LTC3537 – 2.2MHz、600mA同期整流式昇圧DC/DCコンバータおよび

LTC3537
2.2MHz、600mA同期整流式
昇圧DC/DCコンバータ
および100mA LDO
特長
■
概要
高効率昇圧DC/DCコンバータおよびLDO
昇圧
■
■
■
■
■
LTC®3537は、高効率2.2MHz昇圧DC/DCコンバータと独立し
た100mA低損失レギュレータ(LDO)を組み合わせたデバイス
です。昇圧コンバータは0.68Vの低入力電圧で起動し、0.4Ωス
イッチに加えて、
シャットダウン時にディスエーブルされた場合
に出力からの切断を行う0.6Ω同期整流器を内蔵しています。
VIN：0.68V～5V、VOUT：1.5V～5.25V
IOUT：3.3V/100mA、VIN>0.8V
2.2MHz固定周波数動作
出力切断付き同期整流器
Burst Mode動作(ピンで選択可能)
2.2MHzのスイッチング周波数により、
高さの低い小型のインダ
クタやセラミック・コンデンサを使用できるので、
ソリューショ
ンの実装面積を最小限に抑えます。電流モードPWM設計は
内部補償されているので、外付け部品数を低減します。軽負
荷電流が検知されるまで固定周波数スイッチングが維持さ
れ、検知されると、Burst Mode®動作によって効率が最大にな
ります。Burst Mode動作はディスエーブルできるので、低ノイズ
動作が可能です。
アンチリンギング回路は不連続モードでイ
ンダクタを制動することによってEMIを低減します。
この他に、
1μA以下の低いシャットダウン電流、熱過負荷保護などを特
長としています。
リニアLDOレギュレータ
■ VIN：1.8V～5.5V、
VOUT：0.6V～5V
IOUT：100mA
■ 50mAでの損失電圧：100mV
■ fSWでのリップル除去比：24dB
組み合わせ
■ パワーグッド・インジケータ
■ 低バッテリ･コンパレータ
■ 消費電流：30μA
■ 高さの低い3mm×3mm×0.75mmパッケージ
内蔵のLDOレギュレータは非常に低ノイズでプログラム可能
な低損失電源を提供します。
アプリケーション
、LT、LTC、LTMおよびBurst Modeはリニアテクノロジー社の登録商標です。
他の全ての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。
ワイヤレス・マイクロフォン
携帯用医療機器
■ ノイズ相殺/携帯ヘッドセット
■ RFおよびオーディオ電源
■
■
標準的応用例
100
2.2µH
効率および電力損失と負荷電流
1000
90
SW
LTC3537
+
R5
1.0M
1µF
OFF ON
PWM BURST
VOUTB
LBI
VINL
LBO
FBB
PGDB
PGDL
VOLDO
ENLDO
ENBST
MODE
FBL
SGND PGND
R2
1.74M
VOUTB
3.3V
33pF
10µF
VOLDO
3V
R4
2.05M
1µF
R1
1M
R3
511k
80
60
10
50
40
1
POWER LOSS
30
20
0.1
10
3537 TA01a
100
EFFICIENCY
70
0
0.01
POWER LOSS (mW)
ALKALINE
0.8V
TO
1.6V
VINB
EFFICIENCY (%)
R6
665k
VINB, MODE = 1.8V
0.1
1
100
10
LOAD CURRENT (mA)
0.01
1000
3537 TA01b
3537fd
1
LTC3537
ピン配置
VINBとVINLの電圧 .................................................... − 0.3V～6V
SWのDC電圧........................................................... − 0.3V～6V
SWのパルス(< 100ns)電圧 ..................................... −0.3V～7V
FBB、
FBL、PGDB、
PGDLの電圧 ................................ −0.3V～6V
MODE、ENBST、ENLDOの電圧................................. −0.3V～6V
LBIとLBOの電圧 ..................................................... −0.3V～6V
VOUTB、VOLDO ........................................................... −0.3V～6V
動作温度 (Note 2、5)...........................................−40℃～85℃
接合部温度......................................................................125℃
保存温度範囲...................................................−65℃～125℃
VOUTB
SW
PGND
LBO
TOP VIEW
16 15 14 13
MODE 1
12 VINL
LBI 2
11 VOLDO
17
SGND 3
10 FBL
9 FBB
5
6
7
8
PGDL
ENLDO
VINB 4
PGDB
(Note 1)
ENBST
絶対最大定格
UD PACKAGE
16-LEAD (3mm × 3mm) PLASTIC QFN
TJMAX = 125°C, θJA = 68°C/W (Note 6)
EXPOSED PAD (PIN 17) IS GND, MUST BE SOLDERED TO PCB
発注情報
鉛フリー仕様
テープアンドリール
製品マーキング
パッケージ
温度範囲
LTC3537EUD#PBF
LTC3537EUD#TRPBF
LDBD
16-Lead (3mm × 3mm) Plastic QFN
–40°C to 85°C
さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。
非標準の鉛ベース仕様の製品の詳細については、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。
鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、
http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。
テープアンドリールの仕様の詳細については、
http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/ をご覧ください。
電気的特性
●は全動作温度範囲の規格値を意味する。
それ以外はTA = 25℃での値。注記がない限り、VINB = 1.2V、VOUTB = 3.3V。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Boost Converter
VINMIN
Minimum Start-Up Voltage
VOUTB
Output Voltage Range
l
1.5
VFBB
Feedback Voltage
l
1.179
IFBB
Feedback Input Current
IQSHDN
Quiescent Current - Shutdown
IQACTIVE
ILOAD = 1mA
