LT1308A/LT1308B - 高電流マイクロパワー、1セル、600kHz DC/DC

LT1308A/LT1308B
高電流、
マイクロパワー、
1セル、
600kHz DC/DCコンバータ
特長
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
1 個のリチウムイオン・セルから5V/1Aを供給
4 個の NiCdセルからSEPIC モードで 5V/800mAを供給
固定周波数動作：600kHz
最大 34V の昇圧コンバータ出力
重負荷で起動
軽負荷時の自動 Burst Mode™ 動作（LT1308A）
軽負荷時に連続スイッチング
（LT1308B）
低 VCESAT スイッチ：2Aで300mV
LT1308とピン互換のアップグレード・デバイス
シャットダウン時の低消費電流：1µA（最大）
精度が向上したバッテリ低下検出器
リファレンス：200mV ±2%
8ピンSOおよび 14ピンTSSOP パッケージで供給
アプリケーション
n
n
n
n
n
n
n
GSM/CDMA 電話機
デジタル・カメラ
LCD バイアス電源
アンサーバック・ページャ
GPSレシーバ
バッテリ・バックアップ電源
ハンドヘルド・コンピュータ
標準的応用例
+
Li-Ion
CELL
C1
47µF
SHUTDOWN
L、LT、LTC、LTM、Burst Mode、Linear Technologyおよび Linearのロゴはリニアテクノロジー
社の登録商標です。
その他すべての商標の所有権は、
それぞれの所有者に帰属します。
VIN
コンバータの効率
D1
95
5V
1A
LBO
LT1308B
SHDN
VC
FB
GND
R1*
309k
VIN = 4.2V
85
+
C2
220µF
R2
100k
100pF
L1: MURATA LQH6C4R7
*R1: 887k FOR VOUT = 12V
VIN = 3.6V
90
SW
47k
C1: AVX TAJC476M010
C2: AVX TPSD227M006
D1: IR 10BQ015
バッテリ低下検出器の精度は、LT1308より大幅に高くなって
います。200mVリファレンスは、室温において 2%、全温度
範囲において 3%で規定されています。
シャットダウン・ピン
は、1V 以上の電力源に接続されるとデバイスをイネーブルし、
LT1308のようにVIN に接続する必要はありません。
内部 VC ク
ランプによって過渡応答が改善されているので、スイッチ電圧
定格は36Vまで高められ、高出力電圧アプリケーションが可
能です。
LT1308A/LT1308Bは8ピンSOパッケージと14ピンTSSOPパッ
ケージで供給されます。
L1
4.7µH
LBI
LT®1308A/LT1308Bは、1V ∼ 10Vの入力電圧で動作するマ
イクロパワー、固定周波数昇圧 DC/DCコンバータです。
これ
らはLT1308の改良版であり、新規設計にはこれらを使用する
ことを推奨します。LT1308Aは、軽負荷時には省電力のBurst
Mode 動作に自動的に移行し、無負荷での消費電流はわずか
140µAです。LT1308Bは、軽負荷時にもスイッチングを継続し、
動作時の消費電流は2.5mAです。両方のデバイスとも、シャッ
トダウン時の消費電流は1µA 未満です。
EFFICIENCY (%)
n
概要
80
VIN = 1.5V
75
VIN = 2.5V
70
65
60
55
1308A/B F01a
図 1．LT1308B による1 個のリチウムイオン・セルから5V/1A への
DC/DCコンバータ
50
1
10
100
LOAD CURRENT (mA)
1000
1308A/B F01b
1308abfb
1
LT1308A/LT1308B
絶対最大定格（Note 1）
VIN、SHDN、LBOの電圧 ............................................................ 10V
SWの電圧 ................................................................... –0.4V ～ 36V
FBの電圧 ........................................................................... VIN + 1V
VC の電圧 .................................................................................... 2V
LBIの電圧 ..................................................................... –0.1V ～ 1V
FBピンへの流入電流 ............................................................±1mA
動作温度範囲
コマーシャル............................................................ 0℃～ 70℃
拡張コマーシャル（Note 2）.................................. –40℃～ 85℃
インダストリアル ................................................. –40℃～ 85℃
保存温度範囲......................................................... –65℃～ 150℃
リード温度（半田付け、10 秒）...............................................300℃
ピン配置
TOP VIEW
VC
1
14 LBO
FB
2
13 LBI
SHDN
3
12 VIN
GND
4
11 VIN
TOP VIEW
VC 1
8
LBO
FB 2
7
LBI
GND
5
10 SW
SHDN 3
6
VIN
GND
6
9
SW
GND 4
5
SW
GND
7
8
SW
S8 PACKAGE
8-LEAD PLASTIC SO
F PACKAGE
14-LEAD PLASTIC TSSOP
（NOTE 6）
TJMAX = 125° C、θJA = 80° C/W
TJMAX = 125° C、θJA = 190° C/W
廃品パッケージであるため、参照用としてのみ使用
代替品については、弊社にお問い合わせください。
発注情報
鉛フリー仕様
テープアンドリール
製品マーキング
パッケージ
温度範囲
LT1308ACS8#PBF
LT1308ACS8#TRPBF
1308A
8-Lead Plastic SO
0°C to 70°C
LT1308AIS8#PBF
LT1308AIS8#TRPBF
1308AI
8-Lead Plastic SO
–40°C to 85°C
LT1308BCS8#PBF
LT1308BCS8#TRPBF
1308B
8-Lead Plastic SO
0°C to 70°C
LT1308BIS8#PBF
LT1308BIS8#TRPBF
1308BI
8-Lead Plastic SO
–40°C to 85°C
LT1308ACF#PBF
LT1308ACF#TRPBF
LT1308ACF
14-Lead Plastic TSSOP
0°C to 70°C
LT1308BCF#PBF
LT1308BCF#TRPBF
LT1308BCF
14-Lead Plastic TSSOP
0°C to 70°C
鉛ベース仕様
テープアンドリール
製品マーキング
パッケージ
温度範囲
LT1308ACS8
LT1308ACS8#TR
1308A
8-Lead Plastic SO
0°C to 70°C
LT1308AIS8
LT1308AIS8#TR
1308AI
8-Lead Plastic SO
