LT1001 - 高精度オペアンプ - Linear Technology

LT1001
高精度オペアンプ
特長
n
n
n
n
n
n
保証された低オフセット電圧
LT1001AM
15µV（最大）
LT1001C
60µV（最大）
保証された低ドリフト
LT1001AM
0.6µV/℃（最大）
LT1001C
1.0µV/℃（最大）
保証された低バイアス電流
LT1001AM
2nA（最大）
LT1001C
4nA（最大）
保証されたCMRR
LT1001AM
114dB（最小）
LT1001C
110dB（最小）
保証されたPSRR
LT1001AM
110dB（最小）
LT1001C
106dB（最小）
低消費電力
LT1001AM
75mW（最大）
LT1001C
80mW（最大）
低ノイズ：0.3µVp-p
LT®1001は高精度オペアンプの技術水準を飛躍的に向上させ
るデバイスです。設計、製造プロセス、およびテストにおいて、
いくつかの主要パラメータの分布全体を最適化することに特
に重点が置かれました。その結果、最も低価格のコマーシャ
ル温度グレード・デバイスであるLT1001Cの仕様は、競合する
他の同等グレードの高精度アンプに比べて大幅に改善されて
います。
すべてのユニットの入力オフセット電圧は基本的に50µV未満と
なっています（下の分布図を参照）。このため、LT1001AM/883
を15µVで規定することができました。LT1001Cは、入力バイア
ス電流、オフセット電流、同相除去、および電源除去が優れ
ているため、以前は高価なグレードの高いデバイスでしか実
現できなかった保証性能を達成しています。消費電力は、ノ
イズや速度の性能に影響を与えることなく、最も一般的な高
精度オペアンプのほぼ半分になっています。低消費電力の副
産物として、ウォームアップ・ドリフトが低下しています。また、
LT1001の出力ドライブ能力も強化されており、電圧利得は
10m Aの負荷電流で保証されています。これと同様の性能を
有し、
マッチング仕様が保証されているデュアル高精度オペア
ンプについては、LT1002を参照してください。プラチナ抵抗温
度計のアプリケーションを下図に示します。
アプリケーション
n
n
n
n
L、LTC および LT はリニアテクノロジー社の登録商標です。
熱電対アンプ
ストレイン・ゲージ・アンプ
低レベル信号処理
高精度データ収集
標準的応用例
オフセット電圧の
標準分布
VS = 15V、TA = 25 C
線形化されたプラチナ抵抗温度計
（0 C∼100 Cの範囲で 0.025 C精度）
1MEG.**
+15
R plat. †
1k = 0oC
1.2k**
10k*
2
–
LM129
200
GAIN
TRIM
1Mf
2
6
LT1001
3
20k
330k*
10k*
+
3
90k*
* ULTRONIX 105A WIREWOUND
** 1% FILM
† PLATINUM RTD
118MF (ROSEMOUNT, INC.)
20k
OFFSET TRIM
–
LT1001
+
6
OUTPUT
2007
LINEARITY
TRIM
0 TO 10V =
0 TO 100oC
10k*
‡ Trim sequence: trim offset (0oC = 1000.07),
trim linearity (35oC = 1138.77), trim gain
(100oC = 1392.67). Repeat until all three
points are fixed with p0.025oC.
