MB85R256F

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00011-8v2-J
メモリ FRAM
256 K (32 K×8) ビット
MB85R256F
■ 概要
MB85R256F は , 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲート CMOS プロセスを用いた 32,768
ワード ×8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory：強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。
MB85R256F は , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。
MB85R256F に採用しているメモリセルは , 書込み / 読出し動作でバイトあたり最低 1012 回の耐性があり , フラッシュメ
モリや E2PROM の書換え可能回数を大きく上回ります。
MB85R256F は , 擬似 SRAM インタフェースを採用しています。
■ 特長
・ ビット構成
・ 書込み / 読出し耐性
・ データ保持特性
・ 動作電源電圧
・ 低消費電力
・ 動作周囲温度
・ パッケージ
：32,768 ワード ×8 ビット
：1012 回 / バイト
：10 年 ( ＋ 85 °C), 95 年 ( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
：2.7 V ∼ 3.6 V
：動作電源電流 5 mA( 標準 )
スタンバイ電流 5μA( 標準 )
：− 40 °C ∼＋ 85 °C
：プラスチック・SOP,28 ピン (FPT-28P-M17)
プラスチック・SOP,28 ピン (FPT-28P-M01)
プラスチック・TSOP (1),28 ピン (FPT-28P-M19)
両パッケージ品共に RoHS 指令に適合しています。
Copyright 2011-2015 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2015.5
MB85R256F
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
A14
1
28
VDD
A12
2
27
WE
A7
3
26
A13
A6
4
25
A8
A5
5
24
A9
A4
6
23
A11
A3
7
22
OE
A2
8
21
A10
A1
9
20
CE
A0
10
19
I/O7
I/O0
11
18
I/O6
I/O1
12
17
I/O5
I/O2
13
16
I/O4
GND
14
15
I/O3
(FPT-28P-M17 / FPT-28P-M01)
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VDD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
(FPT-28P-M19)
■ 端子機能説明
2
端子番号
端子名
機能説明
1 ∼ 10, 21, 23 ∼ 26
A0 ∼ A14
アドレス入力端子
11 ∼ 13, 15 ∼ 19
I/O0 ∼ I/O7
データ入出力端子
20
CE
チップイネーブル入力端子
27
WE
ライトイネーブル入力端子
22
OE
アウトプットイネーブル入力端子
28
VDD
電源電圧端子
14
GND
グランド端子
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
■ ブロックダイヤグラム
A10 ~ A14
ブロックデコーダ
A0 ~ A14
アドレス
ラッチ
A0 ~ A 7
ロー
デコーダ
FRAM アレイ
32,768×8
CE
A8, A9
OE
擬似 SRAM I/F 論理回路
WE
コラムデコーダ
コントロール
ロジック
I/O ラッチ
バスドライバ
I/O0-I/O7
I/O0 ∼ I/O7
■ 機能表
動作モード
スタンバイ・
プリチャージ
CE
WE
OE
H
×
×
×
L
L
×
H
H
H
L
L
H
I/O0 ∼ I/O7
電源電流
Hi-Z
スタンバイ
(ISB)
⎯
⎯
L
ラッチアドレス
ライト
L
L
H
データ入力
リード
L
H
L
データ出力
（注意事項）H：“H” レベル , L：“L” レベル , ×：“H”, “L”,
：立下りでアドレスラッチ
DS501-00011-8v2-J
または
動作 (IDD)
, Hi-Z：ハイインピーダンス ,
3
MB85R256F
■ 絶対最大定格
項目
定格値
記号
最小
最大
単位
電源電圧 *
VDD
− 0.5
＋ 4.0
V
入力電圧 *
VIN
− 0.5
VDD ＋ 0.5
V
出力電圧 *
VOUT
− 0.5
VDD ＋ 0.5
V
TA
− 40
＋ 85
°C
Tstg
− 55
＋ 125
°C
動作周囲温度
保存温度
＊：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項目
電源電圧 *1
動作周囲温度
*2
記号
規格値
単位
最小
標準
最大
VDD
2.7
3.3
3.6
V
TA
− 40
⎯
＋ 85
°C
＊ 1：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。
＊ 2：本デバイスだけが動作している場合の動作周囲温度です。パッケージ表面の温度とほぼ同じと考えてください。
