピンの電圧を1.28Vにドライブします。 このため、 （スリーステートにすることができる）単一のI/Oポー ト・ピンにより、 デバイスを入力電流削減モードにすることがで きるとともに、デバイスをイネーブルまたはディスエーブルする ことができます。 この特長により、フライバック・トランスへの平 均入力電流が効果的に減少します。VBAT の増加に伴って遅 延の大きさが減少します。 このため、減少した平均入力電流は VBAT の変化に対して比較的平坦に保たれます。CHRG/IADJ が 1.6Vより上になると、遅延は追加されません。CHRG/IADJ ピンの機能を図 3に示します。 VBATとVIN の両方に低電圧ロックアウト（UVLO）が備わっ ています。 これらのピンの片方がそのUVLO 電圧より低くなる と、DONEピンが L になります。VBAT またはVIN のバイパス・ コンデンサが不十分だと、ピンのリップルによりUVLO が起動 して充電が停止する可能性があります。 データシートのアプリ ケーション回路には、ほとんどのアプリケーションに適した値 が示されています。 LT3585 シリーズは IGBTドライバも内蔵しています。2 つの 出力ピン（IGBTPUとIGBTPD）があります。IGBTPUピンは IGBTのゲートをプルアップするのに使われます。 これは速く行 なってキセノンランプの適切な発光を保証します。 このピンは IGBTのゲートに直接接続します。IGBTPDピンは別にピン配 置してあるので、ピンとIGBTのゲートの間の直列抵抗を柔軟 に選択することができます。 この抵抗を使ってIGBT のターン オフを遅くすることができます。 TIME VSW VOUT 100V/DIV TIME 減少した入力電流 DONE 2V/DIV CHRG/IADJ Three Stated IPRI CHRG/IADJ 2V/DIV TIME VSW LT3585-1 VBAT = 3.6V COUT = 50μF Extra Delay Added (~5.2μs at VBAT = 4.2V) <0.3V TIME 3585 F02 図 2. 通常動作の波形および減少した入力電流の波形 THREE STATE* 1sec/DIV CHRG/IADJ ピンの状態 3V <0.3V * CHRG/IADJ ピンを 1.1V より上にし、 3V <0.3V 3585 F03 次いでフロートさせる必要がある 図 3. 基本動作 3585f 10 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 アプリケーション情報 適したデバイスの選択 （LT3585-0/LT3585-1/LT3585-2/LT3585-3） LT3585シリーズの 4 つのバージョンの唯一の相違点はピー ク電流レベルです。最高速の充電時間を望むなら、LT3585-3 を使います。LT3585-1はピーク電流能力が最も低く、バッテ リ流出を小さく制限する必要のあるアプリケーション向けに 設計されています。LT3585-1はピーク電流が低いので、物理 的に小さなトランスを使用することができます。LT3585-0と LT3585-2の電流制限はLT3585-1とLT3585-3の電流制限の 中間です。 トランスの設計 フライバ ック・トラン ス は LT3585-0/LT3585-1/LT3585-2/ LT3585-3の設計において常に主要な要素です。 これは、デバ イスのどのピンにも過大な電流や電圧を生じないように、注意 深く設計してチェックする必要があります。設計する必要のあ る主なパラメータを表 1に示します。設定する必要のある最初 のトランスのパラメータは巻数比（N） です。LT3585-0/LT35851/LT3585-2/LT3585-3はSWピンのフライバック波形をモニタ することによって出力電圧を検出します。SW 電圧が VBAT 電 圧よりも31.5V 高いレベルに達すると、デバイスは電力供給を 停止します。 このように、Nを選択すると目標とする出力電圧が 設定され、出力からSWピンに反射される電圧の振幅利得が 変化します。次式にしたがってNを選択します。 N= VOUT + 2 31.5 ます。 このように、320V の出力の場合、Nは322/31.5（つまり 10.2）にします。300Vの出力の場合は、302/31.5（つまり9.6） に等しいNを選択します。設定する必要のある次のパラメータ は1 次側インダクタンスLPRI です。次式にしたがってLPRI を選 択します。 LPRI ≥ VOUT • 200 • 10 – 9 N • IPK ここで、VOUT は目標の出力電圧です。Nはトランスの巻数比 です。IPK は 1.4（LT3585-0）、0.7（LT3585-1）、1（LT3585-2） および2（LT3585-3） です。LPRIは、LT3585シリ-ズがフライバッ ク波形に対して応答する十分な時間を与えるため、この値以 上にする必要があります。他の全てのパラメータは表 1に示さ れている推奨リミット値に合致するか、それを超える必要があ ります。