NUMBER OF UNITS
n
概要
954 UNITS
FROM THREE RUNS
150
100
50
0
–60
–40
0
20
40
–20
INPUT OFFSET VOLTAGE (MV)
60
1001 TA02
1001 TA01
1001fb
LT1001
絶対最大定格
（Note 1）
電源電圧.................................................................................±22V
差動入力電圧 .........................................................................±30V
入力電圧 .................................................................................±22V
出力短絡時間 ......................................................................無期限
動作温度範囲
LT1001AM/LT1001M（廃品）................................–55°C～150°C
LT1001AC/LT1001C .................................................0°C～125°C
保存：全デバイス .................................................–65°C～150°C
リード温度（半田付け、10秒）................................................ 300°C
パッケージ / 発注情報
ORDER
PART NUMBER
TOP VIEW
OFFSET ADJUST
8
1
V+
7
–
–IN 2
6 OUT
+
+IN
3
4
5
LT1001AMH/883
LT1001MH
LT1001ACH
LT1001CH
VOS
TRIM 1
TOP VIEW
–IN 2
–
7 V+
+IN 3
+
6 OUT
V– 4
ORDER
PART NUMBER
VOS
8 TRIM
LT1001ACN8
LT1001CN8
LT1001CS8
5 NC
N8 PACKAGE
8 PIN PLASTIC DIP
S8 PACKAGE
8 PIN PLASTIC SO
S8 PART MARKING
1001
TJMAX = 150°C, θJA = 130°C/W (N)
TJMAX = 150°C, θJA = 150°C/W (S)
NC
V– (CASE)
H PACKAGE METAL CAN
ORDER
PART NUMBER
LT1001AMJ8/883
LT1001MJ8
LT1001ACJ8
LT1001CJ8
J8 PACKAGE
8 PIN HERMETIC DIP
TJMAX = 150°C, θJA = 100°C/W (J)
TJMAX = 150°C, θJA = 150°C/W, θjc = 45°C/W
廃品パッケージ
廃品パッケージ
Consider the N8 and S8 Packages for Alternate Source
Consider the N8 and S8 Packages for Alternate Source
さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。
電気的特性
lは全動作温度範囲での規格値を意味する。
それ以外はTA = 25 Cでの値。注記がない限り、VS =
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
VOS
Input Offset Voltage
Note 2
∆VOS
∆Time
Long Term Input Offset Voltage
Stability
Notes 3 and 4
IOS
Input Offset Current
Ib
Input Bias Current
en
Input Noise Voltage
0.1Hz to 10Hz (Note 3)
en
Input Noise Voltage Density
fO = 10Hz (Note 6)
fO = 1000Hz (Note 3)
AVOL
Large Signal Voltage Gain
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
Rin
Input Resistance Differential Mode
LT1001AM/883
LT1001AC
MIN
TYP
MAX
LT1001AM/883
7
15
LT1001AC
10
25
0.2
0.3
±0.5
RL ≥ 2kΩ, VO = ±12V
RL ≥ 1kΩ VO = ±10V
VCM = ±13V
VS = ±3V to ±18V
15V。
LT1001M/LT1001C
MIN
TYP
MAX
UNITS
18
60
µV
1.0
0.3
1.5
µV/month
2.0
0.4
3.8
nA
±2.0
±0.7
±4.0
nA
0.3
0.6
0.3
0.6
µVp-p
10.3
9.6
18.0
11.0
10.5
9.8
18.0
11.0
nV√Hz
nV√Hz
450
300
800