–40°C to 85°C
LT1308BCS8
LT1308BCS8#TR
1308B
8-Lead Plastic SO
0°C to 70°C
LT1308BIS8
LT1308BIS8#TR
1308BI
8-Lead Plastic SO
–40°C to 85°C
LT1308ACF
LT1308ACF#TR
LT1308ACF
14-Lead Plastic TSSOP
0°C to 70°C
LT1308BCF
LT1308BCF#TR
LT1308BCF
14-Lead Plastic TSSOP
0°C to 70°C
さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。
鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/をご覧ください。
この製品はトレイでのみ供給されます。詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/packaging/をご覧ください。
1308abfb
2
LT1308A/LT1308B
電気的特性
l は全動作温度範囲での規格値を意味する。
それ以外は TA ＝ 25℃での値。注記がない限り、
コマーシャル・グレードは
0℃∼ 70℃、VIN ＝ 1.1V、VSHDN ＝ VIN。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
IQ
Quiescent Current
Not Switching、LT1308A
Switching、LT1308B
VSHDN = 0V (LT1308A/LT1308B)
VFB
Feedback Voltage
IB
FB Pin Bias Current
Reference Line Regulation
MIN
TYP
MAX
UNITS
140
2.5
0.01
240
4
1
µA
mA
µA
1.22
1.24
V
l
27
80
nA
l
0.03
0.01
0.4
0.2
%/V
%/V
0.92
1
l
（Note 3）
1.1V ≤ VIN ≤ 2V
2V ≤ VIN ≤ 10V
1.20
Minimum Input Voltage
gm
Error Amp Transconductance
AV
Error Amp Voltage Gain
fOSC
Switching Frequency
∆I = 5µA
VIN = 1.2V
Maximum Duty Cycle
V
60
µmhos
100
V/V
l
500
600
l
82
90
2
3
4.5
A
350
400
mV
mV
Switch Current Limit
Duty Cycle = 30% (Note 4)
Switch VCESAT
ISW = 2A (25℃、0℃)、VIN = 1.5V
ISW = 2A (70℃)、VIN = 1.5V
290
330
Burst Mode Operation Switch Current Limit
(LT1308A)
VIN = 2.5V、Circuit of Figure 1
400
Shutdown Pin Current
VSHDN = 1.1V
VSHDN = 6V
VSHDN = 0V
l
l
l
LBI Threshold Voltage
l
196
194
700
kHz
%
mA
2
20
0.01
5
35
0.1
µA
µA
µA
200
200
204
206
mV
mV
LBO Output Low
ISINK = 50µA
l
0.1
0.25
V
LBO Leakage Current
VLBI = 250mV、VLBO = 5V
l
0.01
0.1
µA
LBI Input Bias Current (Note 5)
VLBI = 150mV
33
100
nA
Low-Battery Detector Gain
Switch Leakage Current
3000
VLBI = 5V
0.01
l
V/V
10
µA
l は全動作温度範囲での規格値を意味する。
それ以外は TA ＝ 25℃での値。注記がない限り、
インダストリアル・グレードは –40℃∼ 85℃、
VIN ＝ 1.2V、VSHDN ＝ VIN。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
IQ
Quiescent Current
Not Switching、LT1308A
Switching、LT1308B
VSHDN = 0V (LT1308A/LT1308B)
VFB
Feedback Voltage
IB
FB Pin Bias Current
Reference Line Regulation
MIN
l
l
l
1.1V ≤ VIN ≤ 2V
2V ≤ VIN ≤ 10V
1.19
Error Amp Transconductance
AV
Error Amp Voltage Gain
fOSC
Switching Frequency
UNITS
140
2.5
0.01
240
4
1
µA
mA
µA
1.22
1.25
V
27
80
nA
l
l
0.05
0.01
0.4
0.2
%/V
%/V
0.92
1
Minimum Input Voltage
gm
MAX
l
l
（Note 3）
TYP
∆I = 5µA
l
500
V
60
µmhos
100
V/V
600
750
kHz
1308abfb
3
LT1308A/LT1308B
電気的特性
l は全動作温度範囲での規格値を意味する。
それ以外は TA ＝ 25℃での値。注記がない限り、
インダストリアル・グレードは
–40℃∼ 85℃、VIN ＝ 1.2V、VSHDN ＝ VIN。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Maximum Duty Cycle
l
MIN
TYP
82
90
2
3
4.5
A
350
400
mV
mV
Switch Current Limit
Duty Cycle = 30% (Note 4)
Switch VCESAT
ISW = 2A (25℃、0℃)、VIN = 1.5V
ISW = 2A (85℃)、VIN = 1.5V
290
330
Burst Mode Operation Switch Current Limit
(LT1308A)
VIN = 2.5V、Circuit of Figure 1
400
Shutdown Pin Current
VSHDN = 1.1V
VSHDN = 6V
VSHDN = 0V
l
l
LBI Threshold Voltage
196
193
l
MAX
UNITS
%
mA
2
20
0.01
5
35
0.1
µA
µA
µA
200
200
204
207
mV
mV
LBO Output Low
ISINK = 50µA
l
0.1
0.25
V
LBO Leakage Current
VLBI = 250mV、VLBO = 5V
l
0.01
0.1
µA
LBI Input Bias Current (Note 5)
VLBI = 150mV
33
100
nA
Low-Battery Detector Gain
3000
Switch Leakage Current
VLBI = 5V
Note 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可
能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響
を与える可能性がある。
Note 2：LT1308ACS8、LT1308ACF、LT1308BCS8、
および LT1308BCFは、
インダストリアル温度範
囲で性能仕様に適合するように設計され、特性が評価されており、性能仕様に適合すると予
想されるが、–40℃と85℃ではテストされない。Iグレード・デバイスは–40℃～ 85℃の動作温
