MB39C326 - Cypress Semiconductor

MB39C326
ASSP 電源用
6 MHz 同期整流昇降圧 DC/DC コンバータ IC
Data Sheet (Full Production)
Notice to Readers: 本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Cypress Semiconductor
Corp.は、本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更はない見込みです。ただ
し、誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。
Publication Number MB39C326_DS405-00001
CONFIDENTIAL
Revision 3.0
Issue Date June 19, 2015
D a t a S h e e t
データシートの呼称に関するお知らせ
Cypress Semiconductor Corp.では、開発, 認定, 初期生産, 量産といった製品のライフサイクルを通してお客
様に製品情報や本来の仕様をお知らせすることを目的に、Advance Information あるいは Preliminary という呼
称のデータシートを公開しております。ただし、いずれの場合においても、まずは最新の情報を入手してい
ることを確認した上で設計を完成させてください。Cypress データシートの呼称は以下の通りです。ぞれぞ
れの内容についてご確認をお願いします。
Advance Information
Advance Information という呼称は、Cypress Semiconductor Corp.が 1 つ以上の特定の製品を開発中であるが、
まだ生産を開始していないことを意味しています。この呼称が付いた文書に記載されている情報は変更され
ることがあり、場合によっては、製品の開発が中止となることもあります。したがって、Cypress Semiconductor
Corp.は、Advance Information に以下の条件を記載しています。
「本書には、Cypress Semiconductor Corp.が現在開発中の 1 つ以上の製品に関する情報が記載されて
おり、お客様が本製品を評価するのに役立てていただくことを目的としています。本製品を使用し
て設計される際にはあらかじめ弊社までご連絡ください。Cypress Semiconductor Corp.は本製品に関
する作業を予告なしに変更または中止する権利を留保します。
」
Preliminary
Preliminary という呼称は、製品開発が進み、製造契約が発生したことを意味しています。この呼称は、製品
認定, 初期生産、それに続く、量産に至る前の製造工程における後続フェーズなど、製品のライフサイクル
のいくつかの側面を網羅するものです。Preliminary のデータシートに記載されている技術仕様は、製造に関
するこれらの側面を検討し、変更されることがあります。Cypress Semiconductor Corp.は、Preliminary に以下
の条件を記載しています。
「本書には、弊社製品に関する、最新の技術仕様が記載されています。Preliminary とは、製品認定
が完了し、初期生産を開始した状態であることを意味しています。効率および品質の維持が必要と
なる生産工程のフェーズを経た結果、技術仕様に変更がある場合は、本書の次のバージョンまたは
修正版において改訂が行われることがあります。
」
呼称の組み合わせ
データシートの中には、各種呼称 (Advance Information, Preliminary, Full Production) の製品の組み合わせで
記載されているものがあります。このようなデータシートでは、必要に応じて、必ずこれらの製品やそれぞ
れの呼称を分かるように記載しています。通常は、先頭ページ, オーダ情報のページ, 電気的特性表と交流
消去およびプログラム表 (表の注釈内) を記載したページで分かります。先頭ページの免責事項で本通知に
ついて言及しています。
Full Production (呼称なし)
製品の生産開始後一定期間が経過し、わずかな変更のみで変更の必要がほぼない状態になると、Preliminary
の呼称はデータシートから削除されます。わずかな変更としては、速度オプション、動作温度範囲、パッケ
ージタイプ、VIO 電圧範囲の追加や削除など、入手可能な部品番号の注文数に影響を及ぼすものが挙げられ
ます。変更とは、説明を分かりやすく書き替えたり、誤字や誤った仕様を訂正したりする必要のあるもので
す。Cypress Semiconductor Corp.は、この種の文書に以下の条件を適用しています。
「本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Cypress Semiconductor Corp.は、
本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更はない見込みです。ただし、
誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。」
これらのデータシートの呼称に関してご不明な点がございましたら、最寄りの営業所までお問い合わせくだ
さい。
2
CONFIDENTIAL
MB39C326_DS405-00001-3v0-J, June 19, 2015
v1.2
MB39C326
ASSP 電源用
6 MHz 同期整流昇降圧 DC/DC コンバータ IC
Data Sheet (Full Production)
1.
概要
MB39C326 は、3G/GSM 携帯電話端末やほかの携帯用途の RF パワーアンプ(RFPA)用に設計された、高効率
で低ノイズ同期昇降圧型 DC/DC コンバータです。
2.
