MAX2023

19-0564; Rev 0; 7/06
KIT
ATION
EVALU ABLE
IL
AVA
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
特長 ___________________________________
MAX2023は低ノイズ、高リニアリティ、ダイレクト
アップ/ダウン変換、直交変調/復調器で、シングルおよ
びマルチキャリア、1500MHz∼2300MHzのDCS
1800/PCS 1900 EDGE、cdma2000®、WCDMA、
およびPHS/PAS基地局アプリケーション用に設計され
ています。ダイレクト変換アーキテクチャは従来のIF
ベースのダブル変換システムに比べ、トランスミッタ
またはレシーバのコスト、部品点数、および消費電力
を大幅に削減するため、優位性があります。
♦ RF周波数範囲：1500MHz∼2300MHz
MAX2023は優れたリニアリティやノイズ性能を発揮
するだけでなく、高水準の部品集積度も実現しています。
このデバイスは、同相および直交信号を変調または復調
する2個の整合されたパッシブミキサ、２個のLOミキサ
アンプドライバ、およびLO直交スプリッタを内蔵して
います。また、シングルエンドRFおよびLO接続を可能
にするバランも内蔵しています。追加機能として送信
DACとの直接接続を実現するために各ベースバンド入力
が整合されているため、高コストのI/Qバッファアンプ
は不要です。
♦ OIP3：+23.5dBm (typ)
MAX2023は+5Vの単一電源で動作します。この製品は、
エクスポーズドパッド付きの小型36ピンTQFNパッケージ
(6mm x 6mm)で提供されます。電気的性能は、-40℃∼
+85℃の拡張温度範囲で保証されています。
アプリケーション _______________________
シングルキャリアDCS 1800/PCS 1900 EDGE
基地局
シングルおよびマルチキャリアWCDMA/UMTS基地局
シングルおよびマルチキャリアcdmaOneTMおよび
cdma2000基地局
プリディストーショントランスミッタおよびレシーバ
PHS/PAS基地局
♦ スケーラブルな電力：外付け電流設定抵抗によって
低電力/低性能モードでデバイスを動作させるオプ
ションを提供
♦ 6mm x 6mmの36ピンTQFNが小型パッケージで
大きいアイソレーションを提供
変調器動作：
♦ POUT = +6dBmにおいて600kHzのオフセットで
-75dBcのGSMスプリアス放射に適合
♦ OIP2：+61dBm (typ)
♦ OP1dB：+16dBm (typ)
♦ LOリーク：-54dBm (typ)
♦ 側波帯抑制：48dBc (typ)
♦ 出力ノイズ密度：-165dBc/Hz
♦ 450MHzのブロードバンドベースバンド入力に
よって直接起動のDACインタフェースが可能で、
高コストのI/Qバッファアンプが不要
♦ DC結合入力によって、オフセット電圧制御機能が実現
復調器動作：
♦ IIP3：+38dBm (typ)
♦ IIP2：+59dBm (typ)
♦ IP1dB：+30dBm (typ)
♦ 変換損失：9.5dB (typ)
♦ NF：9.6dB (typ)
♦ I/Q利得不平衡：0.025dB (typ)
♦ I/Q位相不均衡：0.56°(typ)
型番 ___________________________________
TEMP RANGE
PINPACKAGE
-40°C to +85°C
36 Thin QFN-EP*
(6mm x 6mm)
T3666-2
ディジタルおよびスペクトラム拡散通信システム
MAX2023ETX-T -40°C to +85°C
36 Thin QFN-EP*
(6mm x 6mm)
T3666-2
ビデオオンデマンド(VOD)およびDOCSIS準拠エッ
ジQAM変調
MAX2023ETX+ -40°C to +85°C
36 Thin QFN-EP*
(6mm x 6mm)
T3666-2
MAX2023ETX+T -40°C to +85°C
36 Thin QFN-EP*
(6mm x 6mm)
T3666-2
固定ブロードバンド無線アクセス
軍事用システム
マイクロ波リンク
ケーブルモデム終端システム(CMTS)
cdma2000はTelecommunications Industry Associationの
登録商標です。
cdmaOneはCDMA Development Groupの商標です。
PART
MAX2023ETX
PKG
CODE
*EP = エクスポーズドパッド
+は鉛フリーパッケージを示します。
T = テープ&リールパッケージ
_______________________________________________________________________ Maxim Integrated Products
1
本データシートに記載された内容はMaxim Integrated Productsの公式な英語版データシートを翻訳したものです。翻訳により生じる相違及び
誤りについては責任を負いかねます。正確な内容の把握には英語版データシートをご参照ください。
無料サンプル及び最新版データシートの入手には、マキシムのホームページをご利用ください。http://japan.maxim-ic.com
MAX2023
概要 ___________________________________
MAX2023
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
VCC_ to GND ........................................................-0.3V to +5.5V
BBI+, BBI-, BBQ+, BBQ- to GND..................-4V to (VCC + 0.3V)
LO, RF to GND Maximum Current ......................................30mA
RF Input Power ...............................................................+30dBm
Baseband Differential I/Q Input Power ..........................+20dBm
LO Input Power...............................................................+10dBm
RBIASLO1 Maximum Current .............................................10mA
RBIASLO2 Maximum Current .............................................10mA
RBIASLO3 Maximum Current .............................................10mA
θJA (without air flow) ..........................................…………34°C/W
θJA (2.5m/s air flow) .........................................................28°C/W
θJC (junction to exposed paddle) ...................................8.5°C/W
Junction Temperature ......................................................+150°C
Storage Temperature Range .............................-65°C to +150°C
Lead Temperature (soldering 10s, leaded) .....................+245°C
Lead Temperature (soldering 10s, lead free) ..................+260°C
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional
operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(MAX2023 Typical Application Circuit, VCC = +4.75V to +5.25V, GND = 0V, I/Q inputs terminated into 100Ω differential, LO input terminated into 50Ω, RF output terminated into 50Ω, 0V common-mode input, R1 = 432Ω, R2 = 562Ω, R3 = 300Ω, TC = -40°C to +85°C, unless
otherwise noted. Typical values are at VCC = +5V, TC = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 1)
PARAMETER
CONDITIONS
Supply Voltage
Supply Current
