128M (16M × 8) ビット NAND タイプ

富士通半導体デバイス
DS05–20885–1
DATA SHEET
フラッシュメモリ
CMOS
128M (16M × 8) ビット NAND タイプ
MBM30LV0128
■ 概 要
MBM30LV0128 は 16M × 8 ビットの NAND 型フラッシュメモリであり , 3.3 V 単一電源によるページ単位での読出し・書
込み , 及びブロック単位での消去が可能です。
ページ単位は 528 バイト , ブロック単位は 32 ページであり , MBM30LV0128
は 528 バイト × 32 ページ × 1024 ブロックで構成されています。528 バイトの各ページには , ECC コードの格納などに使用
できる 16 バイトの予備エリアが含まれています
（本製品の仕様は ECC 補正を前提としています）
。プログラムおよびリー
ドデータは , ページレジスタ経由で 528 バイト単位でアクセスされます。１ページ (528 バイト ) あたり 200 µs でプログラ
ムでき , １ブロック (16 K バイト ) は 2 ms で消去できます。内部コントローラは , データマージンの検証を含むすべての
プログラム / 消去動作を自動で行います。
レジスタに転送されたデータは , 1 バイト当たり 50 ns サイクルで読み出せます。
I/O ピンは , アドレス , データの入出力およびコマンド入力として使用します。MBM30LV0128 は , 大容量記憶メディアを
必要とする用途に対して理想的なソリューションを提供します。たとえば , 静止画 , 動画 , 音楽などのデジタルデータ記憶
, 携帯型プラットフォームのデータ記憶 , 大容量フラッシュディスク , その他の高信頼性 , 低消費電力を必要とする用途な
どに対して理想的です。
■ 品種構成
品 種 構 成
MBM30LV0128
動作温度
− 40 °C ∼ + 85 °C
電源電圧
2.7 V ∼ 3.6 V
リード時
72 mW
消去 / 書き込み
72 mW
TTL スタンバイ時
3.6 mW
CMOS スタンバイ時
0.18 mW
消費電力 ( 最大 )
■ パッケージ
プラスチック・TSOP (I) , 48 ピン
Marking side
→
→
Marking side
(FPT-48P-M19)
( 正ベンド )
(FPT-48P-M20)
( 逆ベンド )
MBM30LV0128
■ 特 長
・3.3 V 動作電圧 (2.7 V ∼ 3.6 V)
システムレベルの電力要求を最小にします。
・構成
メモリセルアレー
: (16 M + 512 K) × 8 ビット
データレジスタ
: (512 + 16) × 8 ビット
・自動プログラム / 消去
ページプログラム
: (512 + 16) バイト
ブロック消去
: (16 K + 512) バイト
・528 バイトページリード動作
ランダムアクセス
: 10 µs ( 最大 )
シリアルアクセス
: 35 ns ( 最大 )
・高速プログラム / 消去
プログラム時間
: 200 µs ( 標準 ) / ページ
ブロック消去
: 2 ms ( 標準 ) / ブロック
・コマンド / アドレス / データ多重化 I/O ポート
・保証書き込み / 消去サイクル数 : 1, 000, 000 ( ECC 補正を使用することを前提 )
・コマンド動作
・パッケージ
48 ピン TSOP タイプ I (0.5 mm ピッチ )
ノーマル / リバースタイプ
・データ保持 : 10 年
2
MBM30LV0128
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
SE
R/B
RE
CE
N.C.
N.C.
VCC
VSS
N.C.
N.C.
CLE
ALE
WE
WP
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
捺印面
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C.
N.C.
N.C.
VCCq
VSS
N.C.
N.C.
N.C.
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
N.C.
N.C.
N.C.
VSS
VCCq
N.C.
N.C.
N.C.
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
(FPT-48P-M19)
( 正ベンド )
(TOP VIEW)
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
WP
WE
ALE
CLE
N.C.
N.C.
VSS
VCC
N.C.
N.C.
CE
RE
R/B
SE
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
捺印面
(FPT-48P-M20)
( 逆ベンド )
3
MBM30LV0128
■ 端子機能説明
端子番号
29 ∼ 32
41 ∼ 44
機能説明
データ入出力端子：
これらの I/O ポートは , コマンド , アドレス , および入出力データをデバイスに入力する際 , お
I/O0 ∼ I/O7 よびデバイスからデータを出力する際に使用されます。
これらの I/O ピンは , 出力がディセーブルになったりデバイスが選択されないと , 高インピー
ダンスになります。
CLE
コマンドラッチイネーブル：
CLE 信号は , 内部コマンドレジスタへのモードコマンドのラッチを可能にします。
CLE =“H”のとき , コマンドは WE 信号の立上がりエッジで I/O ポートからコマンドレジスタに
ラッチされます。
ALE
アドレスラッチイネーブル：
ALE 信号は , 内部アドレス / データレジスタへのアドレスまたはデータのラッチを切り換えま
す。
ALE が“H”の時に WE の立上がりエッジでアドレスをラッチし , ALE が“L”のとき WE の立上
がりエッジでデータをラッチします。
9
CE
チップイネーブル：
CE 信号は , デバイスそのものを選択する際に使用されます。CE が“H”のとき , デバイスはスタン
バイモードに入ります。読みだし動作時に CE が“H”に遷移すると , デバイスはスタンバイモー
ドに入ります。しかし , プログラム動作時または消去動作時のデバイスがビジー状態の場合 (R/
B = L) , CE 入力が変わっても無視されます。
8
RE
リードイネーブル：
RE信号は,シリアルデータ出力を制御します。REの立下がりエッジで,データはデータレジスタ
から I/O 端子に出力され , 更にコラムアドレスカウンタを 1 増分します。
WE
ライトイネーブル：
WE 信号は , I/O 端子からの書込みを制御します。
I/O からのデータ , アドレス , およびコマンドは , WE パルスの立上がりエッジでラッチされま
す。
19
WP
ライトプロテクト：
WP 信号は , 内部高電圧ジェネレータをディセーブルにすることで , デバイスを電源投入 / 切断時
の偶発的消去やプログラミングから保護します。
WP は , 電源を投入後 , VCC が 2.7 V を超えるま
で“L”に保持する必要があります。更に , 電源切断時に VCC が 2.7V 未満になる前に , WP を“L”
にする必要があります。
6
SE
スペアエリアイネーブル：
SE が“L”の時,データ入力,ページプログラム,およびリード時にスペアエリアがアクセス可能に
なります。
7
R/B
レディ/ ビジー出力：
R/B 出力信号は , デバイスの動作状態を出力します。 R/B は , デバイス内部でプログラム , 消
去 , またはリード実行中 ( データレジスタへの転送中 ) に“L”になり , 動作が完了すると“H”を
返します。この信号の出力バッファはオープンドレインです。
37
VCCq
出力バッファ電源 (3.3V/5V 切り換え ):
VCCq 入力は , I/O インタフェースロジックに電力を供給します。
この電力線 (VCCq) は , 5V 許容 I/O をサポートできるよう VCC から電気的に分離されています。
12
VCC
電源
13, 36
VSS
グランド
1∼5
10, 11
14, 15
20 ∼ 24
25 ∼ 28
33 ∼ 35
38 ∼ 40
45 ∼ 48
N.C.
ノンコネクション
16
17
18
4
端子名
MBM30LV0128
■ ブロックダイヤグラム
R/B
高電圧発生回路
コラムアドレスデコーダ
データレジスタ & センスアップ
ステートマシーン
コマンドレジスタ
ローアドレスデコーダ
ALE
CLE
SE
WP
CE
RE
WE
メモリセルアレイ
データレジスタ & センスアップ
コラムアドレスデコーダ
アドレスレジスタ
ステータスレジスタ
I/O レジスタ & バッファ
I/O0
to I/O7
VCC
VCCq
VSS
5
MBM30LV0128
■ セルレイアウトとアドレス指定
プログラム動作はページ単位 , 消去動作はブロック単位で実行されます。
(1) セルレイアウト概要
データ
レジスタ
I/O0
512
I/O7
16
メモリセルアレイ
32768 ページ
(1024 ブロック )
32 ページ→ 1 ブロック
8I/O
1) 1 ページは (512 + 16) バイトで構成されます。
- 512 バイト : メインメモリ
- 16 バイト : スペアエリア
2) 1 ブロックは 16 ページ , つまり (16 K + 512) バイトで
構成されます。
3) デバイストータル = 528 バイト × 32 ページ × 1024 ブ
ロック
528
(2) アドレス指定
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
第 1 サイクル
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
第 2 サイクル
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
第 3 サイクル
A17
A18
A19
A20
A21
A22
A23
X＊
A0 ∼ A7 : 列アドレス
A9 ∼ A23 : ページアドレス A14 ∼ A23 : ブロックアドレス
A9 ∼ A13 : ブロックにおけるページアドレス
(A8 は , デバイス内部の“00h”コマンドまたは“01h”コマンドで自動的に“L”または“H”に設定されます。)
＊ : X = VIH または VIL
6
MBM30LV0128
■ 端子接続と機能
(1) オペレーション一覧
モード
CLE
ALE
CE
コマンド入力
H
L
RE
SE
WP
L
H
X＊3
X
アドレス入力
(3 クロック )
L
H
L
H
X＊3
X
リード ( ビジー) 時
L
L
L
H
H
L/H ＊ 2
X
シーケンシャルデータ出力
L
L
L
H
L/H ＊ 2
X
コマンド入力
H
L
L
H
X＊3
H
アドレス入力
(2 または 3 クロック )
L
H
L
H
X＊3
H
データ入力
L
L
L
H
L/H ＊ 2
H
プログラム ( ビジー) 時
X
X
X
X
X
L/H ＊ 2
H
消去 ( ビジー) 時
X
X
X
X
X
X
H
書き込み保護
X
X
X
X
X
X
L
スタンバイ
X
X
H
X
X
リードモード
プログラム /
イレーズモード
WE
0 V/VCC ＊ 1 0 V/VCC ＊ 1
＊ 1: WP は , スタンバイモードにおいて CMOS High または CMOS Low にバイアスする必要があります。
＊ 2: SE が High の場合 , 予備エリアが選択解除されます。
＊ 3: 50 h コマンドを入力し , スペアエリアのみリードまたはプログラムされる場合は , コマンド・アドレス入力の時点で
SE が“L”でなければなりません。
＜注意事項＞ H : VIH, L : VIL, X : VIH または VIL
(2) リードモード動作状態
動作
CLE
ALE
CE
WE
RE
I/O0 to I/O7
電源
出力選択
L
L
L
H
L
データ出力
アクティブ
出力選択解除
L
L
L
H
H
高インピーダンス
アクティブ
スタンバイ
X
X
H
X
X
高インピーダンス
スタンバイ
＜注意事項＞ H = VIH, L = VIL, X = VIH または VIL
7
MBM30LV0128
■ コマンド表
機能
ビジー状態において
受け付け可能なコマンド
第 1 サイクル
第 2 サイクル
リード (1)
00h ＊ 1