0.68
0.8
V
5.25
V
1.21
1.240
V
1
50
nA
VENBST = VENLDO = 0V, Not Including SW Leakage,
VOUTB = 0V
0.02
1
µA
Quiescent Current - Active
Measured on VOUTB, Nonswitching, MODE = 1.2V,
VENLDO = 0V
300
500
µA
IQBURST
Quiescent Current - Burst
Measured on VOUTB, FBB >1.24V, MODE = 1.2V,
VENLDO = 0V
15
INLEAK
NMOS Switch Leakage Current VSW = 5V
0.1
5
µA
IPLEAK
PMOS Switch Leakage Current VSW = 5V, VOUTB = 0V
0.1
10
µA
µA
3537fd
2
LTC3537
電気的特性
●は全動作温度範囲の規格値を意味する。
それ以外はTA = 25℃での値（Note 2）。注記がない限り、VINB = 1.2V、VOUTB = 3.3V。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
RNMOS
NMOS Switch On Resistance
VOUTB = 1.8V
VOUTB = 3.3V
VOUTB = 5V
0.8
0.4
0.3
Ω
Ω
Ω
RPMOS
PMOS Switch On Resistance
VOUTB = 1.8V
VOUTB = 3.3V
VOUTB = 5V
1
0.6
0.4
Ω
Ω
Ω
ILIM
NMOS Current Limit
(Note 4)
750
mA
40
ns
87
92
%
2
2.2
tLIMDELAY
MIN
l
Current Limit Delay Time to
Output
(Note 3)
Max Duty Cycle
VFBB = 1.15V
l
Min Duty Cycle
VFBB = 1.3V
l
fSW
Switching Frequency
VENBSTH
ENBST Input High Voltage
VENBSTL
ENBST Input Low Voltage
IENBSTIN
ENBST Input Current
VMODEH
MODE Input High Voltage
VMODEL
MODE Input Low Voltage
IMODEIN
MODE Input Current
tSS
Soft-Start Time
VFBLBI
LBI Feedback Voltage
l
600
TYP
0
2.4
0.8
1.5
VENBST = 5.5V
530
V
1.5
µA
0.5
ms
553
575
35
ILBIIN
LBI Input Current
VLBI = 1V
10
VLBOLOW
LBO Voltage Low
ILBO = 5mA
200
ILBOLEAK
LBO Leakage Current
VLBO = 5.5V
0.01
VPGDBLOW
PGDB Voltage Low
IPGDB = 5mA
200
PGDB Leakage Current
VPGDB = 5.5V
0.01
PGDB Trip Point Voltage
VFBB Rising
PGDB Hysteresis
V
V
0.3
Falling Threshold
%
MHz
µA
0.8
VMODE = 5.5V
UNITS
V
0.3
LBI Hysteresis Voltage
IPGDBLEAK
MAX
mV
mV
50
nA
mV
1
µA
mV
1
µA
94
% VOUTB
6
%
●は全動作温度範囲の規格値を意味する。
それ以外はTA = 25℃での値（Note 2）。注記がない限り、VINL = 3.3V、VOLDO = 3V。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
LDO Regulator
VINL
Input Voltage Range
VOLDO
Output Voltage Range
IOUTMAX
Max Output Current
l
100
VFBL
Feedback Voltage
l
590
VDROPOUT
ILOAD = 100mA
1.8
5.5
V
VFBL
5
V
mA
600
610
mV
Line Regulation
VINL = 1.8V to 5.5V
0.1
%
Load Regulation
ILOAD = 10mA to 90mA
0.4
%
Dropout Voltage
IO = 50mA
100
mV
3537fd
3
LTC3537
電気的特性
●は全動作温度範囲の規格値を意味する。
それ以外はTA = 25℃での値（Note 2）。注記がない限り、VINL = 3.3V、VOLDO = 3V。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
PSRR
Ripple Rejection
f = 2.2MHz at ILOAD = 100mA (Note 3)
ISHORT
Short Circuit Current Limit
VOLDO = 0V
VENLDOH
ENLDO Input High Voltage
l
110
TYP
MAX
UNITS
24
dB
150
mA
0.8
V
VENLDOL
ENLDO Input Low Voltage
IENLDO
ENLDO Input Current
VENLDO = 5.5V
1.5
µA
VPGDLLOW
PGDL Voltage Low
IPGDL = 5mA
200
mV
IPGDLLEAK
PGDL Leakage Current
VPGDL = 5.5V
0.01
PGDL Trip Point
VFBL Rising
0.3
PGDL Hysteresis
Note 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可
能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、
デバイスの信頼性と寿命に悪影響
を与える可能性がある。
Note 2：LTC3537は0℃～85℃の温度範囲で性能仕様に適合することが保証されている。
− 40℃～85℃の動作温度範囲での仕様は設計、特性評価および統計学的なプロセス・コント
ロールとの相関で確認されている。
Note 3：仕様は設計によって保証されており、
製造時に全数テストは行われない。
1
V
µA
96
% VOLDO
3
%
Note 4：電流測定は出力がスイッチングしていないときに行われる。
Note 5：このデバイスには短時間の過負荷状態の間デバイスを保護するための過熱保護機能
が備わっている。過熱保護機能がアクティブなとき接合部温度は125℃を超える。規定された
最高動作接合部温度を超えた動作が継続するとデバイスの劣化または故障が生じるおそれ
がある。
Note 6：パッケージの露出した裏面をPCボードのグランド・プレーンに半田付けしないと、
熱抵
抗が68℃/Wよりもはるかに大きくなる。
3537fd
4
LTC3537
標準的性能特性　注記がない限り、TA = 25℃。
効率と負荷電流およびVINB
(VOUTB = 1.8V)
効率と負荷電流およびVINB
(VOUTB = 3.3V)
100
100
1000
90
80
100
10
50
40