度範囲で保証されている。
0.01
l
V/V
10
µA
Note 4：スイッチ電流制限は設計および静的試験との相関、もしくはそのどちらか一方により
保証されている。
デューティ・サイクルは、
ランプ・ジェネレータにより電流制限に影響を与える
（ブロック図を参照）。
Note 5：バイアス電流はLBIピンから流れ出す。
Note 6：デバイスの4つのGNDピン（ピン4 ～ 7）をまとめて結線すること。
同様に、デバイスの
3つのSWピン
（ピン8 ～ 10）
と、2つのVIN ピン
（ピン11、
ピン12）
をまとめて結線すること。
Note 3：バイアス電流はFBピンに流れ込む。
標準的性能特性
LT1308B の 3.3V 出力効率
LT1308A の 3.3V 出力効率
90
VIN = 1.8V
80
VIN = 1.2V
75
95
90
90
VIN = 1.8V
85
EFFICIENCY (%)
EFFICIENCY (%)
85
VIN = 2.5V
70
65
LT1308A の 5V 出力効率
95
VIN = 2.5V
80
75
VIN = 1.2V
70
65
80
65
60
55
55
55
10
100
LOAD CURRENT (mA)
1000
1308A/B G01
50
1
10
100
LOAD CURRENT (mA)
1000
1308A/B G02
VIN = 2.5V
70
60
1
VIN = 1.5V
75
60
50
VIN = 4.2V
VIN = 3.6V
85
EFFICIENCY (%)
95
50
1
10
100
LOAD CURRENT (mA)
1000
1308A/B G03
1308abfb
4
LT1308A/LT1308B
標準的性能特性
スイッチの電流制限と
デューティ・サイクル
LT1308B の 12V 出力効率
VIN = 5V
400
3.5
CURRENT LIMIT (A)
VIN = 3.3V
80
75
70
65
SWITCH VCESAT (mV)
85
EFFICIENCY (%)
スイッチの飽和電圧と電流
500
4.0
90
3.0
2.5
60
85°C
300
25°C
200
–40°C
100
55
50
10
100
LOAD CURRENT (mA)
1
2.0
1000
0
20
60
40
DUTY CYCLE (%)
80
1308A/B G04
80
203
70
202
60
201
LBI
50
40
30
FB
20
10
0
2
6
8
4
SHDN PIN VOLTAGE (V)
–25
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
198
75
195
–50
100
発振器周波数と温度
LT1308A の消費電流と温度
750
170
1.24
550
500
400
–50
160
1.23
150
1.22
140
1.21
130
1.20
120
1.19
110
450
–2.5
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
75
100
1308 • G10
100
–50
100
VFB (V)
QUIESCENT CURRENT (µA)
1.25
600
75
帰還ピンの電圧と温度
180
650
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
1308 • G09
800
700
–25
1308 • G08
1308 G07
FREQUENCY (kHz)
199
196
0
–50
10
200
197
10
0
2.0
バッテリ低下検出器の
リファレンス電圧と温度
VREF (mV)
85°C
20
BIAS CURRENT (nA)
SHDN PIN CURRENT (µA)
–40°C
25°C
1.0
0.5
1.5
SWITCH CURRENT (A)
1308 G06
FB、LBI のバイアス電流と温度
50
30
0
1308 • G05
SHDNピンのバイアス電流と電圧
40
0
100
–25
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
75
100
1308 • G11
1.18
–50
–25
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
75
100
1308 • G12
1308abfb
5
LT1308A/LT1308B
ピン機能
（SO/TSSOP）
VC（ピン1/ピン1）
：エラーアンプの補償ピンです。
このピンか
らグランドに直列 RCを接続します。標準値は47kΩと100pF
です。VC のトレース面積を最小にしてください。
FB（ピン2/ピン2）
：帰還ピン。
リファレンス電圧は1.22Vです。
ここに抵抗分割器のタップを接続します。FB のトレース面積
を最小にしてください。次式に従ってVOUT を設定します：
VOUT ＝ 1.22V（1 ＋ R1/R2）
SHDN（ピン3/ピン3）
：シャットダウン。
このピンを接地すると、
スイッチャがオフします。
イネーブルするには、1V 以上の電圧
に接続します。SHDNをVINに接続しなくてもデバイスをイネー
ブルできます。
GND（ピン4/ピン4、5、6、7）
：グランド。
ローカル・グランド・プ
レーンに直接接続してください。
グランド・プレーンが、LT1308
と関連する部品をすべて取り囲むようにします。
これらのピンに
接続されたPCB の銅領域はヒートシンクとしても機能します。
TSSOP パッケージの場合、熱移動を最良にするためにすべての
ピンをグランドの銅領域に接続してください。
これによってチッ
プの発熱を最小限に抑えます。
SW（ピン5/ピン8、9、10）
：スイッチ・ピン。
このピンにはインダ
クタ/ダイオードを接続します。EMIを低く抑えるために、この
ピンのトレース面積を最小にしてください。TSSOP パッケージ
の場合、すべてのSWピンをパッケージのところでまとめて結
線してください。
VIN
（ピン6/ピン11、12）
：電源ピン。
このピンのすぐ近くに、
ロー
カル・バイパス・コンデンサを接続し, 直接接地してください。
TSSOPパッケージの場合、
すべてのVINピンをパッケージのと
ころでまとめて結線してください。
LBI（ピン7/ピン13）
：バッテリ低下検出器入力。200mVリファ
レンス。LBIの電圧は–100mVと1Vの間になければなりませ
ん。SHDNピンを接地した場合、
バッテリ低下検出器は機能し
ません。使用しない場合は、LBIピンをフロート状態にしてくだ
さい。
LBO（ピン8/ピン14）
：バッテリ低下検出器出力。
オープンコレ
クタであり、50µAの電流をシンクできます。220kΩのプルアッ
プを推奨します。SHDNが接地されると、LBOはハイ・インピー
ダンスになります。
1308abfb
6
LT1308A/LT1308B
ブロック図
VIN
VIN
6
R5
40k
R6
40k
2VBE
Q4
VIN
SHDN
+
VC
gm
VOUT
–
R1
(EXTERNAL)
FB
2
FB
Q1
Q2
×10
R2
(EXTERNAL)
1
BIAS
R3
30k
R4
140k
LBI
+
ERROR
AMPLIFIER
+
Σ
+
7
*
–
+
LBO
8
ENABLE
A1
–
200mV
A4
SW
COMPARATOR
–
RAMP
GENERATOR
3
SHUTDOWN
Q3
Q
R
+
5
DRIVER
FF
S
A2
+
A=3
600kHz
OSCILLATOR
0.03Ω
–
4
*HYSTERESIS IN LT1308A ONLY
GND
1308 BD2a
図 2a．LT1308A/LT1308B のブロック図（SO-8 パッケージ）
VIN
VIN 11
VIN 12
R5
40k