特に重要なパラメータは漏れインダクタンスLLEAK で す。LT3585シリーズのパワースイッチがオフするとき、トランス の１次側の漏れインダクタンスにより、SWピンに電圧スパイ クが生じます。SWピンの絶対最大定格は60Vですが、このス パイクの高さは50Vを超えてはいけません。60V の絶対最大 定格はDCブロッキング電圧の規格値で、パワー NPNを流れ る電流はゼロであると仮定しています。図 8の回路（LT3585-0） の SW 電圧波形を図 4に示します。SWピンの絶対最大定格 を超えていないことに注意してください。VOUT が目標出力電 圧に近い状態が SW 電圧の最悪条件なので、必ずこの状態 で SW 電圧波形をチェックしてください。 スイッチをオフすると きのSW 電圧の個々のリミットを図 5に示します。 ここで、VOUT は目標の出力電圧です。分子の数字 2は出力ダ イオード両端の順方向電圧降下を含めるために使われてい 表1． トランスの推奨パラメータ パラメータ 名称 LPRI 1次側インダクタンス 標準範囲LT3585-0 標準範囲LT3585-1 標準範囲LT3585-2 標準範囲LT3585-3 >5 >10 >7 >3.5 LLEAK 1次側漏れインダクタンス N 2次/1次巻数比 VISO ISAT 単位 µH 100 to 300 200 to 500 200 to 500 100 to 300 nH 8 to 12 8 to 12 8 to 12 8 to 12 2次から1次への絶縁電圧 >500 >500 >500 >500 V 1次側飽和電流 >1.6 >0.8 >1.0 >2 A RPRI 1次側巻線抵抗 <300 <500 <400 <200 mΩ RSEC 2次側巻線抵抗 <40 <80 <60 <30 Ω 3585f 11 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 アプリケーション情報 表的磁気部品メーカー数社と協力してきました。 これらのいく つかのトランスの詳細を表 2に示します。 出力ダイオードの選択 整流ダイオードは逆電圧定格と順方向電流定格が十分な低 容量タイプにします。 ダイオードに加わるピーク逆電圧はおお よそ次式で与えられます。 VSW 10V/DIV VPK(R) = VOUT + (N • VBAT) VBAT = 3.6V VOUT = 320V ダイオードのピーク電流は簡単に計算できます。 3585 F04 100ns/DIV 図 4. LT3585 の SW 電圧の波形 B 60V より下で なければならない A 50V より下で なければならない VSW 0V 3585 F05 図 5．新しいトランスの設計チェック 漏れインダクタンスを非常に低いレベルにまで下げないこと が重要です。漏れインダクタンスを非常に低いレベルに下げ るとSWピンの漏れスパイクは非常に低くなるでしょうが、トラ ンスの寄生容量が大きくなるでしょう。 こうなると、フォトフラッ シュ回路の充電時間に悪影響を与えます。 リニアテクノロジー は、LT3585-0/LT3585-1/LT3585-2/LT3585-3と一緒に使用す るように予め設計されたフライバック・トランスを製造する代 IPK(SEC) = 2 (LT3585-3) N IPK(SEC) = 1.4 (LT3585-0) N IPK(SEC) = 1 (LT3585-2) N IPK(SEC) = 0.7 (LT3585-1) N 図 8 の回路で VBAT が 5V のとき、VPK(R) は 371V、IPK(SEC) は 137mAです。 ほとんどのアプリケーションにはGSD2004Sのデュ アル・シリコン・ダイオードを推奨します。 いくつかのダイオードと その仕様を表 3に示します。必要な逆方向ブレークダウン電圧 を達成するのに十分な個数のダイオードを使います。 コンデンサの選択 入力バイパス・コンデンサには高品質のX5RまたはX7Rのタ イプを使います。 デバイスの電圧定格が十分であることを確認 します。 表2．予め設計されているトランス̶注記がない限り、標準仕様 使用対象 トランスの名称 LT3585-1 LT3585-0/ LT3585-2 SBL-5.6S-1 SBL-5.6-1 LT3585-1 LT3585-0 LT3585-1 LT3585-2 LT3585-3 LT3585-0 LT3585-1 LT3585-2 LT3585-3 寸法 L H) (mm) LPRI (µH) LPRI LEAKAGE (nH) N RPRI (mΩ) RSEC (Ω) 5.6 × 8.5 × 3.0 5.6 × 8.5 × 4.0 24 10 400 Max 200 Max 10.2 10.2 305 103 55 26 LDT565620ST-203 LDT565630T-001 LDT565630T-002 LDT565630T-003 LDT565630T-041 5.8 × 5.8 × 2.0 5.8 × 5.8 × 3.0 5.8 × 