特長




高効率
:最大 93%
入力電圧範囲
: 2.5V ~ 5.5V
出力電圧調整可能範囲
: 0.8V ~ 5.0V
最大出力電流
(降圧, PWM モード)
(昇圧, PWM モード)
(降圧, パワーセーブモード,
ILIMSEL=H )
(昇圧, パワーセーブモード,
ILIMSEL=H )








: 1200 mA (VIN = 5.0V～5.5V, Vo = 5.0V 時)
: 1200 mA (VIN = 3.6V～5.5V, Vo = 3.6V 時)
: 1200 mA (VIN = 3.3V～5.5V, Vo = 3.3V 時)
: 900 mA (VIN = 3.7V～5.0V, Vo = 5.0V 時)
: 700 mA (VIN = 2.5V～3.6V, Vo = 3.6V 時)
: 800 mA (VIN = 2.5V～3.3V, Vo = 3.3V 時)
: 600 mA (VIN = 5.0V～5.5V, Vo = 5.0V 時)
: 600 mA (VIN = 3.6V～5.5V, Vo = 3.6V 時)
: 600 mA (VIN = 3.3V～5.5V, Vo = 3.3V 時)
: 500 mA (VIN = 3.7V～5.0V, Vo = 5.0V 時)
: 400 mA (VIN = 2.5V～3.6V, Vo = 3.6V 時)
: 500 mA (VIN = 2.5V～3.3V, Vo = 3.3V 時)
待機電流: 50 µA
6MHz の PWM 動作により 0.5 µH の小型インダクタ使用可能
昇圧, 降圧モードの自動変換
パワーセーブモードによる軽負荷電流時の効率改善
外付抵抗による出力電圧選択
過熱保護回路内蔵
低電圧誤動作防止回路内蔵
パッケージ: WL-CSP (20pin 0.4 mm-ball-pitch 2.15 × 1.94 mm)
オンラインデザインシミュレータ
Easy DesignSim
本製品は、回路動作や周辺部品をオンライン上で手軽に確認できるシミュレーショ
ンツールを提供しています。
下記、URL よりご利用ください。
http://www.spansion.com/easydesignsim/jp/
Publication Number MB39C326_DS405-00001
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Issue Date June 19, 2015
本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Cypress Semiconductor Corp.は、本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更
はない見込みです。ただし、誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。
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Table of Contents
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
4
CONFIDENTIAL
概要 ................................................................................................................................................ 3
特長 ................................................................................................................................................ 3
アプリケーション ........................................................................................................................... 5
端子配列図 ..................................................................................................................................... 5
端子機能説明 .................................................................................................................................. 5
ブロックダイヤグラム.................................................................................................................... 6
機能説明 ......................................................................................................................................... 7
絶対最大定格 .................................................................................................................................. 9
推奨動作条件 ................................................................................................................................ 10
電気的特性 ................................................................................................................................... 12
応用回路例 (RF パワーアンプ) .................................................................................................... 13
アプリケーションノート .............................................................................................................. 14
インダクタの選択 ......................................................................................................................... 16
入力コンデンサの選択.................................................................................................................. 16
出力コンデンサの選択.................................................................................................................. 16
熱情報........................................................................................................................................... 16
ボードレイアウトでの注意 .......................................................................................................... 17
標準動作特性例 ............................................................................................................................ 18
使用上の注意 ................................................................................................................................ 21
実装上の注意 ................................................................................................................................ 21
オーダ型格 ................................................................................................................................... 22
評価ボードオーダ型格.................................................................................................................. 22
RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合) ...................................................................... 23
製品捺印 ....................................................................................................................................... 23
製品ラベル ................................................................................................................................... 24
MB39C326PW 推奨実装条件 ....................................................................................................... 27
パッケージ・外形寸法図 .............................................................................................................. 28
主な変更内容 ................................................................................................................................ 29
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3.
アプリケーション




4.
1 セルバッテリのリチウムバッテリを電源とする製品
RF パワーアンプ
携帯電話
RF-PC カード, PDA
端子配列図
TOP VIEW
4
3
2
1
EN
ILIMSEL
VCC
XPS
GND
GND
GND
FB
VDD
SWOUT DGND
SWIN
VOUT
VDD
SWOUT DGND
SWIN
VOUT
D
E
A
5.