リード (2)
01h ＊ 2

リード (3)
50h ＊ 3

シーケンシャルデータ入力
80h

ダブルページプログラムの
シーケンシャルデータ入力
82h

ページプログラム
10h

ブロック消去
60h
D0h
リセット
FFh

○
ステータスリード
70h

○
ID リード
90h

＊ 1: 00h コマンドは , 前半の半ページの開始アドレスを定義します。
＊ 2: 01h コマンドは , 後半の半ページの開始アドレスを定義します。
＊ 3: 50h コマンドは , SE が low レベルの場合のみ有効です。
8
MBM30LV0128
■ 機能説明
リードモード
リード動作には , 00h , 01h , 50h という 3 種類のコマンドがあります。
コマンドサイクルの後 , 3 サイクルのアドレス入
力を使用して開始アドレスを決定します。最終 WE の立上がりエッジ後 , 528 バイトページがデータレジスタに約 10 µs で
転送されます。データ転送中は R/B から“L”が出力され , 終了すると“H”になります。リード動作時 , アドレス入力の 3 サイ
クル目以降と Busy 期間中は CE はドントケア“H”
(
or“L”) です。データが , いったんデータレジスタにロードされた後 , RE
クロックによりデータを出力できます。各 RE パルスは , 自動的にコラムアドレスを 1 増分します。そして , 最終コラムが
読みだされると , ページアドレスが自動的に 1 増分され , そのページ ( 1 増分されたページ ) のデータがデータレジスタに
転送され , 10 µs 後レジスタの内容が更新されます。この時 , 最終コラムアドレスリードの為の RE トグル以降および Busy
期間中は CE = L に固定してください。この期間中 , CE = H にした場合 , リード動作はターミネートされ , デバイスはスタ
ンバイ状態となります。
00h リードコマンドはページの前半にポインタを設定し , 一方 , 01h リードコマンドはページの後半にポインタを設定
します。したがって , 00h は A8 = 0 を設定するコマンドとみなすことができ , また 01h は A8 = 1 を設定するコマンドとみな
せます。50h コマンドは , 列 512 から列 527 までからなるスペアエリアにポインタを設定します。このリードモードでは A3
から A0 までがスペアエリアの開始アドレスの設定に使用されます。00h 動作および 01h 動作の場合と同様に , スペアエリ
アのデータは , いったんデータレジスタにロードされると , RE パルスで読み出せます。各 RE パルスは、最終コラム (527)
に達するまでコラムアドレスを増分します。最終コラムに達すると , ポインタが 512 にリセットされると同時に , ページア
ドレスが 1 増分され , データレジスタが更新されます ( この時も , 最終コラムアドレスリードの為の RE トグル以降及び
Busy 期間中は CE = L に固定してください )。メインエリアのデータを読むには 00h または 01h コマンドの入力が必要にな
ります。
リード (1) , (2) : 00h/01h
リード (1) モードは 00h コマンドがコマンドレジスタにラッチされると確定し , リード (2) モードは 01h コマンドがコマ
ンドレジスタにラッチされると確定されます。デバイスに電源が投入されると , 00h モードが自動的に選択されます。但
し , データレジスタの内容は不確定です。
CE
CLE
ALE
WE
RE
R/B
開始アドレス
I/O0
to I/O7
Y
X
データ出力
X
コマンド 01h
00h
0
255
511
527
ページ ( ロー)
X
アドレス
Y
Y
( コラムアドレス )
9
MBM30LV0128
リード (3) : 50h
リード（3）モードのタイミングは , リード (1) およびリード (2) と同じです。ただし , リード (1) およびリード (2) はメイ
ンエリアのアクセスに使用されますが , リード (3) は 16 バイトのスペアエリアのアクセスに使用されます。50h コマンド
を実行すると , ポインタがコラムアドレス 512 から 527 までのアドレス空間に設定されます。この動作時 , アドレスビット
A3 から A0 までのみが , コラムの開始アドレスを設定する際に使用されます。A7 から A4 までは無視されます。A23 から A9
までは , ロー ( ページ ) のアドレスを設定する際に使用されます。
CE
CLE
ALE
WE
RE
R/B
開始アドレス
Y
I/O0 to I/O7
X
データ出力
X
コマンド 50h
0
ページ ( ロー )
アドレス
255
511 527
X
Y (コラムアドレス)
シーケンシャルリード
データレジスタからデータを出力するために使用される各 RE パルスは , コラムアドレスポインタを 1 増分させます。最
終コラムに達すると , 次ページがデータレジスタに自動的にロードされます。R/B 信号は , データ転送の完了を監視する
際に使用できます。
R/B
I/O0 to I/O7
00h/01h/50h
0
255
511 527 0
00h,SE = L
10
アドレス入力
255
データ
511 527 0
01h,SE = L
データ
255
データ
511 527 0
00h,SE = H
255
511 527
50h,SE = L
MBM30LV0128
ページプログラム : 80h, 10h
デバイスは , ページ単位または部分ページ単位でプログラムされます。プログラミングは , 3 アドレスサイクルとシリア
ルデータ入力が後に続く 80h コマンドを入力することで行われます。80h コマンドの前に 00h , 01h , または 50h を使用する
と , それぞれポインタを前半の半ページ , 後半の半ページ , またはスペアエリアに設定できます。ポインタコマンドが明確
に入力されなかった場合は, ロケーションが前の使用で決定されます「■アプリケーションノート」
(
の (2) を参照してくだ
さい ) 。シリアルデータ入力時 , 新しいデータを入力していないアドレスにはプログラムされません。このため , ページの
一部をプログラムすることができます。データ入力後, 10hコマンドにより, チップ内部でのプログラムがスタートします。
