INKE111AC1

開発中
INKE111AC1
ツェナーダイオード内蔵
MOS 形電界効果トランジスタ
シリコン N チャンネル MOS 形
本品種は開発中につき後日変更する
場合があります。
概要
INKE111AC1 は、超小形外形樹脂封止形ツェナ
ーダイオード内蔵シリコン N チャンネル MOS 形ト
ランジスタです。
外形図 (単位：mm)
特長
2.8
・RDS(ON)が低い。
RDS(ON)=0.6Ω(TYP) @ID=500mA,VGS=10V
RDS(ON)=0.8Ω(TYP) @ID=500mA,VGS=4V
・スイッチング速度が速い。
・駆動電圧 4V
・ドレイン・ソース間にツェナーダイオードを内蔵。
・超小形外形のため、セットの小型化、高密度
実装が可能。
・ESD 耐量が高い。
MM 法：200V、HBM 法：2000V
1.5
0.4
0.95
JEITA：SC-59
JEDEC：−
電極接続
①：ゲート
②：ソース
③：ドレイン
1.9
0.95
②
0.65
③
0.13
用途
①
0.8
1.1
2.8
0.65
0∼0.1
高速スイッチング、アナログスイッチング等
等価回路
D
G
S
最大定格 (Ta=25℃)
記号
VGSS
項目
ゲート・ソース間電圧
ID
IDP
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)※1
PD
全許容損失
IAV
EAV
Tch
Tstg
アバランシェ電流※3
アバランシェ・エネルギー※3
接合部温度
保存温度
定格値
単位
±20
V
0.5
1.5
A
A
200
mW
300(※2)
1.0
0.06
+150
-55∼+150
mW
A
mJ
℃
℃
※1：PW≦1ms，Duty≦1%
※2：ガラエポ基板実装時（19mm×9mm×1mm）
※3：連続パルスの場合は、PW≦20μs，Duty≦0.2%
マーク図
K・K
開発中
INKE111AC1
ツェナーダイオード内蔵
MOS 形電界効果トランジスタ
シリコン N チャンネル MOS 形
本品種は開発中につき後日変更する
場合があります。
【MOSFET】電気的特性 (Ta=25℃)
記号
項目
測定条件
V(BR)DSS
IGSS
IDSS
Vth
¦ Yfs ¦
ドレイン・ソース降伏電圧
ゲート漏れ電流
ドレイン遮断電流
ゲート閾値電圧
順方向伝達アドミタンス
RDS(ON)
ドレイン・ソース間オン抵抗
Ciss
Coss
ton
toff
最小
40
1.0
-
ID=100µA，VGS=0V
VGS=±20，VDS=0V
VDS=40V，VGS=0V
ID=250µA，VDS=VGS
VDS=5V，ID=200mA
ID=500mA，VGS=10V
ID=500mA，VGS=4V
入力容量
出力容量
VDS=5V，VGS=0V，f=1MHz
スイッチング時間
VDD=5V，ID=200mA
VGS=0∼5V
特性値
標準
680
0.6
0.8
60
15
21
23
最大
60
±10
1
2.0
-
単位
V
µA
µA
V
mS
Ω
pF
ns
【D-S 間】電気的特性 (Ta=25℃)
ツェナー電圧 VZ(V)
逆電流 IR(µA)
最小
最大
IZ(mA)
最大
VR(V)
40
60
0.1
1.0
40
アバランシェ耐量測定回路
D.U.T.
RG
Ta=25℃
RG=25Ω
VDD=20V
VGS=10→0V
PG.