(Note 2)
MIN
TYP
MAX
UNITS
4.75
5.00
5.25
V
255
295
345
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Modulator)
(MAX2023 Typical Application Circuit, when operated as a modulator, VCC = +4.75V to +5.25V, GND = 0V, I/Q differential inputs
driven from a 100Ω DC-coupled source, 0V common-mode input, 50Ω LO and RF system impedance, R1 = 432Ω, R2 = 562Ω,
R3 = 300Ω, TC = -40°C to +85°C. Typical values are at VCC = +5V, VBBI = VBBQ = 2.66VP-P differential, fIQ = 1MHz, PLO = 0dBm,
TC = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 1)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
BASEBAND INPUT
Baseband Input Differential Impedance
fI/Q = 1MHz
BB Common-Mode Input Voltage
Range
VBBI = VBBQ = 1VP-P differential
Baseband 0.5dB Bandwidth
55
Ω
±3.5
V
450
MHz
LO INPUT
LO Input Frequency Range
LO Input Drive
LO Input Return Loss
1500
2300
MHz
-3
+3
dBm
15
dB
RF OUTPUT
Output IP3
POUT = 0dBm,
fBB1 = 1.8MHz,
fBB2 = 1.9MHz
fLO = 1750MHz
+24.2
fLO = 1850MHz
+23.5
fLO = 1950MHz
+22
Output IP2
POUT = 0dBm, fBB1 = 1.8MHz, fBB2 = 1.9MHz,
fLO = 1850MHz
Output P1dB
CW tone
Output Power
2
(Note 3)
+61
fLO = 1750MHz
+15.9
fLO = 1850MHz
+14.3
fLO = 1950MHz
+12.5
+5.6
________________________________________________________________________________________________
dBm
dBm
dBm
dBm
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
(MAX2023 Typical Application Circuit, when operated as a modulator, VCC = +4.75V to +5.25V, GND = 0V, I/Q differential inputs
driven from a 100Ω DC-coupled source, 0V common-mode input, 50Ω LO and RF system impedance, R1 = 432Ω, R2 = 562Ω,
R3 = 300Ω, TC = -40°C to +85°C. Typical values are at VCC = +5V, VBBI = VBBQ = 2.66VP-P differential, fIQ = 1MHz, PLO = 0dBm,
TC = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 1)
Output Power Variation Over
Temperature
POUT = +5.6dBm, fI/Q = 100kHz, TC = -40°C to +85°C
0.25
dB
Output-Power Flatness
fLO = 1850MHz, PRF flatness for fLO swept over
±50MHz range
0.2
dB
RF Return Loss
fLO = 1850MHz
17
dB
Single Sideband Rejection
No external
calibration
POUT = +6dBm, fLO
= 1850MHz, EDGE
input
Spurious Emissions
Error Vector Magnitude
EDGE input
Output Noise Density
(Note 4)
Output Noise Floor
POUT = 0dBm (Note 5)
LO Leakage
Un-nulled, baseband
inputs terminated in
50Ω
fLO = 1750MHz
51
fLO = 1850MHz
48
fLO = 1950MHz
48
200kHz offset
-37.2
400kHz offset
-71.4
600kHz offset
-84.7
1.2MHz offset
-85
RMS
0.67
Peak
1.5
dBc
dBc/
30kHz
%
-174
dBm/Hz
-165
dBm/Hz
fLO = 1750MHz
-59
fLO = 1850MHz
-54
fLO = 1950MHz
-48
dBm
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Demodulator)
(MAX2023 Typical Application Circuit when operated as a demodulator, VCC = +4.75V to +5.25V, GND = 0V, 50Ω LO and RF system
impedance, R1 = 432Ω, R2 = 562Ω, R3 = 300Ω, TC = -40°C to +85°C. Typical values are at VCC = +5V, PRF = 0dBm, fBB = 1MHz,
PLO = 0dBm, fLO = 1850MHz, TC = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 1)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
2300
MHz
RF INPUT
RF Input Frequency
1500
Conversion Loss
fBB = 25MHz
Noise Figure
9.5
dB
9.6
dB
20.3
dB
Noise Figure Underblocking
Conditions
fBLOCKER = 1950MHz, PBLOCKER = +11dBm,
fRF = 1850MHz (Note 6)
Input Third-Order Intercept
Point
fRF1 = 1875MHz, fRF2 = 1876MHz, fLO = 1850MHz,
PRF = PLO = 0dBm, fIM3 = 24MHz
38
dBm
Input Second-Order Intercept
Point
fRF1 = 1875MHz, fRF2 = 1876MHz, fLO = 1850MHz,
PRF = PLO = 0dBm, fIM2 = 51MHz
59
dBm
Input 1dB Compression Point
fBB = 25MHz
29.7
dBm
I/Q Gain Mismatch
fBB = 1MHz
0.025
dB
I/Q Phase Mismatch
fBB = 1MHz
0.56
Degrees
_________________________________________________________________________________________________
3
MAX2023
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Modulator) (continued)
TC is the temperature on the exposed paddle.
Guaranteed by production test.
VI/Q = 2.66VP-P differential CW input.
No baseband drive input. Measured with the baseband inputs terminated in 50Ω. At low output power levels, the output
noise density is equal to the thermal noise floor. See Output Noise Density vs. Output Power plots in Typical Operating
Characteristics.
Note 5: The output noise vs. POUT curve has the slope of LO noise (Ln dBc/Hz) due to reciprocal mixing. Measured at 10MHz offset
from carrier.
