RQ5C035BC

RQ5C035BC
Pch -20V -3.5A Middle Power MOSFET
Datasheet
l外 形 図
VDSS
-20V
RDS(on)(Max.)
59mΩ
ID
±3.5A
PD
1W
TSMT3
SOT-346T
SC-96
l内 部 回 路 図
l特 長
1) 低オン抵抗
2) 小型ハイパワーパッケージ（TSMT3）
3) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
4) ハロゲンフリー
l包 装 仕 様
包装形態
リールサイズ (mm)
l用 途
スイッチング
Embossed
Tape
180
タイプ テープ幅 (mm)
基本発注単位(個)
8
3000
テーピングコード
TCL
JJ
ロードスイッチ
標印
l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
VDSS
ID*1
ID,pulse*2
VGSS
EAS*3
IAS*3
PD*4
PD*5
Tj
Tstg
ドレイン・ソース間電圧
ドレイン電流 (直流)
ドレイン電流 (パルス)
ゲート・ソース間電圧
アバランシェエネルギー (単発)
アバランシェ電流
許容損失
ジャンクション温度
保存温度
Value
Unit
-20
±3.5
±12
±8
9.3
-3.5
1
0.55
150
-55～ +150
V
A
A
V
mJ
A
W
W
℃
℃
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20150827 - Rev.001 RQ5C035BC
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l熱 抵 抗
Parameter
Symbol
熱抵抗 (ジャンクション・外気間)
l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
RthJA*4
-
-
125
℃/W
RthJA*5
-
-
227
℃/W
Conditions
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
-20
-
-
V
ドレイン・ソース降伏電圧 ΔV(BR)DSS　ID = -1mA
温度係数
ΔTj referenced to 25℃
-
-10.3
-
mV/℃
ドレイン遮断電流
IDSS
VDS = -20V, VGS = 0V
-
-
-1
μA
ゲート漏れ電流
IGSS
VGS = ±8V, VDS = 0V
-
-
±100
nA
VGS(th)
VDS = VGS, ID = -1mA
-0.5
-
-1.2
V
-
1.7
-
mV/℃
VGS = -4.5V, ID = -3.5A
-
42
59
RDS(on)*6 VGS = -2.5V, ID = -3.5A
-
54
76
VGS = -1.8V, ID = -0.9A
-
84
135
RG
f = 1MHz, open drain
-
9.5
-
Ω
|Yfs| *6
VDS = -5V, ID = -3.5A
4.3
-
-
S
ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS
ゲートしきい値電圧
ゲートしきい値電圧
温度係数
VGS = 0V, ID = -1mA
ΔVGS(th) ID = -1mA
ΔTj referenced to 25℃
ドレイン・ソース間
オン抵抗
ゲート抵抗
順伝達アドミタンス
mΩ
*1 Vgs≧2.5V
*2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1%
*3 L ⋍ 1mH, VDD = -10V, RG = 25Ω, 開始温度 Tj = 25℃ Fig.3-1,3-2参照
*4 セラミック基板実装時 (30×30×0.8mm)
*5 ガラエポ基板実装時 (12×20×0.8mm)
*6 パルス
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l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C)
Values
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Min.
Typ.
Max.
入力容量
Ciss
VGS = 0V
-
460
-
出力容量
Coss
VDS = -10V
-
90
-
帰還容量
Crss
f = 1MHz
-
80
-
VDD ⋍ -10V,VGS = -4.5V
-
9
-
tr*6
ID = -1.75A
-
30
-
td(off)*6
RL ⋍ 5.7Ω
-
50
-
tf*6
RG = 10Ω
-
30
-
ターンオン遅延時間
td(on)*6
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
l ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C)
pF
ns
Values
Parameter
Symbol
ゲート総電荷量
Qg*6
ゲート･ソース間電荷量
Qgs*6
ゲート･ドレイン間電荷量
Qgd*6
Conditions
VDD ⋍ -10V,
ID = -3.5A,
VGS = -4.5V
Unit
Min.
Typ.
Max.
-
6.5
-
-
0.9
-
-
2.2
-
l 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C)
nC
Values
Parameter
ソース電流(直流)
Symbol
IS
ソース電流(パルス)
ISP*2
順方向電圧
VSD*6
Conditions
Ta = 25℃
VGS = 0V, IS = -0.8A
Unit
Min.
Typ.
Max.
-
-
-0.8
A
-
-
-12
A
-
-
-1.2
V
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.5 Typical Output Characteristics(I)
Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction
Temperature
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.11 Drain Current Derating Curve
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(II)
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(Ⅳ)
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l電 気 的 特 性 曲 線
Fig.18 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage
Fig.19 Switching Characteristics
Fig.20 Dynamic Input Characteristics
Fig.21 Source Current vs. Source Drain
Voltage
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l測 定 回 路 図
図　1-1 スイッチング時間測定回路
図　1-2 スイッチング波形
図　2-1 ゲート電荷量測定回路
図　2-2 ゲート電荷量波形
図　3-1 L負荷測定回路
図　3-2 アバランシェ波形
l使 用 上 の 注 意
本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、
取り扱い時には必ず静電対策を講じてください。
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l外 形 寸 法 図
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