新しいデータをロードすることなく10hコマンドが入力された場合は、プログラムは開始されません。同一ページ内での部
分的プログラミングは , 消去動作を行うことなしに連続して 6 回以上行うことはできません。プログラミングサイクル中 ,
R/B ピンまたは状態レジスタビット I/O6 でプログラミングサイクルの完了を監視できます。プログラミングが進行中の間
は, リセットコマンドとステータスリードコマンドのみが有効です。プログラムが終了すると, ステータスレジスタビット
I/O0 を見てプログラムが正常に行われたか否かを確認する必要があります。
R/B
I/O0 to I/O7
80h
アドレス / データ入力
10h
70h
I/O0
0 = パス
1 = フェイル
ダブルページプログラム : 82h, 10h
デバイスは 2 つの連続したページに同時に書き込むダブルページプロラム機能を持っています。その 2 つのページは偶
数ページ → 奇数ページの順番になります。
82h コマンドの前に 00h , 01h または 50h コマンドを使用すると , それぞれ偶数
ページの前半の半ページ , 偶数ページの後半の半ページ , 偶数ページのスペアエリアにポインタがセットされます。このポ
インタを設定するコマンドが入力されなかった場合は , 前の状態でエリアが決定されます。他の使い方及び動作は 80h コ
マンドによるページプログラムと同様です。
ブロック消去 : 60h, D0h
データは , 16 ページからなるブロック単位で消去されます。
消去動作は , 消去ブロックアドレスを決める 2 アドレスサ
イクルが後に続く 60h コマンドで開始されます。2 アドレスサイクルでは A23 から A9 までを入力する必要がありますが ,
A13 から A9 までは don’t care ビットです。ブロックアドレスが確定後 , D0h コマンドにより消去動作が開始されます。R/B
信号は , チップ内部の消去動作の完了を監視する際に使用できます。動作が完了すると , 状態レジスタビット I/O0 を調べ
て , 消去が正常に行われたか否かを確認する必要があります。
R/B
I/O0 to I/O7
60h
アドレス / データ入力
D0h
70h
I/O0
0 = パス
1 = フェイル
11
MBM30LV0128
リード ID : 90h
このモードでは , 製造メーカーおよび製品を識別できます。90h コマンドサイクルの後に , 00h が入力される 1 アドレス
サイクルが続きます。この後に 2 つの RE パルス入力で , 製造メーカーコードと製品コードを出力できます。
RE
I/O0 to I/O7
90h
00h
04h
73h
マニュファクチャコード
デバイスコード
コードテーブル
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
コード
マニュファクチャ
0
0
0
0
0
1
0
0
04h
デバイス
0
1
1
1
0
0
1
1
73h
ステータスリード : 70h
ステータスレジスタは , デバイスがレディ状態であるか , 書込み保護モードであるか , またはプログラム / 消去動作中か
を判断する際に使用できます。70h コマンドが入力されると , CE または RE のより後に発生した立下がりエッジが状態レ
ジスタの内容を I/O0 ∼ I/O7 に出力します。ステータスレジスタは常に更新され , CE または RE をトグルする必要はあり
ません。CE ピンを使用することで , R/B ピンがワイヤリングされた複数デバイスをポーリングして特定のデバイスの状態
を判断できます。
ステータス出力テーブル
状 態
12
I/O0
プログラム / 消去
I/O1
未使用
I/O2
未使用
I/O3
未使用
I/O4
未使用
I/O5
未使用
I/O6
レディ/ ビジー
I/O7
書込み保護
説 明
0 = 成功 , 1 = 失敗
0 = ビジー, 1 = レディ
0 = 保護されている , 1 = 保護されていない
MBM30LV0128
ALE
CLE
WE
RE
CE(1)
CE(2)
CE(N)
デバイス
(1)
デバイス
(2)
デバイス
(N)
8
I/O0 to I/O7
R/B
R/B
ALE
CLE
WE
CE(1)
CE(N)
RE
70h
I/O0 to I/O7
0/1
デバイス (1) のステータス
70h
0/1
デバイス (N) のステータス
リセット
プログラム , 消去 , またはリード動作時にデバイスがビジーの場合 , FFh コマンドにより , デバイスをリセットすること
ができます。WP = 1 の場合 , 状態レジスタは C0h に設定されます。デバイスがリセット状態の間にリセットコマンドが送
出されると、このリセットコマンドは無視されます。
プログラム動作時または消去動作時にデバイスがリセットされると ,
R/B が“H”になる前に内部高電圧が解放されます。
R/B
I/O0 to I/O7
FFh
13
MBM30LV0128
■ 絶対最大定格
定 格 値
項 目
記 号
単 位
最 小
最 大
動作温度
TA
−40
+ 85
°C
保存温度
Tstg
−55
+ 125
°C
入 / 出力電圧 (I/O ピン ) ＊１＊ 2
VI/O
−0.6
VCCq + 0.5
V
入力電圧 (I/O ピンを除く ) ＊１＊ 2
VIN
−0.6
VCC + 0.5
V
VCC
−0.6
+ 5.5
VCCq
−0.6
+ 6.0
電源電圧＊１
V
＊ 1: 電圧は , GND = 0 V を基準にした値です。
＊ 2: 入力，および入 / 出力ピンに印加できる DC 最低電圧は −0.5V です。電圧変動時，継続時間が 20 ns 未満のアンダシュー
トでは −2.0V を許容します。
入力，および入 / 出力ピンに印加できる DC 最大電圧は入力ピンは VCC + 0.5V, 入 / 出力ピンは VCCq + 0.5V です。電圧
変動時，継続時間が 20 ns 未満のオーバシュートでは，入力ピンは VCC + 2.0V, 入 / 出力ピンは VCCq + 2.0V を許容します。
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
規 格 値
項 目
電源電圧＊１
動作温度
記 号
単 位
最 小
標 準
最 大
VCC
+ 2.7
3.0
+ 3.6
V
VCCq ＊２
+ 2.7
3.0
+ 5.5
V
GND