30
20
10
0
0.01
1
VINB = 1V
VINB = 1.2V
VINB = 1.5V
0.1
PLOSS AT VINB = 1V
PLOSS AT VINB = 1.2V
PLOSS AT VINB = 1.5V
0.01
1
100
1000
0.1
10
LOAD CURRENT (mA)
100
70
60
10
50
POWER LOSS (mW)
60
POWER LOSS (mW)
70
EFFICIENCY (%)
80
無負荷時入力電流とVINB
VOUTB = 5V
VOUTB = 3.3V
VOUTB = 2.5V
VOUTB = 1.8V
160
VINB = 1.2V
VINB = 1.8V 1
VINB = 2.4V
VINB = 2.8V
PLOSS AT VINB = 1.2V 0.1
PLOSS AT VINB = 1.8V
PLOSS AT VINB = 2.4V
PLOSS AT VINB = 2.8V
0.01
1
100
1000
0.1
10
LOAD CURRENT (mA)
40
30
20
10
0
0.01
140
120
IINB (µA)
90
EFFICIENCY (%)
180
1000
100
80
60
40
20
0
0.6
1.2
1.8
3537 G02
3537 G01
2.4
3
VINB (V)
3.6
4.2
4.8
3537 G03
効率と負荷電流およびVINB
(VOUTB = 5V)
100
1000
1000
90
40
30
20
10
0
0.01
VINB = 1.2V
VINB = 2.4V 1
VINB = 3.6V
VINB = 4.2V
PLOSS AT VINB = 1.2V 0.1
PLOSS AT VINB = 2.4V
PLOSS AT VINB = 3.6V
PLOSS AT VINB = 4.2V
0.01
1
100
1000
0.1
10
LOAD CURRENT (mA)
VOUTB = 3.3V
600
500
400
VOUTB = 1.8V
200
100
0
0.5
1
1.5
3537 G04
60
45
40
LOAD CURRENT (mA)
35
DELAY (µs)
40
30
20
10
1
1.5
2
2.5
3
VINB (V)
2
2.5 3
VINB (V)
4
3.5
10
0.8 0.9
4.5
3.5
4
4.5
5
3537 G07
Burst Modeスレッショルド電流と
VINB
50
45
40
LEAVE BURST
25
ENTER BURST
20
15
25
15
5
1.1
1.2
VINB (V)
1.3
1.4
3537 G08
ENTER BURST
20
10
1
LEAVE BURST
30
5
0.9
VOUTB = 2.5V
COUTB = 10µF
L = 2.2µH
35
10
0
0.8
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8
VINB (V)
3537 G06
VOUTB = 1.8V
COUTB = 10µF
L = 2.2µH
30
1
3537 G05
Burst Modeスレッショルド電流と
VINB
起動遅延時間とVINB
50
0
100
VOUTB = 2.5V
300
LOAD CURRENT (mA)
50
700
LOAD (Ω)
10
POWER LOSS (mW)
60
起動時最小負荷抵抗とVINB
800
LOAD CURRENT (mA)
100
70
1000
VOUTB = 5V
900
80
EFFICIENCY (%)
最大出力電流とVINB
0
0.8
1
1.2
1.4
1.6
VINB (V)
1.8
2
3537 G09
3537fd
5
LTC3537
標準的性能特性　注記がない限り、TA = 25℃。
LOAD CURRENT (mA)
50
180
VOUTB = 3.3V
COUTB = 10µF
L = 2.2µH
160
140
LOAD CURRENT (mA)
60
Burst Modeスレッショルド電流と
VINB
40
LEAVE BURST
30
ENTER BURST
20
1
VOUTB = 5V
COUTB = 10µF
L = 2.2µH
NORMALIZED TO 3.3V
120
100
80
LEAVE BURST
60
40
10
ENTER BURST
20
0
0.8
1.2
1
1.4
1.6 1.8
VINB (V)
2
2.2
0
0.9
2.4
1.4
1.9
2.4 2.9
VINB (V)
3.4
RDS(ON)とVOUTB
1
発振器周波数の変化と温度
PMOS
0.6
0.5
NMOS
NORMALIZED TO 25°C
–1
4
–2
–3
0.80
NORMALIZED TO 20°C
0
20
40
TEMPERATURE (°C)
60
80
VINB (V)
0.60
–0.25
0.55
–0.30
–40
0.50
–40
80
3537 G16
PMOS
NMOS
–30
–40
–20
0
20
40
TEMPERATURE (°C)
60
80
3537 G15
60
Burst Mode消費電流とVOUTB
50
0.65
–0.20
60
3537 G12
NORMALIZED TO 25°C
–10
起動電圧と温度
0.70
–0.15
0
20
40
TEMPERATURE (°C)
5
4.5
0
0.75
VFBB AND VFBL
–20
4
3537 G14
0.00
VOLTAGE CHANGE (%)
–20
3537 G13
電圧帰還の変化と温度
–0.10
3
3.5
VOUTB (V)
RDS(ON)の変化と温度
–20
–4
–40
5
4.5
2.5
10
VOUTB(IQ) (µA)
0.05
3
3.5
VOUTB (V)
2
20
0
0.3
2.5
–4
30
RDS(ON) CHANGE (%)
FREQUENCY CHANGE (%)
RDS(ON) (Ω)
0.8
2
–3
–6
1.5
4.4
0.9
0.2
1.5
–2
3537 G11
1.0
0.4
–1
–5
3.9
3537 G10
0.7
発振器周波数の変化とVOUTB
0
FREQUENCY CHANGE (%)
Burst Modeスレッショルド電流と
VINB
40
30
20
–20
0
20
40
TEMPERATURE (°C)
60
80
3537 G17
10
1.8
VINB = 1.2V
ENLDO = HIGH
2.3
2.8
3.3
3.8
VOUTB (V)
4.3
4.8
3537 G18
3537fd
6
LTC3537
標準的性能特性　注記がない限り、TA = 25℃。
固定周波数のスイッチング波形と
VOUTBのリップル
Burst Modeの波形
ソフトスタート時のVOUTBとIINB
ENBST
VOUTB
20mV/DIV
SW
2V/DIV
VOUTB
2V/DIV
VOUTB
20mV/
DIV
IL
10mA/DIV
VINB = 2.4V
VOUTB = 3.3V
COUTB = 4.7µF
200ns/DIV
IVINB
200mA/
DIV
VINB = 2.4V
VOUTB = 3.3V
COUTB = 10µF
3537 G19
10µs/DIV
VINB = 1.2V
VOUTB = 3.3V
COUTB = 4.7µF
ILOAD = 10mA
3537 G20
負荷電流ステップ応答
(固定周波数)
負荷電流ステップ応答
(Burst Mode動作から)