500
400
250
800
500
V/mV
V/mV
114
126
110
126
dB
110
123
106
123
dB
30
100
15
80
MΩ
1001fb
LT1001
電気的特性
lは全動作温度範囲での規格値を意味する。それ以外はTA = 25 Cでの値。注記がない限り、
VS =
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
Input Voltage Range
VOUT
Maximum Output Voltage Swing
LT1001AM/883
LT1001AC
MIN
TYP
MAX
LT1001M/LT1001C
MIN
TYP
MAX
±13
±13
±14
±13
±12
RL ≥ 2kΩ
RL ≥ 1kΩ
15V、TA = 25 C。
±14
±13.5
SR
Slew Rate
RL ≥ 2kΩ (Note 5)
0.1
0.25
GBW
Gain-Bandwidth Product
(Note 5)
0.4
0.8
Pd
Power Dissipation
No load
No load, VS = ±3V
46
4
±13
±12
±14
0.25
0.4
0.8
75
6
V
±14
±13.5
0.1
UNITS
V
V
V/µs
MHz
48
4
80
8
mW
mW
LT1001M
TYP
注記がない限り、VS = 15V、–55 C ≤ TA ≤ 125 C
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
LT1001AM/883
TYP
MAX
MAX
UNITS
VOS
Input Offset Voltage
l
30
60
45
160
µV
∆VOS
∆Temp
Average Offset Voltage Drift
l
0.2
0.6
0.3
1.0
µV/°C
IOS
Input Offset Current
l
0.8
4.0
1.2
7.6
nA
IB
Input Bias Current
l
±1.0
±4.0
±1.5
±8.0
nA
AVOL
Large Signal Voltage Gain
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
RL ≥ 2kΩ, VO = ±10V
VCM = ±13V
VS = ±3 to ±18V
Input Voltage Range
MIN
MIN
l
300
700
200
700
V/mV
l
110
122
106
120
dB
l
104
117
100
117
dB
l
±13
±14
±13
±14
V
VOUT
Output Voltage Swing
RL ≥ 2kΩ
l
Pd
Power Dissipation
No load
l
±12.5
±13.5
±12.0
55
90
LT1001AC
TYP
MAX
±13.5
V
60
100
mW
LT1001C
TYP
MAX
UNITS
注記がない限り、VS = 15V、0 C ≤ TA ≤ 70 C
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN
MIN
VOS
Input Offset Voltage
l
∆VOS
∆Temp
Average Offset Voltage Drift
l
IOS
Input Offset Current
l
0.5
3.5
0.6
5.3
nA
IB
Input Bias Current
l
±0.7
±3.5
±1.0
±5.5
nA
AVOL
Large Signal Voltage Gain
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
RL ≥ 2kΩ, VO = ±10V
VCM = ±13V
VS = ±3 to ±18V
Input Voltage Range
110
µV
0.3
1.0
µV/°C
750
250
750
V/mV
l
110
124
106
123
dB
l
106
120
103
120
dB
l
±13
±14
±13
±14
V
Output Voltage Swing
RL ≥ 2kΩ
l
Power Dissipation
No load
l
Note 3：このパラメータはサンプル・ベースでのみテストされている。
30
0.6
300
Pd
Note 2：LT1001AM/883 および LT1001AC のオフセット電圧は、電源を投入しデバイスが完全
にウォームアップされてから測定される。他のグレードのデバイスはすべて、電源投入から
約 1 秒後に高速テスト装置を使って測定される。LT1001AM/883 には 125℃で 168 時間のバー
ンイン、または同等のテストが行われる。
60
0.2
l
VOUT
Note 1：絶対最大定格は、それを超えるとデバイスの寿命に悪影響を与える恐れがある値。
20
±12.5
±13.8
50
±12.5
85
±13.8
55
V
90
mW
Note 4：入力オフセット電圧の長期安定性は、動作開始後 30 日以降の長期にわたる VOS の
平均化トレンド・ラインと時間との関係を指す。初期動作時を除き、最初の 30 日間の V OS
の変化は標準で 2.5μV である。
Note 5：パラメータは設計により保証されている。
Note 6：10Hz でのノイズ電圧密度はロットごとにサンプル・テストで測定される。10Hz での