0

V
TA
−40

+ 85
°C
＊ 1: 電圧は , GND = 0 V を基準にした値です。
＊ 2: VCC ≧ 3.0V において VCCq = 5.0 ± 10% を保証します。
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。
記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。
14
MBM30LV0128
■ 電気的特性
1. 直流特性
規 格 値
項 目
記号
測定条件
単位
最小
標準
最大
シーケンシャルリード電流
ICC1
tCYCLE = 50 ns, CE = VIL,
IOUT = 0 mA

10
20
mA
コマンドアドレス入力電流
ICC3
tCYCLE = 50 ns, CE = VIL

10
20
mA
データ入力電流
ICC4


10
20
mA
プログラム電流
ICC6


10
20
mA
消去電流
ICC7


10
20
mA
スタンバイ電流 (TTL)
ISB1
CE = VIH, WP = SE = 0 V/VCC


1
mA
スタンバイ電流 (CMOS)
ISB2
CE = VCC − 0.2 V,
WP = SE = 0 V/VCC

10
50
µA
入力リーク電流
ILI
VIN = 0 to 3.6 V


±10
µA
出力リーク電流
ILO
VOUT = 0 to 3.6 V


±10
µA
I/O pins
2.0

VCCq + 0.3
V
I/O pins を除く
2.0

VCC + 0.3
V
−0.3

0.8
V
“H”レベル入力電圧
VIH

“L”レベル入力電圧
VIL
“H”レベル出力電圧
VOH
IOH = −400 µA
2.4


V
“L”レベル出力電圧
VOL
IOL = 2.1 mA


0.4
V
“L”レベル出力電流（R/B）
IOL
VOL = 0.4 V
8
10

mA
15
MBM30LV0128
2. 交流特性
規 格 値
項 目
記号
単位
最小値
最大値
CLE セットアップタイム
tCLS
0

ns
CLE ホールドタイム
tCLH
10

ns
CE セットアップタイム
tCS
0

ns
CE ホールドタイム
tCH
10

ns
書込みパルス幅
tWP
25

ns
ALE セットアップタイム
tALS
0

ns
ALE ホールドタイム
tALH
10

ns
データセットアップタイム
tDS
20

ns
データホールドタイム
tDH
10

ns
書込みサイクルタイム
tWC
50

ns
WE ハイホールドタイム
tWH
15

ns
WP ハイから WE ローへの遷移時間
tWW
100

ns
レディから RE 立下りエッジへの遷移時間
tRR
20

ns
リードパルス幅
tRP
30

ns
リードサイクルタイム
tRC
50

ns
RE アクセスタイム ( シリアルデータアクセス )
tREA

35
ns
シリアルリードサイクルの最終アドレスの CE ハイ時間＊ 2
tCEH
100

ns
tREAID

35
ns
RE ハイから出力ハイインピーダンスへの遷移時間
tRHZ
15
30
ns
CE ハイから出力ハイインピーダンスへの遷移時間
tCHZ

20
ns
RE ハイホールド時間
tREH
15

ns
tIR
0

ns
RE アクセスタイム ( ステータスリード )
tRSTO

35
ns
CE アクセスタイム ( ステータスリード )
tCSTO

45
ns
WE ハイから RE ローへの遷移時間
tWHR
60

ns
ALE ローから RE ローへの遷移時間 (ID リード )
tAR1
100

ns
CE ローから RE ローへの遷移時間 (ID リード )
tCR
100

ns
メモリセルアレーからレジスタへのデータ転送
tR

10
µs
tWB

100
ns
RE アクセス時間 (ID リード )
出力ハイインピーダンスから RE 立下りエッジへの遷移時間
WE ハイからビジーへの遷移時間
（続く）
16
MBM30LV0128
（続き）
規 格 値
項 目
記号
単位
最小値
最大値
ALE ローから RE ローへの遷移時間 ( リードサイクル )
tAR2
50