Note 6: The LO noise (L = 10(Ln/10)), determined from the modulator measurements can be used to deduce the noise figure underblocking at operating temperature (TP in Kelvin), fBLOCK = 1 + (LCN - 1) TP / TO + LPBLOCK / (1000kTO), where TO = 290K,
PBLOCK in mW, k is Boltzmann’s constant = 1.381 x 10(-23) J/K, and LCN = 10(LC/10), LC is the conversion loss. Noise figure
underblocking in dB is NFBLOCK = 10 x log (fBLOCK). Refer to Application Note 3632.
Note 1:
Note 2:
Note 3:
Note 4:
標準動作特性_______________________________________________________________________
(MAX2023 Typical Application Circuit, VCC = +4.75V to +5.25V, GND = 0V, I/Q differential inputs driven from a 100Ω DC-coupled source
(modulator), VBBI = VBBQ = 2.6VP-P differential (modulator), PRF = +6dBm (demodulator), I/Q differential output drives 50Ω differential load
(demodulator), 0V common-mode input/output, PLO = 0dBm, 1500MHz ≤ fLO ≤ 2300MHz, 50Ω LO and RF system impedance, R1 = 432Ω,
R2 = 562Ω, R3 = 300Ω, TC = -40°C to +85°C. Typical values are at VCC = +5V, fLO = 1850MHz, TC = +25°C, unless otherwise noted.)
VCC = 5V
VCC = 5.25V
320
300
280
260
VCC = 4.75V
240
65
PLO = -3dBm
60
PLO = 0dBm
55
50
45
40
PLO = +3dBm
35
30
-15
10
35
TEMPERATURE (°C)
60
1.5
85
1.6
MODULATOR SINGLE-SIDEBAND SUPPRESSION
vs. LO FREQUENCY
65
TC = +85°C
60
50
45
TC = -40°C
40
35
TC = +25°C
30
28
26
22
20
TC = -40°C
18
TC = +85°C
16
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
2.3
VCC = 4.75V
35
30
VCC = 5.25V
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
2.3
30
f1 = 1.8MHz
f2 = 1.9MHz
28
26
24
22
20
18
VCC = 4.75V, 5V, 5.25V
16
14
f1 = 1.8MHz
f2 = 1.9MHz
12
10
10
1.5
40
2.3
24
12
20
45
MODULATOR OUTPUT IP3
vs. LO FREQUENCY
TC = +25°C
14
25
2.2
30
OUTPUT IP3 (dBm)
55
50
MODULATOR OUTPUT IP3
vs. LO FREQUENCY
MAX2023 toc04
70
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
OUTPUT IP3 (dBm)
-40
55
20
20
200
VCC = 5V
60
25
25
220
4
65
MAX2023 toc03
70
MAX2023 toc06
340
70
MAX2023 toc05
SUPPLY CURRENT (mA)
360
SIDEBAND REJECTION (dBc)
380
MODULATOR SINGLE-SIDEBAND SUPPRESSION
vs. LO FREQUENCY
SIDEBAND REJECTION (dBc)
MAX2023 toc01
400
MODULATOR SINGLE-SIDEBAND SUPPRESSION
vs. LO FREQUENCY
MAX2023 toc02
SUPPLY CURRENT vs. TEMPERATURE (TC)
SIDEBAND REJECTION (dBc)
MAX2023
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
2.3
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
________________________________________________________________________________________________
2.2
2.3
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
(MAX2023 Typical Application Circuit, VCC = +4.75V to +5.25V, GND = 0V, I/Q differential inputs driven from a 100Ω DC-coupled source
(modulator), VBBI = VBBQ = 2.6VP-P differential (modulator), PRF = +6dBm (demodulator), I/Q differential output drives 50Ω differential load
(demodulator), 0V common-mode input/output, PLO = 0dBm, 1500MHz ≤ fLO ≤ 2300MHz, 50Ω LO and RF system impedance, R1 = 432Ω,
R2 = 562Ω, R3 = 300Ω, TC = -40°C to +85°C. Typical values are at VCC = +5V, fLO = 1850MHz, TC = +25°C, unless otherwise noted.)
22
PLO = -3dBm
18
16
24.5
24.0
23.5
10
65
60
TC = -40°C
2.2
2.3
-3.5
-2.5 -1.5 -0.5 0.5 1.5 2.5
I/Q COMMON-MODE VOLTAGE (V)
MODULATOR OUTPUT IP2
vs. LO FREQUENCY
1.5
3.5
75
PLO = 0dBm
75
68
67
65
60
OUTPUT IP2 (dBm)
OUTPUT IP2 (dBm)
VCC = 5V
70
65
PLO = +3dBm
60
55
f1 = 1.8MHz
f2 = 1.9MHz
50
f1 = 1.8MHz
f2 = 1.9MHz
2.2
2.3
MODULATOR OUTPUT POWER
vs. INPUT POWER
20
16
VCC = 4.75V, 5V, 5.25V
12
10
8
6
18
16
OUTPUT POWER (dBm)
18
f1 = 1.8MHz
f2 = 1.9MHz
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
-3.5
2.3
PLO = 0dBm
14
12
10
PLO = -3dBm
8
6
4
4
2
2
0
PLO = +3dBm
3.5
8
7
TC = -40°C
6
5
TC = +25°C
4
TC = +85°C
3
2
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
INPUT POWER (dBm)
-2.5 -1.5 -0.5 0.5 1.5 2.5
I/Q COMMON-MODE VOLTAGE (V)
MODULATOR OUTPUT POWER
vs. LO FREQUENCY
MODULATOR OUTPUT POWER
vs. INPUT POWER
MAX2023 toc13
20
63
60
1.5
OUTPUT POWER (dBm)
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
MAX2023 toc14
1.6
64
61
50
1.5
65
62
VCC = 4.75V
55
2.3
66
PLO = -3dBm
70
2.2
MAX2023 toc12
80
MAX2023 toc10
VCC = 5.25V
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
MODULATOR OUTPUT IP2