2VBE
Q4
VIN
R6
40k
SHDN
+
VC
gm
VOUT
R1
(EXTERNAL)
FB
R2
(EXTERNAL)
–
FB
2
Q1
Q2
×10
1
+
ERROR
AMPLIFIER
BIAS
R3
30k
R4
140k
SHUTDOWN
–
–
RAMP
GENERATOR
+
Σ
+
LBI
*
A1
13
+
LBO
14
ENABLE
–
200mV
A4
SW SW SW
8
COMPARATOR
A2
10
Q3
Q
R
9
DRIVER
FF
+
3
S
+
A=3
600kHz
OSCILLATOR
0.03Ω
–
*HYSTERESIS IN LT1308A ONLY
4
5
6
7
GND GND GND GND
1308 BD2b
図 2b．LT1308A/LT1308B のブロック図（TSSOP パッケージ）
1308abfb
7
LT1308A/LT1308B
アプリケーション情報
動作
LT1308Ａは電流モード固定周波数 PWMアーキテクチャとマ
イクロパワーのBurst Mode 動作の組み合わせにより、軽負荷
時に高い変換効率を維持します。図2のブロック図を参照する
と、動作をよく理解できます。Q1とQ2はバンドギャップ・リファ
レンスのコアを形成し、そのループはコンバータの出力で閉じ
られます。VIN が 1V の場合、1.22V の帰還電圧とR5とR6 の
両端に生じる80mVの電圧降下によって、Q1とQ2のベース・
コレクタ接合部が 300mVに順バイアスされます。
この電圧降
下はどちらのトランジスタも飽和させるほど大きくはないため、
FBはVIN より高い電圧になる可能性があります。負荷が接続
されていない場合、FBは1.22Vよりわずかに上昇し、VC（エ
ラーアンプの出力）は低下します。VC がヒステリシスを持つコ
ンパレータA1のバイアス電圧に達すると、A1の出力が L に
なり、入力段、エラーアンプ、バッテリ低下検出器を除くすべて
の回路をオフします。
この状態での全消費電流は140µAです。
出力負荷が FB 電圧を低下させると、A1の出力が H になっ
て、デバイスの残りの部分をイネーブルします。A1 の出力が
H になった後、スイッチ電流は最初約 400mAに制限されま
す。
負荷が軽い場合、
出力電圧（そしてFB 電圧）
が上昇し、A1
の出力が L になってLT1308Aの残りの部分をオフします。低
周波数リップル電圧が出力に現れます。
リップル周波数は、負
荷電流と出力容量によって決まります。
この Burst Mode 動作
は出力を安定化し、デバイスに流れ込む平均電流を低減する
ので、1mA 以下の負荷電流でも高効率を達成します。
出力負荷が十分に増加すると、A1の出力は H になったまま
になり、連続動作を実行します。LT1308A が連続動作を行っ
ているときは、
ピーク・スイッチ電流が VC によって制御され、
出
力電圧を安定化します。
スイッチは各スイッチ・サイクルの始め
でオンします。
スイッチ電流を表す信号とランプ・ジェネレータ
（50%を超えるデューティ・ファクタでの低調波発振を防止す
るために導入）の合計が VC 信号を超えるとコンパレータA2
が状態を変えて、
フリップフロップをリセットしスイッチをオフし
ます。
スイッチ電流が増加すると出力電圧も上昇します。抵抗
分割器によって減衰した出力が FBピンに現れ、ループ全体を
閉じます。VC ピンとグランド間に接続した外付け直列 RCネッ
トワークによって周波数補償が行われます。
LBIピンの電圧が 200mVより下になると、バッテリ低下検出
器 A4のオープンコレクタ出力（LBO）が L になります。A4に
はヒステリシスがないため、一部のアプリケーションではアン
プとして使用できます。SHDNピンを L にすると、デバイス全
体がディスエーブルされます。
コンバータをイネーブルするに
は、SHDN の電圧が 1V 以上でなければなりません。LT1308
のようにVINに接続する必要はありません。
LT1308BはLT1308Aとは異なり、コンパレータA1にヒステリ
シスがありません。
また、
100mA未満のインダクタ電流でスイッ
チングが可能なように、LT1308BではA1のバイアス・ポイント
がより低く設定されています。A1にヒステリシスがないので、
軽負荷時でもBurst Mode 動作に切り換わることなく、固定周
波数でスイッチングを続けます。
この結果、効率は低下します
が低周波数の出力電圧リップルはありません。
この2つのデバイスの違いは図 3から明らかです。
図 3の上の2
つのトレースは、図 1に示す部品を使用して、5V出力に設定さ
れたLT1308A/LT1308B 回路の動作を示します。入力電圧は
3Vです。負荷電流はどちらの回路とも50mA から800mAまで
ステップ状に増加します。
トレースAでは低周波数 Burst Mode
動作での電圧リップルが見られますが、トレースBでは見られ
ません。
軽負荷では、LT1308Bは1つおきのサイクル・スキップを開始
します。
これが発生する負荷ポイントは、インダクタ値を大きく
すれば低くできます。
しかし、出力リップルはLT1308Aの出力
リップルより大幅に低い状態が続きます。
さらに、LT1308Bを
強制的にマイクロパワー・モードにすることができます。
マイク
ロパワー・モードでは、VC ピンから40µA 以上をシンクするこ
とにより、消費電流が 3mA から200µAに減少します。
これに
よってA1の出力が L になり、
スイッチングが停止します。
TRACE A: LT1308A
VOUT, 100mV/DIV
AC COUPLED
TRACE B: LT1308B
VOUT, 100mV/DIV
AC COUPLED
ILOAD
800mA
50mA
200µs/DIV
VIN = 3V
(CIRCUIT OF FIGURE 1)
1308 F03
図 3．LT1308A は 50mA 負荷での Burst Mode 動作時に
出力電圧リップルが現れるが、LT1308Bでは現れない。
1308abfb
8
LT1308A/LT1308B
アプリケーション情報
10µF のセラミック出力コンデンサを使用したLT1308Bによる
5.5V から12V への昇圧コンバータの波形を図 4と図 5 に示
します。図 4 では、コンバータは連続モードで動作しており、
約 500mAの負荷電流を供給しています。上段のトレースは出
力波形です。出力電圧は、スイッチ・オフ時間の間はインダク
タ電流が出力コンデンサに吸いこまれるにつれて上昇し、ス
イッチがオンの状態では低下します。
セラミック・コンデンサは
ESR が小さいため、この場合のリップル電圧は容量に起因し
ます。中段のトレースはスイッチ電圧の波形です。
この電圧は
VCESATとVOUT ＋ダイオード電圧降下を交互に繰り返します。
下段のトレースはスイッチ電流の波形です。
スイッチ・サイクル
の始めの電流は1.2Aです。
スイッチ・オン時間の終了時点で
は、電流は2Aまで増加しています。
この時点でスイッチはオフ
し、インダクタ電流がダイオードを通って出力コンデンサに流
れ込みます。図 5は軽負荷時のコンバータ波形を示していま
す。
この場合、コンバータは不連続モードで動作しています。
スイッチ・オフ時間中にインダクタ電流はゼロになり、
スイッチ・
ノードで若干のリンギングが発生します。
リンギングの周波数
は、スイッチ容量、ダイオード容量、およびインダクタンスで決
まります。
リンギングのエネルギーは小さく、その正弦波状の
波形は高調波成分がほとんど含まれないことを示しています。
スイッチ・ノードでの銅領域の面積を最小化することにより、
干渉の問題が発生するのを防ぎます。
レイアウトのヒント
LT1308A/LT1308Bは電流を高速で切り替えるため、適切な
性能を発揮させるには、レイアウトに細心の注意を払う必要
があります。
レイアウトが不適切な場合は、規定された性能