デバイスの全数テストは、要求に応じて実施可能。
1001fb
LT1001
標準的性能特性
ウォームアップ・ドリフト
50
40
265 UNITS
TESTED
60
40
20
LT1001
VS = p15V
30
OFFSET VOLTAGE (MV)
80
NUMBER OF UNITS
代表的なユニットの
オフセット電圧温度ドリフト
20
CHANGE IN OFFSET VOLTAGE (MV)
100
オフセット電圧温度ドリフトの
標準分布
LT1001A
10
0
LT1001A
–10
–20
LT1001
–30
VS = p15V
TA = 25oC
4
3
METAL CAN (H) PACKAGE
2
DUAL-IN-LINE PACKAGE
PLASTIC (N) OR CERDIP (J)
1
–40
–50
–50
–0.6 –0.2 0 +0.2 +0.6 +1.0
OFFSET VOLTAGE DRIFT (MV/oC)
–25
50
25
0
75
TEMPERATURE (oC)
1001 G01
0
125
100
100
10
10
VOLTAGE NOISE nV/•Hz
30
3
1/f CORNER
4Hz
VOLTAGE
10
1.0
1/f CORNER
70Hz
3
0.3
CURRENT NOISE pA/•Hz
TA = 25oC
VS = p3 TO p18V
5
1001 G03
ノイズ・スペクトル
0.1Hz∼10Hzノイズ
NOISE VOLTAGE 100nV/DIV
1
3
4
2
TIME AFTER POWER ON (MINUTES)
1001 G02
OFFSET VOLTAGE CHANGE (MV)
–1.0
代表的な4ユニットの長期安定性
5
0
–5
CURRENT
6
4
TIME (SECONDS)
8
10
1
0.1
1000
10
100
FREQUENCY (Hz)
1001 G04
1.2
0.6
1.0
BIAS CURRENT
0.4
0.2
–50 –25
OFFSET CURRENT
50
25
75
0
TEMPERATURE (oC)
100
125
1001 G07
3
2
TIME (MONTHS)
4
0.5
0
30
VCM
Ib
–
+
DEVICE WITH POSITIVE INPUT CURRENT
VS = p15V
TA = 25oC
–.5
–1.0
–1.5
–15
5
入力バイアス電流と
差動入力電圧
1.5
INPUT BIAS CURRENT (nA)
INPUT BIAS AND OFFSET CURRENTS (nA)
1.4
0.8
1
1001 G06
同相範囲での入力バイアス電流
VS = p15V
0
1001 G05
入力バイアス電流および
入力オフセット電流と温度
1.0
–10
INVERTING OR NON-INVERTING
INPUT BIAS CURRENT (mA)
2
0
1
DEVICE WITH NEGATIVE INPUT CURRENT
COMMON MODE
INPUT RESISTANCE = 28V = 280G7
0.1nA
–5
0
5
10
–10
COMMON MODE INPUT VOLTAGE
VS = p15V
TA = 25oC
20
10
IB z 1 nA to VDIFF = 0.7V
15
1001 G08
0
0.1
0.3
1.0
3.0
10
pDIFFERENTIAL INPUT (V)
30
1001 G09
1001fb
LT1001
標準的性能特性
開ループ電圧利得の周波数応答
利得および位相シフトと周波数
140
1000k
VS = p15V, VO = p12V
800k
VS = p3V, VO = p1V
600k
400k
200k
120
100
80
VS = p15V
60
40
VS = p3V
20
50
25
75
0
TEMPERATURE (oC)
100
125
–20
0.1
1
10
100 1k 10k 100k 1M 10M
FREQUENCY (Hz)
8
4
GAIN 125oC
–8
0.1
V– = –1.2 to –4V
0
50
25
75
TEMPERATURE oC
100
80
VS = p15V
TA = 25oC
60
40
125oC
1.0
12
OUTPUT SWING (V)
1.5
1
10
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1001 G16
100
NEGATIVE SUPPLY
80
POSITIVE SUPPLY
60
40
20
1
10
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
50
NEGATIVE SWING
8
POSITIVE SWING
0
100
300
1000
3k
LOAD RESISTANCE (7)
10k
1001 G17
100k
1001 G15
出力振幅と負荷抵抗
VS = p15V
TA = 25oC
p6 p9 p12 p15 p18 p21
SUPPLY VOLTAGE (V)
220
VS = p15V p1V p-p
TA = 25oC
120
0
0.1
1M
4
0.5
2
電源除去比と周波数
100
16
25oC
0.5
1
FREQUENCY (MHz)
1001 G14