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。
常に推奨動作条件下で使用してください。
この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
4
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
■ 電気的特性
1. 直流特性
( 推奨動作条件において )
項目
記号
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
入力リーク電流
| ILI |
VIN ＝ 0 V ∼ VDD
⎯
⎯
10
μA
出力リーク電流
| ILO |
VOUT ＝ 0 V ∼ VDD,
CE ＝ VIH or OE ＝ VIH
⎯
⎯
10
μA
動作電源電流 *1
IDD
CE ＝ 0.2 V,
Other inputs ＝ VDD − 0.2 V/0.2 V,
tRC (Min) , Iout ＝ 0 mA
⎯
5
10
mA
スタンバイ電流 *2
ISB
CE, WE, OE ≧ VDD
⎯
5
50
μA
“H” レベル入力電圧
VIH
VDD ＝ 2.7 V ∼ 3.6 V
VDD×0.8
⎯
VDD ＋ 0.5
( ≦ 4.0)
V
“L” レベル入力電圧
VIL
VDD ＝ 2.7 V ∼ 3.6 V
− 0.5
⎯
＋ 0.6
V
“H” レベル出力電圧
VOH
IOH ＝− 2.0 mA
VDD×0.8
⎯
⎯
V
“L” レベル出力電圧
VOL
IOL ＝ 2.0 mA
⎯
⎯
0.4
V
＊ 1: IDD 測定時は , Address, Data In の変化点は 1 アクティブサイクル中 1 回です。Iout は , 出力電流です。
＊ 2: 設定端子以外の全入力は ,“H” ≧ VDD または “L” ≦ 0 V の CMOS レベルで固定します。
2. 交流特性
・交流特性測定条件
電源電圧
動作周囲温度
入力電圧振幅
入力立上り時間
入力立下り時間
入力判定レベル
出力判定レベル
出力負荷
：2.7 V ∼ 3.6 V
：− 40 °C ∼＋ 85 °C
：0.3 V ∼ 2.7 V
：10 ns
：10 ns
：Vcc/2
：Vcc/2
：100 pF
(1) リードサイクル
項目
記号
規格値
最小
最大
リードサイクル時間
tRC
150
⎯
CE アクティブ時間
tCA
70
500
リードパルス幅
tRP
70
500
プリチャージ時間
tPC
80
⎯
アドレスセットアップ時間
tAS
0
⎯
アドレスホールド時間
tAH
25
⎯
CE アクセス時間
tCE
⎯
70
OE アクセス時間
tOE
⎯
70
CE 出力フローティング時間
tHZ
⎯
25
OE 出力フローティング時間
tOHZ
⎯
25
DS501-00011-8v2-J
単位
ns
5
MB85R256F
(2) ライトサイクル
項目
記号
規格値
最小
最大
ライトサイクル時間
tWC
150
⎯
CE アクティブ時間
tCA
70
500
ライトパルス幅
tWP
70
500
プリチャージ時間
tPC
80
⎯
アドレスセットアップ時間
tAS
0
⎯
アドレスホールド時間
tAH
25
⎯
データセットアップ時間
tDS
50
⎯
データホールド時間
tDH
0
⎯
単位
ns
3. 端子容量
項目
記号
入力容量
CIN
出力容量
COUT
6
条件
VDD ＝ VIN ＝ VOUT ＝ 0 V,
f ＝ 1 MHz, TA ＝＋ 25 °C
規格値
単位
最小
標準
最大
⎯
⎯
10
pF
⎯
⎯
10
pF
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
■ タイミングダイヤグラム
1. リードサイクル (CE コントロール )
tRC
tPC
tPC
tCA
CE
tAH
tAS
A0 ~ A14
tAS
tAH
Valid
Valid
OE
I/O0 ~ I/O7
High-Z
Valid
High-Z
Valid
tHZ
tCE
WE
“H” レベル
: Don't care
2. リードサイクル (OE コントロール )
CE
tAH
tAS
A0 ~ A14
tAS
tAH
Valid
Valid
tRC
tPC
OE
tPC
tRP
tOE
I/O0 ~ I/O7
tOHZ
High-Z
Valid
WE
Valid
High-Z
“H” レベル
: Don't care
DS501-00011-8v2-J
7
MB85R256F
3. ライトサイクル (CE コントロール )
tWC
tPC
tPC
tCA
CE
tAS
A0 ~ A14
tAS
tAH
tAH
Valid
Valid
WE
tDS
tDS
tDH
Valid
Valid
Data In
tDH
OE
“H” レベル
: Don't care
4. ライトサイクル (WE コントロール )
CE
tAS
A0 ~ A14
tAS
tAH
Valid
Valid
tWC
tPC
tPC
tWP
WE
tDS
Data In
tAH
tDS
tDH
Valid
Valid
OE
tDH
“H” レベル
: Don't care
8
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
■ 電源投入・切断シーケンス
tpd
tr
tpu
VDD
VDD
2.7 V
2.7 V
VIH (Min)
VIH (Min)
1.0 V
1.0 V
VIL (Max)
VIL (Max)
GND
GND
CE > VDD ×
0.8*
CE > VDD ×
CE : Don't care
0.8*
CE
CE
＊：CE (Max) ＜ VDD ＋ 0.5 V