5.8 × 3.0 5.8 × 5.8 × 3.0 5.8 × 5.8 × 3.0 8.2 6 14.5 10.5 4.7 390 Max 200 Max 500 Max 550 Max 150 Max 10.2 10.4 10.2 10.2 10.4 370 Max 100 Max 240 Max 210 Max 90 Max 11.2 Max 10 Max 16.5 Max 14 Max 6.4 Max TTRN-0530-000-T TTRN-0530-012-T TTRN-0530-021-T TTRN-0530-022-T 5.0 × 5.0 × 3.0 5.0 × 5.0 × 3.0 5.0 × 5.0 × 3.0 5.0 × 5.0 × 3.0 6.6 16.0 11.8 4.0 200 Max 400 Max 300 Max 300 Max 10.3 10.3 10.3 10.3 128 Max 515 Max 256 Max 102 Max 28 Max 32 Max 37 Max 16 Max (W メーカー Kijima Musen Hong Kong Office 852-2489-8266 TDK Chicago Sales Office (847) 803-6100 www.components.tdk.com Tokyo Coil Engineering Japan Office 0426-56-6262 3585f 12 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 アプリケーション情報 2.0 1.8 1.6 1.4 FALL TIME (µs) IGBTIN 1V/DIV IGBTOUT 2V/DIV 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 IGBTPWR = 5V COUT = 4000pF RPD = 50Ω 3585 F06 500ns/DIV 0 デバイス 最大逆電圧（V） 50 100 RPD (Ω) 200 150 3585 F07 図 6. 4000pF 負荷での IGBTドライバの出力 表3．推奨出力ダイオード 0 図 7. IGBTターンオフ遅延とRPD 最大連続順方向電流（mA） 容量（pF） 225 5 Vishay (402) 563-6866 www.vishay.com 2 × 300 225 5 Central Semiconductor (631) 435-1110 www.centralsemi.con 2 × 350 225 5 Diodes, Inc (816) 251-8800 www.diodes.com GSD2004S (DUAL DIODE) 2 × 300 CMSD2004S (DUAL DIODE) MMBD3004S (DUAL DIODE) IGBTドライブ IGBTはフォトフラッシュ・ランプを流れる100A 余りの電流の 高電流スイッチです。赤目効果を軽減するには、つまり光出力 を調節するには、フォトフラッシュ・コンデンサを完全に放電 する前にIGBTを使ってランプ電流を停止または抑制する必 要があります。IGBTデバイスはフォトフラッシュ・ランプのキ セノン・ガスをイオン化するのに必要な4kVのトリガ・パルス も制御します。IGBTドライバとして機能するLT3585-0を使っ た、全機能の揃ったフォトフラッシュ・アプリケーションの回 路図を図 8に示します。IGBTドライバはゲート容量を充電し てフラッシュをスタートさせます。IGBTは本来動作が遅いの で、IGBTドライバはゲートを高速で引き上げる必要はありま せん。IGBTのゲートを充電してトリガ・パルスを発生するには 2µsの立ち上がり時間で十分です。 これより遅い立ち上がり時 間では、必要な4kVのパルスを発生するのにトリガ回路のエッ ジが十分速くなりません。IGBTドライバの立ち下がり時間は IGBTの安全動作にとって重要です。IGBTゲートは、図 9に示 メーカー されているように、抵抗とコンデンサのネットワークです。 ゲー ト端子が L になると、端子に最も近い容量は L になります が、端子から離れた容量は H のままです。 このため、デバイス の小さな部分が電流の大きな部分を処理するため、デバイス を破壊することがあります。 プルダウン回路はIGBT のゲート の内部 RC 時定数よりもゆっくりプルダウンする必要がありま す。 これは、IGBTPDピンに直列に接続した抵抗によって容易 に実現されます。 LT3585シリーズの内蔵 IGBTドライブ回路は充電機能から 独立しており、その電力をIGBTPWRピンから得ます。 ドライブ は IGBTPWR の 200mV 以内にプルアップし、100mV にプル ダウンします。 この回路のスイッチング波形を図 6に示します。 立ち上がり時間と立ち下がり時間は4000pF の出力コンデン サを使用して測定します。IGBTPWR が 5Vで、IGBTIN が 5V の信号でドライブされるとき、10% から90% の標準立ち上が り時間は320nsです。