2.0
p3
0.2
140
120
20
125
消費電流と電源電圧
–55oC
200
1001 G12
POWER SUPPLY REJECTION (dB)
+1.0
+0.8
+0.6
+0.4
+0.2
V–
–50 –25
V– = –12 to –18V
180
PHASE MARGIN –55oC = 63o
125oC = 57o
SHORT CIRCUIT CURRENT (mA)
SINKING
SOURCING
V+ = 12 to 18V
160
VS = p15V
140
V+ = 1.2 to 4V
140
GAIN 25oC & –55oC
0
同相除去比と周波数
同相限界値と温度
1001 G13
SUPPLY CURRENT (mA)
120
25oC
PHASE
MARGIN
= 60o
1001 G11
COMMON MODE REJECTION (dB)
COMMON MODE LIMIT (V)
REFERRED TO POWER SUPPLY
1001 G10
100
PHASE 25oC
12
–4
0
0
–50 –25
V+
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
16
TA = 25oC
VOLTAGE GAIN (dB)
OPEN LOOP VOLTAGE GAIN (dB)
OPEN LOOP VOLTAGE GAIN (V/V)
1200k
80
20
PHASE SHIFT (DEG)
開ループ電圧利得と温度
出力短絡電流と時間
40
–55oC
30
20
25oC
125oC
10
VS = p15V
–10
125oC
–20
25oC
–30
–55oC
–40
–50
0
1
3
4
2
TIME FROM OPUTPUT SHORT (MINUTES)
1001 G18
1001fb
LT1001
標準的性能特性
小信号過渡応答
100
電圧フォロワのオーバーシュート
と容量性負荷
VS = p15V
TA = 25oC
VIN = 100mV
RL > 50k
80
PERCENT OVERSHOOT
小信号過渡応答
60
40
20
0
100
AV = +1, CL = 50pF
10,000
1000
CAPACITIVE LOAD (pF)
100,000
AV = +1, CL = 1000pF
1001 G19
1001 G21
1001 G20
OUTPUT VOLTAGE, PEAK-TO-PEAK (V)
28
最大無歪み出力と周波数
閉ループの出力インピーダンス
100
VS = p15V
TA = 25oC
24
OUTPUT IMPEDANCE (7)
大信号過渡応答
20
16
12
8
4
0
1
10
100
FREQUENCY (kHz)
使用上の注意事項とテスト回路
LT1001シリーズのユニットは、外付けの周波数補償部品やヌ
ル化部品の有無に関わらず、OP-07、OP-05、725、108Aまたは
101Aのソケットに直接挿入することができます。ヌル化回路を
取り去れば、LT1001は741、LF156、またはOP-15のアプリケー
ションにも使用することができます。
LT1001は 3V∼ 18Vの広い電源電圧範囲で仕様が規定さ
れています。 1.2Vまでの低い電源電圧での動作が可能です
（ニッカド電池2個）。ただし、 1.2V電源の場合、閉ループ利
得が＋2以上（または反転利得が1以上）でなければデバイス
は安定しません。
AV = 1000
1
AV = +1
0.1
IO = p1mA
VS = p15V
TA = 25oC
0.01
0.001
1000
1
10
1k
100
FREQUENCY (Hz)
10k
1001 G23
1001 G22
アプリケーション情報
10
100k
1001 G24
適切な処置を講じないと、入力端子での異種金属の接触点
で生じる、温度勾配による熱電対効果により、アンプ本来のド
リフトを上回る大きなドリフトが発生することがあります。デバ
イスのリードの上方の気流を最小限に抑え、パッケージのリー
ドを短くし、2つの入力リードをできるだけ互いに近づけて同
じ温度に保つことが必要です。
オフセット電圧およびその温度ドリフトのテスト回路
*50k
+15V
2
1007
*
50k
*
–
+
3
7
LT1001
4
6
VO
* 熱電ポテンシャルの低い抵抗にする必要がある。
–15V ** LT1001では、電源電圧を±20Vに拡大して
この回路をバーンイン構成としても使用する。
VO = 1000VOS
1001 F01
1001fb
LT1001
アプリケーション情報
オフセット電圧の調整
LT1001の入力オフセット電圧とその温度ドリフトは、ウェハ・
テスト時に永久的なトリミングが施され、低レベルに抑えられ
ています。しかし、V OSをさらに調整する必要があるときは、
10kまたは20kのポテンショメータを使ってヌル化すれば温度
によるドリフトは増大しません。ゼロ以外の値に調整すると、
(VOS/300)µV/℃のドリフトが生じます。たとえば、VOSを300µV
に調整すると、ドリフトの変化は1µV/℃になります。10kまたは
20kのポテンショメータによる調整範囲は約 2.5mVです。よ
り細かい調整範囲が要求される場合、より小さいポテンショ
メータを固定抵抗と組み合わせて使うと、ヌル化の感度と分
解能を向上させることができます。下図の例では、ヌル範囲は
約 100µVです。