VSEL VSELSW
B
C
端子機能説明
端子番号
端子名
I/O
A4
EN
I
IC イネーブル入力端子(H: イネーブル, L: シャットダウン)
E3
FB
I
電圧フィードバック端子
機能
C3, D3, E4
GND
B4
ILIMSEL
I
インダクタピーク電流制限選択端子
B1, B2
SWOUT
I
インダクタ接続用端子
D1, D2
SWIN
I
インダクタ接続用端子
C1, C2
DGND
C4
VSEL
制御部/理論部 接地端子
電源接地端子
I
R3 を用いた出力電圧設定オプションを選択する端子
D4
VSELSW
A1, A2
VDD
I
DCDC コンバータ出力電圧用電力入力端子
A3
VCC
I
本 IC の制御回路に電力を供給する端子
B3
XPS
I
パワーセーブモード端子(H : PWM モード, L : パワーセーブモード)
E1, E2
VOUT
O
昇降圧コンバータ出力端子
出力設定抵抗 R3 接続端子
June 19, 2015, MB39C326_DS405-00001-3v0-J
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6.
ブロックダイヤグラム
L1
SWOUT
VDD
CIN
SWIN
SW1
VOUT
SW5
COUT
SW4
Current
Sensor
SW2
SW3
Vbatt
DGND
VCC
Gate Controller
EN
ILIMSEL
XPS
Device
Control
Over Temp
Protection
BGR
UVLO
Err
Amp
AGND
R1
FB
R3
R2
VSELSW
Oscillator
VSEL
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7.
機能説明
(1) ゲート制御回路
標準動作時、発振器の設定周波数 (6 MHz) によって、内蔵された 2 つの P-ch MOS FET と 2 つの
N-ch MOS FET の同期整流動作が制御されます。
(2) 誤差増幅器 (Error Amp) と位相補償回路
出力電圧の分圧 (フィードバック電圧) と基準電圧 (VREF) を比較します。本 IC は位相補償回路を
内蔵しており、本 IC を最適に動作できるように調節します。したがって、位相補償回路の検討が不
要です。また位相補償用の外部部品も必要ありません。
(3) バンドギャップ基準回路
高精密基準電圧は、BGR (バンドギャップ基準) 回路により生成します。
(4) 発振器
内部発振器はスイッチング周波数を設定するために 6MHz のクロック信号を出力します。
(5) 過熱保護回路
過熱保護回路は保護回路として内蔵されています。接合温度が+125°C になると、過熱保護回路はす
べての N-ch MOS FET と P-ch MOS FET をオフにします。また、接合温度が+110℃に下がると、本
IC は通常の動作をします。
(6) インダクタピーク電流制限回路 (電流センサ + デバイス制御)
インダクタピーク電流制限回路は VDD に接続された内蔵 P-ch MOS FET から外部インダクタに流れ
る電流 (ILX) を検出して、インダクタピーク電流(IPK)を制限します。
(7) パワーセーブモード動作
パワーセーブモードは軽負荷の効率を改善するために使用されます。XPS 端子を"L"レベルに設定す
ることで、パワーセーブモードになり、負荷電流に応じて PWM モードまたは、PFM モードで動作
します。このとき負荷電流が低い場合、本 IC は PFM (パルス周波数変調) で動作します。VOUT = 0.8V
より高くして使用しなければなりません。軽負荷時､出力電圧が設定値を下回ると数回スイッチング
が行われ出力電圧を上昇させます｡出力電圧が設定値まで達すると休止状態になり､4 つの FET はす
べて OFF となり､スイッチング損失と回路の消費電力が抑えられます。
パワーセーブモードでの休止時の消費電流は、50 μA 程度になります。
 機能表
XPS
ILIMSEL
PWM モード
H
L
パワーセーブモード
L
モード名
入力電圧範囲[V]
H
L
出力電圧範囲[V]
インダクタピーク電流
制限値(IPK) [A]
3.1
2.5
5.5
0.8
5.0
1.3
0.49
(注意事項) (XPS, ILIMSEL = H, H) の入力禁止。
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(8) EN ピン
EN ピンが"H"レベルにセットされた時デバイスは動作するようになります。EN ピンが GND にセッ
トされた場合、デバイスはシャットダウンモードになります。
EN ピンを"L"レベルにすると、シャットダウンモードになります。
シャットダウンモードでは、レギュレータはスイッチングを停止し、すべての FET スイッチはオフ
に切り換わり、負荷は入力から切り離されます。
(9) VSEL ピン
MB39C326 は、VSEL ピンと、追加の抵抗により、出力電圧を変更できる機能を備えています。
出力電圧設定については、
「12. アプリケーションノート」の出力電圧のプログラミング 2.の項を参
照してください。
(10) 昇降圧動作
MB39C326 は、新しく開発された PWM コントローラにより、VCC, VOUT の電圧をモニターし、降
圧, 昇圧いずれかのモードで動作します。
昇圧, 降圧の行ききが滑らか、かつ高効率で行うことが可能です。
降圧時(VCC>VOUT)は、SW1,SW2 がスイッチングを行い、SW3:OFF, SW4/5:ON に固定されます。
昇圧時(VCC<VOUT)は、SW1:ON, SW2:OFF に固定、SW3,SW4,SW5 がスイッチングを行います。
降圧, 昇圧の切換りの VCC, VDD の電圧は、負荷電流, 環境温度, プロセスのばらつきによって変化
します。
(11) 起動回路
MB39C326 は起動時、突入電流を押さえるためソフトスタート機能を備えています。
起動時間は、約 100 μs になります。
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8.