項目
規格値
記号
最小
標準
最大
単位
電源 OFF 時の CE レベル保持期間
tpd
80
⎯
⎯
ns
電源 ON 時の CE レベル保持期間
tpu
80
⎯
⎯
ns
tr
0.05
⎯
200
ms
電源の立上げ時間
規定されたリードサイクル , ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケンスを守らない動作が実行された場合 , 記憶
データの保証はできません。
■ FRAM の特性
項目
書込み / 読出し耐性 *1
データ保持特性 *
2
最小
最大
1012
⎯
10
⎯
95
⎯
≧ 200
⎯
単位
パラメータ
回 / バイト 動作周囲温度
TA ＝＋ 85 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 85 °C
年
動作周囲温度 TA ＝＋ 55 °C
動作周囲温度 TA ＝＋ 35 °C
＊ 1： FRAM は破壊読出しを行っているため , 書込みおよび読出し回数の合計が書込み / 読出し耐性の最小値です。
＊ 2：データ保持特性の最小年数は , 出荷直後に初めて読み書きしたデータの保持時間です。
これらの保持時間は , 信頼性評価結果からの換算値です。
■ 使用上の注意
リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前に書き込まれたデータは保証できません。
DS501-00011-8v2-J
9
MB85R256F
■ ESD・ラッチアップ
DUT
試験項目
規格値
ESD HBM( 人体帯電モデル )
JESD22-A114 準拠
＋ 2000 V 以上
− 2000 V 以下
ESD MM( マシンモデル )
JESD22-A115 準拠
＋ 200 V 以上
− 200 V 以下
ESD CDM( デバイス帯電モデル )
JESD22-C101 準拠
＋ 1000 V 以上
− 1000 V 以下
MB85R256FPF-G-BNDE1
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
ラッチアップ ( パルス電流注入法 )
JESD78 準拠
ラッチアップ ( 電源過電圧法 )
JESD78 準拠
⎯
⎯
ラッチアップ ( 電流法 )
Proprietary method
＋ 300 mA 以上
− 300 mA 以下
ラッチアップ (C-V 法 )
Proprietary method
⎯
・ ラッチアップ ( 電流法 )
保護抵抗
A
供試端子
IIN
VIN
VDD
+
DUT
-
VSS
VDD
( 最大定格 )
V
基準端子
( 注意事項 ) VIN の電圧を徐々に増加させ , IIN を最大 300 mA まで流し込みます ( または流し出します )。
IIN ＝ ±300 mA まで , ラッチアップが発生しないことを確認します。
ただし , I/O に特別な規格があり IIN を 300 mA とすることができない場合は , その特別な規格値まで電圧レベ
ルをあげます。
10
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
・ ラッチアップ (C-V 法 )
保護抵抗
A
1
2 供試端子
SW
+
VIN
V
-
VDD
DUT
C
200pF
VDD
( 最大定格 )
VSS
基準端子
( 注意事項 ) SW を約 2 秒間隔で 1 ∼ 2 に交互に切り換え , 電圧を印加します。
これを 1 回とし , 5 回行います。
ただし , 5 回までにラッチアップ現象が発生した場合は , 直ちに試験を中止します。
■ リフロー条件および保管期限
JEDEC 条件 , Moisture Sensitivity Level 3 (IPC / JEDEC J-STD-020D)。
■ 含有規制化学物質対応
本製品は , REACH 規則 , EU RoHS 指令および中国 RoHS に準拠しております。
DS501-00011-8v2-J
11
MB85R256F
■ オーダ型格
型格
パッケージ
出荷形態
最小出荷単位
プラスチック・SOP, 28 ピン
(FPT-28P-M17)
チューブ
⎯*
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
プラスチック・TSOP (1), 28 ピン
(FPT-28P-M19)
トレイ
⎯*
MB85R256FPF-G-BND-ERE1
プラスチック・SOP, 28 ピン
(FPT-28P-M17)
エンボステーピング
1000
MB85R256FPNF-G-JNE2
プラスチック・SOP, 28 ピン
(FPT-28P-M01)
チューブ
⎯*
MB85R256FPNF-G-JNERE2
プラスチック・SOP, 28 ピン
(FPT-28P-M01)
エンボステーピング
1000
MB85R256FPF-G-BNDE1
＊：最小出荷単位については , 営業部門にご確認ください。
12
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
■ パッケージ・外形寸法図
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 28 ࡇࡦ
(FPT-28P-M17)
࡝࡯࠼ࡇ࠶࠴
1.27mm
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ᏷˜
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ㐳ߐ
