Why Sonnet?

SONNET ®
3D Planar EM Analysis Leader
Why Sonnet?
High Accuracy
SONNETは平面多層構造の高周波電磁界シミュレータです．
閉空間モーメント法を用いるSONNETでのモデル抽出誤差は
一貫して1%以下であり、0.1% 未満の誤差で矛盾なく再現可
能な唯一の高周波電磁界シミュレータです。KHzからTHzに
わたるRFIC interconnect、MMIC そして高密度実装分野
で，SONNETは20年以上にわたって信頼されてきました．
Stands Alone or in Your Design Flow
電磁界シミュレータを使いこなすことは簡単ではありま
せん． SONNETなら自由に使える無料版 SONNET Lite
と日本語の詳しい入門書そして多くの書籍ですぐにト
レーニングを始めることができます． さらにモデル作成
の各段階ごとにアドバイスを指し示すクイックスタート
ガイド，そしてもちろんオンラインヘルプと直感的なデ
ザインが初心者の悩みを解消します．
また，主要な高周波 CAE設計環境とのインターフェースが
用意されています．
• Cadence® Virtuoso®
• Agilent EEsof EDA’s Advanced Design System (ADS)*
• Applied Wave Research’s Microwave Office® (MWO)
* MWO™およびADS™とのインターフェースはSONNET Liteで直ぐに試すこと
ができます．
* A GENESYS™インターフェース for SONNETは Agilent EEsof EDA から入
手可能です。
HIGH FREQUENCY
ELECTROMAGNETIC SOFTWARE
SONNET ®
Advanced EM Port Technologies
高周波測定において測定値からコネクタやプローブの影響を
取り除くための校正が重要なことは言うまでもありません．
高周波電磁界シミュレータにおいても，電磁界シミュレｰショ
ンモデルと外部の回路とを接続するポートの影響は取り除か
なければなりません．
SONNETは100dBを越えるSパラメータのダイナミックレン
ジを実現するために，競合製品の中で最も厳密な校正手法を
採用しています． さらにSONNET独自のCo-Calibrated
Internal Portは，電磁界シミュレーションモデルの内部に配
置されるICや能動素子と接続するためのポートに対しても精
密な校正を実現し，非線形やタイムドメインのシミュレー
ションを行う回路シミュレータとの厳密なインターフェース
が可能になりました．
3
A
4
あるいは，電磁界シミュレーションモデルに含まれる多くの
直列あるいは並列のチューニング素子を Co-Calibrated
Internal Portを介して回路シミュレータ中のモデルにすれば
高速なチューニングや最適化が可能になります．解析の98%
を電磁界シミュレーションで，チューニングと最適化を回路
シミュレータで行うわけで，電磁界シミュレーションの厳密
な解析を回路シミュレーションのスピードで利用できるので
す．
A
Extraction Models for Time and Frequency Domain
SONNETは，電磁界解析の結果から先進的な回路シミュレータ
に適したモデルを抽出することができます．
• S, Y, Zパラメータファイル - ほとんどの高周波回路シミュ
レータで利用できるTouchstoneとCadenceフォーマット．
C1
• π型SPICEモデル - ポート間の相互インダクタンス(結合係
数)を含んだSPICEで利用できるπ型等価回路のネットリスト．
小規模な回路網に適します．
R1
L1
C12
L2
C2
R12
G2
R2
• 広帯域SPICEネットリスト - 全周波数領域の電磁界解析結果
を再現する複雑な等価回路のSPICE可読なネットリスト．
• 結合線路行列モデル – Cadence® Spectre® で利用できるN
coupled transmission lineのRLGC行列です．
3D Planar EM Analysis Leader
Desktop Parallel Processing
もしひとつのCPUパッケージに実装されている複数のCPUコ
アを数値計算に効果的に利用できるなら CPUコアの数に比例
した処理速度の向上が期待できます． しかしこれはシミュ
レータの負荷の大きな部分を占める行列演算では容易なこと
ではありません．
SONNETはプロセッサ技術の進化に合わせ、計算負荷を効率
的に複数のCPUコアに分散するプログラムの改良をすすめて
来ました． 2013年の32CPUコアまでCPUコアにほとんど比
例した処理速度の向上が実現できています．
さらに高速な解析が必要な場合は解析周波数ごとにjobを分散
するemCluster® も用意されています．
Efficient Modeling of Thick Conductors
SONNETは 自動的に 電磁界シミュレーションモデルのセル
要素をまとめて，大きなサブセクションを生成します．
Adaptive Meshは必要ありません．このアルゴリズムは20年
以上，そして現在も継続的に改良が続けられており， 精度と
速度を注意深くバランスしています． 例えば導体の端部には
自動的に微細なセルが配置され導体損失や結合の効果を精密
に再現します．
シリコン基板上のスパイラルインダクタの様に特にＱや導体
損失が重要な場合は Thick Metal Model が，表皮効果，近接
効果に基づく導体内の電流密度分布から測定すら困難な高周
波損失を表現します．
多角形や曲線導体の精密な解析に必要な膨大な数の解析要素
は， SONNETが特許を受けたConformal Meshing技法で劇
的に単純化され，しかも 大きな多角形要素を使う手法より強
固で精密なシミュレーションが実現されます．
SONNET ®
3D Planar EM Analysis Leader
Fast Data Sweeps with Adaptive Band Synthesis
SONNETの Adaptive Band Synthesis(ABS) は，モデルの周
波数特性を， 非常に少ない周波数ポイントでの電磁界シミュ
レーション結果から合成します． 合成されたデータの精度
は，いわゆる "補間" の理論から想像できる精度とは桁違いに
精密です． さらに，この手法は，1デカードを越える広い周波
数範囲の周波数スイープにも適用しても，帯域内でダイナミッ
クレンジや精度の低下がありません． 複雑で急峻な周波数特
性を持つ問題ではSONNET以外の選択肢は考えられないで
しょう．
Components - Surface Mount Devices in EM
部品はEMプロジェクトに埋め込まれる電気モデルオブジェク
トです．SONNETの新しいCo-calibrated Port技術により，
理想L,C,R，表面実装デバイス(SMD)のSパラメータモデル
ファイル，を部品として扱うことができます．
もちろん部品のパッドの寄生的な影響は厳密に処理されます．
Learn More
使用期限の無い無料版SonnetLiteとそれを使った入門書はソネット技研のWebサイト
www.SonnetSoftware.co.jp からダウンロードできます．
日本代理店 : 有限会社ソネット技研
[email protected]
043-463-6663
開発元 : Sonnet Software, Inc.
100 Elwood Davis Road North
Syracuse, NY, USA, 13212
HIGH FREQUENCY
ELECTROMAGNETIC SOFTWARE
©2013 Sonnet Software, Inc.
Sonnet®, em® and emCluster® are registered trademarks and the Sonnet logo is a trademark of Sonnet Software, Inc.
AWR and Microwave Office are registered trademarks and the AWR logo is a trademark of Applied Wave Research, Inc.
Cadence and Virtuoso are registered trademarks and the Cadence logo is a trademark of Cadence Design Systems, Inc.
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