vs. I/Q COMMON-MODE VOLTAGE
MODULATOR OUTPUT IP2
vs. LO FREQUENCY
80
1.6
MAX2023 toc15
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
MAX2023 toc11
1.6
f1 = 1.8MHz
f2 = 1.9MHz
50
22.0
1.5
OUTPUT IP2 (dBm)
70
55
22.5
12
OUTPUT POWER (dBm)
TC = +25°C
23.0
14
14
TC = +85°C
75
25.0
PLO = +3dBm
20
80
OUTPUT IP2 (dBm)
24
f1 = 1.8MHz
f2 = 1.9MHz
25.5
OUTPUT IP3 (dBm)
OUTPUT IP3 (dBm)
26
26.0
MAX2023 toc08
f1 = 1.8MHz
f2 = 1.9MHz
PLO = 0dBm
MAX2023 toc07
30
28
MODULATOR OUTPUT IP2
vs. LO FREQUENCY
MODULATOR OUTPUT IP3
vs. I/Q COMMON-MODE VOLTAGE
MAX2023 toc09
MODULATOR OUTPUT IP3
vs. LO FREQUENCY
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
INPUT POWER (dBm)
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
_________________________________________________________________________________________________
2.3
5
MAX2023
標準動作特性(続き) _________________________________________________________________
標準動作特性(続き) _________________________________________________________________
(MAX2023 Typical Application Circuit, VCC = +4.75V to +5.25V, GND = 0V, I/Q differential inputs driven from a 100Ω DC-coupled source
(modulator), VBBI = VBBQ = 2.6VP-P differential (modulator), PRF = +6dBm (demodulator), I/Q differential output drives 50Ω differential load
(demodulator), 0V common-mode input/output, PLO = 0dBm, 1500MHz ≤ fLO ≤ 2300MHz, 50Ω LO and RF system impedance, R1 = 432Ω,
R2 = 562Ω, R3 = 300Ω, TC = -40°C to +85°C. Typical values are at VCC = +5V, fLO = 1850MHz, TC = +25°C, unless otherwise noted.)
-9
-10
-11
-12
-60
-70
PRF = -7dBm
-80
-50
TC = -40°C
-60
-70
-80
-90
PRF = -1dBm
TC = +25°C
-100
-100
20
30
40
50
60
BASEBAND FREQUENCY (MHz)
70
1.80
MODULATOR LO LEAKAGE
vs. LO FREQUENCY
-70
-80
PLO = +3dBm
-90
-160
-165
TC = +85°C
-170
-175
PLO = 0dBm
-100
-180
1.80
1.82
1.84
1.86
1.88
LO FREQUENCY (GHz)
1.90
TC = -40°C
-23
-18
DEMODULATOR CONVERSION LOSS
vs. LO FREQUENCY
11.5
INPUT IP3 (dBm)
10.0
9.5
35
33
PLO = -3dBm
2.2
-23
-18
2.3
-13
-8
-3
2
OUTPUT POWER (dBm)
7
12
45
43
TC = +25°C
41
TC = +85°C
37
35
33
31
TC = -40°C
29
f1 = fLO + 25MHz
f2 = fLO + 26MHz
f1 = fLO + 25MHz
f2 = fLO + 26MHz
27
25
25
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
-175
39
37
27
8.0
1.6
PLO = +3dBm
-170
DEMODULATOR INPUT IP3
vs. LO FREQUENCY
PLO = +3dBm
29
TC = -40°C
1.5
-165
12
31
TC = +25°C
8.5
7
PLO = 0dBm
39
10.5
9.0
PLO = 0dBm
-160
-180
-13
-8
-3
2
OUTPUT POWER (dBm)
43
41
1.90
TC = +25°C
45
TC = +85°C
11.0
PLO = -3dBm
-155
DEMODULATOR INPUT IP3
vs. LO FREQUENCY
MAX2023 toc22
12.0
1.84
1.86
1.88
LO FREQUENCY (GHz)
-150
OUTPUT NOISE DENSITY (dBm/Hz)
-60
-155
1.82
MODULATOR OUTPUT NOISE DENSITY
vs. OUTPUT POWER
INPUT IP3 (dBm)
-50
1.80
1.90
-150
OUTPUT NOISE DENSITY (dBm/Hz)
PRF = -1dBm,
LO LEAKAGE NULLED
AT PLO = 0dBm
PLO = -3dBm
1.84
1.86
1.88
LO FREQUENCY (GHz)
MODULATOR OUTPUT NOISE DENSITY
vs. OUTPUT POWER
MAX2023 toc19
-40
1.82
MAX2023 toc20
10
MAX2023 toc23
0
MAX2023 toc21
-15
-90
LO LEAKAGE NULLED
AT PRF = -1dBm
MAX2023 toc24
fLO - fBB
-14
LO LEAKAGE (dBm)
PRF = -1dBm,
LO LEAKAGE NULLED
AT TA = +25°C
TC = +85°C
-13
6
PRF = +5dBm
LO LEAKAGE (dBm)
-8
-50
LO LEAKAGE (dBm)
OUTPUT POWER (dBm)
fLO + fBB
PRF = -40dBm
-40
MAX2023 toc17
PI/Q-COMBINED = 0dBm
-7
-40
MAX2023 toc16
-5
-6
MODULATOR LO LEAKAGE
vs. LO FREQUENCY
MODULATOR LO LEAKAGE
vs. LO FREQUENCY
MAX2023 toc18
MODULATOR OUTPUT POWER
vs. BASEBAND FREQUENCY
CONVERSION LOSS (dB)
MAX2023
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
2.3
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
________________________________________________________________________________________________
2.2
2.3
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
(MAX2023 Typical Application Circuit, VCC = +4.75V to +5.25V, GND = 0V, I/Q differential inputs driven from a 100Ω DC-coupled source
(modulator), VBBI = VBBQ = 2.6VP-P differential (modulator), PRF = +6dBm (demodulator), I/Q differential output drives 50Ω differential load
(demodulator), 0V common-mode input/output, PLO = 0dBm, 1500MHz ≤ fLO ≤ 2300MHz, 50Ω LO and RF system impedance, R1 = 432Ω,
R2 = 562Ω, R3 = 300Ω, TC = -40°C to +85°C. Typical values are at VCC = +5V, fLO = 1850MHz, TC = +25°C, unless otherwise noted.)