0.1Hz∼10Hzノイズのテスト回路
0.1MF
感度調整の改善
7.5k
+15V
1k
1
2
INPUT
3
–
+
電圧利得＝50,000
100k7
–
107
7.5k
8
LT1001
+
7
OUTPUT
6
2k7
LT1001
+
4.3k
LT1001
4.7 MF
DEVICE
UNDER
TEST
4
–15V
（ピーク・トゥ・ピーク・ノイズは10秒間隔で測定）
–
100k
1001 F02
22MF
SCOPE
s1
RIN = 1M7
2.2MF
110k
0.1 MF
24.3k
1001 F03
テストするデバイスは3分間ウォームアップさせ、気流から遮蔽
します。
DC安定化1000V/µ秒オペアンプ
2.2MF
TANTALUM
+15V
+
3007
3.9k
1N914
2N5486
0.1MF
2007*
200pF
2N5160
0.01MF
2N3866
337
1k
INPUT
RIN
1k
10k
15pF
3
2
+
LT1001
6
3907
2N3904
0.001MF
–
30k
22MF TANTALUM
2N4440
1.8k
30k
–15V
+
2N3904
0.57
OUTPUT
4707
0.57
227
2N5160
2N3906
0.01MF
2N3866
2N4440
22MF TANTALUM
200pF
1.2k
3.9k
15-60pF
TUSONIX # 519-3188
–
+
2007*
1N914
3007
0.1MF
–15V
1001 F04
1k
Rf
FULL POWER
BANDWIDTH 8MHz
**最良の方形波が
出力されるように調整
1001fb
LT1001
標準的応用例
フォトダイオード・アンプ
TTL出力を備えたマイクロボルト・コンパレータ
100pF
5V
39.27
1%
1.21M
1%
NON
INVERTING
INPUT
2
INVERTING
INPUT
3
7
–
4.99k
1%
8
LT1001
+
5k
5%
20k
5%
4
500k 1%
OUTPUT
2
L
2N3904
IN914
100pF
1001 TA04
高精度電流シンク
V+ = 2V to 35V
R
5V
VIN
5k
2
0 to (V– + 1V)
–
C
VIN
RCz 10–4
7
LT1001
+
1001 TA03
5k
+
OUTPUT
1V/MA
500k
1%
高精度電流源
3
6
LT1001
3
–5V
ヌル端子の1つに対する正帰還により5µV∼20µVの
ヒステリシスが発生する。入力オフセット電圧の
変化は、帰還により通常5µV以下に抑えられる。
–
6
3
2N3685
2
2N2219
4
7
+
0 to (V+ – 1V)
LT1001
–
6
2N3685
2N2219
4
10K
–5V
10k
1000pF
V– = –2 to –35V
V
IOUT = IN
R
V
IOUT = IN
R
R
1001 TA05
1001 TA06
ブリッジ励起付きストレインゲージ・シグナル・コンディショナ
15V
15V
8.2k
2k*
LM329
3
4.99k*
2
1007
+
LT1001
6
–
2k
REFERENCE OUT
TO MONITORING
A/D CONVERTER
2N2219
IN4148
3507 BRIDGE
3
*
301k
2
–
LT1001
3
+
6
+
LT1001
2
–
IN4148
2k
6
1MF
0V TO 10V
OUT
340k*
1.1k*
2N2907
1007
5W
–15V
10k
ZERO
GAIN
TRIM
*RN60C FILM RESISTORS
1001 TA07
1001fb
LT1001
標準的応用例
ワーストケースでの保証仕様の合計値を下表に示します。
ワーストケース精度が0.001％の
大信号電圧フォロワ
出力精度
LT1001AM
12V TO 18V
2
INPUT
–10V TO 10V
RS
0k TO 10k
7
–
LT1001
3
+
LT1001C
LT1001AM
/883
25 C
25 C
–55 to 125 C
Max.
Max.
Max.
Max.
15µV
60µV
60µV
110µV
20µV
40µV
40µV
55µV
20µV
30µV
30µV
50µV
18µV
30µV
36µV
42µV
電圧利得
22µV
25µV
33µV
40µV
ワーストケースの合計
95µV
185µV
199µV
297µV
0.0005%
0.0009%
0.0010%
0.0015%
誤差
6
オフセット電圧
OUTPUT
–10V TO 10V
バイアス電流
同相除去
4
電源除去
1001 TA08
–12V TO –18V
電圧フォロワは、LT1001が総合的に優れていることを示す最
適な例です。オフセット電圧、入力バイアス電流、電圧利得、
同相除去および電源除去による誤差に効果をもたらします。
LT1001C
/883
0 to 70 C
フルスケール誤差（％）
(=20V)
熱制御されたニッカド・チャージャ
15V
*
+ –
– +
BATTERY
AMBIENT
3
620k
–15V
7
+
LT1001
2
10V, 1.2A HR
NICAD STACK
IN4001
6
2k
–
2N6387
IN4148
4
–15V
回路は、
バッテリパックに搭載された
熱電対と環境熱電対の温度差を利用して
バッテリ充電電流を設定する。