を得ることができません。図 6にSO-8 パッケージを使用した
昇圧コンバータの推奨部品配置を示します。PCレイアウトで
はこれに従ってください。
また、スイッチング・ループの直接経
路に注意が必要です。入力コンデンサC1はIC パッケージの
近く（5mm 以内）に配置する必要があります。CINとVIN の間
に10mmほどの短いワイヤまたはPCトレースを配置しても、安
定化不能や発振などの問題が発生します。
出力コンデンサC2の負端子は、LT1308A/LT1308Bのグランド・
ピンの近くに接続します。
これを行うことによって、グランド銅箔
でのdI/dt が低減され、高周波スパイクが最小限に抑えられま
す。
グランド・プレーンへのdI/dtの結合を防止するために、DC/
DCコンバータのグランドはPC 基板のグランド・プレーンに1
箇所だけで接続します。
C1
R1
VOUT
100mV/DIV
LBI LBO
GROUND PLANE
1
R2
SHUTDOWN
VSW
10V/DIV
2
3
LT1308A
LT1308B
500ns/DIV
1308 F04
図4．連続モードでの5Vから12Vへの昇圧コンバータの波形。
出力に10µF のセラミック・コンデンサを使用。
7
L1
6
5
+
MULTIPLE
VIAs
GND
VIN
8
4
ISW
500mA/DIV
+
D1
C2
VOUT
1308 F04
図 6．SO-8 パッケージを使用した昇圧コンバータ用の推奨部品
配置。広い PCトレースを使った直接高電流経路に注意。
ピン1（VC）
とピン2（FB）
のトレース面積を最小化。
複数のビアを
使ってピン4 の銅をグランド・プレーンに接続。
ビアを１箇所に
だけ使ってスイッチング電流がグランド・プレーンに流れるのを
防止。
VOUT
20mV/DIV
VSW
10V/DIV
ISW
500mA/DIV
500ns/DIV
1308 F05
図 5．不連続モードでのコンバータの波形。
図 7にTSSOPパッケージを使用した昇圧コンバータの推奨部
品配置を示します。部品配置はSO-8 パッケージのレイアウト
によく似ています。
1308abfb
9
LT1308A/LT1308B
アプリケーション情報
C1
R1
R2
SHUTDOWN
1
14
2
13
3
12
4
MULTIPLE
VIAs
SEPIC（Single-Ended Primary Inductance Converter）の回路
図を図8に示します。
このコンバータ・トポロジーは、
出力をまた
ぐ（出力よりも高いもしくは低い）入力電圧範囲にわたって安
定化された出力を生成します。SO-8 パッケージによるSEPIC
回路の推奨部品配置を図 9に示します。
LBI LBO
GROUND PLANE
LT1308A
LT1308B
+
VIN
L1
VIN
3V TO
10V
11
5
10
6
9
7
8
+
VIN
SW
LT1308B
SHDN
FB
VC
GND
D1
R1
309k
R2
100k
680pF
VOUT
C1: AVX TAJC476M016
C2: TAIYO YUDEN EMK325BJ475(X5R)
C3: AVX TPSD227M006
1308 F07
図 7．TSSOP パッケージを使用した昇圧
コンバータ用の推奨部品配置。配置は
図 6 によく似ている。
C1
2
3
SHUTDOWN
1308A/B F08
VIN
8
LT1308A
LT1308B
7
6
L1A
L1B
5
4
MULTIPLE
VIAs
C3
220µF
6.3V
図 8．3V ∼ 10V の入力を5V/500mA の安
定化出力に変換するSEPIC（Single-Ended
Primary Inductance Converter）
コンバータ。
+
1
R2
D1: IR 10BQ015
L1: COILTRONICS CTX10-2
+
LBI LBO
GROUND PLANE
R1
VOUT
5V
500mA
GND
47k
C2
D1
L1B
C1
47µF
SHUTDOWN
+
C2
4.7µF
CERAMIC
L1A
CTX10-2
C3
C2
+
GND
D1
VOUT
図 9．SEPIC 用の推奨部品配置
10
1308 F09
1308abfb
LT1308A/LT1308B
アプリケーション情報
SHDN ピン
LT1308A/LT1308B の SHDNピンは LT1308よりも改 善され
ています。
このピンは、デバイスをイネーブルするためにVIN に
接続する必要はなく、必要なのはロジックレベル信号を与える
ことだけです。SHDNピンの電圧は、VINとは無関係に1V ∼
10Vの範囲で変えることができます。
さらに、このピンをフロー
ト状態にすれば接地したのと同じ効果があり、デバイスを
シャットダウンして流出電流を1µA 以下に減少させることがで
きます。
バッテリ低下検出器のクロスプロットを図 12 に示します。
195mVから205mVまで変化する入力が、LBIピンに与えられ、
100kΩ のプルアップ抵抗を使用した時のLBO 出力波形が表
示されています。
VLBO
1V/DIV
バッテリ低下検出器
LT1308A/LT1308Bのバッテリ低下検出器は、LT1308と比較
して精度とドライブ能力が改善されています。200mVリファレ
ンスは 2%の精度を持ち、オープンコレクタ出力は50µAをシ
ンク可能です。LT1308A/LT1308B のバッテリ低下検出器は
単純なPNP 入力利得段で、オープンコレクタNPN 出力を備
えています。利得段の負入力は内部で 200mVリファレンスに
接続されています。正入力はLBIピンです。バッテリ低下検出
器として構成することは簡単です。図 10に接続構成を詳細に
示します。R1および R2は、LBIピンのバイアス電流が大きな
誤差要因にならないよう低い値にする必要があります。R2は
100kΩで十分です。200mVリファレンスは、図 11に示す方法
でも利用することができます。
5V
R1
VIN
LBI
R2
100k
LT1308A
LT1308B
+
100k
LBO
TO PROCESSOR
–
200mV
INTERNAL
REFERENCE
GND
VBAT
R1 =
+
LBI
10µF
起動
LT1308A/LT1308Bは、出力から動作電圧を引き出す（「ブート
ストラッピング」
として知られている技法）多くのCMOS DC/DC
コンバータとは異なり、重負荷で起動できます。図 13は、20Ω
の負荷と1.5VのVIN の場合の図 1の回路の起動波形の詳細
を示しています。
出力コンデンサが充電されるにつれて、インダ
クタ電流は3.5Aまで増加します。
出力が 5Vに達した後、
インダ
クタ電流は約 1Aとなります。図 14 の場合、負荷は5Ωで入力
電圧は3Vです。
デバイスがイネーブルされた後、出力電圧は
500µsで5Vに達します。図 15は、10Ω 負荷で9V 入力で駆動さ
れた場合の図 5 のSEPIC 回路の起動波形を示しています。
デ
バイスがイネーブルされてから約 1ms 後に出力が 5Vに達して
います。
IL1
1A/DIV
VIN
LBO
10k
図 12．
バッテリ低下検出器の
入出力特性
VSHDN
5V/DIV
200k
VREF
200mV
205
1308 F12
VOUT
2V/DIV
図 10．
バッテリ低下検出器のトリップ・ポイントの設定
VBAT
200
VLBI (mV)
VLB – 200mV
2µA
1308 F10
2N3906
195
LT1308A
LT1308B
GND
1ms/DIV
1308 F13
図 13．図 1 の 5V 昇圧コンバータ。
1.5V 入力、20Ω 負荷での起動。
1308 F11
図 11．200mVリファレンスへの利用
1308abfb
11
LT1308A/LT1308B
アプリケーション情報
カリ電池で構成されるバッテリで駆動される場合がそれにあ
たります。突入電流が大きな内部電圧降下を生じて、バッテリ