ns
RE 最終クロック立上りエッジからビジーへの遷移時間
( シーケンシャルリード )
tRB

100
ns
CE ハイからレディへの遷移時間
( リードモードで CE によるインターセプトが発生した場合 ) ＊ 1
tCRY

50 + tr
(R/B)
ns
デバイスリセット時間 ( リード / プログラム / 消去 )
tRST

5/10/500
µs
＊ 1: CE ハイからレディへの遷移時間は , R/B ピンのプルアップ抵抗に依存します (「■アプリケーションノート (6) 」を
参照してください ) 。
＊ 2: リードモード (1) , (2) , および (3) においてレジスタの最終アドレス ( アドレス 527) へのアクセス後 , CE を High に
トグルする場合 , CE High 時間は , RE を基準とした CE 遅延時間が 0 ns から 200 ns の場合 , 100 ns 以上保持しなけれ
ばなりません ( 次の図を参照してください ) 。CE 遅延時間が 30 ns 以内の場合は , デバイスはレディ状態に保持さ
れ , ビジー信号を出力しません。
tCEH ≧ 100 ns
∗
∗: VIH or VIL
CE
RE
A
525
509
526
510
A : 0 to 30 ns
527
511
ビジーは出力されません
R/B
ビジー
＜注意事項＞ 測定条件
入力電圧 : 2.4 V/0.4 V 入力基準レベル : 1.5 V/1.5 V
出力データ基準レベル : 1.5 V/1.5 V 遷移時間 (t/T) = 5 ns
出力負荷 : 1 TTL & CL (VCC = 3.0 V ± 10 % : 50 pF, VCC = 3.3 V ± 10 % : 100 pF)
17
MBM30LV0128
■ 書込み / 消去特性
規 格 値
項 目
記号
平均プログラミング時間
同一ページにおける連続プログラム回数＊１
ブロック消去時間
プログラム / 消去サイクル数＊２
単位
最小
標準
最大
tPROG

200
1000
N


5
tBERASE

2
10
P/E
1 × 106


µs
ms
＊ 1: 「■アプリケーションノート (9) 」を参照してください。
＊ 2: ECC 補正を行うことを前提としています。
■ 有効ブロック
MBM30LV0128 は , 使用不能ブロックが含まれていることがあります。
「■アプリケーションノート (12) 」を参照してく
ださい。
規 格 値
項 目
記 号
有効ブロック番号
単位
NVB
最小
標準
最大
1014
1020
1024
ブロック
■ 入出力端子容量
規 格 値
項 目
記号
入力端子容量
CIN
出力端子容量
COUT
測定条件
最大値
VIN = 0