90% から10%の標準立ち下がり時間は 180nsですが、図 7に示されているように、RPD によって変化し 3585f 13 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 アプリケーション情報 電流が 10mAを超えないように、出力を0.8Vより下にクランプ します。 プルアップ・ネットワークは、IGBTIN が 1.5Vより大き いとき常にアクティブです。 ストローブ・アプリケーション向け の推奨 IGBTデバイスを表 4に示します。注記されていない限 り、これらのデバイスは全て8ピンTSSOP パッケージで供給さ れます。 ます。IGBTドライバには IGBTをドライブしているとき50mA のピーク電流とわずかな消費電流が流れます。L 状態では、 初期過渡の間アクティブ・プルダウン・ネットワークが使われま すが、内部時定数が経過した後アクティブではなくなります。 こ れにより、IGBTドライバの消費電流は、アイドル状態の間約 0.1µAに低下します。 プルダウン回路は、 そのアイドル状態の間 表4．推奨IGBT デバイス ドライブ電圧（V） CY25CAH-8F* CY25CAJ-8F* CY25BAH-8F CY25BAJ-8F GT8G133 ブレークダウン電圧（V） コレクタ電流（パルス） （A） メーカー 2.5 4 2.5 4 400 400 400 400 150 150 150 150 Renesas (408) 382-7500 www.renesas.com 4 400 150 Toshiba Semiconductor (949) 623-2900 www.semicon.toshiba.co.jp/eng *8ピンVSON-8 パッケージ 危険 高電圧！ 高電圧技術者のみ操作可 VBAT 2 AA OR 1 TO 2 Li-Ion T1 1:10:2 1 C1 4.7μF 2 VBAT C3 0.22μF 320V 4 •5 SW DONE VIN 5V • D1 + C2 50μF PHOTOFLASH CAPACITOR R1 1M C4 2.2μF 600V A TRIGGER T GND 1 CHRG/IADJ LT3585-0 VIN 2 FLASHLAMP 3 C IGBTPWR IGBTIN IGBTPU IGBTPD TO GATE OF IGBT RPD 20Ω TO 160Ω 3585 F08 図 8．複雑なキセノンランプ回路 GATE 3585 F09 EMITTER 図 9．IGBT ゲート 3585f 14 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 アプリケーション情報 基板のレイアウト これらのデバイスは高電圧で動作するので、基板のレイアウト には細心の注意が必要です。 レイアウトに注意を払わないと 記載されているとおりの性能を得られません。推奨部品配置 を図 10に示します。2 次側の高電圧端の面積をできるだけ小 さくします。回路基板のブレークダウン電圧の要件を満たす ため、すべての高電圧ノードには最小間隔より広い間隔がと られていることに注意してください。C1、T1 の 1 次側、および LT3585シリーズのICで形成される電気経路はできるだけ短 くすることが必要です。 この経路を不注意に長くすると、T1の IGBTIN C1 TO GATE OF IGBT VBAT 10 IGBTPWR 2 9 GND 3 VIN 4 7 5 6 11 R2 T1 D1 (DUAL DIODE) • 1 • THERMAL VIAS 漏れインダクタンスが実効的に増加し、SWピンに過電圧状 態を生じるおそれがあります。CHRG/IADJピンのトレースはで きるだけ短くし、SWピンの隣接するトレースのエッジを最小 に抑えます。 これにより、SWピンの急峻な過渡の間にCHRG/ IADJピンが誤ってトグルするのが防がれます。露出パッド（ピ ン11）の下にサーマル・ビアを追加して、LT3585の熱性能を 改善します。 これらのビアはグランド・プレーンの広い領域に 直接接続するようにします。 サーマル・ビア/グランド・プレーン はヒートシンクとして機能し、 デバイスの動作温度を下げます。 8 VOUT PHOTOFLASH CAPACITOR VBAT R1 C2 3585 F10 GND DONE CHRG 図 10．