DEMODULATOR I/Q PHASE IMBALANCE
vs. LO FREQUENCY
TC = +85°C
65
60
TC = -40°C
PLO = +3dBm
3
PLO = 0dBm
2
PLO = -3dBm
1
f1 = fLO + 25MHz
f2 = fLO + 26MHz
55
4
PLO = -6dBm
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
1.5
2.3
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
PLO = -3dBm
PLO = -6dBm
22
PLO = -3dBm
0.02
PLO = 0dBm
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
10
15
RETURN LOSS (dB)
PLO = +3dBm
PLO = 0dBm
20
PLO = -6dBm
0.03
2.2
2.3
24
26
MAX2023 toc29
14
18
0.04
RF PORT RETURN LOSS
12
16
PLO = +3dBm
0.05
0
2.3
LO PORT RETURN LOSS
10
MAX2023 toc28
1.6
RETURN LOSS (dB)
1.5
0.06
0.01
0
50
MAX2023 toc27
5
70
0.07
MAX2023 toc26
75
I/Q PHASE IMBALANCE (deg)
TC = +25°C
INPUT IP2 (dBm)
6
MAX2023 toc25
80
DEMODULATOR I/Q AMPLITUDE IMBALANCE
vs. LO FREQUENCY
I/Q AMPLITUDE IMBALANCE (dB)
DEMODULATOR INPUT IP2
vs. LO FREQUENCY
20
25
PLO = -6dBm, -3dBm, 0dBm, +3dBm
30
35
28
40
30
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
LO FREQUENCY (GHz)
2.2
2.3
1.5
1.6
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1
RF FREQUENCY (GHz)
2.2
2.3
_________________________________________________________________________________________________
7
MAX2023
標準動作特性(続き) _________________________________________________________________
MAX2023
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
端子説明 ___________________________________________________________________________
端子
名称
機能
1, 5, 9–12, 14, 16–19, 22,
24, 27–30, 32, 34, 35, 36
2
RBIASLO3
3
VCCLOA
4
6
7
8
LO
RBIASLO1
N.C.
RBIASLO2
局部発振器入力。50Ωの入力インピーダンス。DC遮断用コンデンサが必要です。
第1 LO入力バッファアンプのバイアス。432Ωの抵抗でグランドに接続してください。
接続なし。未接続状態のままにします。
第2 LOアンプのバイアス。562Ωの抵抗でグランドに接続してください。
13
VCCLOI1
Iチャネルの第1 LOアンプの電源電圧。端子にできるだけ近接した0.1μFおよび22pF
コンデンサでGNDにバイパスしてください。
15
VCCLOI2
20
21
23
25
26
BBI+
BBIRF
BBQBBQ+
31
VCCLOQ2
Qチャネルの第2 LOアンプの電源電圧。端子にできるだけ近接した0.1μFおよび22pF
コンデンサでGNDにバイパスしてください。
33
VCCLOQ1
Qチャネルの第1 LOアンプの電源電圧。端子にできるだけ近接した0.1μFおよび22pF
コンデンサでGNDにバイパスしてください。
EP
GND
GND
グランド
第3 LOアンプのバイアス。300Ωの抵抗でグランドに接続してください。
LO入力バッファアンプの電源電圧。端子にできるだけ近接した0.1μFおよび22pFの
コンデンサでGNDにバイパスしてください。
Iチャネルの第2 LOアンプの電源電圧。端子にできるだけ近接した0.1μFおよび22pF
コンデンサでGNDにバイパスしてください。
ベースバンド同相非反転ポート
ベースバンド同相反転ポート
RFポート。このポートは、50Ωに整合されています。DC遮断用コンデンサが必要です。
ベースバンド直交反転ポート
ベースバンド直交非反転ポート
エクスポーズドグランドパッド。複数ビアを使ってエクスポーズドパッドをグランド
プレーンに半田付けする必要があります。
詳細 ___________________________________
MAX2023は、ベースバンドから1500MHz∼2300MHz
のRF周波数範囲まで差動同相(I)および直交(Q)入力を
アップコンバートするように設計されています。また、
RF入力信号をベースバンドに直接ダウンコンバートす
る復調器として、このデバイスを使用することもでき
ます。アプリケーションとしては、シングルおよびマ
ルチキャリアの1500MHz∼2300MHzのDCS/PCS
EDGE、UMTS/WCDMA、cdma2000、およびPHS/
PAS基地局などがあります。ダイレクト変換アーキテ
クチャは従来のIFベースのダブル変換システムに比べ、
トランスミッタまたはレシーバのコスト、部品点数、
および消費電力を大幅に削減するため、優位性があり
ます。
MAX2023は、バラン、1つのLOバッファ、1つの位相
スプリッタ、2つのLOドライバアンプ、2つの整合済み
ダブルバランストパッシブミキサ、および1つの広帯域
直交結合器を内蔵しています。高精度の同相および直交
チャネルマッチングとともにMAX2023の高リニアリ
ティミキサによって、このデバイスは優れたダイナミッ
クレンジ、ACLR、1dBの圧縮ポイント、およびLO/側
波帯抑制特性を備えています。これらの機能によって、
MAX2023はシングルキャリアGSMおよびマルチキャ
リアWCDMA動作に最適です。
8
LO入力バラン、LOバッファ、
および位相スプリッタ
MAX2023には、定格パワーが0dBmのシングルエンド
LO入力が必要です。LO入力における内蔵低損失バラン