8.6 ˜ 17.75mm
࡝࡯࠼ᒻ⁁
ࠟ࡞࠙ࠖࡦࠣ
ኽᱛᣇᴺ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢࡕ࡯࡞࠼
ขઃߌ㜞ߐ
2.80mm MAX
⾰㊂
0.82g
ࠦ࡯࠼㧔ෳ⠨㧕
P-SOP28-8.6×17.75-1.27
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 28 ࡇࡦ
㧔FPT-28P-M17㧕
+0.25
ᵈ 1㧕*1 ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 2㧕*2 ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
ᵈ 3㧕┵ሶ᏷߅ࠃ߮┵ሶෘߐߪࡔ࠶ࠠෘࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 4㧕┵ሶ᏷ߪ࠲ࠗࡃಾᢿᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
+.010
+0.03
*1 17.75 –0.20 .699 –.008
0.17 –0.04
+.001
.007 –.002
28
15
11.80±0.30
(.465±.012)
*2 8.60±0.20
INDEX
(.339±.008)
Details of "A" part
2.65±0.15
(Mounting height)
(.104±.006)
0.25(.010)
1
1.27(.050)
14
0.47±0.08
(.019±.003)
0.13(.005)
"A"
0~8°
M
0.80±0.20
(.031±.008)
0.88±0.15
(.035±.006)
0.20±0.15
(.008±.006)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F28048S-c-3-6
න૏㧦mm 㧔inches㧕
ᵈᗧ㧦᜝ᒐౝߩ୯ߪෳ⠨୯ߢߔ‫ޕ‬
（続く）
DS501-00011-8v2-J
13
MB85R256F
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 28 ࡇࡦ
(FPT-28P-M01)
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮SOP, 28 ࡇࡦ
㧔FPT-28P-M01㧕
+0.25
࡝࡯࠼ࡇ࠶࠴
1.27mm
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ᏷˜
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ㐳ߐ
7.6 ˜ 17.75mm
࡝࡯࠼ᒻ⁁
ࠟ࡞࠙ࠖࡦࠣ
ኽᱛᣇᴺ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢࡕ࡯࡞࠼
ขઃߌ㜞ߐ
2.80mm MAX
⾰㊂
0.67g
ࠦ࡯࠼㧔ෳ⠨㧕
P-SOP28-7.6×17.75-1.27
ᵈ 1㧕*1 ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 2㧕*2 ශኸᴺߪ࡟ࠫࡦᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
ᵈ 3㧕┵ሶ᏷߅ࠃ߮┵ሶෘߐߪࡔ࠶ࠠෘࠍ฽߻‫ޕ‬
ᵈ 4㧕┵ሶ᏷ߪ࠲ࠗࡃಾᢿᱷࠅࠍ฽߹ߕ‫ޕ‬
+.010
+0.03
*1 17.75 –0.20 .699 –.008
0.17 –0.04
+.001
.007 –.002
28
15
*2 7.60±0.30 10.20±0.40
(.299±.012) (.402±.016)
INDEX
Details of "A" part
+0.25
2.55 –0.15
+.010
.100 –.006
(Mounting height)
0.25(.010)
1
14
1.27(.050)
0.47±0.08
(.019±.003)
0.13(.005)
"A"
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
+0.10
0.10 –0.05
+.004
.004 –.002
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2009 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED F28005S-c-7-8
න૏㧦mm 㧔inches㧕
ᵈᗧ㧦᜝ᒐౝߩ୯ߪෳ⠨୯ߢߔ‫ޕ‬
（続く）
14
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
（続き）
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮TSOP (1), 28ࡇࡦ
(FPT-28P-M19)
࡝࡯࠼ࡇ࠶࠴
0.55 mm
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ᏷˜
ࡄ࠶ࠤ࡯ࠫ㐳ߐ
11.80 ˜ 8.00 mm
࡝࡯࠼ᒻ⁁
ࠟ࡞࠙ࠖࡦࠣ
ኽᱛᣇᴺ
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢࡕ࡯࡞࠼
ขઃߌ㜞ߐ
1.20 mm Max
㊀ߐ
⚂ 0.25 g
ࠦ࡯࠼㧔ෳ⠨㧕
P-TSOP(1)28-11.8×8-0.55
ࡊ࡜ࠬ࠴࠶ࠢ࡮TSOP (1), 28ࡇࡦ
㧔FPT-28P-M19㧕
21
22
28
LEAD No.