ピーク充電電流は1A。
0.1MF
43k
107
0.67
5W
1MF
*
* 1点接地
熱電対は40µV/°C
クロメル-アルメル（K型）
*
1001 TA09
高精度の絶対値回路
10k
0.1%
INPUT
–10V TO 10V
10k
0.1%
2
3
IN4148
–
LT1001
+
10k
0.1%
10k
0.1%
2
6
3
IN4148
–
LT1001
+
6
OUTPUT
0V TO 10V
10k
0.1%
1001 TA10
1001fb
LT1001
標準的応用例
2つの出力を備えた高精度電源
（1）0V∼10V
（100μVステップで設定可能） （2）0V∼100V（1mVステップで設定可能）
22k*
43k*
1007 (SELECT)
2
15V
1007
5W
–
2k
LT1001
15V
3
6
+
2N2219
IN914
OUTPUT 1
0V-10V
25mA
8.2k
TRIAD TY-90
VN-46
LM399
DIODES =
SEMTECH #
FF-15
KVD
00000 –
99999 + 1
VN-46
KELVIN-VARLEY
DIVIDER
ESI#DP311
–15V
0.1MF
*JULIE RSCH. LABS
#R-44
25k
3
4MF
90k*
10k* (SELECT)
+
680pF
2
OUTPUT 2
0V-100V, 25mA
+
TRIM–100V
1007
2.2MF
–
D
CLK
6
LT301A
+
Q
Q
33k
2k
22MF
74C74
–
6
+
33k
33k
2N6533
2
LT1001
IN914
+
3
157
15V
15V
1.8k
15V
CLAMP SET
2N2907
5k
IN914
1001 TA11
デッドゾーン生成器
1個のデバイス
（Q2）
で両方の制限値を設定するので、
バイポーラ対称性が優れている
INPUT
Q4
100k**
100k**
2
3
100k
10k*
Q3
Q2
–
LM301A
+
VSET
DEAD ZONE
CONTROL INPUT
0V TO 5V
6
8
2k
1
2
30pF
2N4393
Q1
3
IN914
10k**
–
LT1001
6
+
15V
100k
15pF
2
3
–
LM301A
+
10k**
2
10k
3
6
4.7k
Q5
–
LT1001
6
VOUT
+
10k
2N4393
Q6
4.7k
15pF
3.3k
IN914
VSET
VOUT
1k
VIN
–15V
10
47pF
10k*
4.7k
* 1% FILM
** RATIO MATCH 0.05%
Q2, 3, 4, 5 CA 3096 TRANSISTOR ARRAY
VSET
1001 TA12
1001fb
LT1001
標準的応用例
同相範囲が 300V、CMRRが150dBを超える
計装アンプ
15V
8207
8207
3
+
10k
S1
6
LT1001
2
–
0.1MF
OUTPUT
+
330k*
S3
1MF**
INPUT
0.2MF**
9097*
S2
2007
GAIN
TRIM
S4
(ACQUIRE)
(READ)
01
02
OUT
OUT
A
74C906
IN
IN
74C04
2k*
74C86
1
C
4022
EN
2k*
2
6
CLK
R
10k
1k
+
3
–
2
LM301A
5.6k*
R1
0.1MF
1k
LM329
1) ALL DIODES IN4148
2) S1–S4 OPTO MOS SWITCH OFM-1A, THETA-J CORP.
3) *FILM RESISTOR
4) **POLYPROPYLENE CAPACITORS
5) ADJUST R1 for 93 Hz AT TEST POINT A
クロックで駆動されるフォトFETスイッチで
充電されるフライング・コンデンサにより、
高同相電圧の差動信号がシングルエンド
信号に変換されてLT1001の出力となります。
1001 TA13
1001fb
11
LT1001
回路図
V+ 7
6k
6k
8
1
40k
Q29
Q27
Q25
Q13
Q11
Q5
Q24
Q28
40k
Q14
1.5k
Q12
25k
Q6
3k
Q8
Q7
Q4
Q3
55pF
Q31
20pF
Q33
207
+
3
500
Q1A
Q1B
Q2B
30pF
Q2A
3k
Q21
–
2
207
Q15
1807
Q9
V–
4
Q19
Q32
Q22
T1
2k
Q20
Q17
2k
Q18
6
Q34
Q16
Q10
500
OUT
Q26
Q23
Q30
8k
1207
2407
1001 SS
1001fb
12
LT1001
パッケージ
Hパッケージ
8ピンTO-5メタルキャン
（.0.200インチPCD）
（Reference LTC DWG # 05-08-1320）
0.040
(1.016)
MAX
0.335 – 0.370
(8.509 – 9.398)
DIA
0.305 – 0.335
(7.747 – 8.509)
0.050
(1.270)
MAX
SEATING
PLANE
0.165 – 0.185
(4.191 – 4.699)
GAUGE
PLANE
0.010 – 0.045*
(0.254 – 1.143)
REFERENCE
PLANE
0.500 – 0.750
(12.700 – 19.050)
0.016 – 0.021**