によって、シングルエンドLO信号はLOバッファ入力で
差動信号に変換されます。また、内蔵バランによって、
バッファの入力インピーダンスは動作帯域全体にわたっ
て50Ωに整合されます。
LOバッファの出力は位相スプリッタを通過します。この
スプリッタは、元の信号に対して90°
シフトされた新
たなLO信号を生成します。これらの0°
および90°
のLO
信号はそれぞれ、IおよびQミキサを駆動します。
LOドライバ
位相スプリッタの後に、0°
および90°
のLO信号はそれ
ぞれ2段アンプによって増幅され、IおよびQミキサを
駆動します。アンプは、LO駆動レベルの変動を補償す
るためにLO信号のレベルを増強します。2段LOアンプに
よって、LO駆動用の広い入力パワー範囲が実現します。
MAX2023は、-3dBm∼+3dBmのLOレベル変動に耐
えることができます。
________________________________________________________________________________________________
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
MAX2023の変調器は、1組の整合されたダブルバラン
ストパッシブミキサと1個のバランで構成されています。
IおよびQ差動ベースバンド入力は、差動振幅が最大
4VP-PのDCから450MHzの信号を受け付けます。入力
帯域幅が広いため、MAX2023は直接RF変調器または
イメージ除去ミキサとして動作することができます。
コモンモードの適用範囲が広いため、ベースバンド
DACと直接インタフェースすることができます。広帯域
アプリケーション用にベースバンドDACとMAX2023
の間にアクティブバッファ回路は不要です。
IおよびQ信号は0°
と90°
のLO信号を直接変調し、RF
周波数にアップコンバートされます。IおよびQミキサ
の出力はバランを通じて結合され、シングルエンドRF
出力を生成します。
アプリケーション情報 ___________________
LO入力駆動
MAX2023のLO入力は50Ωに内部で整合され、
1500MHz∼2300MHzの周波数でシングルエンド駆動
を必要とします。内蔵バランによって、LOバッファ差
動入力でシングルエンド入力信号は差動信号に変換され
ます。このインタフェースで必要な外付け部品は、外付
けのDC遮断用コンデンサのみです。LO入力パワーは、
-3dBm∼+3dBmの範囲内にある必要があります。性能
全体を最適化するには、0dBmのLO入力パワーが推奨
されます。
なトランスミッタの全体構成が得られます。こうした
DACには、デュアルDACのMAX5875シリーズやデュ
アル補間用DACのMAX5895などがあります。これらの
DACは、グランド基準の差動電流出力を備えています。
50Ωの接地負荷抵抗を備えた各DACの標準終端および
定格10mAのDC出力電流によって、変調器のI/Q入力
に0.5VのコモンモードDCレベルが生じます。DACか
ら得られる定格信号レベルは、シングルCDMAまたは
WCDMAキャリアの場合は-12dBmの範囲内にあり、
4キャリアアプリケーションの場合はキャリア当り
-18dBmに低下します。
I/Q入力帯域幅は、-0.5dBの応答で450MHzを上回り
ます。DACとMAX2023との直接接続によって、性能を
制限するベースバンドアンプを必要とせずに最高の信号
忠実度が確保されます。DACの出力応答からイメージ周
波数を除去するために、DAC出力をローパスフィルタに
通すことができます。デュアル補間DACのMAX5895は、
最大8倍の補間レートで動作させることができます。こ
れはDACのイメージ周波数を極めて高い離れた周波数
に移動させる利点を備え、ベースバンドフィルタの設
計が容易になります。DACの出力ノイズフロアと補間
フィルタ阻止帯域減衰は、60MHzなどの大きな周波数
オフセットに対して3GPPのノイズフロア要件に適合さ
せるのに十分有効です。この場合、変調器のRF出力に
フィルタリングは不要です。
図1は、MAX2023をマキシムのDACに接続するのは
容易であり、効率的であることを示しています。この
場合、DACは、16ビットのデュアル補間変調用DACの
MAX5895です。
ベースバンドI/Q入力駆動
性能を最適化するには、MAX2023のIおよびQベース
バンド入力を差動駆動してください。ベースバンド入
力は、50Ωの差動入力インピーダンスを備えています。
IおよびQの入力の最適信号源インピーダンスは100Ωの
差動インピーダンスです。この信号源インピーダンスは、
IおよびQ入力への信号伝達と出力RFインピーダンスの
整合を最適化します。MAX2023は、IおよびQ入力で
最大+20dBmの入力パワーレベルを受け付けることが
できます。CDMAキャリアまたはGSM信号などの複合
波形による動作は、これよりはるかに低い入力パワー
レベルを使用します。これらの複合波形のピーク対平
均比は高いため、この低パワーの動作は不可欠になっ
ています。ピーク信号をMAX2023の圧縮レベル未満
に維持する必要があります。入力コモンモード電圧を
-3.5V∼+3.5VのDC範囲に限定する必要があります。
MAX5895
DUAL 16-BIT INTERP DAC
MAX2023
RF MODULATOR
50Ω
BBI
FREQ
50Ω
I/Q GAIN AND
OFFSET ADJUST
LO
0°
90°
∑
50Ω
BBQ
FREQ
50Ω
WCDMAトランスミッタのアプリケーション
MAX2023は、マキシムの高速DACと直接インタフェース
するように設計されています。このため、広範囲のア
プリケーションに必要な最低限の補助回路素子で最適
図1. cdma2000およびWCDMA基地局用にMAX2023と接続
したMAX5895 DAC
_________________________________________________________________________________________________
9
MAX2023
I/Q変調器
MAX2023
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
MAX5873
DUAL DAC
MAX4395
QUAD AMP
MAX2021/MAX2023
MAX2058/MAX2059
RF DIGITAL VGAs
I
12
0°
90°
31dB
∑
17dB
31dB
RFOUT
Q
SPI
LOGIC
12
MAX9491
VCO + SYNTH
45, 80,
OR
95MHz LO
LOOPBACK Rx
OFF
OUT
(FEEDS BACK
INTO Rx CHAIN
FRONT-END)
SPI
CONTROL