絶対最大定格
項目
記号
VMAX
電源電圧
VINMAX
信号入力電圧
許容損失
PD
保存温度
TSTG
VESDH
ESD 電圧
定格値
最小
最大
単位
VDD, VCC
-0.3
+7.0
V
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
-0.3
VDD + 0.3
V
Ta ≦ +25°C
人体帯電モデル
(100 pF, 1.5 kΩ)
-
1080
mW
-65
+150
°C
-2000
+2000
V
VESDM
マシンモデル (200 pF, 0Ω)
-200
+200
V
VESDD
デバイス帯電モデル
-1000
+1000
V
-
+95
°C
Tj-MAX
最大接合部温度
条件
-
＜注意事項＞
1. 絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを破壊する可能性が
あります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
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9.
推奨動作条件
項目
記号
条件
電源電圧
VDD
VDD, VCC
信号入力電圧
VIDD
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
V
-
1200
mA
-
1200
mA
VIN = 5.5, Vo = 3.6V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
1200
mA
VIN = 4.2, Vo = 3.6V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
1200
mA
VIN = 5.5, Vo = 3.3V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
1200
mA
VIN = 3.7, Vo = 3.3V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
1200
mA
VIN = 5.5, Vo = 2.0V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
1200
mA
VIN = 3.7, Vo = 2.0V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
1200
mA
VIN = 2.5, Vo = 2.0V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
1200
mA
VIN = 5.5, Vo = 1.2V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
700
mA
VIN = 3.7, Vo = 1.2V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
600
mA
VIN = 2.5, Vo = 1.2V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
600
mA
VIN = 5.5, Vo = 0.8V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
600
mA
VIN = 3.7, Vo = 0.8V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
500
mA
VIN = 2.5, Vo = 0.8V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
250
mA
Io (Max8)
VIN = 2.5V, Vo = 3.3V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
800
mA
Io (Max9)
VIN = 2.5V, Vo = 3.6V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
700
mA
VIN = 3.7V, Vo = 4.4V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
1000
mA
VIN = 2.5V, Vo = 4.4V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
700
mA
VIN = 3.7V, Vo = 5V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
900
mA
VIN = 2.5V, Vo = 5V, XPS = H, ILIMSEL = L
-
-
600
mA
Io (Max12)
VIN = 5.5, Vo = 5.0V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
600
mA
Io (Max13)
VIN = 5.5, Vo = 4.4V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
600
mA
VIN = 5.5, Vo = 3.6V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
600
mA
VIN = 4.2, Vo = 3.6V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
600
mA
VIN = 5.5, Vo = 3.3V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
600
mA
VIN = 3.7, Vo = 3.3V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
600
mA
VIN = 5.5, Vo = 2.0V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
600
mA
VIN = 3.7, Vo = 2.0V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
500
mA
VIN = 2.5, Vo = 2.0V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
500
mA
VIN = 5.5, Vo = 1.2V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
400
mA