D
L
G
S
50Ω
V DD
スイッチング時間測定回路
定
5V
OUT
5V
IN
IN
RL
0
50Ω
10%
0V
VDD
10μs
Duty ≦1%
入力：tr, tf<10ns
VDD =5V
ソース接地
Ta=25℃
90%
・入力波形
VDD
10%
・出力波形
VDS(ON）
90%
td(on)
tr
ton
td(of f)
tf
tof f
開発中
INKE111AC1
ツェナーダイオード内蔵
MOS 形電界効果トランジスタ
シリコン N チャンネル MOS 形
本品種は開発中につき後日変更する
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【MOSFET】標準特性
ID-VDS
ID - VGS
1
1
10V
VDS=5V
Ta=25℃
4V
5V
Ta=125℃
75℃
25℃
-25℃
ドレイン電流 ID (A)
ドレイン電流 ID (A)
0.8
3V
0.6
2.8V
0.4
2.6V
0.2
0.1
0.01
VGS=2.4V
0
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1.4
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
1
2
3
IDR - VSD
¦Yfs¦ - ID
1
10
VDS=5V
Ta=125℃
75℃
25℃
-25℃
0.1
順方向伝達アドミタンス ¦Yfs¦ (S)
ドレイン逆電流 IDR (A)
VGS=0V
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1
0.01
0.01
1.6
0.1
1
ドレイン電流 ID (mA)
RDS(ON) - ID
RDS(ON) - ID
10
10
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (Ω)
Ta=25℃
VGS=4V
10V
1
0.1
0.001
Ta=-25℃
25℃
75℃
125℃
0.1
ソース・ドレイン間電圧 VSD (V)
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (Ω)
4
ゲート・ソース間電圧 VGS (V)
0.01
0.1
ドレイン電流 ID (A)
1
VGS=10V
Ta=125℃
75℃
25℃
-25℃
1
0.1
0.001
0.01
0.1
ドレイン電流 ID (A)
1
開発中
INKE111AC1
ツェナーダイオード内蔵
MOS 形電界効果トランジスタ
シリコン N チャンネル MOS 形
本品種は開発中につき後日変更する
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RDS(ON) - ID
RDS(ON) - VGS
2
VGS=4V
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (Ω)
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (Ω)
10
Ta=125℃
75℃
25℃
-25℃
1
0.1
0.001
Ta=25℃
1.8
ID=500mA
1.6
100mA
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
0
2
ドレイン電流 ID (A)
4
6
8
10
12
14
16
18
20
ゲート・ソース間電圧 VGS (V)
Vth-Ta
C - VDS
100
2
1.8
ID=250uA
VDS=VGS
Ciss
1.4
1.2
容量 C (pf)
ゲート閾値電圧 Vth (V)
1.6
1
0.8
10
Coss
0.6
0.4
Ta=25℃
VGS=0V
f=1MHz
0.2
0
-50
1
0
50
100
0.1
150
周囲温度 Ta (℃)
t - ID
100
10
Ta=25℃
VGS=5V
VDD=5V
tf
1
td(off)
ドレイン電流 ID (A)
スイッチング時間 t (ns)
10
安全動作領域（ASO）
1000
100
1
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
tr
10
td(on)
1
0.001
PW=100us
1ms
10ms
0.1
Limited by RDS(ON)
(VGS=10V)
DC (300mW)
0.01
Ta=25℃
シングルパルス
ガラエポ基板実装
（19mm×9mm×1mm）
0.001
0.01
0.1
ドレイン電流 ID (A)
1
0.1
1
10
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
100
開発中
INKE111AC1
ツェナーダイオード内蔵
MOS 形電界効果トランジスタ
シリコン N チャンネル MOS 形
本品種は開発中につき後日変更する
場合があります。
【D-S 間】標準特性
IZ - VZ
IR - VR
10
1000
125℃
VGS=0V
100
逆電流 IR (nA)
ツェナー電流 IZ (mA)
1
0.1
Ta=125℃
75℃
25℃
-25℃
0.01
10
75℃
1
25℃
0.1
0.01
VGS=0V
0.001
0.001
48
50
52
54
56
58
ツェナー電圧 VZ (V)
60
62
64
0
10
20
逆電圧 VR (V)
30
40
安全設計に関するお願い
・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生する場合や誤動作する場合があります。弊社製品
の故障または誤動作によって、結果として人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した
冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。
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2016 年9 月