負荷電流ステップ応答
(固定周波数)
VOUTB
100mV/
DIV
VOUTB
100mV/
DIV
VOUTB
100mV/
DIV
ILOAD
100mA/
DIV
ILOAD
100mA/
DIV
ILOAD
100mA/
DIV
VINB = 2.4V
VOUTB = 3.3V
COUTB = 4.7µF
100µs/DIV
VINB = 2.4V
VOUTB = 3.3V
COUTB = 4.7µF
3537 G22
負荷電流ステップ応答
(Burst Mode動作から)
140
100µs/DIV
VINB = 3.6V
VOUTB = 5V
COUTB = 4.7µF
3537 G23
LDOのドロップアウト電圧と
負荷電流
60
DROPOUT VOLTAGE (mV)
120
ATTENUATIOIN (dB)
ILOAD
100mA/
DIV
80
60
40
100µs/DIV
3537 G25
0
3537 G24
VINL = 3.3V
VOLDO = 3V
CLOAD = 4.7µF
ILOAD = 50mA
40
30
20
10
20
VINB = 3.6V
VOUTB = 5V
COUTB = 4.7µF
100µs/DIV
LDOの入力リップル除去と周波数
50
100
VOUTB
100mV/
DIV
3537 G21
100µs/DIV
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
LOAD CURRENT (mA)
3537 G26
0
0.01
0.1
1
10
FREQUENCY (kHz)
100
3537 G29
3537fd
7
LTC3537
標準的性能特性　注記がない限り、TA = 25℃。
7
6
LDOの電流制限と温度
LDOの負荷電流ステップ応答
NORMALIZED TO 25°C
LOAD CURRENT (%)
5
VOLDO
100mV/
DIV
4
3
2
1
ILOAD
100mA/
DIV
0
–1
–2
–40
–20
0
20
40
TEMPERATURE (°C)
60
80
VINL = 3.3V
VOLDO = 3V
COUT = 1µF
3537 G30
VOLDO
100mV/
DIV
VOLDO
100mV/
DIV
ILOAD
100mA/
DIV
ILOAD
100mA/
DIV
100µs/DIV
3537 G31
LDOの負荷電流ステップ応答
LDOの負荷電流ステップ応答
VINL = 5V
VOLDO = 3V
COUT = 1µF
100µs/DIV
3537 G32
VINL = 5V
VOLDO = 1.8V
COUT = 1µF
100µs/DIV
3537 G33
3537fd
8
LTC3537
ピン機能
MODE
（ピン1）
：自動Burst Mode機能のロジック制御入力。
MODE = “H”：Burst Mode動作付きPWM動作
MODE = “L”：PWM動作のみ
LBI（ピン2 ）
：バッテリ低下検知コンパレータの非反転入力。
（コンパレータはENBSTまたはENLDOでイネーブルされる）
SGND
（ピン3）
：信号グランド。GNDと、入力コンデンサと出力コ
ンデンサの
（­）側をPCBの短い直線経路で接続します。
VINB
（ピン4）
：昇圧コンバータの入力電源。最小1μFのセラミッ
ク・デカップリング・コンデンサをこのピンからグランドに接続
します。
PGDB
（ピン5）
：昇圧コンバータのパワーグッド・インジケータ。
これはオープン・ドレインの出力で、VOUTBがプログラムされた
電圧の94%を下回ると電流をシンクします。
ENBST
（ピン6）
：昇圧コンバータのロジック制御のシャットダウ
ン入力。
ENBST = “H”：通常動作
ENBST = “L”：シャットダウン機能
PGDL（ピン7）
：LDOレギュレータのパワーグッド・インジケー
タ。
これはオープン・ドレインの出力で、VOLDOがプログラムさ
れた電圧の96%を下回ると電流をシンクします。
ENLDO（ピン8）
：LDOレギュレータのロジック制御のシャット
ダウン入力。
ENLDO = “H”：通常動作
ENLDO = “L”：シャットダウン機能
FBB
（ピン9）
：昇圧コンバータのgm誤差アンプの帰還入力。抵
抗分割器のタップをこのピンに接続します。出力電圧は1.5V
∼5.25Vの範囲で次のように調節できます。
（R2/R1）]
VOUTB = 1.21V • [1＋
FBL
（ピン10）
：LDOのgm誤差アンプの帰還入力。抵抗分割器
のタップをこのピンに接続します。
出力電圧は0.6V（標準）∼
5Vの範囲で次のように調整できます。
VOLDO = 0.6V • [1＋（R4/R3）]
VOLDO
（ピン11）
：LDOレギュレータの出力。
VOLDOから出力フィ
ルタ・コンデンサ
（最小1μF）
までのPCBトレースをできるだけ
短くし、幅を広くします。
VINL
（ピン12）
：LDOレギュレータの入力電源。
VOUTB
（ピン13）
：出力電圧センス入力および内部同期整流器
のドレイン。VOUTBから出力フィルタ・コンデンサ
（最小4.7μF）
までのPCBトレースをできるだけ短くし、幅を広くします。
SW（ピン14）
：スイッチ・ピン。SWとVINBの間にインダクタを接
続します。
これらのPCBトレースをできるだけ短くし、
幅を広くし
てEMIを減らします。
インダクタ電流がゼロになるか、ENBST
が L に引き下げられると、
内部のアンチリンギング・スイッチ
がSWからVINBに接続されてEMIを最小限に抑えます。
PGND
（ピン15）
：パワー・グランド。GNDと、入力コンデンサと出
力コンデンサの
（­）
側をPCBの短い直線経路で接続します。
LBO（ピン16）
：バッテリ低下検知コンパレータの出力。
（オープ
ン・ドレイン）
GND（露出パッド・ピン17 ）
：パワー・グランド。露出パッドは
PCBに半田付けする必要があります。
3537fd
9
LTC3537
ブロック図
SW
VOUT
VBEST
VINB
WELL
SWITCH
VBEST
VOUTB
R2
FBB
SHUTDOWN
ENBST
Σ
–
VREF
VREF
SLOPE
COMPENSATION
+
+
UVLO
STARTUP
LOGIC
1.21V
VREF
MODE
CONTROL
2.2MHz
OSC
WELL
SWITCH
CLAMP
THERMAL
SHUTDOWN
+
1.14V
–
FBB
+
0.58V
–
PGDB
FBL
R1
–
ENLDO
+
SHUTDOWN
–
GATE DRIVERS
AND
ANTI-CROSS
CONDUCTION
VINL
VOLDO
R4
–
+
+
0.55V
LBI
–
PGDL
GATE
DRIVER
LBO
MODE
SGND
PGND
0.6V
R3
FBL
3537 BD
VIN
R6
R5
3537fd
10
LTC3537
動作
LTC3537は16ピン3mm 3mm QFNパッケージに収められた
2.2MHz同期整流式昇圧(ブースト)コンバータおよびLDOレ
ギュレータです。LTC3537は0.7V以下の入力電圧でも起動お
よび動作が可能で、固定周波数の電流モードPWM制御機能
を備えており、
ラインと負荷のレギュレーションが非常に優れ
ています。
適応型スロープ補償付き電流モード・アーキテクチャは過
渡負荷応答が優れており、最小の出力フィルタ機能しか必
要としません。内部のソフトスタートとループ補償により設計
過程が簡素化され、外部部品点数が最少に抑えられます。