VIN = 3.7, Vo = 1.2V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
300
mA
VIN = 2.5, Vo = 1.2V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
300
mA
VIN = 5.5, Vo = 0.8V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
400
mA
VIN = 3.7, Vo = 0.8V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
200
mA
Io (Max5)
Io (Max10)
Io (Max15)
出力電流(降圧時)
Io (Max16)
(ILIMSEL=H)
Io (Max17)
Io (Max18)
パワーセーブモード
V
VDD
-
Io (Max14)
出力電流(昇圧時)
5.5*
-
-
Io (Max11)
パワーセーブモード
3.7
0.0
VIN = 5.5, Vo = 4.4V, XPS = H, ILIMSEL = L
Io (Max7)
PWM モード
2.5 (*1)
VIN = 5.5, Vo = 5.0V, XPS = H, ILIMSEL = L
Io (Max6)
出力電流(昇圧時)
標準
Io (Max2)
Io (Max4)
PWM モード
最大
単位
最小
Io (Max1)
Io (Max3)
出力電流(降圧時)
規格値
VIN = 2.5, Vo = 0.8V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
200
mA
Io (Max19)
VIN = 2.5V, Vo = 3.3V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
500
mA
Io (Max20)
VIN = 2.5V, Vo = 3.6V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
400
mA
VIN = 3.7V, Vo = 4.4V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
600
mA
VIN = 2.5V, Vo = 4.4V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
350
mA
VIN = 3.7V, Vo = 5V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
500
mA
VIN = 2.5V, Vo = 5V, XPS = L, ILIMSEL = H
-
-
300
mA
VIN = 3.7, Vo = 3.3V, XPS = L, ILIMSEL = L
-
-
160
mA
Io (Max21)
(ILIMSEL=H)
Io (Max22)
出力電流(降圧時)
パワーセーブモード
Io (Max23)
(ILIMSEL=L)
10
CONFIDENTIAL
MB39C326_DS405-00001-3v0-J, June 19, 2015
v1.2
D a t a S h e e t
項目
記号
条件
規格値
単位
最小
標準
最大
-
-
60
mA
°C
出力電流(昇圧時)
パワーセーブモード
Io (Max24)
VIN = 2.5V, Vo = 5V, XPS = L, ILIMSEL = L
(ILIMSEL=L)
動作周囲温度
Ta
-
-40
-
+85
接合部温度範囲
Tj
-
-40
-
+95
°C
インダクタ値
L
-
-
0.5
-
µH
R1
-
-
620
-
kΩ
フィードバック抵抗値
*1: 設定条件によります｡ ｢7. 機能説明 (7) パワｰセｰブモード動作」の「■機能表」を参照してください。
＜注意事項＞
1. 推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の規格値は、す
べてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。
2. この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
3. データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証していません。
4. 記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相談ください。
June 19, 2015, MB39C326_DS405-00001-3v0-J
CONFIDENTIAL
11
v1.2
D a t a S h e e t
10. 電気的特性
電気的特性は推奨動作条件下での値です。
項目
記号
条件
VO
出力電圧範囲
標準
最大
0.8
-
5.0
V
490
500
510
mV
VLINE
IO = 0 ~ 800 mA
-
0.2
-
％
ロードレギュレーション
VLOAD
IO = 0 ~ 800 mA
-
0.3
-
％
XPS = H, ILIMSEL = L
2.50
3.10
3.75
A
XPS = L, ILIMSEL = H
1.05
1.30
1.60
A
XPS = L, ILIMSEL = L
0.36
0.49
0.60
A
5.2
5.8
6.4
MHz
-
-
2
μA
-
50
-
μA
-
63.5
84
-
124
175
-
82
116
-
123
164
-
51
72
-
135*
-
°C
インダクタピーク制限電流
IPK
発振周波数
fOSC
シャットダウン電流
ISD
静止時電流
IQ
-
単位
最小
ラインレギュレーション
フィードバック電圧
VFB
規格値
EN = L
EN = H, XPS = L,
VIN = 3.7 V, VO = 3.3 V,
IO = 0 mA
SW1
SW FET ON
抵抗
SW2
SW3
Rdson
SW4
VDD = 3.7 V, VO=3.3V,
Ta = +25°C
SW5
過熱保護
TOTPH
-
mΩ
TOTPL
-
-
110*
-
°C
UVLO
VUVLOH
-
1.9
2.0
2.1
V
スレッショルド電圧
VUVLOL
-
1.8
1.9
2.0
V
信号入力スレッショルド
VIL
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
0.0
-
0.25
V
電圧
VIH
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
1.5
-
VDD
V
ICTL
EN, XPS, VSEL, ILIMSEL
-
-
0.1
μA
信号入力電流