INDEX
1
7
8
0.15±0.05
(.006±.002)
13.40±0.20
(.528±.008)
11.80±0.20
(.465±.008)
8.00±0.20
(.315±.008)
0.55(.0217)
TYP
0.10(.004)
12.40±0.20
(.488±.008)
0.50±0.10
(.020±.004)
7.15(.281)
REF
0.20±0.10
(.008±.004)
0.00(.000) Min
(Stand off)
+0.10
+.004
1.10 –0.05 .043 –.002
(Mounting height)
0.09(.004)
M
න૏㧦mm㧔inches㧕
ᵈᗧ㧦᜝ᒐౝߩ୯ߪෳ⠨୯ߢߔ‫ޕ‬
C
2005-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F28062S-c-3-5
DS501-00011-8v2-J
15
MB85R256F
■ 捺印図
[MB85R256FPF-G-BNDE1]
[MB85R256FPF-G-BND-ERE1]
JAPAN
MB85R256F
1150 E00
E1
[FPT-28P-M17]
[MB85R256FPNF-G-JNE2]
[MB85R256FPNF-G-JNERE2]
CHINA
MB85R256F
1200 300
E2
[FPT-28P-M01]
16
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
[MB85R256FPFCN-G-BNDE1]
JAPAN
MB85R256F
1150 E00
E1
[FPT-28P-M19]
DS501-00011-8v2-J
17
MB85R256F
■ 包装
1. チューブ
1.1 チューブ寸法図
・ チューブ・ストッパ形状
チューブ
透明ポリ塩化ビニール
( 帯電防止処理有 )
ストッパ
( 帯電防止処理有 )
チューブ長さ 520 mm
・チューブ断面形状 , 最大収納数
パッケージ形状
パッケージコード
FPT-28P-M17
SOP, 28 プラスチック
最大収納個数
個 / チューブ
個 / 内装箱
個 / 外装箱
28
2240
8960
0.6
(6.8)
8.0
14.4
15.6
1.6 2.0
3.2
5.4
(10.6)
9.4
©2002-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
2002 FUJITSU LIMITED F28011-SET1:FJ99L-0018-E0010-1-K-1
F28011-SET1:FJ99L-0018-E0010-1-K-3
C
ｔ ＝ 0.6
透明ポリ塩化ビニール
( 単位：mm)
18
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
1.2 チューブ防湿包装仕様書
IC
チューブ
ストッパ
SOP 用
Index mark
アルミラミネート袋
表示Ⅰ *1*3
アルミラミネート袋
防湿
袋詰め
乾燥剤
湿度インジケータ
熱シール
アルミラミネート袋 ( チューブ入 )
内装箱
気泡クッション
内装箱
表示Ⅰ *1*3
気泡クッション
外装箱 ( 段ボール ) *2
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A*3
表示Ⅱ -B*3
＊ 1: 製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2: 内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 3: 表示ラベルは別紙参照
（注意事項）上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
DS501-00011-8v2-J
19
MB85R256F
1.3 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／（エンボステーピングの場合には , リールにも貼付）
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
::::::::::::::
0::::::::::::::
C-3 ラベル
㋦㩖㩢㨺㩙㨺㩂
:::
਄⸥⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
㧽㧯‫ޓ‬㧼㧭㧿㧿
0:::::::::: ::::::
:::REU
::::::::::::::
ᬌᩏ‫ޓ‬ᷣ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠᢙ㊂
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
਄⸥⵾ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::::::
൮ⵝᐕ᦬ᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗⵾ຠᢙ㊂
:::::::::::::: ․⸥੐㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪‫ޓޓ‬:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
࠮ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲࡯ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬ‫ޓޓ‬:::::::::
ㅍઃవ૑ᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ࡯⇟ภ‫ޓ‬::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨‫ޓޓޓ‬::::::::::::::
2#4601‫⵾
ޓޓޓ‬ຠဳᩰ
ຠฬ 2#460#/'::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ
:::㧛:::
౉ᢙ㧛⚊౉ᢙ㊂
36;616#.36;