LTC3537はRDS(ON)が低くゲート電荷が低い内部Nチャネル
MOSFETスイッチとPチャネルMOSFETの同期整流器を備え
ているので、広い負荷電流範囲で高い効率を維持します。
自
動Burst Mode動作は非常に軽い負荷で高効率を維持し、消
費電流をわずか30μAに減らします。
ブロック図を参照すると
動作をよく理解できます。
低電圧での起動
LTC3537昇圧コンバータは、0.68V(標準)の入力電圧で動作
するように設計されている独立した起動発振器を備えていま
す。通常モードとともに、起動時のソフトスタートと突入電流制
限が備わっています。
VINBまたはVOUTBが1.4V(標準)を超えるとデバイスは通常の
動作モードに移行します。出力電圧が入力を0.24Vだけ超え
るとデバイスはVINBではなくVOUTBから自己給電します。
この
時点で内部回路はVINB入力電圧に依存しなくなるため、大容
量入力コンデンサは不要です。起動後は、入力電圧はわずか
0.5Vまで下がることができます。
アプリケーションを制限する
要素は、低い電圧で出力に十分なエネルギーを供給する電源
の有無と、標準で92%にクランプされる最大デューティ・サイク
ルです。低い入力電圧では、直列抵抗による小さな電圧降下
が重要になり、
コンバータの電力供給能力を大きく制限するこ
とに注意してください。
低ノイズ固定周波数動作
ソフトスタート
LTC3537にはソフトスタート動作を行う内部回路が備わって
います。
ソフトスタート回路はピーク・インダクタ電流をゼロか
ら750mA(標準)のピーク値まで約0.5msかけてゆっくりランプ
させますので、重い負荷での起動が可能になります。
ソフトス
タート回路は、
コマンドにより、
または熱によるシャットダウン
が起きると、
リセットされます。
発振器
内部発振器はスイッチング周波数を2.2MHzに設定します。
シャットダウン機能
ENBSTを0.3Vより下に引き下げると昇圧コンバータがシャッ
トダウンし、ENBSTを0.8Vより上に引き上げるとイネーブルさ
れます。ENBSTは、絶対最大定格より下に制限されている限
り、VINBまたはVOUTBより上にドライブできることに注意してく
ださい。
昇圧誤差アンプ
トランスコンダクタンス誤差アンプの非反転入力は内部で
1.2Vのリファレンスに接続されており、反転入力はFBBに接続
されています。大信号過渡応答を改善するため、
クランプによ
り、誤差アンプの最小と最大の出力電圧が制限されます。パ
ワー・コンバータの制御ループの補償は内部で与えられてい
ます。VOUTBからグランドに接続された外部抵抗分圧器は、
FBBを介して出力電圧を1.5V∼5.25Vにプログラムします。
 R2 
VOUTB =1.21V 1+ 
 R1 
昇圧電流検出
無損失電流検出により、NチャネルMOSFETスイッチのピーク
電流信号が電圧に変換され、
内部スロープ補償に加算されま
す。
この加算された信号が誤差アンプ出力と比較され、PWM
のためのピーク電流制御コマンドを出力します。
3537fd
11
LTC3537
動作
昇圧電流制限
電流制限コンパレータはそのスレッショルドに達するとNチャ
ネルMOSFETスイッチをオフします。電流制限コンパレータの
出力までの遅延は標準40nsです。
ピーク・スイッチ電流は、入
力電圧や出力電圧に無関係に、VOUTBが0.8Vより下に下がら
ない限り約750mAに制限されます。VOUTが0.8Vより下に下が
ると、電流制限は半分に切り下げられます。
昇圧ゼロ電流コンパレータ
ゼロ電流コンパレータは出力へのインダクタ電流をモニタし、
この電流が約30mAに下がると同期整流器をオフします。
これ
により、
インダクタ電流の極性が反転するのを防止し、軽負荷
での効率を改善します。
昇圧同期整流器
突入電流を制御し、VOUTBがVINBに近いときインダクタ電流
が暴走しないようにするため、PチャネルMOSFET同期整流器
はVOUTB > (VINB＋0.24V)のときだけイネーブルされます。
昇圧アンチリンギング制御
アンチリンギング制御回路は、不連続電流モード動作で、
イン
ダクタの両端に抵抗を接続してSWピンの高周波リンギングを
防ぎます。LとCSW(SWピンの容量)で形成される共振回路の
リンギングはエネルギーが低いとはいえ、EMI放射を生じるこ
とがあります。
昇圧出力切断
LTC3537は内蔵PチャネルMOSFET同期整流器のボディ・ダ
イオードに電流が流れないようにして真の出力切断ができる
ように設計されています。
これにより、VOUTBをシャットダウン
の間ゼロボルトにすることができ、入力ソースから電流は流れ
ません。
また、
ターンオン時に突入電流を制限することができ
るので、入力電源から見たサージ電流を最小に抑えます。出
力切断の利点を得るには、SWピンとVOUTBの間に外付けの
ショットキー・ダイオードを接続することはできないことに注意
してください。
出力切断機能により、VINBに接続された電源へ
逆電流が流れ込むことなく、VOUTBを公称レギュレーション
電圧より上に引き上げることもできます。
熱過負荷保護機能
LTC3537昇圧コンバータはダイの温度が160℃(標準)を超える
とシャットダウンします。全てのスイッチがオフしてソフトスター
ト・コンデンサが放電します。昇圧コンバータはダイの温度が
約15℃低下するとイネーブルされます。
昇圧Burst Mode動作
イネーブルされると(MODEピンが H )、LTC3537は軽負荷
電流では自動的にBurst Mode動作に移行し、
負荷が重くなる
と固定周波数のPWMモードに戻ります。
「標準的性能特性」
の
「Burst Modeスレッショルド電流とVINB」
を参照してくださ
い。Burst Mode動作に入る負荷電流は、
インダクタの値を調整
することにより、変更することができます。
インダクタの値を上
げると、Burst Mode動作に入る負荷電流が下がります。
Burst Mode動作では、LTC3537はピーク電流モード制御の同
じ誤差アンプとループ補償を使って依然2.2MHzの固定周波
数でスイッチングします。
この制御方法では、
モード間の切替
えのとき全ての出力過渡が除去されます。Burst Mode動作時、
公称電圧レギュレーション値に達するまでエネルギーが出力
に供給され、
それからLTC3537はスリープ・モードに移行しま
す。
スリープ・モードでは出力はオフし、LTC3537は(LDOをイ
ネーブルされた状態に保つのに必要な電流を含めて)VOUTB
からわずか30μAの静止電流しか消費しません。出力電圧が
わずかに垂下すると、
スイッチングが再度開始されます。
この
ため、
スイッチング損失と消費電流損失が最小に抑えられ、非
常に軽い負荷での効率が最大化されます。標準で1%ピークピーク間のBurst Modeの出力電圧リップルは、
出力容量を増
やすか(10μF以上)、
または小さなコンデンサ(10pF∼50pF)を
VOUTBとFBBの間に接続して減らすことができます。
負荷電流が増加するにつれ、LTC3537は自動的にBurst Mode
動作から出ます。
出力コンデンサの値を大きくすると、
この移行
が軽い負荷で起きることに注意してください。
LTC3537がBurst
Mode動作から出て通常動作に戻ると、
出力負荷がバースト・
スレッショルドより下に下がるまでその状態に留まります。
3537fd
12
LTC3537
動作
Burst Mode動作は起動時とソフトスタートの間、
およびVOUTB
がVINBより少なくとも0.24V大きくなるまで禁止されます。
MODEをGNDに接続すると、