(0.406 – 0.533)
45oTYP
0.028 – 0.034
(0.711 – 0.864)
0.027 – 0.045
(0.686 – 1.143)
PIN 1
0.200
(5.080)
TYP
0.110 – 0.160
(2.794 – 4.064)
INSULATING
STANDOFF
*LEAD DIAMETER IS UNCONTROLLED BETWEEN THE REFERENCE PLANE
AND 0.045" BELOW THE REFERENCE PLANE
0.016 – 0.024
**FOR SOLDER DIP LEAD FINISH, LEAD DIAMETER IS
(0.406 – 0.610)
H8(TO-5) 0.200 PCD 1197
廃品パッケージ
1001fb
13
LT1001
パッケージ
J8パッケージ
8ピンCERDIP（細型0.300インチ、ハーメチック）
（Reference LTC DWG # 05-08-1110）
CORNER LEADS OPTION
(4 PLCS)
0.005
(0.127)
MIN
0.023 – 0.045
(0.584 – 1.143)
HALF LEAD
OPTION
0.045 – 0.068
(1.143 – 1.727)
FULL LEAD
OPTION
0.405
(10.287)
MAX
8
7
6
5
0.025
(0.635)
RAD TYP
0.220 – 0.310
(5.588 – 7.874)
1
0.300 BSC
(0.762 BSC)
2
3
4
0.200
(5.080)
MAX
0.015 – 0.060
(0.381 – 1.524)
0.008 – 0.018
(0.203 – 0.457)
0o – 15o
NOTE: LEAD DIMENSIONS APPLY TO SOLDER DIP/PLATE
OR TIN PLATE LEADS
0.045 – 0.065
(1.143 – 1.651)
0.014 – 0.026
(0.360 – 0.660)
0.100
(2.54)
BSC
0.125
3.175
MIN
J8 1298
廃品パッケージ
1001fb
14
LT1001
パッケージ
N8パッケージ
8ピンPDIP（細型0.300インチ）
（Reference LTC DWG # 05-08-1510）
0.400*
(10.160)
MAX
8
7
6
5
1
2
3
4
0.255 p 0.015*
(6.477 p 0.381)
0.300 – 0.325
(7.620 – 8.255)
0.009 – 0.015
(0.229 – 0.381)
+0.035
0.325 –0.015
8.255
+0.889
–0.381
0.045 – 0.065
(1.143 – 1.651)
0.065
(1.651)
TYP
0.100
(2.54)
BSC
0.130 p 0.005
(3.302 p 0.127)
0.125
(3.175) 0.020
MIN
(0.508)
MIN
0.018 p 0.003
(0.457 p 0.076)
N8 1098
*これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まない
モールドのバリまたは突出部は0.010インチ
（0.254mm）
を超えないこと
1001fb
リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は
一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料は
あくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。
15
LT1001
パッケージ
S8パッケージ
8ピン・プラスチック・スモール・アウトライン
（細型0.150インチ）
(Reference LTC DWG # 05-08-1610)
0.189 – 0.197*
(4.801 – 5.004)
8
7
6
5
0.150 – 0.157**
(3.810 – 3.988)
0.228 – 0.244
(5.791 – 6.197)
SO8 1298
1
0.010 – 0.020
s 45o
(0.254 – 0.508)
0.008 – 0.010
(0.203 – 0.254)
0.053 – 0.069
(1.346 – 1.752)
0o– 8o TYP
0.016 – 0.050
(0.406 – 1.270)
0.014 – 0.019
(0.355 – 0.483)
TYP
*寸法にはモールドのバリを含まない
モールドのバリは各サイドで0.006インチ
（0.152mm）
を超えないこと
**寸法にはリード間のバリを含まない
リード間のバリは各サイドで0.010インチ
（0.254mm）
を超えないこと
2
3
4
0.004 – 0.010
(0.101 – 0.254)
0.050
(1.270)
BSC
1001fb
16
リニアテクノロジー株式会社
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F
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 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 1983