低下インジケータを起動させてしまう可能性があるからです。
プログラム可能なソフトスタート機能を、4 つのディスクリート
部品を使用して実現することができます。LT1308Bを使用した
5V から12V への昇圧コンバータ回路の詳細を図 16に示しま
す。C4はVOUT を微分して、VOUT が上昇するにつれて電流を
R3に流します。
この電流が 0.7V/33k、つまり21µAを超えると、
電流が Q1 のベースに流れ込みます。次いで Q1 のコレクタが
VC ピンから電流を引き出し、帰還ループを形成します。
この場
合、VOUT の勾配は以下の式で制限されます。
VOUT
1V/DIV
IL1
2A/DIV
VSHDN
5V/DIV
1308 F14
500µs/DIV
図 14．図 1 の 5V 昇圧コンバータ。
3V 入力、5Ω 負荷での起動。
ΔVOUT
0.7V
=
33k • C4
Δt
VOUT
2V/DIV
ISW
2A/DIV
VSHDN
5V/DIV
1308 F15
500µs/DIV
図 15．9V 入力、10Ω 負荷での 5V SEPIC の起動。
ソフトスタート
起動時に電流制限値付近の電流で動作することはLT1308A/
LT1308Bにとって好ましくない場合があります。
たとえば、アル
C4 = 33nFの場合、VOUT/tは640mV/msに制限されます。図 16
の回路での起動波形を図 17に示します。
ソフトスタート回路が
実装されていない場合、突入電流は3Aにも達します。
この回路
は約 250µsで最終出力電圧に到達します。
ソフトスタート回路
の部品を追加することにより、
インダクタ電流は図 18に示すよう
に1A 以下に抑えられますが、出力が最終電圧に到達するまで
の時間は約 15msまで増加します。C4の値を調整することによ
り、望ましい任意のスルーレートを得ることができます。
L1
4.7µH
VIN
5V
+
VIN
SHUTDOWN
C1
47µF
D1
SW
SHDN
LT1308B
FB
Q1
R3
33k
R4
33k
10k
100k
330pF
C2
10µF
GND
VC
C4
33nF
VOUT
12V
500mA
RC
47k
CC
100pF
SOFT-START
COMPONENTS
C1: AVX TAJ476M010
C2: TAIYO YUDEN TMK432BJ106MM
D1: IR 10BQ015
L1: MURATA LQH6C4R7
Q1: 2N3904
11.3k
1308 F16
図 16．
ソフトスタート用部品 Q1、C4、R3、
および R4を使用した5V から12V への昇圧コンバータ。
12
1308abfb
LT1308A/LT1308B
アプリケーション情報
VOUT
5V/DIV
以下にする必要があります。
ほとんどのアプリケーションでは、
許容されるインダクタンス値は2µH ∼ 20µHの範囲で、4.7µH
のインダクタンスがベストです。低い値のインダクタは、電流能
力が同じ場合は高い値のインダクタより物理的形状が小さく
なります。
12V
5V
IL1
1A/DIV
VSHDN
10V/DIV
50µs/DIV
1308 F17
図 17．図 16 の回路でソフトスタート用部品がない場合
の起動波形。
12V
VOUT
5V
LT1308A/LT1308B のアプリケーション回路で優れた性能を
発揮することが分かっているいくつかのインダクタを表 1に示
します。
このリストに記載した部品は一例にすぎません。
表1
販売元
製品番号
値
電話番号
Murata
LQH6C4R7
4.7µH
770-436-1300
Sumida
CDRH734R7
4.7µH
847-956-0666
CTX5-1
5µH
561-241-7876
LPO2506IB-472
4.7µH
847-639-6400
Coiltronics
Coilcraft
IL1
1A/DIV
コンデンサ
VSHDN
10V/DIV
5ms/DIV
1308 F18
図 18．図 16 の回路でソフトスタート用部品が追加され
た場合の起動波形。
等価直列抵抗（ESR）
は、
コンデンサ、特に出力コンデンサを選
択する際に主要な問題となります。
ON Semiconductor の MBRS130 と International Rectifier の
10BQ015 が優れた性能を発揮することが分かっています。
VOUT が 30Vを超えるアプリケーションでは、MBRS140また
は10BQ040などの40Vダイオードを使用してください。
LT1308A/LT1308B の回路で使用するように指定された出
力コンデンサは、ESR が低く、特に電源アプリケーション用
に設計されています。昇圧コンバータの出力電圧リップルは、
ESR にスイッチ電流を掛けた値に等しくなります。AVX の
TPSD227M006 220µFタンタル・コンデンサの性能は、図 3を
参照して評価することができます。
負荷電流が 800mAのとき、
ピーク・スイッチ電流は約 2Aとなります。
出力電圧リップルは
約 60mVP-P なので、出力コンデンサのESRは60mV/2A、つま
り0.03Ωとなります。
セラミック・コンデンサを並列に接続すれ
ば、
リップルをさらに低減できます。
高さに制限があるアプリケーションの場合、MBRM120を使
用することも可能です。
この部品は高さが僅か 1mm であり、
MBRS130と同じ性能を提供します。
LT1308A/LT1308B のアプリケーション回路で優れた性能を
発揮することが分かっているいくつかのコンデンサを表 2に示
します。
このリストに記載した部品は一例にすぎません。
インダクタ
表2
部品の選択
ダイオード
LT1308A/LT1308Bで使用するのに適したインダクタは、次の
2 つの条件を満たさなければなりません。
まず、インダクタは
50% ∼ 60% 以上のインダクタンスの減少なしで、3A 以上の過
渡電流および起動電流をサポートするだけでなく、2Aの定常
状態電流を処理できなければなりません。次に、銅損失を最
小限に抑えるために、インダクタの直流抵抗（DCR）を0.05Ω
販売元
シリーズ
製品番号
値
電話番号
AVX
TPS
TPSD227M006
220µF、6V
803-448-9411
AVX
TPS
TPSD107M010 100µF、10V
803-448-9411
Taiyo Yuden
X5R
LMK432BJ226
22µF、10V
408-573-4150
Taiyo Yuden
X5R
TMK432BJ106
10µF、25V
408-573-4150
1308abfb
13
LT1308A/LT1308B
アプリケーション情報
セラミック・コンデンサ
積層セラミック・コンデンサは、小型で、低価格、
そしてESR が
ほぼゼロであるため、よく使用されています。
ループの安定性
を考慮すれば、LT1308A/LT1308Bの回路でセラミック・コン
デンサをうまく使用することができます。
タンタル・コンデンサ
はかなりのESRを持っているため、レギュレータ・ループ内で
「ESRによるゼロ」が生じます。
この ESRによるゼロはループ
の安定性に有益です。
セラミック・コンデンサのESRは大きく
ないため、これを使用した場合はESRによるゼロは生じませ
ん。
しかし、LT1308A/LT1308Bは外部補償ピン(VC)を備えて
いるため、部品の値は安定性が得られるように調整すること
ができます。
また、以下に詳しく説明するように、位相リード・コ
ンデンサを使用して負荷ステップ応答を最適なレベルに調整
することも可能です。
C2にタンタルまたはセラミック・コンデンサを使用した5V から
12V への昇圧コンバータ回路を図 19に示します。入力コンデ
ンサは、最小限のコンデンサ要件が満たされている限り、ルー
プの安定性にはほとんど影響しません。位相リード・コンデン
サCPL は帰還抵抗 R1と並列に接続します。出力に47µF のタ