LTC3537は2.2MHzの連続PWM
周波数で動作します。非常に軽い負荷では、LTC3537はパル
ス・スキップ動作を行います。
1セルから5Vへの昇圧アプリケーション
1セル
（アルカリ、NiCdまたはNiMH）
から5Vに昇圧するアプリ
ケーションではインダクタ電流のスルーレートが高いので、入
力電圧が1.2Vより低いときにはLTC3537はBurst Mode動作
にならないことがあります。異なる入出力電圧に対するBurst
Modeのスレッショルドについては、
「標準的性能特性」
のグラ
フを参照してください。
LDOレギュレータの動作
LTC3537は独立した100mA低ドロップアウト・リニア・レギュ
レータ(LDO)を内蔵しています。VINLピンは独立した電源ま
たは昇圧レギュレータの出力に接続することができます。VINL
の入力コンデンサはオプションですが、過渡応答を改善する
のに役立ちます。VINLが1.5Vに下がってもLDOは動作します
が、仕様は1.8V∼5.5VのVINLで保証されています。
シャットダウン機能
ENLDOを0.3Vより下に引き下げるとLDOがシャットダウン
し、ENLDOを0.8Vより上に引き上げるとイネーブルされます。
ENLDOは、絶対最大定格より下に制限されている限り、V INL
またはVOLDOより上にドライブできることに注意してください。
LDOの出力電圧が入力電圧より上に保たれていると、LDOは
出力が入力電圧より下に戻るまでシャットダウンします。
シャッ
トダウン時、LDOはVOLDOからVINLへの逆電流をブロックし
ます。
LDOの誤差アンプ
トランスコンダクタンス誤差アンプの非反転入力は内部で
0.6Vのリファレンスに接続されており、反転入力はFBLに接続
されています。制御ループの補償は内部で与えられています。
VOLDOからグランドに接続された外部抵抗分圧器は、FBLを
介して出力電圧を0.6V∼5Vにプログラムします。
⎛ R4 ⎞
VOLDO = 0.6V ⎜ 1+ ⎟
⎝ R3 ⎠
LDO電流の検出と制限
電流は内部抵抗の両端で検出されます。保証最小出力電流
は100mAです。
バッテリ低下インジケータ
LTC3537はバッテリ低下コンパレータを備えています。
コンパ
レータの非反転入力は内部で0.58Vのリファレンスに接続さ
れており、反転入力はLBIに接続されています。VINLからグラ
ンドに接続された外部抵抗分割器により、
スレッショルド電
圧がプログラムされます。LBIの電圧が0.58Vより下に下がる
と、
オープン・ドレインのNチャネルMOSFETがオンします。N
チャネルMOSFETデバイスは、昇圧コンバータとLDOの両方
がシャットダウンしているときオフに強制されます。
 R6 
VLBI = 0.58V  1+ 
 R5 
昇圧パワーグッド・インジケータ
LTC3537には昇圧コンバータのためのパワーグッド・コンパ
レータが備わっています。
コンパレータの非反転入力は内部
で1.08Vのリファレンスに接続されており、反転入力はFBBピ
ンに接続されています。PGDBのオープン・ドレインMOSFET
は、
出力電圧がプログラムされた出力電圧の標準6%以内のと
きオンします。
PGDBをLDOイネーブル・ピン(ENLDO)に接続することにより
出力のシーケンスを制御することができます。
これにより、
ユー
ザーは昇圧コンバータが安定化されるまでLDOをオフに保つ
ことができます。NチャネルMOSFETはシャットダウンではオン
に強制されます。
LDOパワーグッド・インジケータ
LTC3537にはLDOのためのパワーグッド・コンパレータが備
わっています。
コンパレータの非反転入力は内部で540mVの
リファレンスに接続されており、反転入力はFBLピンに接続さ
れています。PGDLのオープン・ドレインMOSFETは、出力電
圧がプログラムされた出力電圧の標準4%以内のときオフしま
す。
PGDLを昇圧イネーブル・ピン(ENBST)に接続することにより
出力のシーケンスを制御することができます。
これにより、
ユー
ザーはLDOが安定化されるまで昇圧コンバータをオフに保つ
ことができます。NチャネルMOSFETはシャットダウンではオン
に強制されます。
3537fd
13
LTC3537
アプリケーション情報
VINB > VOUTBでの動作
LTC3537昇圧コンバータは入力電圧が望みの出力電圧より
高くても電圧レギュレーションを維持します。
このモードでは
効率がはるかに低くなり、最大出力電流能力が減少すること
に注意してください。
「標準的性能特性」
を参照してください。
昇圧短絡保護
LTC3537の出力切断機能は出力短絡に対して保護します。
短絡状態での電力損失を減らすため、
ピーク・スイッチ電流リ
ミットは400mA(標準)に下げられます。
ショットキー・ダイオード
必要ではありませんが、SWからVOUTBにショットキー・ダイ
オードを追加すると、効率が約4%改善されます。
こうすると、
出力切断と短絡保護機能が無効になることに注意してくださ
い。
PCBレイアウトのガイドライン
LTC3537は高速で動作するので、
ボードのレイアウトに細心の
注意が必要です。不注意なレイアウトは性能の低下を招きま
す。推奨部品配置を図1に示します。
グランド・ピンの銅面積を
大きくするとダイの温度を下げるのに役立ちます。別個のグラ
ンド・プレーンを備えた多層基板が理想ですが、必須だという
わけではありません。
LBO
16
15
SW
14
VOUTB
13
12 VINL
MODE 1
インダクタの選択
LTC3537のスイッチング周波数は2.2MHzと高速なので、
これ
らには小型表面実装チップ・インダクタを使用することができ
ます。1μH∼4.7μHのインダクタの値がほとんどのアプリケー
ションに適しています。
インダクタンスの値を大きくすると、
イ
ンダクタ・リップル電流が減るので、
出力電流能力をわずかに
増やすことができ、Burst Modeスレッショルドが下がります。
イ
ンダクタンスを10μHより大きくしても、
サイズが大きくなるだけ
で、
出力電流能力はほとんど改善されません。最小インダクタ
ンス値は次式で与えられます。
L>
(
VINB(MIN) • VOUTB(MAX) − VINB(MIN)
2.2 • Ripple• VOUTB(MAX)
)
ここで、
リップル = 許容インダクタ電流リップル
(アンペア、
ピーク-ピーク間)
VINB(MIN) = コンバータの最小入力電圧
VOUTB(MAX) = 最大出力電圧
インダクタ電流リップルは一般に最大インダクタ電流の20%
∼40%に設定されます。高周波用フェライト・コアのインダクタ
素材は、安価な鉄粉タイプに比べて、周波数に依存した電力
損失を減らして効率を上げます。
インダクタは、I2R電力損失を
減らすために、ESR(巻線の直列抵抗)が低く、
また飽和せずに
ピーク・インダクタ電流を流すことができなければなりません。
モールド型チョークコイルやチップ・インダクタは、LTC3537で
見られる750mAのピーク・インダクタ電流に対応するのに十分
なコアを一般に持っていません。放射ノイズを最小限に抑える
には、
シールドされたインダクタを使用します。推奨部品とメー
カーについては、表1を参照してください。
11 VOLDO
LBI 2
+
部品の選択
SGND 3
10 FBL
4
9 FBB
VINB
5
6
7
8
3537 F01
PGDB ENBST PGDL ENLDO
MULTIPLE VIAS
TO INNER GROUND LAYERS
図1.
