RF Products Family Overview

IDTのRF製品
製品カテゴリ
• デジタルステップ減衰器（DSA）
• 可変電圧減衰器（VVA）
• RF スイッチ
• シングル/デュアルチャネル広帯域ミキサー
• シングル／デュアル可変ゲイン増幅器（VGA）
• アンプ
• 広帯域変調器
• DSA、RF スイッチ、LO スイッチ一体型
復調器
機能
• 高度に差別化された RF 製品
• 他に例を見ない技術的イノベーション
­ - 優れた RF 性能を実現
• シリコン半導体技術が以下を可能にします
­ - 堅牢な信頼性と製造性
­ - ソリューションコスト全体を低減
• RF ソリューション
- 低消費電力でより優れたグリーンネット
ワークを実現
- 幅広いプラットフォームでスケーラブル
に利用可能
- データのスループットを向上
IDTのRF製品は、混雑を増す無線スペクトラムからの不要な干渉に対処す
アプリケーション
る、
クラス最高の製品です。今日の高いデータレートでは、
より優れた無線信号
携帯電話基地局
• ベーストランシーバ基地局
• 分散型のアンテナシステムおよび中継器
• ポイント・ツー・ポイント・マイクロウェーブ
（マイクロウェーブ、RF/IF）
試験および測定
• スマートフォン通信テスター
• シグナル発振器、スペクトラムアナライザ
• 自動試験装置（ATE）
産業用
• 軍事／戦術通信システム
• レーダー
• 車載
広帯域CATV
• ヘッドエンド（CMTS）、エッジQAM
• 分散ノード
• E/GPON、FTTH 光ネットワーク
• ファイバ中継器
• ケーブルモデム、セットトップボックス、DVR/
PVR
• DOCSIS 3.1
• 衛星受信機およびモデム
IDT | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
対雑音比が必要となるため、IDTの高い線形性を持つRFコンポーネントの要求
が高まっています。IDT独自の特許取得済みRFソリューションは、最小の消費電
力でグリーンネットワークを実現し、今後の企業の成長を促進させる役割を担
っています。
IDTのRFデバイスはすべてシリコンベースで、
ガリウム砒素（GaAs）ベースの
デバイスに比べ、他にはない優位な点があります。高度な集積が可能で、RF性
能を損なうことなく、
ソリューションコストの削減を実現します。
また、外部から
のマッチングを必要とし、二次的なアバランシェによる遅延の恐れがあるGaAs
デバイスに比べ、シリコンは優れた感湿性、静電放電保護をもたらすため、
よ
り堅牢で信頼性の高い技術を実現します。
IDTのシリコンベースのソリューションは、4G携帯電話基地局、通信システ
ム、マイクロウェーブ（RF/IF）、CATV、試験・測定機器、工業用など幅広いアプリ
ケーションの進化していくニーズに対応しています。IDTの製品は、IDT社独自
の技術をコンパクトなパッケージに集約することで優れたRF性能をお届けし
ます。
RF PRODUCTS FAMILY OVERVIEW
1
IDTのRF製品
®
FLATNOISE™
GLITCH-FREE™
FlatNoise™
TM
ノイズフィギュアを
ほぼ一定に保ちつ
つゲインを減少で
き、SNRを高めるこ
とにより無線エン
ジニアの設計上の
制約を緩和します。
TM
F1950Glitch-Free DSA
vs
CompetitorStandardDSA
0.00
-1.00
-2.00
-3.00
Competitor’s Standard DSA
Glitch ˜ 7 dB
Settling Time >>1µsec
-4.00
Envelope Power (dBm)
IDTデバイスは、一般
的なDSAが最上位ビッ
トの減衰の遷移状態
の最中に発生するトラ
ンジェントオーバーシ
ュートを実質的に排除
するため、増幅器の損
傷、ADCの情報損失
を回避することができ
ます。
Glitch-Free
-5.00
-6.00
-7.00
-8.00
IDT’s Glitch-FreeTM DSA
Glitch < 0.60 dB
Settling Time = 350 nsec (+/-0.1 dB)
-9.00
-10.00
36
32
28
Noise Figure (dB)
IDT RF デジタルステップ減衰器
および RF 可変ゲイン増幅器
24
20
NF = 20 dB
GA
IF V
r
ard
nd petito
m
Co
16
Sta
12
8
NF = 6 dB
4
0
F1240 - FlatNoise
20
16
12
8
4
0
-4
-8
Gain Setting (dB)
-11.00
-12.00
-13.00
-14.00
-50
50
150
250
350
450
550
650
750
Time (ns)
ZERO-DISTORTION™
IDT RF ミキサーおよび
IF 可変ゲイン増幅器
Zero-Distortion™
Zero-DistortionIDTRx
IDTデバイスは下記の黄色
部で示すように、
ノイズフロ
アやIM3変調歪を削減し
SNRを改善します。それによ
りサービス品質が向上し、未
活用のスペクトラムが解放
されるため、混雑したスペク
トラム環境では重要なポイ
ントとなります。
KLIN コンスタントリニアリティ
K| Z | コンスタントインピーダンス
Constant
High Linearity
OIP3
45
40
No KLIN
With KLIN
35
30
OPI3 (dBm)
KLINはゲインが調整され
るように、
一定の高いリニ
アリティを維持します。
ゲ
インが減少するに従って、
リニアリティ
（OIP3）はクリ
ティカルな領域（グラフ参
照）
で一定に維持されま
す。
これにより、
ゲインが
減少することによる相互
変調歪みを抑制します。
25
20
15
10
5
0
35
30
StandardRx
25
20
15
10
5
0
KZ
K|z|はRFポート間のスイッチングの際、
より高いRF
Constant
ポートのリターン損失を防ぎ、ほぼ一定のインピー Impedance
ダンスを維持します。K|z|のない標準のスイッチは、
切り替え時にスイッチのインピーダンスが十分に制御されない
ため、RF経路を切り替えるときに大きなVSWR（電圧定在波比）
、
過渡信号が発生します。
スイッチング処理中にインピーダンスを
制御することで、
ダウンストリームのコンポーネントのVSWR過渡
信号が最小化され、
スイッチの信頼性が向上し、電圧ストレスが
低減され、
システム全体の性能を向上させます。
Gain Setting (dB)
IDTのRF製品および特許技術の詳細、サンプルのリクエストについてはidt.com/go/rfをご覧ください
IDT,theIDTLogo,FlatNoise,Glitch-FreeandZero-DistortionareregisteredtrademarksortrademarksofIntegratedDeviceTechnology,Inc.,intheUnitedStates
and other countries. All other trademarks are the property of their respective owners. © 2016. Integrated Device Technology, Inc. All Rights Reserved.
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OV_RFPRODS_REVC_0516_J
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