10
pF
VOUT = 0

10
pF
＜注意事項＞ ・テスト条件 TA = 25 °C, f = 1.0 MHz
・100 % テストは行われていません。
18
単位
最小値
MBM30LV0128
■ タイミングダイヤグラム
1. コマンド・アドレス・データ入力サイクル
(1) コマンド入力サイクル
CLE
tCLS
tCLH
tCS
tCH
CE
tWP
WE
tALS
tALH
ALE
tDS
tDH
I/O0 to I/O7
VIH or VIL
(2) アドレス入力サイクル
tCLS
CLE
tWC
tCS
tWC
CE
tWP
tWH
tWP
tWH
tWP
WE
tALS
tALH
ALE
tDS
I/O0 to I/O7
tDH
A0 to A7
tDS
tDH
A9 to A16
tDS
tDH
A17 to A23
VIH or VIL
19
MBM30LV0128
(3) データ入力サイクル
tCLH
CLE
tCH
CE
tWC
tALS
ALE
tWH
tWP
tWP
tWP
WE
tDS
I/O0 to I/O7
＊ : SE = GND 入力 : DIN 527
= VCC 入力 : DIN 511
20
tDH
DINN
tDS
tDH
DINN+1
tDS
DIN
tDH
527
511
∗
VIH or VIL
MBM30LV0128
2. リードサイクル
(1) シリアルリードサイクル
tRC
CE
tRP
tREH
tRP
tRP
tCHZ
RE
tREA
tRHZ
tREA
tREA
tRHZ
tRHZ
I/O0 to I/O7
tRR
R/B
(2) ステータスリードサイクル
tCLS
CLE
tCLS
tCLH
tCS
CE
tWP
tCH
tCSTO
tCHZ
WE
tWHR
RE
tDS
tDH
tIR
tRHZ
tRSTO
I/O0 to I/O7
70h
Status
Output
R/B
:VIH or VIL
21
MBM30LV0128
(3) リードサイクル (1)
CLE
tCLS
tCLH
tCH
tCEH
CE
tCS
tWC
WE
tR
tALS
tCRY
tAR2
tALH
ALE
RE
tDS tDH
tDS tDH
tDS tDH
A0 to
A9 to
A7
A16
コラムアドレス
N
00h
I/O0 to I/O7
tRR
tWB
tALH
tDS tDH
tRC
tREA
A17 to
A23
DOUT
N
∗∗
DOUT
N+1
DOUT
N+2
DOUT
tRB
R/B
＊＊
: SE = GND 入力 : DOUT 527
= VCC 入力 : DOUT 511
:VIH or VIL
(4) リードサイクル (1) (CE による中断 )
CLE
tCLS
tCLH
tCH
CE
tCS
tWC
WE
tCHZ
tR
tALS
tALH
tAR2
ALE
tWB
tALH
RE
I/O0 to I/O7
tDS tDH
tDS tDH
tDS tDH
tDS tDH
00h
A0 to
A7
A9 to
A16
A17 to
A23
tRR
tRC
tRHZ
tREA
DOUT
N
DOUT
N+1
DOUT
N+2
コラムアドレス
N ＊＊＊
R/B
＊＊＊
: 00H によるリード動作 N : 0 to 255
01H によるリード動作 N : 256 to 511
22
:VIH or VIL
MBM30LV0128
(5) リードサイクル (2)
CLE
tCLH
tCLS
tCS
tCH
CE
tR
WE
tALS
tAR2
tWB
tALH
ALE
tRC
tALH
RE
tDS tDH
tDS tDH
tREA
tRR
I/O0
to I/O7
A0 to
A9 to
A7
A16
コラムアドレス
M
01h
A17 to
A23
DOUT
DOUT
∗∗
DOUT
256 + M 256 + M + 1
R/B
＊＊
: SE = GND 入力 : DOUT 527
= VCC 入力 : DOUT 511
:VIH or VIL
(6) リードサイクル (3)
CLE
tCLS
tCS
tCLH
tCH
CE
tR
WE
tALS
tWB
tAR2
tALH
ALE
tALH
tRC
RE
tDS tDH
tDS tDH
tREA
tRR
I/O0
to I/O7
50h
A0 to
A7
A9 to
A16
コラムアドレス
M
A17 to
A23
DOUT
DOUT
512 + M 512 + M + 1
∗∗
DOUT
527
R/B
＊＊ : SE = GND 入力 : DOUT 527
= VCC 入力不可
:VIH or VIL
23
MBM30LV0128
(7) シーケンシャルリード (1)
CLE
CE
WE
ALE
RE
I/O0
to I/O7
00h
A0 to A9 to A17 to
A7
A16
A23
N
N+ N+
2
1
∗∗
tR
コラム
アドレス
M
1
0
2
∗∗
tR
ページ
アドレス
M
R/B
ページ M
アクセス
＊＊ : SE = GND 入力 : DOUT 527
= VCC 入力 : DOUT 511
:VIH or VIL
( 注意事項 ) アドレス入力の 3 サイクル目以降と Busy 中は CE =“H”or
“L”です。しかし , 最終コラムアドレス
の RE トグル以降およびビジー期間中は CE = LOW に固定して下さい ( リードを中止しない場合 )。
(8) シーケンシャルリード (2)
CLE
CE
WE
ALE
RE
I/O0
to I/O7
01h
A0 to A9 to A17 to
A7
A16
A23
コラム
アドレス
M
tR
ページ
アドレス
M
∗∗
256 256
+
+
N N+1
256
+
N+2
0
1
2
∗∗
tR
R/B
＊＊ : SE = GND 入力 : DOUT 527
= VCC 入力 : DOUT 511
ページ M
アクセス
ページ M + 1
アクセス
:VIH or VIL
( 注意事項 ) アドレス入力の 3 サイクル目以降と Busy 中は CE =“H”or
“L”です。しかし , 最終コラムアドレス
の RE トグル以降およびビジー期間中は CE = LOW に固定して下さい ( リードを中止しない場合 )。
24
MBM30LV0128
(9) シーケンシャルリード (3)
CLE
CE
WE
ALE
RE
I/O0
to I/O7
50h
A0 to A9 to A17 to
A7
A16
A23
コラム
アドレス
N
ページ tR
アドレス
M
∗∗
512 512
+
+
N N+1
512
+
N+2
tR
∗∗
512 513 514
R/B
アクセス M
＊＊ : SE = GND 入力 : DOUT 527
= VCC 入力不可
ページ M + 1
アクセス
:VIH or VIL
( 注意事項 ) アドレス入力の 3 サイクル目以降と Busy 中は CE =“H”or“L”です。しかし , 最終コラムアドレス
の RE トグル以降およびビジー期間中は CE = LOW に固定して下さい ( リードを中止しない場合 )。
25
MBM30LV0128
3. プログラム・イレーズサイクル
(1) オートプログラムサイクル
tCLS
CLE
tCLS tCLS
tCS
tCS
CE
tCH
WE
tALS
tALS
tALH
ALE
RE
tPROG
tALH
∗
tDH
tDS
∗∗
80h
I/O0
to I/O7
tWB
tDH
tDS
tDS tDH
tDH
tDS
A0 to
A7
A9 to
A16
A17 to
A23
DIN
N
DIN
N+1
DIN
∗
10h
70h
ステータス
出力
R/B
＊ : SE = GND 入力 : DIN 527 まで ( ダブルページプログラムの場合は奇数ページの DIN527 まで )
= VCC 入力 : DIN 511 まで ( ダブルページプログラムの場合は奇数ページの DIN511 まで )
＊＊ : ダブルページプログラムの場合は 82h
(2) オートブロックイレーズサイクル
CLE
tCLS
tCS
tCLS
tCLH
CE
WE
tALH
tALS
tBERASE
tWB
ALE
RE
tDS
I/O0
to I/O7
tDH
60h
A9 to
A16
A17 to
A23
ステータス
出力
D0h
70h
イレーズ開始
コマンド
ステータスリード
コマンド
R/B
オートブロックイレーズ
セットアップコマンド
:VIH or VIL
26
:VIH or VIL
MBM30LV0128
4. ID リード
