当社は国内唯一のNOR型Flashメモリメーカーです。B4

GCGENCP-01760
B4: Back Bias assisted Band-to-Band tunneling
(1) 高信頼のB4-Flashメモリ
当社は国内唯一のNOR型Flashメモリメーカーです。B4-Flashメモリは当社発明の新しい
動作原理B4-HE書込み方式を用いた独自の大容量Flashメモリです。従来NOR型Flash
メモリと比べ次の優れた特徴を持っています。
B4-Flashメモリの
B4-HE;Back Bias assisted Band-to Band Hot Electron injection
3大特徴
- 高速書換え特性（高速書込み、超速消去）
卓越した
信頼性
チップ書換え: 従来品比 16～40倍 (例 512Mbit品)
- 優れたデータ保持特性
100K回書換え後 125℃下 20年 (例 512Mbit品)
微細
大容量
NOR
高速
書換え
- 業界最小レベルのNORセルで微細化・大容量化
・90nm 量産中、58nm 量産準備中
(2) 128Mbit B4-Flash 特性概要
(3)アプリケーション
高速書換えや書換え後の安定したデータ保持等、
信頼性が要求されるアプリケーションに適しています。
JEDEC標準準拠
電源電圧 : VCC=3.3V
電源電圧 : VCCQ= 3.3V/1.8V
動作温度範囲 : -40℃ ~ +85℃
アクセスタイム 1st Access : 80ns (最大値)
アクセスタイム 2nd Access : 20ns (最大値)
チップ書込み時間(8SO＊1) : 5sec (標準)
企業向
インテリジェント端末
通信設備
ネットワーク設備
自動車用途
通信基地
チップ消去時間(8SO＊1)　: 5sec (標準)
データ保持 : 20年＠125℃ 100K回書換え後
書換え回数 : 100K回
RoHS準拠
＊1:8SO:8 Sector Operation
工業機械制御/自動設備
家庭用
インテリジェント端末
(4) B4-Flashメモリ(パラレルI/F)製品ラインナップ
製品型名
容量
電源電圧
I/O
動作温度
アクセス時間[ns] ﾁｯﾌﾟ書込み時間
(Initial / Page)
[sec/chip]
80ns / 20ns
5sec
ﾁｯﾌﾟ消去時間
ﾃﾞｰﾀ
書換え
[sec/chip]
保持時間
回数
G29FXW1281x1TE
G29FXW1281x1DE
パッケージ
56TSOP
128Mbit
20years@
64BGA
125℃ after
G29FXW2571x1TE
G29FXW2571x1DE
256Mbit
G29FXW2561x1TE
G29FXW2561x1DE
256Mbit
VCC=
3.3V
VCCQ=
3.3V/1.8V
x8,x16
-40℃
｜
85℃
85ns / 20ns
10sec
100K回
(Min.)
5sec
100ns / 20ns
56TSOP
100K P/E
43sec
20years@
64BGA
56TSOP
64BGA
85℃ after
G29FXW5131x1TE
G29FXW5131x1DE
G28FVW5121S1TE
512Mbit
G78FVW001KSQAE
1Gbit
G78FVW002KSQAC
105ns / 20ns
512Mbit
2Gbit
VCC=
1.8V
VCCQ=
x8,x16
-40℃
｜
x16
85℃
0℃
｜
3.3V/1.8V
115ns / 30ns
86sec
10sec
G29FXW200Kx1DE
VCC=
3.3V
VCCQ=
2Gbit
G29FXW400Kx1TE
G29FXW400Kx1DE
4Gbit
x16
3.3V/1.8V
131sec
100K P/E
10years@
55℃ after
1K P/E
20years@
90ns / 15ns
15sec
10K回
(Min.)
90FBGA
90FBGA
125℃ after
5sec
110ns / 15ns
100K回
(Min.)
90sec
100K P/E
20years@
100K回
(Min.)
85℃ after
開発中
1K P/E
VCC=3.3V
G29FXW161LSQAC
-40℃
｜
85℃
56TSOP
125℃ after
70℃
G29FXW200Kx1TE
20years@
64BGA
2sec
200ns / 30ns
1K P/E
56TSOP
16Gbit
VCCQ=
3.3V/1.8V
国内唯一のNOR FLASメーカー
0℃
x32
｜
70℃
20years@
110ns / 20ns
株式会社 GENUSION
180sec
10sec
85℃ after
1K P/E
100K回
(Min.)
内容は予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。
経済産業省「がんばる中小企業・小規模事業者300社」に選定いただきました
兵庫県尼崎市道意町7丁目1番3号 尼崎リサーチインキュベーションセンター 410
Tel : 06-6416-6133, FAX: 06-6416-6134 info＠genusion.co.jp http://www.genusion.co.jp
2015 / 2
GCGENCP-01760
B4: Back Bias assisted Band-to-Band tunneling
産業用・通信用途実績
大
製品容量
New Era of
B4-Flash
NAND
B4-Flash領域
(高性能・高信頼）
高性能NOR用途
小
従来型NOR市場
Year
・海外携帯LTE基地局
（高速書換え性能）
・海外鉄道制御機器
（高信頼性）
・海外スマートグリッド制御
（高信頼性）
応用分野
産業用・自動車等用途
・IoT、M2M用途高信頼
ストレージ
・スマートカー用ストレージ
・ウエアラブル機器用直接
読出しストレージ
デジタル・データ・バンク
用途
・世界初！完全物理
消去ストレージ技術
・世界初！自律型自動
完全物理消去技術
・長寿命ストレージ
超高速ストレージ
Completely Erasable File Memory = B4-Flash Storage
SSD
・管理データのみ
仮想
SD
を削除
Card
データ 消去
・物理データは
方式
eMMC
残留
NAND 方式
・S/Wでデータ
USB
Memory
HDD 方式
復元可能
国内唯一のNOR FLASメーカー
完全物理
データ 消去
方式
B4 -Flash
CE-Storage
株式会社 GENUSION
CE - SSD
CE - SD
Card
eCEM
CE - File
Memory
(USB)
・管理データと
物理データを
同時に消去
・データ復元
不可能
経済産業省「がんばる中小企業・小規模事業者300社」に選定いただきました
兵庫県尼崎市道意町7丁目1番3号 尼崎リサーチインキュベーションセンター 410
Tel : 06-6416-6133, FAX: 06-6416-6134 info＠genusion.co.jp http://www.genusion.co.jp
2015 / 2