LT3585 の推奨レイアウト 3585f 15 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 標準的応用例 VBAT 1.5V TO 8V T1 1:10.4 C1 4.7µF D1 320V • + • DONE CHARGE VIN 2.5V TO 8V R1 100k VBAT COUT PHOTOFLASH CAPACITOR SW DONE GND CHRG/IADJ LT3585-0 VIN C2 0.22µF IGBTPWR IGBTIN IGBTPU IGBTPD TO GATE OF IGBT R2 20Ω TO 160Ω 3585 F11 C1: 4.7µF, 10V, X5R OR X7R C2: 0.22µF, 10V, X5R OR X7R COUT: RUBYCON 330V, 50µF PHOTOFLASH OUTPUT CAPACITOR (FW SERIES) D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES R1: PULL-UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED T1: TDK LDT565630T-001, LPRI = 6µH, N = 10.4 図 11．LT3585-0フォトフラッシュ・チャージャは高さ3mm の高効率トランスを使用 VBAT 1.5V TO 8V T1 1:10.2 C1 4.7µF DONE CHARGE VIN 2.5V TO 8V C2 0.22µF 320V • • R1 100k D1 VBAT + COUT PHOTOFLASH CAPACITOR SW DONE GND CHRG/IADJ LT3585-1 VIN IGBTPWR IGBTIN IGBTPU IGBTPD R2 20Ω TO 160Ω TO GATE OF IGBT 3585 F12 C1: 4.7µF, 10V, X5R OR X7R C2: 0.22µF, 10V, X5R OR X7R COUT: RUBYCON 330V, 50µF PHOTOFLASH OUTPUT CAPACITOR (FW SERIES) D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES R1: PULL-UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED T1: LTD565620ST-203, LPRI = 8.2µH, N = 10.2 図 12．LT3585-1フォトフラッシュ・チャージャは高さ2mm の高効率トランスを使用 3585f 16 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 標準的応用例 VBAT 1.5V TO 8V T1 1:10.2 C1 4.7µF D1 320V • + • R1 100k DONE CHARGE VIN 2.5V TO 8V C2 0.22µF VBAT COUT PHOTOFLASH CAPACITOR SW DONE GND CHRG/IADJ LT3585-2 VIN IGBTPWR IGBTIN IGBTPU IGBTPD TO GATE OF IGBT R2 20Ω TO 160Ω 3585 F13 C1: 4.7µF, 10V, X5R OR X7R C2: 0.22µF, 10V, X5R OR X7R RUBYCON 330V, 50µF PHOTOFLASH OUTPUT CAPACITOR (FW SERIES) D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES R1: PULL-UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED T1: TDK LDT565630T-003, LPRI = 10.5µH, N = 10.2 図 13．LT3585-2 は高さ3mm の高効率トランスを使用 VBAT 1.5V TO 8V T1 1:10.4 C1 4.7µF DONE CHARGE VIN 2.5V TO 8V C2 0.22µF 320V • • R1 100k D1 VBAT + COUT PHOTOFLASH CAPACITOR SW DONE GND CHRG/IADJ LT3585-3 VIN IGBTPWR IGBTIN IGBTPU IGBTPD R2 20Ω TO 160Ω TO GATE OF IGBT 3585 F14 C1: 4.7µF, 10V, X5R OR X7R C2: 0.22µF, 10V, X5R OR X7R RUBYCON 330V, 50µF PHOTOFLASH OUTPUT CAPACITOR (FW SERIES) D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES R1: PULL-UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED T1: TDK LDT565630T-041, LPRI = 4.7µH, N = 10.4 図 14．LT3585-3 は高さ3mm の高効率トランスを使用 3585f 17 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 標準的応用例 LT3585シリーズは、図 15に示されている追加回路を使って、 オートリフレッシュすることができます。 