tCLS
CLE
tCH
tCS
tCLS
tCS
CE
tALH
WE
tALS
tCH
tALH
tCR
tARI
ALE
RE
tDS
tDH
I/O0
to I/O7
90h
00h
04h
tREAID
アドレス入力
73h
tREAID
メーカーコード デバイスコード
:VIH or VIL
27
MBM30LV0128
■ アプリケーションノート
(1) 不定コマンドの入力禁止
所定のコマンド以外のコマンド入力は禁止されています。不定のコマンドが , 入力された場合 , 保存されているデータが
破壊されることがあります。
(2) プログラム動作におけるポインタアクション
開始
50h エリアのみ
プログラム ?
Yes
No
＊ 1 : 前回 , 開始アドレスが 50h
エリアのリード動作がなされ
ていた場合, 50hコマンド入力
は省略できます。
＊ 2 : 前回 , 00h 又は 01h エリア
でのリード動作がなされてい
た場合, 00hコマンド入力は省
略できます。
＊ 3 : 00h, 01h, 50h コマンド入力
を意味します。
プログラム開始
アドレスは
00h エリア ?
No
Yes
01h コマンド入力
コマンド 50h
入力＊ 1
00h コマンド入力＊ 2
プログラムシーケンス
プログラムを
続ける ?
Yes
Yes
開始アドレスの
ポインタエリアは
前回と同じ ?
No
Yes
ポインタを 01h
から 00h へ
切り換え ?
No
リードコマンド入力＊ 3
< ポインタエリア >
0
255 256
511
527
開始アドレスエリアは
01h?
No
プログラムシーケンス
00h エリア
01h エリア 50h エリア
Yes
プログラムを
続ける ?
No
End
28
Yes
01h コマンド入力
Yes
MBM30LV0128
(3) シリアル入力コマンド‘80h’の後で受け付け可能なコマンド
プログラム実行を行うためにシリアル入力コマンド (80h) を入力した場合は , プログラム実行コマンド（10h）とリセット
コマンド (FFh) 以外のコマンドは入力しないで下さい。
80
FF
WE
アドレス入力
R/B
‘10h’と‘FFh’以外のコマンドを入力した場合は , プログラム動作は行われません。
80
XX
10
この動作では，FFh コマンドを入力する必要があります。
他のコマンド プログラミングは実行されません。
(4) 読出し動作時のステータスリード
00
00
[A]
70
CE
WE
R/B
RE
ステータスリード
コマンド入力
N アドレス
ステータス出力
ステータスリード
リード時 ( レジスタへの転送中 ) にステータスリードコマンド (70h) を入力すると , 次の RE クロック信号を入力して内
部状態レジスタの値を読み込めます。
ステータスリードでは内部動作モードが保持されるので , レディになった後で RE クロック信号が入力された場合でも
ステータスが出力されます。
例えば , 期間 [A] 中にリードコマンド (00h) が入力されると , デバイスの内部動作モード ( ステータスリードモード ) が
取り消され , その結果 , アドレスを入力することなくアドレス N のデータを読み込むことが可能になります。
(5) プログラムの失敗
失敗
80
10
アドレス データ
入力
M
80
,,
10
M
70
I/O
80
10
アドレス データ
入力
N
ページアドレス (M) においてプログラム動作がフェイルした場合, データは他のブ
ロックにあるページアドレス (N) にプログラムして下さい。
N
29
MBM30LV0128
(6) R/B : レディ / ビジーピン (R/B) の終端
R/B を使用する場合 , R/B は , 抵抗でプルアップされた VCC でなければなりません。
R/B は , オープンドレイン出力です。
VCC
VCC
R
Device
R/B
CL
VSS
R=
=
VCC max − VOL
IOL + IL
3.2 V
8 mA + IL
(7) 電源投入 / 切断手順
デバイス電源投入および切断時 , 各入力信号レベルは不定になることがあります。以下の図に示されている WP 信号を
使用してください。
2.7 V
2.5 V
,,,
,,,
VCC
0V
CE, WE, RE
CLE, ALE
ドント
ケア
VIL
WP
30
,,
,,
ドント
ケア
VIH
デバイス使用中
VIL
MBM30LV0128
(8) WP 信号のセットアップ
Low レベル WP 信号は , 消去およびプログラミングをリセットします。制御するには , 以下の図に示されている WP 信号
を使用してください。
Program
WE
DIN
80
10
80
10
60
D0
60
D0
WP
R/B
tWW
100 ns min
Program 禁止
WE
DIN
WP
R/B
tWW
100 ns min
Erase
WE
DIN
WP
R/B
tWW
100 ns min
Erase 禁止
WE
DIN
WP
R/B
tWW
100 ns min
31
MBM30LV0128
(9) 4 サイクルでのアドレス入力
デバイスは , 3 サイクルでアドレスを取得します。アドレスが 4 サイクルで入力されると , 4 番目のサイクルで入力され
たアドレスは , チップにおいて無視されます。
リード動作
CLE
CE
WE
ALE
I/O0 to I/O7
00h, 01h or 50h
無視
アドレス入力
R/B
アドレス入力の 3 サイクル目の WE の立ち上がりで , 内部リード動作がスタートします。
プログラム動作
CLE
CE
WE
ALE
I/O0 to I/O7
80h
アドレス入力
データ入力
無視
32
MBM30LV0128
(10) 同一ページでの分割プログラミング
デバイスは , 同一ページにおいて最高 5 回までイレーズなしで分割のプログラムができます。分割プログラミングの手
順を以下に示します。
分割プログラム
プログラム 1 回目
コラム A
ページ N
コラム B
データパターン 1
“入力なし”又は“1”
プログラム 2 回目
コラム C
ページ N
“入力なし”又は“1”
コラム D
データパターン 2
“入力なし”又は“1”
プログラム 3 回目
コラム E
“入力なし”又は“1”
ページ N
コラム F
データパターン 3
“入力なし”
又は“1”
結果
コラム A
ページ N
コラム B
データパターン 1
‘1’
コラム C
コラム D
データパターン 2
‘1’
コラム E
コラム F
データパターン 3
‘1’
（注意）プログラムされていないページセグメントまたはプログラム済みページセグメントの入力データは , ‘1’でなけ
ればなりません。
(11) RE 信号の通知
デバイスがリードモードの場合 , RE 信号は , RE クロックと同期をとって内部コラムアドレスカウンタを増分します。
00h, 01h, または 50h コマンドを入力後 , アドレス入力の前に RE 信号が入力された場合でもコラムアドレスカウンタはア
ドレスをカウントアップします。更にこの時 , RE 信号が最終コラムアドレスを超えて入力されると , デバイスはアドレス
入力が行われない場合でもリード ( メモリ→レジスタ ) を開始し , ビジー信号を出力することがあります ( シーケンシャ
ルリードが開始されます ) 。
アドレス入力前の RE クロック
I/O0 to I/O07
Address input
00h/01h
/50h
WE
RE
R/B
上記のとおり , デバイスがリードモードに入ると , アドレス指定が行われる前に RE 信号が入力された後 , 意図しない
リードが開始されることがあります。したがって , RE 信号はアドレス入力後に入力する必要があります。
33
MBM30LV0128
(12) 無効ブロック ( 不良ブロック )
デバイスは , 使用できないブロックを含んでいることがあります。したがって , 下記の点を注意してください。
,,
不良ブロック
出荷時 , 通常 MBM30LV0128 の全ビットは FFh の状態になっていま
す。しかし , 不良ブロックの１ページ目と２ページ目には FFh 以外が
書かれています。
システム塔載後 , 不良ブロックがあるかどうかを確認して頂き , あっ
た場合はそのブロックは使用しないで下さい。
MBM30LV0128 における有効ブロックの数は下記のとおりライフで
保証されております。
Min.
Max.
Unit
1014
1024