ンタル・コンデンサを使用した場合に、負荷電流が 50mA か
ら500mAにステップ変化したときの出力電圧の負荷ステップ
応答波形を図 20に示します。位相リード・コンデンサがない
場合、リンギングが生じており、位相マージンが小さいことを
示唆しています。CPL が追加された場合の、同じ負荷電流の
ステップ変化に対する応答の波形は図 21 のようになります。
L1
4.7µH
VIN
5V
VIN
D1
VOUT
12V
500mA
SW
VOUT
500mV/DIV
IL1
1A/DIV
LOAD 500mA
CURRENT 50mA
200µs/DIV
LT1308B
FB
R3
10k
R1
100k
VOUT
500mV/DIV
IL1
1A/DIV
LOAD 500mA
CURRENT 50mA
1308 F21
図 21．47µF のタンタル出力コンデンサと位相リード・
コンデンサCPL を使用した場合の負荷ステップ応答
CPL
330pF
C2
GND
VC
1308 F20
図 20．47µF のタンタル出力コンデンサを使用した場合の、
LT1308Bを使った5V から12V への昇圧コンバータの負荷ステップ
応答
200µs/DIV
SHDN
+
位相マージンが若干回復され、応答が改善されています。
次に出力コンデンサC2を10µF の X5R 誘電体のセラミック・
コンデンサで置き換えた場合を示します。図 22は、CPL がない
場合の負荷ステップ応答波形を示します。出力電圧はタンタ
ル・コンデンサの場合よりも早くセトリングしていますが、かな
りのリンギングが生じており、やはり位相マージンが小さいこ
とを示唆しています。図 23は10µF の出力コンデンサとCPL を
使用した場合の負荷ステップ応答波形を示します。応答波形
はクリーンであり、目立ったリンギングは生じていません。
セラ
ミック・コンデンサは、ESR が極めて小さいためにスイッチング
周波数でのリップルを小さくするという利点があります。VC ピ
ンの直列 RCと並列にCPL を接続することにより、セラミック出
VOUT
500mV/DIV
C1
47µF
47k
R2
11.3k
IL1
1A/DIV
100pF
C1: AVX TAJC476M010
C2: AVX TPSD476M016 (47µF) OR
TAIYO YUDEN TMK432BJ106MM (10µF)
D1: IR 10BQ015
L1: MURATA LQH6C4R7
図 19．5V から12V への昇圧コンバータ
LOAD 500mA
CURRENT 50mA
1308 F19
200µs/DIV
1308 F22
図 22．10µF の X5Rセラミック出力コンデンサを使
用した場合の負荷ステップ応答
1308abfb
14
LT1308A/LT1308B
アプリケーション情報
VOUT
VIN = 4.2V
VOUT
500mV/DIV
VOUT
VIN = 3.6V
IL1
1A/DIV
VOUT
VIN = 3V
ILOAD
1A
1mA
LOAD 500mA
CURRENT 50mA
1308 F23
200µs/DIV
VOUT TRACES =
200mV/DIV
図 23．10µF の X5Rセラミック出力コンデンサと
CPL を使用した場合の負荷ステップ応答
力コンデンサを使用した場合の応答を最適化するようにルー
プ応答を調整することができます。
LT1308A/LT1308Bは、GSMまたはCDMA電話機のRFパワー
段に電力を供給するために、1 個のリチウムイオン・セルから
5Vに変換するのに適しています。LT1308A/LT1308Bはエラー
アンプの改良によって、外部補償値を低減でき、LT1308より
高速な過渡応答が得られます。図 24の回路（図 1と同じもの
ですが、参考のために再掲載）
は、1 個のリチウムイオン・セル
から5V/1A 出力を供給します。図 25 は、4.2V、3.6V、および
3VのVIN で動作するLT1308Aの過渡応答の詳細を示してい
ます。10mA 負荷ではBurst Mode 動作でのリップル電圧が見
られます。図 26 は同じ条件での LT1308B の過渡応答を示し
ます。10mA 負荷で Burst Modeのリップルがないことに注目し
てください。
L1
4.7µH
Li-Ion
CELL
C1
47µF
SHUTDOWN
1308 F25
図 25．LT1308Aを使ったリチウムイオン・セルから
5V への昇圧コンバータの 1A 負荷ステップに対す
る過渡応答
VOUT
VIN = 4.2V
GSM および CDMA 電話機
+
200µs/DIV
VIN
D1
VOUT
VIN = 3.6V
VOUT
VIN = 3V
ILOAD
1A
10mA
VOUT TRACES =
200mV/DIV
100µs/DIV
1308 F26
図 26．LT1308Bを使ったリチウムイオン・セルから
5V への昇圧コンバータの 1A 負荷ステップに対す
る過渡応答
5V
1A
SW
R1
309k
LT1308B
SHDN
VC
FB
GND
47k
+
C2
220µF
R2
100k
100pF
C1: AVX TAJC476M010
C2: AVX TPSD227M006
D1: IR 10BQ015
L1: MURATA LQH6N4R7
1308A/B F24
図 24．1Aを供給するリチウムイオン・セルから5V への
昇圧コンバータ
1308abfb
15
LT1308A/LT1308B
標準的応用例
トリプル出力 TFTLCD バイアス電源
D2
VOFF
–9V
10mA
C4
1µF
D3
C5
1µF
0.22µF
0.22µF
VON
27V
15mA
D4
C6
1µF
0.22µF
L1
4.7µH
VIN
5V
3
C1
4.7µF
D1
6
5
VIN
SW
AVDD
10V
500mA
SHDN
76.8k
LT1308B
1
220k
100pF
VC
FB
2
C2, C3
10µF
×2
GND
4
10.7k
C1:TAIYO-YUDEN JMK212BJ475MG
C2, C3:TAIYO-YUDEN LMK325BJ106MN
C4, C5, C6:TAIYO-YUDEN EMK212BJ105MG
D1: MBRM120
D2,D3,D4: BAT54S
L1: TOKO 817FY-4R7M
1308 TA02
TFTLCD バイアス電源の過渡応答
AVDD
500mV/DIV
VON
500mV/DIV
VOFF
500mV/DIV
ILOAD
800mA
200mA
100µs/DIV
1308abfb
16
LT1308A/LT1308B
標準的応用例
40nF EL パネル・ドライバ
T1
1:12
VBAT
3V TO 6V
+
D3
4
3
C1
47µF
D2
1
6
D1
3.3V
REGULATED
100k
Q1
47k
1µF
VIN
22nF
3.3k
4.3M
FB
LT1308A
2M
324k
150k
SW
LBO
LBI
VC
49.9k
17k
C2
1µF
200V
SHUTDOWN
SHDN
GND
Q2
400V
100pF
EL PANEL
≤40nF
10k
47pF
1308 TA03
C1: AVX TAJC476M010
C2: VITRAMON VJ225Y105KXCAT
D1: BAT54
D2, D3: BAV21
350V/1.2mA の高電圧電源
10nF
250V
VIN
2.7V TO 6V
+
T1
1:12
3
C1
47µF
D1
3V ∼ 10V の入力を5V/500mA の安定化出力に変換する
SEPICコンバータ
D3
10nF
250V
D2
4
1
Q1: MMBT3906
Q2: ZETEX FCX458
T1: MIDCOM 31105
10nF
250V
6
D4
VOUT
350V
1.2mA
VIN
3V TO
10V
+
VIN
SHUTDOWN
VIN
SW
SW