*: この値は規格値ではありません。設計する際の目安としてお使いください。
12
CONFIDENTIAL
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v1.2
D a t a S h e e t
11. 応用回路例 (RF パワーアンプ)
0.5µH
VBATT
CIN
10µF
SWOUT
SWIN
VDD
VOUT
VOUT
COUT
2.2µF
VCC
XPS
FB
EN
VSELSW
VSEL
ILIMSEL
AGND
PA
DGND
MB39C326
DAC
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13
v1.2
D a t a S h e e t
12. アプリケーションノート
出力電圧のプログラミング
出力電圧は下記の式 (1) を使って計算してください。
R1 の抵抗値は 620 kΩ のものを使用してください。この抵抗値にあわせて、内蔵の位相補償回路を作成して
います。
1. 選択可能な電圧オプション未使用
VO= VFB×
R1+R2
R2
(VFB = 500 mV)
L1
SWOUT
VBATT
VDD
CIN
SWIN
VO
VOUT
VCC
R1
EN
FB
XPS
COU T
R2
VSELSW
VSEL
ILIMSEL
DGND
GND
2. 選択可能な電圧オプション使用
VSEL=L 時
VO= VFB×
R1+R2
R2
VSEL=H 時
VO= VFB×
R1+(R2//R3)
R2//R3
L1
SWOUT
VBATT
CIN
VDD
VCC
EN
SWIN
R1
FB
R3
XPS
L または H
VSEL
CONFIDENTIAL
COU T
R2
VSELSW
ILIMSEL
GND
14
VO
VOUT
DGND
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v1.2
D a t a S h e e t
3. 動的に出力可変を行う場合
VO = -
R1
R3
×VDAC + VFB×(
R1
R3
+
R1
+1)
R2
(VFB = 500 mV)
SWOUT
VBATT
VDD
VCC
CIN
SWIN
VO
VOUT
R1
FB
EN
XPS
VSELSW
VSEL
R3
COU T
R2
ILIMSEL
DGND
GND
DAC
R1 = 620 kΩ, R2 = 110 kΩ, R3 = 330 kΩ に設定した場合の出力と DAC の関係
VO - DAC
4.50
4.00
3.50
VO (V)
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0.000
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
DAC電圧 (V)
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15
v1.2
D a t a S h e e t
13. インダクタの選択
推奨インダクタは、0.5 µH (0.47 µH) です。
高効率を得るには、低 ESR のインダクタを選択してください。
使用条件においてインダクタピーク電流が飽和電流の定格を超えないように注意してください。
インダクタピーク電流制限値(Ipk)も考慮してください。
ESR の高いものは、温度上昇の関係で流せる電流が低い場合がありますのでご注意ください。
以下は推奨インダクタになります。
Size
DCR[Ω]
Isat[A]
L[mm]
W[mm]
H[mm]
(max)
（-30%）
XPL2010-501ML
1.9
2.0
1.0
0.045
2.64
GLCHKR4701A
2.0
1.6
1.0
0.035
3.6
Vendor
Part #
Coilcraft
ALPS
Coilcraft : Coilcraft, Inc.
ALPS : Alps Green Devices Co., Ltd
14. 入力コンデンサの選択
少なくとも 10 μF の低 ESR セラミック・バイパス・コンデンサを VDD と GND の近くに配置することを推
奨いたします。
セラミックコンデンサはバイアスを加えると、実効容量が大きく減少するものがあります。
サイズの小さいもの、耐圧が低いものは、その傾向が大きい場合があります。メーカの部品特性を確認の上、
選択してください。
15. 出力コンデンサの選択
PWM モードにおける、出力コンデンサの標準推奨容量は 2.2 μF です。
パワーセーブモードで使用する場合は、PFM 動作でのリップル電圧を抑制するために、より大きな容量値
(22 μF 程度) のコンデンサを推奨します。
負荷変動での出力電圧降下を抑制する場合は、コンデンサの容量を大きくして調整してください。
リップルを小さく抑えるためには、低 ESR、大きい容量値のものを選択することが有効です。
16. 熱情報
許容損失は、最大 1080 mW になります。
熱抵抗(θja)は、65°C/W (JEDEC) でこの値からチップ温度を計算できます。
熱抵抗は JEDEC 規格のボードを使用するのを条件として算出されています。ボードの面積, ビアの打ち方
などによって値が変わってきますので、熱設計の際は考慮してください。
標準動作特性例の「許容損失 - 動作周囲温度」のグラフを参照してください。
16
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v1.2
D a t a S h e e t
17. ボードレイアウトでの注意
本 IC を安定させて動作させるためには、良好なボードレイアウトが必要となります。
周辺部品 入力容量 CIN, 出力容量 COUT は IC にできる限り近づけて配置し、その配線経路も最短にしてくだ
さい。
大電流が流れる経路、特に、電流が変化する経路は、なるべく表層で最短の配線を行ってください。
DGND と GND を分離して、GND は COUT の直近で一点接続してください。
IC 搭載面は極力 GND プレーンを設けてください。効果的に放熱するのに役立ちます。
R
C
VCC
FB
R
R
VDD
Vout
C
C
C
C
DGND
L
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CONFIDENTIAL
17
v1.2
D a t a S h e e t
18. 標準動作特性例
効率 - 負荷電流 (VIN= 3.7V, PWM モード)
効率 - 負荷電流 (VIN=3.7V, パワーセーブモード)
出力電圧＝
効率 [%]
効率 [%]
ILIMSEL=H
出力電圧＝
負荷電流 (A)
負荷電流 (A)
効率 - 負荷電流 (Vo= 3.3V, PWM モード)
効率 - 負荷電流 (Vo= 3.3V, パワーセーブモード)
入力電圧＝