その基本動作を図 16 に示します。ENABLEピンはオートリフレッシュ充電モード をイネーブルまたはディスエーブルするのに使います。 オート リフレッシュ回路なしでは、出力コンデンサと出力ダイオード のリーク電流により、出力電圧が垂下します。図 15の回路は DONEピンとCHRG/IADJピンを使って、開ループ制御方式 を形成します。 出力電圧の目標値は、U1のPFET（パナソニッ クのUP04979 複合トランジスタ）を使い、DONEピンを通して R1 5k 1/10W 0402 ENABLE TO CHRG/IADJ 6 4 U1 5 1 2 VIN R3 100k 1/10W 0402 TO DONE 3 RT 100k CT 0.1 F 3585 F15 検出されます。VOUT のトリップ状態の間 DONEピンが L に なっているとき、PFET が RTとCT で構成されているオートリフ レッシュ・タイミング・ノードを充電し、次いで、NFETによって CHRG/IADJピンを L に引き下げ、LT3585シリーズのデバイ スをディスエーブルします。 シャットダウン状態になるとDONE ピンが直ちに H になり、 タイミング・ノードを解放するので、 ピ ン2とピン3の電圧が減衰します。約 RTCT 時定数に相当する 時間が経過した後、CHRG/IADJピンが解放され、LT3585シ リーズのデバイスがイネーブルされます。 このサイクルが繰り返 されて一定のDC 出力電圧が維持されます。開ループ制御方 法により、制御ループの支配的時定数（RT • CT） は次のように 制約されます。 R TC T > 2 • IPK 2 • LPRI ILK • VBAT ここで、ILK は既知のリーク電流、IPK はトランスのピーク1 次 側電流、LPRI はトランスの1 次側インダクタンスです。 この条件 が満たされないと暴走する可能性があります。LT3585シリー ズのデバイスは、内部出力トリップ電圧を過ぎても出力電圧を 充電し続けるでしょう。RTとCT が適切に選択された標準的 オートリフレッシュ回路のACリップルを図 17に示します。 U1: PANASONIC UP04979 COMPOSITE TRANSISTORS 図 15． オートリフレッシュ・アプリケーション VOUT 100V/DIV VOUT 2V/DIV AC RIPPLE CHRG/IADJ 2V/DIV CHRG/IADJ 2V/DIV ENABLE 2V/DIV LT3585-1 COUT = 50µF LT3585-1 COUT = 50µF 2sec/DIV ENABLE > 1.1V AUTO ENABLE ENABLE NORMAL OP. REFRESH <0.3V >1.1V ENABLE < 0.3V 200ms/DIV 3585 F17 図 17． オートリフレッシュ・モードでの VOUT の ACリップル ENABLE < 0.3V 3585 F16 AUTO REFRESH 図 16． オートリフレッシュの基本動作 3585f 18 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 パッケージ DDBパッケージ 10ピン・プラスチックDFN（3mm 2mm） （Reference LTC DWG # 05-08-1722 Rev Ø） 0.64 ±0.05 (2 SIDES) 0.70 ±0.05 2.55 ±0.05 1.15 ±0.05 パッケージの外形 0.25 ± 0.05 0.50 BSC 2.39 ±0.05 (2 SIDES) 推奨する半田パッドのピッチと寸法 3.00 ±0.10 (2 SIDES) R = 0.05 TYP R = 0.115 TYP 6 0.40 ± 0.10 10 2.00 ±0.10 (2 SIDES) ピン 1 バー トップマーキング （NOTE 6 を参照） 0.200 REF 0.75 ±0.05 0.64 ± 0.05 (2 SIDES) 5 0.25 ± 0.05 0 – 0.05 PIN 1 R = 0.20 OR 0.25 45 CHAMFER 1 (DDB10) DFN 0905 REV Ø 0.50 BSC 2.39 ±0.05 (2 SIDES) 露出パッドの底面 NOTE: 1. 図は JEDEC パッケージ・アウトライン MO-229 のバージョンのバリエーション として提案。 （WJGD-2） 2. 図は実寸とは異なる 3. 全ての寸法はミリメートル 4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない。 モールドのバリは （もしあれば）各サイドで 0.15mm を超えないこと 5. 露出パッドは半田メッキとする 6. 網掛けの部分はパッケージのトップとボトムのピン 1 の位置の参考に過ぎない 3585f リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は 一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料は あくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。 