Comments
Description
Transcript
「先端デバイス研究部門 2012年度 先端研究セミナー
東京理科大学総合研究機構先端デバイス研究部門主催 「先端デバイス研究部門 ２０１２年度 先端研究セミナー」 プログラム 日時 ： 2012年12月15日(土) 13:00-17:15 場所 ： 東京理科大学 野田キャンパス カナル会館 時 間 12:30 13:00 13:05 13:15 13:25 13:35 13:45 14:00 14:10 14:20 14:30 14:40 区 分 整理 番号 発 表 者 受付開始 はじめに O-01 O-02 研究室紹介 O-03 O-04 (休憩込2時間) O-05 カナル会館 ３階 大会議室 O-06 O-07 O-08 O-09 大川和宏 出浦桃子 岡村総一郎 趙新為 藤代博記 部門長 大川研 岡村研 趙研 藤代研 岩下太輔 飯田努 西尾圭史 杉山 睦 安藤研 飯田研 西尾研 杉山研 大川研 大川研 大川研 P-04 中村修二，大川和宏 大川研 高加速ストレス試験(HAST)装置を用いた窒化物系LEDに関する研究 P-05 増田一輝，内田大介，山本智博，大川 和宏 P-06 井上卓哉 P-07 大江緑 P-08 宮本徳二 P-09 三上那津子 P-10 長澤翔太 P-11 折井辰行 P-12 佐藤良春 P-13 田中春輝 P-14 博田祥徳 P-15 大塚尚之 P-16 小畑努 P-17 田中翔太、手塚琢朗、山口竜典 P-18 大槻卓也 P-19 相沢豊 P-20 大兼俊貴 P-21 加藤幹大、宇木権一 P-22 岡本純平、牧島裕里恵、西聡美 P-23 岡本透、荻田太郎 P-24 藤野陽、 清酒泰介 P-25 佐藤宗一 P-26 張紹偉 P-27 坂倉秀徳、 Sharon Lynn Jaspin P-28 森賢志、久富一真、永易京 P-29 橋本龍一、 中村文香、 川出大祐 P-30 西田明央 P-31 永井佑太郎 P-32 戸島拓也、原和也 P-33 戸島拓也、原和也 P-34 古仲佑太朗、高木祐介 P-35 吉木圭佑 大川研 西尾研 西尾研 西尾研 西尾研 西尾研 岡村研 岡村研 岡村研 岡村研 岡村研 趙研 趙研 趙研 趙研 趙研 趙研 趙研 趙研 杉山研 杉山研 杉山研 杉山研 杉山研 杉山研 藤代研 藤代研 藤代研 藤代研 藤代研 藤代研 InGaNによる可視光を利用した受光素子 Cubic ZrMo2O8-ポリイミドコンポジット材料の作製と評価 放電プラズマ焼結法を用いたCu-ZrW2O8サーメット材料の作製 ナノ構造Mg2Si熱電変換材料の作製と熱電変換性能の向上 NaxCo2O4熱電変換特性に与えるNa量と結晶相に関する研究 熱電変換材料CuAlO2セラミックスの作製と高密度化 強誘電体の電気光学効果の評価 金属薄膜のプラズモン吸収 FIBによるPZTアイランド作製とその特性評価 MOCVD法により酸化物薄膜の作製 強誘電体系薄膜における自発分極とリーク電流の関係 透過型太陽電池開発II 透過型太陽電池開発I 希土類添加酸化物半導体を用いたLED開発 希土類添加酸化物半導体の局所構造解析 カーボンコータを用いたグラフェンの作製 有機溶媒を用いたグラフェンの作製とAFM陽極酸化微細加工 Mn添加磁性半導体薄膜の磁気特性とLLGシミュレーション 酸化亜鉛系薄膜を用いた光触媒効果 有機原料を用いたCuIn(S,Se)2薄膜の成長過程解析 安価な太陽電池実現のためのCu2SnS3薄膜の硫化成長 アモルファスZn-Sn-Oバッファ層を用いたCIGS太陽電池の試作 インピーダンス法を用いたCIGS太陽電池の劣化機構の検討 硫化法によるSnS系太陽電池の試作 可視光透過型太陽電池に向けたNiO:Cu薄膜の成長 III-V DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響に関する理論的解析 量子補正モンテカルロ法による 歪みInSb HEMTの遅延時間解析 P-36 辻匠哉 飯田研 P-37 大當友美子 飯田研 P-38 添田紗耶 飯田研 P-39 大野陽太 飯田研 林秀樹，金子大志，菊池麻子，長沢敏勝、 ポスター発表 （2時間15分) 15:00 カナル会館 ３階 ﾎﾟｽﾀｰﾙｰﾑ 本セミナーの主旨 窒化物半導体デバイスの作製と評価 強誘電体/GaN積層構造の作製と評価 希土類添加酸化物半導体の可能性 次世代ナノ電子デバイスの開発 休憩 （15分） 自己触媒成長法を導入したCBD法によるZnS薄膜の作成と評価 自動車排熱利用における熱電発電 負の熱膨張を示すZrW2O8セラミックスの作製 太陽電池研究開発の将来展望 休憩 MOVPE窒化物結晶成長の計算解析 GaN基板を用いた窒化物半導体LED 窒化物LED照明の実現へ向けた演色性シミュレーション P-01 岡本尚也，塩濱健一，出浦桃子，大川和宏 P-02 新間理夏，出浦桃子，大川和宏 P-03 岸川秀顕，大川和宏 17:15 タ イ ト ル 傾斜 Field-Plate構造 AlGaN/GaN HEMT の遅延時間の発生メカニズムに関する理論的検討 PZT/GaN MFS構造における分極のヒステリシス特性に関する理論的解析 次世代高周波デバイス実現に向けたInSb系HEMTの作製と評価 Ga誘起Si(111)再構成表面上GaSbナノ構造の成長形態の温度依存性 Incorporation of a transition metal binder to assist sintering scalability of n-type Mg2Si using a plasma activated sintering method Thermoelectric properties and durability at elevated temperatures of transition metal doped Mg2Si Electrical properties and durability of transition metal silicide electrodes adapted for n-type Mg2Si prepared by a monobloc sintering method Investigation of a thermal and stress characteristics of a Mg2Si uni-leg thermoelectric power generator 終 了