効率 [%]
効率 [%]
ILIMSEL=H
入力電圧＝
負荷電流 (A)
負荷電流 (A)
効率 - 負荷電流 (Vo= 5.0V, PWM モード)
効率 - 負荷電流 (Vo= 5.0V, パワーセーブモード)
入力電圧＝
効率 [%]
効率 [%]
ILIMSEL=H
入力電圧＝
負荷電流 (A)
18
CONFIDENTIAL
負荷電流 (A)
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v1.2
D a t a S h e e t
最大出力電流 - 入力電圧 (PWM モード)
最大出力電流 - 入力電圧 (パワーセーブモード)
ILIMSEL=H
出力電圧＝
最大出力電流 (A)
最大出力電流 (A)
出力電圧＝
入力電圧 [V]
入力電圧 [V]
負荷急変波形
VIN=3.7V
IO=0
0.4A
COUT=2.2μF
XPS=H,
ILIMSEL=L
VO, 100mV/div, AC
1
Output Current, 200mA/div
100μs/div
起動 (PWM モード)
EN, 2V/div
EN, 2V/div
VIN=3.7V, VO=3.3V,
IO=0A
XPS=H
ILIMSEL=L
20μs/div
VO, 1V/div
20μs/div
June 19, 2015, MB39C326_DS405-00001-3v0-J
CONFIDENTIAL
起動 (パワーセーブモード)
VIN=3.7V, VO=3.3V,
IO=0A
XPS=L
ILIMSEL=H
20μs/div
VO, 1V/div
20μs/div
19
v1.2
D a t a S h e e t
VO step response (Rise)
VO step response (Fall)
VIN=3.7V,
VO, 1V/div
VO=4.0V→0.8V
Rload=11Ω
XPS=H
VIN=3.7V,
VO=0.8V→4.0V
Rload=11Ω
ILIMSEL=L
10μs/div
VO, 1V/div
XPS=H
ILIMSEL=L
10μs/div
DAC, 2V/div
DAC, 2V/div
10μs/div
10μs/div
Pd [W]
許容損失 - 動作周囲温度
温度[°C]
20
CONFIDENTIAL
MB39C326_DS405-00001-3v0-J, June 19, 2015
v1.2
D a t a S h e e t
19. 使用上の注意
 最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合、LSI の永久破壊となることがあります。
また、通常動作では、推奨動作条件下で使用することが望ましく、この条件を超えて使用すると LSI の信
頼性に悪影響をおよぼすことがあります。
 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は、LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は、推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。
 プリント基板のアースラインは, 共通インピーダンスを考慮し設計してください。
 静電気対策を行ってください。
− 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。
− 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。
− 作業台, 工具, 測定機器は、アースをしてください。
− 作業する人は、人体とアースの間に 250 kΩ ~ 1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。
 負電圧を印加しないでください。
- 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合, LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあります。
20. 実装上の注意
一般的にアンダフィルの材料や封止方法は、実装の信頼性に影響を与えます。
Cypress Semiconductor Corp. (サイプレス) では、アンダフィル使用による実装評価はしておりません。
お客様にて十分なご評価をお願いします。
WL-CSP はパッケージ側面にシリコンと樹脂の界面が存在します。
アンダフィルの材料や塗布形状・状態により、樹脂が基板に引っ張られ、界面にストレスが発生する可能性
があります。
お客様でご採用される基板・アンダフィル材にもよって結果が異なりますので、十分にご評価いただき、製
品への適用をお願いします。
下図のように、アンダフィルの採用時にはシリコン側面への塗布確保(フィレット形成)をお願いします。
シリコンへの濡れ性確保
シリコン
アンダフィルフィレット
樹脂
アンダフィル
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CONFIDENTIAL
21
v1.2
D a t a S h e e t
21. オーダ型格
型格
MB39C326PW
パッケージ
備考
プラスチック・20 ピン, WLP
(WLP-20P-M01)
22. 評価ボードオーダ型格
22
CONFIDENTIAL
EV ボード型格
EV ボード版数
備考
MB39C326-EVBSK-01
MB39C326-EVBSK-01 REV1.2
20 ピン, WL-CSP, パワーセーブモード
MB39C326-EVBSK-02
MB39C326-EVBSK-02 REV1.2
20 ピン, WL-CSP, PWM モード
MB39C326_DS405-00001-3v0-J, June 19, 2015
v1.2
D a t a S h e e t
23. RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合)
Cypress Semiconductor Corp. の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと、
特定臭素系難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は、型格に"E1"を
付加して表します。
24. 製品捺印
XXXXX
26C
INDEX
June 19, 2015, MB39C326_DS405-00001-3v0-J
CONFIDENTIAL
23
v1.2
D a t a S h e e t
25. 製品ラベル
Figure 25-1 内装箱製品表示[Q-Pack ラベル(4 × 8.5 インチ)]
Ordering Part Number
(P)+Part No.