19 LT3585-0/LT3585-1 LT3585-2/LT3585-3 標準的応用例 VBAT 1.5V TO 8V T1 1:10.3 C1 4.7µF DONE CHARGE VIN 2.5V TO 8V C2 0.22µF 320V • • R1 100k D1 VBAT + COUT PHOTOFLASH CAPACITOR SW DONE GND CHRG/IADJ LT3585-3 VIN IGBTPWR IGBTIN IGBTPU IGBTPD R2 20Ω TO 160Ω TO GATE OF IGBT 3585 F18 C1: 4.7µF, 10V, X5R OR X7R C2: 0.22µF, 10V, X5R OR X7R COUT: RUBYCON 330V, 50µF PHOTOFLASH OUTPUT CAPACITOR (FW SERIES) D1: VISHAY GSD2004S DUAL DIODE CONNECTED IN SERIES R1: PULL-UP RESISTOR NEEDED IF DONE PIN USED T1: TOKYO COIL TTRN-0530-022-T, LPRI = 4µH, N = 10.3 図 18．LT3585 の標準的アプリケーション 関連製品 製品番号 概要 注釈 LTC 3407 デュアル600mA（IOUT）、1.5MHz同期整流式降圧 DC/DCコンバータ 96%の効率、VIN：2.5V∼5.5V、VOUT：0.6V∼5V、IQ = 40µA、 コンバー タのISD <1µA、10ピンMSE/10ピンDFN パッケージ LT3420/LT3420-1 自動トップオフ、VIN：2.2V ∼ 1.4A/1A、 フォトフラッシュ・コンデンサ・チャージャ、 220μFを5Vから320Vまで3.7 秒で充電、 16V、IQ = 90µA、ISD < 1µA、10ピンMS/10ピンDFN パッケージ 自動トップオフ充電付き LTC3425 3A（IOUT）、8MHz、4フェーズ同期整流式昇圧 DC/ DCコンバータ 95%の効率、VIN：0.5V ∼ 4.5V、VOUT：2.4V ∼ 5.25V、 IQ = 12µA、ISD < 1µA、32ピン5mm 5mm QFNパッケージ LTC3440 600mA（IOUT）、同期整流式昇降圧 DC/DC コンバータ 95%の効率、VIN：2.5V ∼ 5.5V、VOUT：2.5V ∼ 5.5V、 コンバータの IQ = 25µA、ISD < 1µA、10ピンMS/10ピンDFNパッケージ LT3463/LT3463A CCDバイアス用デュアル昇圧（250mA）/ 反転（250mA/400mA）DC/DCコンバータ ショットキー・ダイオードを内蔵、VIN：2.4V ∼ 15V、 VOUT(MAX) = 40V、CCDバイアス用DC/DCコンバータ、IQ = 40µA、 ISD < 1µA、10ピンDFN パッケージ LT3468 ThinSOTTM パッケージのフォトフラッシュ・ コンデンサ・チャージャ 3.6Vで110μFを4.6 秒で320Vまで充電、VIN：2.5V ∼ 16V、 IQ = 5mA、ISD < 1µA、5ピンTSOT-23パッケージ LT3472 CCDバイアス用デュアル 34V、1.2MHz 昇圧 （350mA）/ 反転（400mA）DC/DCコンバータ ® ショットキー・ダイオードを内蔵、VIN：2.2V ∼ 16V、 VOUT(MAX) = 34V、CCDバイアス用DC/DCコンバータ、IQ = 2.8mA、 ISD < 1µA、10ピンDFN パッケージ LT3484-0/LT3484-1 LT3484-2 フォトフラッシュ・コンデンサ・チャージャ 3.6Vで110μFを4.6 秒で320Vまで充電、LT3484-0 VIN：2.5V ∼ 16V、 VBAT：1.8V ∼ 16V、IQ = 5mA, ISD < 1µA、6ピン2mm 3mm DFNパッ ケージ LT3485-0/LT3485-1 LT3485-2/LT3485-3 出力電圧モニタとIGBTドライブを内蔵したフォト フラッシュ・コンデンサ・チャージャ 100μFコンデンサを3.6Vから320Vまで2.5 秒で充電、 VIN：1.8V ∼ 10V、IQ = 5mA, ISD < 1µA、10ピン3mm 3mm DFNパッ ケージ ThinSOTはリニアテクノロジー社の商標です。 3585f 20 リニアテクノロジー株式会社 〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F TEL 03- 5226-7291 ● FAX 03-5226-0268 ● www.linear-tech.co.jp LT 0706 • PRINTED IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2006