LT1308B
SHDN
FB
100pF
47k
10M
FB
C1: AVX TAJC476M016
C2: TAIYO YUDEN EMK325BJ475(X5R)
C3: AVX TPSD227M006
GND
10nF
D1, D2, D3: BAV21 200mA, 250V
D4: MBR0540
T1: MIDCOM 31105R LP = 1.5µH
R2
100k
680pF
LT1308A
VC
R1
309k
34.8k
VOUT
5V
500mA
GND
47k
SHDN
D1
L1B
C1
47µF
VC
SHUTDOWN
C2
4.7µF
CERAMIC
L1A
CTX10-2
D1: IR 10BQ015
L1: COILTRONICS CTX10-2
+
C3
220µF
6.3V
1308A/B TA05
1308 TA04
1308abfb
17
LT1308A/LT1308B
パッケージ
S8 パッケージ
8ピン・プラスチック・スモール・アウトライン
（細型 0.150インチ）
（Reference LTC DWG # 05-08-1610）
.189 – .197
(4.801 – 5.004)
NOTE 3
.045 ±.005
.050 BSC
8
.245
MIN
.160 ±.005
7
6
5
.150 – .157
(3.810 – 3.988)
NOTE 3
.228 – .244
(5.791 – 6.197)
.030 ±.005
TYP
1
推奨する半田パッド・レイアウト
.010 – .020
(0.254 – 0.508)
2
3
4
.053 – .069
(1.346 – 1.752)
.008 – .010
(0.203 – 0.254)
.004 – .010
(0.101 – 0.254)
0∞– 8∞ TYP
.016 – .050
(0.406 – 1.270)
.050
(1.270)
BSC
.014 – .019
(0.355 – 0.483)
TYP
NOTE:
1. 寸法は
インチ
(ミリメートル)
2. 図は実寸とは異なる
3. これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まない
（0.15mm）
を超えないこと
モールドのバリまたは突出部は0.006インチ
SO8 0303
F パッケージ
14ピン・プラスチックTSSOP（4.4mm）
（Reference LTC DWG # 05-08-1650）
4.90 – 5.10*
(.193 – .201)
14 13 12 11 10 9 8
1.05 ±0.10
6.60 ±0.10
6.40
(.252)
BSC
4.50 ±0.10
0.45 ± 0.05
0.65 BSC
1 2 3 4 5 6 7
推奨する半田パッド・レイアウト
4.30 – 4.50**
(.169 – .177)
0.09 – 0.20
(.0035 – .0079)
0.50 – 0.75
(.020 – .030)
NOTE:
1. 標準寸法：ミリメートル
ミリメートル
2. 寸法は
(インチ)
0.25
REF
1.10
(.0433)
MAX
0∞ – 8∞
0.65
(.0256)
BSC
0.19 – 0.30
(.0075 – .0118)
TYP
0.05 – 0.15
(.002 – .006)
F14 TSSOP 0204
3. 図は実寸とは異なる
*寸法にはモールドのバリを含まない
モールドのバリは各サイドで0.152mm
（0.006"）
を超えないこと
**寸法にはリード間のバリを含まない
リード間のバリは各サイドで0.254mm
（0.010"）
を超えないこと
1308abfb
18
LT1308A/LT1308B
改訂履歴（改訂履歴はRev Bから開始）
REV
日付
概要
B
12/10
Fパッケージを廃止
ページ番号
2
1308abfb
リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は
一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料は
あくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。
19
LT1308A/LT1308B
標準的応用例
リチウムイオン・セルから12V/300mAを出力する昇圧 DC/DCコンバータ
L1
4.7µH
2.7V TO 4.2V
+
Li-Ion
CELL
VIN
C1
47µF
D1
SW
R1
887k
LT1308B
SHUTDOWN
12V
300mA
SHDN
VC
FB
GND
47k
+
C2
100µF
R2
100k
330pF
C1: AVX TAJC476M010
C2: AVX TPSD107M016
D1: IR 10BQ015
L1: MURATA LQH6C4R7
1308A/B TA01
関連製品
製品番号
説明
注釈
LT1302
高出力電流マイクロパワー DC/DCコンバータ
2Vから5V/600mA、2A内部スイッチ、IQ：200mA
LT1304
2セル・マイクロパワー DC/DCコンバータ
5V/200mA、
シャットダウン時にもアクティブなバッテリ低下
検出器
LT1307/LT1307B 1セル、
マイクロパワー、600kHz PWM DC/DCコンバータ
LT1316
プログラム可能な電流制限機能付きBurst Mode 動作 DC/DC
コンバータ
LT1317/LT1317B マイクロパワー、600kHz PWM DC/DCコンバータ
®
1セルから3.3V/75mA、MSOP パッケージ
最小 1.5V、
ピーク電流制限を精密制御
IQ：100µA、最小 1.5VのVIN で動作
LTC 1474
マイクロパワー降圧 DC/DCコンバータ
94%の効率、IQ：10µA、9Vから5V/250mAを出力
LTC1516
2セルから5V への安定化チャージ・ポンプ
IQ：12µA、
インダクタなし、3V 入力から5V/50mAを出力
LTC1522
マイクロパワー、5Vチャージ・ポンプ DC/DCコンバータ
安定化された5V 4%の出力電圧、3V 入力から20mA
LT1610
1セル・マイクロパワー DC/DCコンバータ
1Vから3V/30mAを出力、1.7MHzの固定周波数
LT1611
5ピンSOT-23パッケージの1.4MHz 反転スイッチング・
レギュレータ
5V 入力から–5V/150mAを出力、小型 SOT-23パッケージ
LT1613
5ピンSOT-23パッケージの1.4MHzスイッチング・レギュレータ
4.4V 入力から5V/200mAを出力、小型 SOT-23パッケージ
LT1615
5ピンSOT-23パッケージのマイクロパワー昇圧 DC/DC
コンバータ
IQ：20µA、36V、350mAスイッチ
LT1617
SOT-23パッケージのマイクロパワー反転 DC/DCコンバータ
VIN = 1V ∼ 15V、VOUT：–34Vまで
LTC1682
低ノイズLDO 付きダブラー・チャージ・ポンプ
可変または固定 3.3V、5V出力、
出力ノイズ：60µVRMS
LT1949
600kHz、1AスイッチPWM DC/DCコンバータ
1.1A、0.5Ω、30Vの内部スイッチ、最小 1.5VのVIN
LT1949-1
1.1MHz、1AスイッチDC/DCコンバータ
LT1949の1.1MHzバージョン
1308abfb
20
リニアテクノロジー株式会社
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F
TEL 03- 5226-7291 ● FAX 03-5226-0268 ● www.linear-tech.co.jp
LT 1210 REV B • PRINTED IN JAPAN
 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2010