((P)+製品型格)
Quantity (数量)
Mark lot information
(製品捺印ロット)
Label spec (ラベル仕様)
: Conformable JEDEC (JEDEC基準)
Barcode form (バーコード書式) : Code 39 (コード39)
24
CONFIDENTIAL
MB39C326_DS405-00001-3v0-J, June 19, 2015
v1.2
D a t a S h e e t
Figure 25-2 アルミラミネート袋製品表示[2-in-1 ラベル(4 × 8.5 インチ)]
Ordering Part Number
(P)+Part No.
((P)+製品型格)
Mark lot information
(製品捺印ロット)
Quantity (数量)
Caution
JEDEC MSL, if available.
(JEDEC MSL対応品のみ)
June 19, 2015, MB39C326_DS405-00001-3v0-J
CONFIDENTIAL
25
v1.2
D a t a S h e e t
Figure 25-3 エンボステーピング・リール製品表示[リールラベル(4 × 2.5 インチ)]
Ordering Part Number
(P)+Part No.
((P)+製品型格)
Mark lot information
(製品捺印ロット)
Quantity (数量)
Figure 25-4 エンボステーピング・リール表示[ドライパック＆リールラベル(4 × 2.5 インチ)]
Figure 25-5 外装箱製品表示[シッピングラベル(4 × 8.5 インチ)]
Quantity(数量)
26
CONFIDENTIAL
Ordering Part Number : (1P)+Part No. ((1P)+製品型格)
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v1.2
D a t a S h e e t
26. MB39C326PW 推奨実装条件
【推奨実装条件】
項目
内容
実装方法
IR (赤外線リフロー), 温風リフロー
実装回数
2回
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱 ~ 2 回目リフローまでの
保管期間
保管期間
5°C ~ 30°C, 70%RH 以下 (できるだけ低湿度)
保管条件
【実装方法の各条件】
IR (赤外線リフロー)
260 °C
255 °C
本過熱
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(a)
(c)
(d)
(e)
(d')
H ランク: 260°C Max
(a) 温度上昇勾配
:平均 1°C/s ~ 4°C/s
(b) 予備加熱
:温度 170°C ~ 190°C, 60s ~ 180s
(c) 温度上昇勾配
:平均 1°C/s ~ 4°C/s
(d) ピーク温度
:温度 260°C Max
255°C up 10s 以内
(d’) 本加熱
:温度 230°C up 40s 以内
or
温度 225°C up 60s 以内
or
温度 220°C up 80s 以内
(e) 冷却
:自然空冷または強制空冷
(注意事項) パッケージボディ上面温度を記載
June 19, 2015, MB39C326_DS405-00001-3v0-J
CONFIDENTIAL
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v1.2
D a t a S h e e t
27. パッケージ・外形寸法図
28
CONFIDENTIAL
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v1.2
D a t a S h e e t
28. 主な変更内容
ページ
場所
変更内容
Revision 2.0
10
■電気的特性
規格値を変更
Revision 2.1
-
-
社名変更および記述フォーマットの変換
Revision 3.0
10, 11
9. 推奨動作条件
June 19, 2015, MB39C326_DS405-00001-3v0-J
CONFIDENTIAL
(XPS=L, ILIMSEL=L)条件を追記
29
v1.2
D a t a S h e e t
30
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D a t a S h e e t
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CONFIDENTIAL
31
v1.2
D a t a S h e e t
免責事項
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用途の限定はあ
りません) に使用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求され、仮に当該安全性が
確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途 (原子力施設における
核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器シ
ステムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2) 極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等を
いう) に使用されるよう設計・製造されたものではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたいかなる請求また
は損害についても、Cypress は、お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイス
はある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさ
せないよう、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願
いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基づき規制されてい
る製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要となります。
商標および注記
このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Cypress が開発中の Cypress 製品に関する情報が記
載されている場合があります。Cypress は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、開発を中止したりする権
利を有します。このドキュメントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供されるものであり、その正確性, 完全性,
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者の社名・製品名等の記載はここでは情報提供を目的として表記したものであり、各権利者の商標もしくは登録商標となっ
ている場合があります。
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