3537fd
14
LTC3537
アプリケーション情報
PART/STYLE
Coilcraft
(847) 639-6400
www.coilcraft.com
LPO4815
LPS4012, LPS4018
MSS5131
MSS4020
MOS6020
ME3220
DS1605, DO1608
Coiltronics
www.cooperet.com
SD10, SD12, SD14, SD18,
SD20,
SD52, SD3114, SD3118
FDK
(408) 432-8331
www.fdk.com
MIP3226D4R7M,
MIP3226D3R3M
MIPF2520D4R7
MIPWT3226D3R0
Murata
(714) 852-2001
www.murata.com
LQH43C
LQH32C (-53 series)
301015
Sumida
(847) 956-0666
www.sumida.com
CDRH5D18
CDRH2D14
CDRH3D16
CDRH3D11
CR43
CMD4D06-4R7MC
CMD4D06-3R3MC
Taiyo-Yuden
www.t-yuden.com
NP03SB
NR3015T
NR3012T
TDK
(847) 803-6100
www.component.tdk.com
VLP
VLF, VLCF
Toko
(408) 432-8282
www.tokoam.com
D412C
D518LC
D52LC
D62LCB
Wurth
(201) 785-8800
www.we-online.com
WE-TPC Type S, M
出力コンデンサと入力コンデンサの選択
出力電圧リップルを下げるため、低ESR(等価直列抵抗)のコ
ンデンサを使います。多層セラミック・コンデンサはESRが非
常に小さく、実装面積の小さいものが入手できるので最適で
す。
ほとんどの昇圧アプリケーションでは4.7μF∼10μFの出力
コンデンサで十分です。最大22μFまでの大きな値を使って、非
常に低い出力電圧リップルと改善された過渡応答を得ること
もできます。X5RとX7Rの誘電体は広い電圧範囲と温度範囲
にわたって容量を維持できるので、素材として適しています。
Y5Vタイプは使わないでください。
1.6
1.4
1.2
1.0
ESR (Ω)
VENDOR
LTC3537の内部ループ補償は、
昇圧レギュレータのPWMモー
ドでは4.7μF以上、LDOレギュレータでは1μF以上の出力コン
デンサの値で安定するように設計されています。
セラミック・コ
ンデンサを推奨しますが、低ESRのタンタル・コンデンサも使う
ことができます。LDOの出力コンデンサの値とESRの要件に関
しては、図2と図3を参照してください。Burst Modeの昇圧出力
電圧リップルを低減するためには、10μFを推奨します。
0.8
0.6
REGION OF
OPERATION
0.4
0.2
0.0
1
10
CAPACITANCE (µF)
100
3537 F02
図2. LDOレギュレータの出力容量とESR
5.0
MINIMUM OUTPUT CAPACITANCE (µF)
表1:推奨インダクタ
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
2
3
5
4
VINL/VOLDO
6
7
3537 F03
図3.LDOレギュレータの最小出力容量とVINL/VOLDO
3537fd
15
LTC3537
アプリケーション情報
負荷過渡が大きな、要求の厳しいアプリケーションでは、昇圧
コンバータにタンタル・コンデンサを使うことができます。過渡
応答を改善する別の方法として、帰還分割器の上側の抵抗の
両端に(VOUTBからFBBに)小さなフィードフォワード・コンデ
ンサを追加します。
22pFの標準値で一般に十分です。
れますが、必要ではありません。
セラミック・コンデンサのメー
カーを数社表2に示します。
セラミック・コンデンサの選択の詳
細についてはメーカーへ直接お問い合わせください。
SUPPLIER
PHONE
WEBSITE
セラミック・コンデンサは昇圧コンバータの入力デカップリン
グ用にも適しており、
デバイスにできるだけ近づけて配置しま
す。ほとんどのアプリケーションには2.2μFの入力コンデンサ
で十分ですが、制約なしにもっと大きな値を使うこともできま
す。LDOレギュレータは入力コンデンサによって性能が改善さ
AVX
(803) 448-9411
www.avxcorp.com
Murata
(714) 852-2001
www.murata.com
Taiyo-Yuden
(408) 573-4150
www.t-yuden.com
TDK
(847) 803-6100
www.component.tdk.com
Samsung
(408) 544-5200
www.sem.samsung.com
表2.コンデンサ・メーカーに関する情報
3537fd
16
LTC3537
標準的応用例
1セルから1.8V、
1.5V
2.2µH
R6
665k
ALKALINE
0.8V
TO
1.6V
+
VINB
R5
1M
1µF
OFF ON
PVM BURST
SW
VOUTB
1.8V
VOUTB
LBI LTC3537 V
INL
LBO
FBB
PGDB
PGDL
VOLDO
ENDLO
ENBST
MODE
FBL
SGND PGND
33pF
R2
499k
10µF
VOLDO
1.5V
R4
1.5M
1µF
R1
1M
R3
1M
3537 TA02
1セルから3.3V、
2.8V
2.2µH
R6
665k
ALKALINE
0.8V
TO
1.6V
+
R5
1M
1µF
OFF ON
PVM BURST
VINB
SW
VOUTB
3.3V
VOUTB
LBI LTC3537 V
INL
LBO
FBB
PGDB
PGDL
VOLDO
ENDLO
ENBST
MODE
FBL
SGND PGND
R2
1.74M
33pF
10µF
VOLDO
2.8V
R4
1.1M
1µF
R1
1M
R3
301k
3537 TA03
3537fd
17
LTC3537
標準的応用例
2セルから低ノイズの3.3V
2.2µH
2-CELL
ALKALINE
1.6V TO 3.2V
R6
2M
+
VINB
R5
1M
1µF
OFF ON
PVM BURST
SW
VOUTB
LBI LTC3537 VINL
LBO
FBB
PGDB
PGDL
VOLDO
ENDLO
ENBST
MODE
FBL
SGND PGND
R2
2M
33pF
10µF
VOLDO
3.3V
R4
2.37M
1µF
R1
1M
R3
523k
3537 TA04
1.8V
2セルから5V、
2.2µH
2-CELL
ALKALINE
1.6V TO 3.2V
R6
2M
+
1µF
VINB
R5
1M
OFF ON
PVM BURST
SW
VOUTB
LBI LTC3537 V
INL
LBO
FBB
PGDB
PGDL
VOLDO
ENDLO
ENBST
MODE
FBL
SGND PGND
R2
1.91M
VOUTB
5V
33pF
10µF
VOLDO
1.8V
R4
2M
1µF
R1
604k
R3
1M
3537 TA05
3537fd
18
LTC3537
標準的応用例
リチウムイオン・バッテリから5V、3.3V
2.2µH
R6
2M
Li-Ion
2.8V
TO
4.2V
VINB
SW
VOUTB
LBI LTC3537 V
INL
LBO
FBB
PGDB
PGDL
VOLDO
ENDLO
ENBST
MODE
FBL
SGND PGND
+
R5
499k
1µF
OFF ON
PVM BURST
R2
1.91M
VOUTB
5V
33pF
10µF
VOLDO
3.3V
R4
2.37M
1µF
R1
604k
R3
523k
3537 TA06
1セルまたは5V入力から3.3V
USB
OR
0.8V TO 1.6V