図2. GSM/EDGE DCS/PCS帯域の基地局用のトランスミッタの全体構成
MAX5895 DACは、プログラマブルな利得と差動オフ
セット制御を内蔵しています。これらの制御を使って、
直交変調器のMAX2023のLOリークと側波帯抑制を最
適化することができます。
GSMトランスミッタのアプリケーション
MAX2023は、ゼロIF (ZIF)、シングルキャリアGSM
トランスミッタに最適な変調器です。このデバイスの
広ダイナミックレンジによって、トランスミッタアーキ
テクチャ全体が大幅に効率化されます。図2は、高性能
GSM/EDGEトランスミッタ用のごく簡略な全体構成を
示しています。
シングルキャリアGSMトランスミッタの構成は、
MAX5873などの単純な12ビット、デュアルDACから
ベースバンドIおよびQ信号を生成します。DACクロック
レートは、13MHzのGSMシステムクロックレートの倍
数にすることができます。デュアルDACのグランド基準
出力は、簡単なディスクリートエレメントのローパス
フィルタによってフィルタリングされ、DACイメージ
とノイズフロアがともに減衰されます。次にIおよびQ
ベースバンド信号は、差動入力/出力アンプとして構成
されたクワッドオペアンプのMAX4395によってレベル
シフトされ、増幅されます。このアンプは+15dBmを
超えるベースバンドパワーレベルをMAX2023に供給す
ることができるため、非常に大きいRF出力パワーレベル
が可能です。MAX2023は、大きなマージンを持って、
求められるシステム要件に完全準拠して、最大+5dBm
をGSMベクトルに供給します。MAX2023の超低位相
10
ノイズによって、RFフィルタの追加を必要とせずに、
回路がGSMシステムレベルノイズ要件に適合すること
ができ、全体構成が大幅に簡素化されます。
MAX2023の出力がRF VGAのMAX2059を駆動するこ
とで最大+15dBmのGSMキャリアパワーを供給するこ
とができ、しかも調整範囲が56dBを超える極めてフレ
キシブルなディジタル制御のアッテネータを備えるこ
とになります。このため、全体構成の利得補償の範囲を
含んで、フルスタティックおよびダイナミックパワー
制御要件に対応します。
RF出力
MAX2023は、超低出力のノイズフロアを実現する内
蔵パッシブミキサアーキテクチャを採用しています。
こうしたアーキテクチャでは、総出力ノイズは、普通
理論的な熱ノイズ(kTB)と内蔵LOバッファ回路のノイズ
寄与のパワーの合計になります。｢標準動作特性｣に示す
ように、MAX2023の出力ノイズは低出力パワーレベル
の場合は-174dBm/Hzの熱限界値に近い値です。出力
パワーが増大すると、ノイズレベルはLOバッファ回路
のノイズ寄与が加わり、約-165dBc/Hzになります。
RF出力のパワーレベルは、I/Q入力のパワーレベルと
デバイスの挿入損失によって決まります。入力パワーは、
内部の50Ω終端に供給される入力のIおよびQ電圧の関
数です。単純な正弦波ベースバンド信号の場合は、Iお
よびQの入力における89mVP-Pの差動レベルは、Iおよび
Qの内部50Ω終端に-17dBmが供給される入力パワーレ
ベルになります。この結果、RF出力パワーは-26.6dBm
になります。
_______________________________________________________________________________________________
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
RF復調器
IおよびQポートにDCオフセットを導入することによって、
RFポートのLOリークを-80dBmを下回るレベルまで
ヌル化することができます。ただし、RFポートでのこの
ヌルは、I/Q IFインタフェースが不適切に終端されると、
損なわれる場合があります。注意してI/Qポートを駆動
DAC回路に整合させる必要があります。整合されていな
い場合は、LOの2次(2fLO)項が変調器のI/Q入力ポートに
逆リークして、このポートで内部LO信号とミックスし、
RF出力にさらにLOリークが発生することもあります。
このリークによって、LOのヌルは実質的に干渉を受け
ます。また、I/Q IFポートで反射したLO信号によって残
留DC項が生成され、ヌル条件を妨げる場合があります。
また、MAX2023をRF復調器として使用し、RF入力信
号をベースバンドに直接ダウンコンバートすることも
できます。シングルエンドのRF入力は、パワーレベル
が最大+30dBmの1500MHz∼2300MHzの信号を受
け付けます。パッシブミキサアーキテクチャの変換損
失は、9.5dB (typ)です。このダウンコンバータは高
リニアリティと優れたノイズ特性になるように最適化
されており、標準で+38dBmのIIP3、+29.7dBmの
P1dB、および9.6dBのノイズ指数が得られます。
図3に示すように、I+、I-、Q+、Q-の各ポートにRC終
端を行うと、さまざまな温度、LO周波数、およびベース
バンド終端状態のもとでRFポートに発生するLOリーク
の量が低減します。詳細については、｢標準動作特性｣
を参照してください。この場合、fLOおよび2fLOリーク
を適切にフィルタリングし、かつ最高ベースバンド周
波数におけるベースバンド応答の平坦性に悪影響を与
えないコーナー周波数1 / (2πRC)を選択して、抵抗値を
50Ωに選択してください。I+/I-およびQ+/Q-における
コモンモードのfLOおよび2fLO信号は実質的にRCネット
ワークを経由するため、25Ω (R/2)で終端されることに
なります。RCネットワークは2fLOとfLOのリークを吸収
するための経路を提供し、またインダクタはf LOおよび
2fLOにおいてハイインピーダンスを示し、ダイプレクス
のプロセスに役立ちます。
RFおよびLO入力は、内部で50Ωに整合されています。
このため、整合用の部品は不要で、インタフェースに
必要となるのはDC遮断用コンデンサのみです。
50Ω
MAX2023
RF MODULATOR
L = 11nH
50Ω
C = 2.2pF
LO
0°
90°
∑
50Ω
Q
バイアス抵抗の変更によるパワースケーリング
LOバッファのバイアス電流は、R1、R2、およびR3の
各抵抗を微調整すると最適化されます。マキシムは、
±1%許容の抵抗の使用を推奨します。ただし、±1%の
部品がすぐ入手不可の場合は、標準的な±5%の値を使用
することができます。｢標準動作回路｣に示す抵抗値は、
1500MHz∼2300MHzの帯域全体にわたって最高性能
を発揮するように選択されました。必要に応じて、R1、
R2、およびR3に異なる値を選択すると、電流をこの
定格値から下げることもできます。詳細については、
お問い合わせください。
レイアウトに関して
C = 2.2pF
I