Block
不良ブロック
Valid (Good) Block Number
(13) プログラム / 消去動作時に発生するエラー
書込み・消去を頻繁に行うと , プログラミングおよび消去動作時にエラーが発生する可能性があります。エラーモード ,
検出方法 , および処置を次の表に示します。システムベースの処置を行うと , 高信頼性システムが提供されます。
エラーモード
ブロック
検出 / 対策手順
消去エラー
消去後のステータスリード→ブロック交換
ページ
プログラムエラー
プログラム後のステータスリード→ブロック交換
シングルビット
プログラムエラー
‘1’→‘0’
(1) プログラム後のブロック検証→再試行
(1) ECC
・ECC : エラー訂正コード→ハミング符合など
例 : 1 ビット訂正 & 2 ビット検出
・ブロック交換
有効ブロックへの再書き込み
Program
不具合発生
外部
バッファメモリ
Block A
Block B
消去
消去動作時にエラーが発生した場合は , プログラミング動作時に発生したエラーの場合と同様に , システムベースの処
置を講じて , ブロックアクセスによるエラー発生を防止しなければなりません。
34
MBM30LV0128
(14) CE ドントケアタイミング
リードおよびプログラム動作において , CE は下記のようにドントケア “H”
(
又は“L”) が許されます。
< リード時 >
リード動作時 , アドレス入力の 3 サイクル目以降と Busy 期間中は CE はドントケア “H”
(
又は“L”) が許されます。
しかし , 最終コラムアドレスの RE トグル以降及びビジー期間中は CE = LOW に固定して下さい ( リードを中止しな
い場合 )。
CE
WE
RE
I/O0 to I/O7
Command
A9 to
A16
A0 to
A7
A17 to
A23
DOUT
N
DOUT
N+1
DOUT
N+2
DOUT
R/B
(55 ns max.)
tCEA
CE
tREA
tCS
RE
tCH
CE
I/O0 to I/O7
DOUT
tWP
WE
< プログラム時 >
CE
WE
I/O0 to I/O7
80h
A0 to
A7
A9 to
A16
A17 to
A23
DIN
0
DIN
1
DIN
2
DIN
∗
10h
:VIH or VIL
35
MBM30LV0128
■ 不良ブロックのテストフロー ( 例 )
テスト開始
B ( ブロック ) No. = 0
ページ No.0 & 1 は
すべて FFh?
B No. = B No. + 1
Yes
No
B No. = 1023
Yes
テスト終了
36
No
不良ブロックとして設定
MBM30LV0128
■ オーダ型格
MBM30LV0128
−PFTN
パッケージタイプ
PFTN = 48 ピン薄型スモールアウトラインパッケージ
(TSOP) 正ベンド
PFTR = 48 ピン薄型スモールアウトラインパッケージ
(TSOP) 逆ベンド
品名
MBM30LV0128
128M ビット (16 M × 8 ビット ) NAND フラッシュメモリ
型格
パッケージ
MBM30LV0128-PFTN
プラスチック TSOP (I) 48 ピン , 正ベンド
MBM30LV0128-PFTR
プラスチック TSOP (I) 48 ピン , 逆ベンド
37
MBM30LV0128
■ 外形寸法図
プラスチック・TSOP (I) , 48 ピン
(FPT-48P-M19) ( 正ベンド )
注 ) ＊印寸法のレジン残りは , 片側 0.15 (.006) MAX
LEAD No.
1
48
Details of "A" part
INDEX
0.15(.006)
MAX
0.35(.014)
MAX
"A"
0.15(.006)
24
0.25(.010)
25
* 12.00±0.20
20.00±0.20
(.787±.008)
* 18.40±0.20
(.724±.008)
(.472±.008)
11.50REF
(.460)
+0.10
1.10 –0.05
+.004
.043 –.002
(Mounting height)
0.50(.0197)
TYP
0.10(.004)
0.05(0.02)MIN
(STAND OFF)
0.15±0.05
(.006±.002)
19.00±0.20
(.748±.008)
0.20±0.10
(.008±.004)
0.10(.004)
M
0.50±0.10
(.020±.004)
単位 :mm(inches)
C
1996 FUJITSU LIMITED F48029S-2C-2
プラスチック・TSOP (I) , 48 ピン
(FPT-48P-M20) ( 逆ベンド )
注 ) ＊印寸法のレジン残りは , 片側 0.15 (.006) MAX
LEAD No.
1
48
Details of "A" part
INDEX
0.15(.006)
MAX
0.35(.014)
MAX
"A"
0.15(.006)
24
0.25(.010)
25
19.00±0.20
(.748±.008)
0.50±0.10
(.020±.004)
0.15±0.05
(.006±.002)
0.10(.004)
0.20±0.10
(.008±.004)
0.50(.020)
TYP
0.10(.004)
M
0.10±0.05
(.004±.002)
(STAND OFF)
+0.10
1.10 –0.05
* 18.40±0.20
(.724±.008)
20.00±0.20
(.787±.008)
C
38
2000 FUJITSU LIMITED F48030S-3c-4
11.50(.453)REF
+.004
.043 –.002
(Mounting height)
* 12.00±0.20(.472±.008)
単位 : mm (inches)
MBM30LV0128
富士通株式会社
http://www.fujitsu.co.jp/
電子デバイス事業本部
東地区第一統括営業部
東地区第二統括営業部
東 北 販 売 部
長
野
販
売
部
静
岡
販
売
部
金
沢
販
売
部
西地区統括営業部
東 海 販 売 部
大
阪
販
売
部
京
都
販
売
部
九
州
販
売
部
中
国
販
売
課
〒 163-0721 東 京 都 新 宿 区 西 新 宿2-7-1 （新 宿 第 一 生 命 ビ ル）Tel. (03) 5322-3329
(E-mail : [email protected])
980-6113 仙 台 市 青 葉 区 中 央1-3-1 （ア エ ル13F）
(E-mail : [email protected])
390-0815 松 本 市 深 志1-4-25 （松 本 フ コ ク 生 命 駅 前 ビ ル）
(E-mail : [email protected])
422-8067 静 岡 市 南 町18-1 （サ ウ ス ポ ッ ト 静 岡）
(E-mail : [email protected])
920-0918 金 沢 市 尾 山 町1-8 （朝 日 生 命 金 沢 ビ ル）
(E-mail : [email protected])
(022) 223-1920
460-8585 名 古 屋 市 中 区 錦1-10-1 （マ ル カ ン 酢 伏 見 ビ ル）
(E-mail : [email protected])
540-8514 大 阪 市 中 央 区 城 見2-2-6（富 士 通 関 西 シ ス テ ム ラ ボ ラ ト リ）
(E-mail : [email protected])
604-8171 京 都 市 中 京 区 烏 丸 通 御 池 下 ル 虎 屋 町566-1（井 門 明 治 生 命 ビ ル）
(E-mail : [email protected])
812-8510 福 岡 市 博 多 区 博 多 駅 前1-5-1 （朝 日 生 命 福 岡 ビ ル）
(E-mail : [email protected])
732-0814 広 島 市 南 区 段 原 南1-3-53 （広 島 イ ー ス ト ビ ル）
(E-mail : [email protected])
(052) 239-1125
技術に関するお問い合わせ先
電子デバイス事業本部
フラッシュメモリ事業部 設計部
〒 211-8588 川 崎 市 中 原 区 上 小 田 中4-1-1
(0263) 36-7470
(054) 203-0007
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