%7561/'454'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪஻⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::::::::::
‫⵾
ޓ‬ຠဳᩰ
න૏
70+6
::
2#%-#)'%1706
ᪿ൮୘ᢙ
:::㧛:::
0:::::::::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂
0:::::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
0::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
::::::::::::::㧔⵾ຠဳᩰ㧕
㧔⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧕
‫ޓޓޓ‬:::::::
‫ޓޓޓ‬:::::::
㧔▫ᢙ㧕‫ޓޓޓ‬㧔ᢙ㊂㧕
‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓޓޓޓޓ⸘ޓޓ‬:::୘
（注意事項）発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
20
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
1.4 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
W
H
540
125
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
565
270
180
( 単位：mm)
DS501-00011-8v2-J
21
MB85R256F
2. トレイ
2.1 トレイ寸法図
TSOP28(I)
最大収納個数
パッケージコード
FPT-28P-M19
個 / トレイ
個 / 内装箱
個 / 外装箱
128
1280
5120
322.6
315
19 × 15 = 285
7.62
1.27
15
B
B
A
34.3
25.4
8-NO HOLES
255.3
15
25.4
15.8
19
14.9
8.2
5
11
SEC. A-A
C
1
5
0.85
7.62
1.27
9.5
0.85
1.27
7.62
1
2
1
13.7
9.5
1
1.27
1.27
R4.75
2
C3
0.76
A
2.54
15.8
135.9
14.9 × 7 = 104.3
15.8
15
SEC. B-B
2005-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED TSOP I 8 × 13.4F : JHB-TS1-0813F-1-D-3
単位：mm
材質：導電性ポリフェニレンエーテル
耐熱温度：150 °C Max
トレイ質量：136 g
22
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
2.2 IEC (JEDEC) トレイ防湿包装仕様書
製品 (IC)
IC
トレイ
Index mark
切欠き部
トレイ
*5
袋詰め
↓
防湿
袋詰め
湿度インジケータ *5
乾燥剤
表示Ⅰ *1*4*5
*5
熱シール
結束用バンド
または , テープ
*5
アルミラミネート袋
収納トレイ＋ 1 空トレイ
気泡クッション袋 *5
内装箱 *5
内装箱
結束用バンドまたはテープ *5
表示Ⅰ *1*4*5
気泡クッション *5
外装箱 ( 段ボール ) *2*3*5
外装箱
包装テープ *5
表示Ⅱ -A*4*5
表示Ⅱ -B*4*5
＊ 1: 製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2: 出荷数量により , 他の外装箱を使用する場合があります。
＊ 3: 内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 4: 表示ラベルは別紙参照
＊ 5: トレイ以外の包装部材については , 部材の色 , サイズ等が異なる場合があります。
（注意事項）上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
DS501-00011-8v2-J
23
MB85R256F
2.3 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／（エンボステーピングの場合には , リールにも貼付）
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
::::::::::::::
0::::::::::::::
C-3 ラベル
㋦㩖㩢㨺㩙㨺㩂
:::
਄⸥⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
㧽㧯‫ޓ‬㧼㧭㧿㧿
0:::::::::: ::::::
:::REU
::::::::::::::
ᬌᩏ‫ޓ‬ᷣ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠᢙ㊂
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
਄⸥⵾ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::::::
൮ⵝᐕ᦬ᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗⵾ຠᢙ㊂
:::::::::::::: ․⸥੐㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪‫ޓޓ‬:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
࠮ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲࡯ᩣᑼળ␠
ฃᷰ႐ᚲฬ‫ޓޓ‬:::::::::
ㅍઃవ૑ᚲ
&'.+8'4;21+06㧕
⚊ຠࠠ࡯⇟ภ‫ޓ‬::::::::::::::
64#0501
ຠฬ㩄㨺㩎㩨‫ޓޓޓ‬::::::::::::::
2#4601‫⵾
ޓޓޓ‬ຠဳᩰ