I/Qポート帯域が広いため、ポートを直交IF周波数への
ダウン変換用のイメージ除去ミキサとして使用するこ
とができます。
L = 11nH
50Ω
C = 2.2pF
適切に設計されたPCBは、RF/マイクロ波回路の重要
な要素です。損失、放射、およびインダクタンスを低減
するために、RF信号ラインをできる限り短くします。
最高の性能を得るには、グランド端子のトレースをパッ
ケージ底面のエクスポーズドパッドにじかに配線してく
ださい。PCBのエクスポーズドパッドをPCBのグラン
ドプレーンに接続する必要があります。複数のビアを
使って、このパッドを下側のグランドプレーンに接続
することを推奨します。この方法によって、デバイス
に適したRF/熱伝導経路が形成されます。デバイスパッ
ケージの底面にあるエクスポーズドパッドをPCBに半
田付けしてください。MAX2023の評価キットを基板
レイアウトのリファレンスとして使用することができ
ます。ガーバーファイルをjapan.maxim-ic.comから入手
することができます。
図3. DCS 1800/PCS 1900 EDGEトランスミッタアプリケ
ーションに推奨されるダイプレクサネットワーク
________________________________________________________________________________________________
11
MAX2023
外付けダイプレクサ
電源バイパス
エクスポーズドパッドRF/熱に関して
適切な電圧電源のバイパス処理は、高周波回路の安定化
に不可欠です。すべてのVCC_端子を、できる限り端子
の近くに配置した22pFおよび0.1μFのコンデンサでバ
イパスしてください。最小容量のコンデンサをデバイス
の最も近くに配置してください。
MAX2023の36ピンTQFN-EPパッケージのエクスポー
ズドパッドによって、ダイへの低熱抵抗経路が形成され
ます。ICを実装するPCBをこの接点から熱が伝導され
るように設計する必要があります。また、エクスポー
ズドパッドによって、デバイスに低インダクタンスの
RFグランド経路が形成されます。
性能を最適化するために、適切な電圧電源レイアウト
手法を用いてください。MAX2023は各種VCC_端子を
使用する複数のRF処理段を備えています。チップ内で
デカップリングされていますが、チップ外における処
理段間の相互作用によって、利得、リニアリティ、キャ
リア抑制、および出力パワー制御範囲が損なわれるこ
とがあります。処理段間の過度なカップリングも安定性
を悪化させる場合があります。
エクスポーズドパッドは、直接またはメッキ処理され
たビアホール配列を通じてPCB上のグランドプレーン
に半田付けする必要があります。3 x 3の配列の9つの
ビアの配列が推奨されます。パッドをグランドに半田
付けすることは、効率的な熱伝導にとって不可欠です。
できる限りソリッドグランドプレーンを使用してくだ
さい。
GND
GND
VCCLOQ1
GND
VCCLOQ2
GND
GND
GND
36
35
34
33
32
31
30
29
28
1
5
RBIASLO1
6
N.C.
7
RBIASLO2
8
GND
9
Σ
BIAS
LO1
BIAS
LO2
10
11
12
EP
13
14
15
16
17
18
GND
GND
0°
GND
4
GND
LO
90°
VCCLOI2
3
GND
VCCLOA
VCCLOI1
2
GND
RBIASLO3
MAX2023
BIAS
LO3
GND
GND
GND
ピン配置/ファンクションダイアグラム ________________________________________________
GND
MAX2023
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
27
GND
26
BBQ+
25
BBQ-
24
GND
23
RF
22
GND
21
BBI-
20
BBI+
19
GND
THIN QFN
12
_______________________________________________________________________________________________
高ダイナミックレンジ、ダイレクトアップ/ダウン変換、
1500MHz∼2300MHz直交変調/復調器
C12
0.1μF
36
VCC
C1
22pF
VCCLOA
C3
8pF
LO
LO
GND
RBIASLO1
R1
432Ω
N.C.
RBIASLO2
R2
562Ω
GND
33
VCCLOQ2
GND
32
1
GND
28
29
27
MAX2023
BIAS
LO3
2
GND
GND
30
31
26
3
25
90°
4
24
0°
5
6
Σ
22
7
21
BIAS
LO2
8
20
EP
9
19
10
GND
VCC
GND
BBQ+
BBQGND
Q+
QC9
2pF
RF
23 RF
BIAS
LO1
11
GND
12
GND
C5
0.1μF
13
14
GND
C6
22pF
15
VCCLOI2
RBIASLO3
GND
34
35
VCCLOI1
GND
C2
0.1μF
GND
GND
R3
300Ω
C11
0.1μF
VCC
C10
22pF
C13
22pF
VCCLOQ1
VCC
16
GND
17
GND
C7
22pF
GND
BBIBBI+
II+
GND
18
GND
C8
0.1μF
VCC
表1. 標準動作回路に関する部品リスト
COMPONENT
VALUE
C1, C6, C7, C10, C13
22pF
22pF ±5%, 50V C0G ceramic capacitors (0402)
DESCRIPTION
C2, C5, C8, C11, C12
0.1μF
0.1μF ±10%, 16V X7R ceramic capacitors (0603)
C3
8pF
8pF ±0.25%, 50V C0G ceramic capacitor (0402)
C9
2pF
R1
432Ω
432Ω ±1% resistor (0402)
R2
562Ω
562Ω ±1% resistor (0402)
R3
300Ω
300Ω ±1% resistor (0402)
2pF ±0.1pF, 50V C0G ceramic capacitor (0402)
チップ情報 _____________________________
パッケージ __________________________
PROCESS: SiGe BiCMOS
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MAX2023
標準動作回路 _______________________________________________________________________