5V ADAPTER
ALKALINE
2.2µH
+
1µF
+
R6
510k
R5
1.02M
OFF ON
PWM BURST
VINB
10μF
SW
VOUTB
LBI
VINL
LBO LTC3537
FBB
PGDB
PGDL
ENLDO
VOLDO
ENBST
MODE
FBL
SGND PGND
R3
1.74M
3.3V/100mA
33pF
10µF
R2
511k
R1
487k
3537 TA07
3537fd
19
LTC3537
パッケージ
最新のパッケージ図面については、http://www.linear-tech.co.jp/designtools/packaging/ をご覧ください。
UDパッケージ
16ピン・プラスチックQFN (3mm 3mm)
(Reference LTC DWG # 05-08-1691)
0.70 ± 0.05
3.50 ± 0.05
1.45 ± 0.05
2.10 ± 0.05 (4 SIDES)
パッケージの外形
0.25 ± 0.05
0.50 BSC
推奨する半田パッドのピッチと寸法
3.00 ± 0.10
(4 SIDES)
底面図—露出パッド
ピン1のノッチR = 0.20（標準）
または0.25 45 の面取り
R = 0.115
TYP
0.75 ± 0.05
15
ピン1の
トップ・
マーキング
（NOTE 6）
16
0.40 ± 0.10
1
1.45 ± 0.10
(4-SIDES)
2
(UD16) QFN 0904
0.200 REF
0.00 – 0.05
NOTE：
1. 図面はJEDECのパッケージ外形MO-220のバリエーション
（WEED-2）
に適合
2. 図は実寸とは異なる
3. すべての寸法はミリメートル
4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない。
モールドのバリは
（もしあれば）各サイドで0.15mmを超えないこと
5. 露出パッドは半田メッキとする
6. 網掛けの部分はパッケージの上面と底面のピン1の位置の参考に過ぎない
0.25 ± 0.05
0.50 BSC
3537fd
20
LTC3537
改訂履歴　（改訂履歴はRev Dから開始）
REV
日付
概要
ページ番号
D
12/12
LBOからLBOに修正。
Burst Mode消費電流のグラフを修正。
タイプミスの修正。
1～22
6
9
3537fd
リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負い
ません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資
料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。
21
LTC3537
関連製品
製品番号
説明
注釈
LTC3401
1A (ISW)、3MHz、
同期整流式昇圧DC/DCコンバータ
効率：97%、VIN：0.5V∼5V、VOUT(MAX) = 6V、IQ = 38μA、
ISD < 1μA、10ピンMSパッケージ
LTC3402
同期整流式昇圧DC/DCコンバータ
2A (ISW)、3MHz、
効率：97%、VIN：0.5V∼5V、VOUT(MAX) = 6V、IQ = 38μA、
ISD < 1μA、10ピンMSパッケージ
LTC3421
同期整流式昇圧
3A (ISW)、3MHz、
DC/DCコンバータ、
出力切断付き
効率：95%、VIN：0.5V∼4.5V、VOUT(MAX) = 5.25V、IQ = 12μA、
ISD < 1μA、QFN24パッケージ
LTC3422
同期整流式昇圧
1.5A (ISW)、3MHz、
DC/DCコンバータ、
出力切断付き
効率：95%、
VIN：0.5V∼4.5V、VOUT(MAX) = 5.25V、IQ = 25μA、
ISD < 1μA、3mm 3mm DFNパッケージ
LTC3423/
LTC3424
同期整流式昇圧
1A/2A (ISW)、3MHz、
DC/DCコンバータ
効率：95%、VIN：0.5V∼5.5V、VOUT(MAX) = 5.5V、IQ = 38μA、
ISD < 1μA、10ピンMSパッケージ
LTC3426
2A (ISW)、1.2MHz昇圧DC/DCコンバータ
効率：92%、VIN：1.6V∼4.3V、VOUT(MAX) = 5V、
ISD < 1μA、SOT-23パッケージ
LTC3428
同期整流式昇圧
500mA (ISW)、1.25MHz/2.5MHz、
DC/DCコンバータ、
出力切断付き
効率：92%、VIN：1.8V∼5V、VOUT(MAX) = 5.25V、
ISD < 1μA、2mm 2mm DFNパッケージ
LTC3429
同期整流式昇圧
600mA (ISW)、500kHz、
効率：96%、VIN：0.5V∼4.4V、VOUT(MAX) = 5V、IQ = 20μA/300μA、
DC/DCコンバータ、
出力切断とソフトスタート機能付き ISD < 1μA、ThinSOTパッケージ
LTC3458
同期整流式昇圧
1.4A (ISW)、1.5MHz、
DC/DCコンバータ、
出力切断とBurst Mode動作付き
効率：93%、VIN：1.5V∼6V、VOUT(MAX) = 7.5V、IQ = 15μA、
ISD < 1μA、DFN12パッケージ
LTC3458L
同期整流式昇圧
1.7A (ISW)、1.5MHz、
DC/DCコンバータ、
出力切断と
自動Burst Mode動作付き
94%の効率、VOUT(MAX) = 6V、IQ = 12μA、DFN12パッケージ
LTC3459
70mA (ISW)、10Vマイクロパワー同期整流式昇圧
コンバータ/出力切断/Burst Mode動作
VIN：1.5V∼5.5V、VOUT(MAX) = 10V、IQ = 10μA、
ISD < 1μA、ThinSOTパッケージ
LTC3522
400mA昇降圧および200mA降圧の同期整流式
コンバータ
効率：95%、VIN：2.4V∼5.5V、VOUT：5.25V∼0.6V、IQ = 25μA、
ISD < 1μA、3mm 3mm DFNパッケージ
LTC3525-3/
LTC3525-3.3/
LTC3525-5
400mAマイクロパワー同期整流式昇圧
DC/DCコンバータ、
出力切断機能付き
または5V、
効率：95%、
VIN：1V∼4.5V、VOUT(MAX) = 3.0V、3.3V、
IQ = 7μA、ISD < 1μA、SC-70パッケージ
LTC3525L-3
400mAマイクロパワー同期整流式昇圧
DC/DCコンバータ、
出力切断機能付き
効率：90%、VIN：0.7V∼4.5V、VOUT = 3V、IQ = 7μA、
ISD < 1μA、SC70パッケージ
LTC3526L/
LTC3526LB
550mA、1MHz同期整流式昇圧DC/DCコンバータ
効率：95%、VIN：0.75V∼5V、VOUT(MAX)：1.5V∼5.25V、IQ = 9μA、
ISD <1μA、DFN6パッケージ
LTC3528/
LTC3528B
1A、1MHz、
同期整流式昇圧DC/DCコンバータ
効率：94%、VIN：0.7V∼5V、VOUT：1.6V∼5.25V、IQ = 12μA、
ISD < 1μA、2mm 3mm DFNパッケージ、LTC3528B
(PWMモードのみ)
ThinSOTはリニアテクノロジー社の商標です。
3537fd
22
リニアテクノロジー株式会社
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F
TEL 03-5226-7291 FAX 03-5226-0268 www.linear-tech.co.jp
●
●
LT 1212 REV D • PRINTED IN JAPAN
 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2007