ຠฬ 2#460#/'::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ
:::㧛:::
౉ᢙ㧛⚊౉ᢙ㊂
36;616#.36;
%7561/'454'/#4-5
⊒ᵈ⠪↪஻⠨
::::::::::::::::::::
D ラベル
ฃᵈ⠪
8'0&14
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
:::::::::::::::
‫⵾
ޓ‬ຠဳᩰ
න૏
70+6
::
2#%-#)'%1706
ᪿ൮୘ᢙ
:::㧛:::
0:::::::::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂
0:::::::::::::::::
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
0::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
::::::::::::::㧔⵾ຠဳᩰ㧕
㧔⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧕
‫ޓޓޓ‬:::::::
‫ޓޓޓ‬:::::::
㧔▫ᢙ㧕‫ޓޓޓ‬㧔ᢙ㊂㧕
‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓ‬:▫‫ޓޓޓޓޓ‬:::୘
‫ޓޓޓޓޓ⸘ޓޓ‬:::୘
（注意事項）発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
24
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
2.4 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
W
H
165
360
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
355
385
195
( 単位：mm)
DS501-00011-8v2-J
25
MB85R256F
3. エンボステープ
3.1 テープ寸法図
個 / リール
個 / 内装箱
個 / 外装箱
1000
1000
5000
2±0.1
4±0.1
16±0.1
ø1.5 +0.1
–0
24
11.5±0.1
B
A
ø2 +0.1
–0
A
8
7
18.2±0.1
FPT-28P-M17
最大収納個数
1.75±0.1
リール No
+0.3
–0.1
パッケージコード
0.3±0.05
B
12.4±0.1
7
2.8
3.1
3.3±0.1
SEC.B-B
SEC.A-A
C
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F028011EELS-F : FJ990-0010-X0528-1-S-1
単位：mm
材質：導電性ポリスチレン
耐熱温度：耐熱性ではありません。
テープ，リールでのベーキング処理はできません。
26
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
3.2 IC の方向
Index mark
・ER タイプ
( 引出側 )
( リール側 )
( 引出側 )
3.3 リールの寸法
࡝࡯࡞ⓣኸᴺ
E
D
W2
C
B
A
W1
12
13
14
15
56
12
16
24
r
W3
㧦ࡂࡉㇱߩ᏷ኸᴺ
単位：mm
リール No
テープ幅
記号
A
1
2
8
254
±2
3
4
12
254
±2
5
6
7
16
330
±2
254
±2
9
24
330
±2
254
±2
10
11
32
44
330
±2
100 +2
-0
B
8
330±2
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
150 +2
-0
100 +2
-0
100±2
C
13±0.2
13 +0.5
-0.2
D
21±0.8
20.5 +1
-0.2
E
2±0.5
W1
8.4 +2
-0
12.4 +2
-0
16.4 +2
-0
24.4 +2
-0
32.4 +2
-0
44.4 +2
-0
W2
W3
14.4
以下
18.4 以下
22.4 以下
30.4 以下
38.4 以下
7.9 ∼
10.9
11.9 ∼ 15.4
15.9 ∼ 19.4
23.9 ∼ 27.4
31.9 ∼ 35.4
r
DS501-00011-8v2-J
56.4 +2
-0
12.4 +1
-0
+0.1
16.4 +1
-0 24.4 -0
50.4 以下
62.4
以下
18.4
以下
22.4
以下
30.4
以下
43.9 ∼ 47.4
55.9 ∼
59.4
12.4 ∼
14.4
16.4 ∼
18.4
24.4 ∼
26.4
1.0
27
MB85R256F
3.4 テーピング (φ330mm リール ) 防湿包装仕様書
外径：φ254 mm リール
表示Ⅰ *1, *4
エンボス
テーピング
表示Ⅰ *1, *4
乾燥剤
湿度インジケータ
防湿
袋詰め
アルミラミネート袋
熱シール
表示Ⅰ *1, *4
内装箱
テープ止め
内装箱
表示Ⅰ *1, *4
テープ止め
外装箱 ( 段ボール ) *2, *3
外装箱
包装テープ
表示Ⅱ -A*4
表示Ⅱ -B*4
＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には , 内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「 G Pb 」が付きます。
＊ 2：出荷数量により , 他の外装箱を使用する場合があります。
＊ 3：内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。
＊ 4：表示ラベルは別紙参照
( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に
は , 異なる場合があります。
28
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
3.5 製品表示ラベル
表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )
製品表示 [C-3 ラベル (50mm×100mm) ＋補助ラベル (20mm×100mm)]
::::::::::::::
0::::::::::::::
0:::::::::: ::::::
:::REU
::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
㋦㩖㩢㨺㩙㨺㩂
:::
਄⸥⵾ຠဳᩰ⵾ຠᢙ㊂ߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
㧽㧯‫ޓ‬㧼㧭㧿㧿
C-3 ラベル
ᬌᩏ‫ޓ‬ᷣ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
⵾ຠᢙ㊂
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
਄⸥⵾ຠဳᩰߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::::::
൮ⵝᐕ᦬ᣣ
#55'/$.'&+0ZZZZZ
:::::::::::::::
㘈ቴ⵾ຠဳᩰ‫ޓ‬෶ߪ‫ޔ‬ን჻ㅢ⵾ຠဳᩰ
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภߩ㩔㩨㨺㩄㨺㩎㩨
::::
::::::::::
൮ⵝㅊ⇟
::::::::::
::::::::::
ን჻ㅢ▤ℂ⇟ภ
⵾ຠ㩥㨹㩎ᖱႎ㧗⵾ຠᢙ㊂
:::::::::::::: ․⸥੐㗄
ミシン目
補助ラベル
表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm×100mm)
⊒ᵈ⠪‫ޓޓ‬:::::::::::::
ㅍઃవฬ
%756
ን჻ㅢ
࠮ࡒࠦࡦ࠳ࠢ࠲࡯ᩣᑼળ␠
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表示Ⅱ -B：外装箱製品表示
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( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。
DS501-00011-8v2-J
29
MB85R256F
3.6 包装箱外形寸法図
(1) 内装箱
H
W
L
L
テープ幅
W
12, 16
H
40
24, 32
365
44
345
56
50
65
75
( 単位：mm)
(2) 外装箱
H
W
L
L
W
H
415
400
315
( 単位：mm)
30
DS501-00011-8v2-J
MB85R256F
■ 本版での主な変更内容
変更箇所は , 本文中のページ左側の｜によって示しています。
ページ
場所
変更箇所
1
■概 要
4
■推奨動作条件
動作周囲温度に注記を追加。
“H” レベル入力電圧及び “L” レベル入力電圧の項目を直流特性に移動。
5
1. 直流特性
“H” レベル入力電圧及び “L” レベル入力電圧の項目を推奨動作条件から移動。
11
■含有規制化学物質対応
リンク先情報削除
DS501-00011-8v2-J
「従来の非同期 SRAM に準じた」の記述を削除。
31
MB85R256F
富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-100-45 新横浜中央ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※ 電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , 製品のご購入やご使用などのご用命の際は , 当社営業窓口にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例などの情報は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を
保証するものではありません。したがって , お客様の機器の設計においてこれらを使用する場合は , お客様の責任において行ってください。これらの
使用に起因する損害などについては , 当社はその責任を負いません。
本資料は , 本資料に記載された製品および動作概要・回路図を含む技術情報について , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその
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との保証を行うものではありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害などについて , 当社はその責任
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本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途（原子力施設における
核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵器システムにおけるミサイル発
射制御など）, または極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星など）に使用されるよう設計・製造されたものではありません。し
たがって , これらの用途へのご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損
害などについては , 当社は責任を負いません。
半導体デバイスには , ある確率で故障や誤動作が発生します。本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は , 当社半導体
デバイスに故障や誤動作が発生した場合も , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害などを生じさせないよう , お客様の責任において , 装置の冗長
設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規などの規制
をご確認の上 , 必要な手続きをおとりください。
本資料に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 システムメモリ事業部