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MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LED
19-5671; Rev 1; 2/11 MAX16840 MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ 概要 特長 MAX16840は、照明アプリケーション用のLEDドライバ ICです。このデバイスは、12V ACおよび24V AC入力 (MR16など)の電球用の低部品数のLEDドライバの設計に 必要なすべての機能を備えています。独自の入力電流制御 方式によって、このデバイスを使用したLEDランプは電子 トランスとの互換性があり、(電子トランスが存在する)標準 的なトレーリングエッジ調光器による調光が可能です。 S平均入力電流の制御によって電子トランスを使用した 動作および調光を実現 このICは、バック、ブースト、およびバックブースト構成 およ び 機 能で使 用することができます。0.2Ω (max)、 48VスイッチングMOSFETを内蔵しています。 このICは、定周波数平均電流モード制御を使用しています。 FB端子の電圧を介して入力電流を検出して、その平均値 を安定化させます。入力端子(REFI)によって、入力電流 レベルを設定することができます。この端子の電圧が一定 のスレッショルドを下回っている場合、入力電流はこの 電圧に比例しますが、その電圧がスレッショルドを上回っ ている場合、入力電流は固定の、あらかじめ定義された レベルに設定されます。REFIはこのような非直線的な挙動 を示すため、NTC抵抗に接続することによって、サーマル フォールドバックを実現するために使用することができ ます。 Sバック、ブースト、SEPIC、およびバックブースト構成 S0.2Ω (max) 48VスイッチングMOSFET内蔵 Sアナログ調光およびサーマルフォールドバック S出力過電圧保護 S温度過昇保護内蔵 S動作温度範囲：-40℃〜+125℃ S10ピンTDFNパッケージ(3mm x 3mm) 型番 PART TEMP RANGE PIN-PACKAGE MAX16840ATB+ -40NC to +125NC 10 TDFN-EP* +は鉛(Pb)フリー/RoHS準拠パッケージを表します。 *EP = エクスポーズドパッド。 標準動作回路 また、このICはIN端子に過電圧保護を内蔵しており、LED ストリングがオープンの場合、またはLEDストリングの電 圧が高すぎる場合に、内蔵のスイッチングMOSFETを損 傷から保護します。 このICは独立したEXT端子を備えており、電子トランスで 適切な動作をさせるために、低入力電圧での通電時に電流 のキックスタートの存在を保証するために使用することが できます。EXTは、 外付けのnpnトランジスタを駆動します。 INの電圧が5.5VのUVLOスレッショルドを超えた時点で、 EXTがグランドにプルダウンされ、外付けのnpnトランジ スタがオフになります。 LEDL2 D1 R3 L1 12V AC C2 LED+ DRAIN BD1 IN REFI EXT C1 MAX16840 COMP C4 SOURCE FB GND R1 R2 このICは3mm x 3mm、10ピンTDFNパワーパッケージで 提供され、-40℃〜+125℃の温度範囲での動作が保証 されています。 アプリケーション MR16およびその他12V AC、またはDC入力LED 照明アプリケーション 本データシートは日本語翻訳であり、相違及び誤りのある可能性があります。 設計の際は英語版データシートを参照してください。 価格、納期、発注情報についてはMaxim Direct (0120-551056)にお問い合わせいただくか、Maximのウェブサイト (japan.maximintegrated.com)をご覧ください。 MAX16840 MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS IN, DRAIN to GND..................................................... -0.3V, +52V EXT, COMP, REFI to GND........................................ -0.3V, +6.0V FB, SOURCE to GND............................................... -0.3V, +1.5V Maximum RMS Current, FB, SOURCE to GND.....................0.8A Maximum RMS Current Through DRAIN and SOURCE....... Q2A Continuous Power Dissipation (TA = +70NC) TDFN (derate 24.4mW/NC above +70NC)...................1951mW Any Pin to Any Pin ESD Rating................................ ±2kV (HBM) Operating Temperature Range......................... -40NC to +125NC Maximum Junction Temperature......................................+150NC Storage Temperature Range............................. -65NC to +150NC Lead Temperature (soldering, 10s).................................+300NC Soldering Temperature (reflow).......................................+260NC PACKAGE THERMAL CHARACTERISTICS (Note 1) TDFN Junction-to-Ambient Thermal Resistance (BJA).......... 41NC/W Junction-to-Case Thermal Resistance (BJC)................. 9NC/W Note 1: Package thermal resistances were obtained using the method described in JEDEC specification JESD51-7, using a fourlayer board. For detailed information on package thermal considerations, refer to japan.maxim-ic.com/thermal-tutorial . Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VIN = 12V; VEXT = VSOURCE = VFB = VGND = 0V; COMP, REFI, and DRAIN = open; TA = TJ = -40NC to +125NC, unless otherwise noted. Typical values are at TA = +25NC.) (Note 2) PARAMETER Operating Voltage Range SYMBOL VIN CONDITIONS MIN 6.5 When MOSFET fully on IN Supply Current Undervoltage Lockout IIN UVLOIN UVLO Hysteresis Overvoltage Protection on IN When MOSFET switching, VCOMP = 2V, drain to 5V through 50I IN rising 5 VOVP IN rising 43.6 270 Ramp P-P Voltage FB Average Voltage COMP Sink Current COMP Source Current Power Switch On-Resistance Switch Leakage Current 2 48 V 1 2 1.5 3 5.6 6.1 46 gm A ISINK ISOURCE RDSON ILEAK 300 TA = +25NC 196 -40°C P TA P +125NC 190 200 mA V mV 48 V V 330 2 kHz V 204 210 mV 550 FS 75 dB VCOMP = 2V, VFB = 0.65V 150 250 350 FA VCOMP = 2V, VFB = 0V IDS = 1A 70 115 160 FA 0.1 0.2 I 25 FA VDRAIN = 48V, VCOMP = 0V DRAIN Rise Time tRDRAIN IDS = 1A 10 DRAIN Fall Time tFDRAIN IDS = 1A 10 SOURCE Limit Threshold UNITS 1.2 Switching Frequency Transconductance MAX 200 OVP Hysteresis No-Load Gain TYP VSOURCETH SOURCE connected to FB 0.66 0.72 ns ns 0.78 V Maxim Integrated MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ (VIN = 12V; VEXT = VSOURCE = VFB = VGND = 0V; COMP, REFI, and DRAIN = open; TA = TJ = -40NC to +125NC, unless otherwise noted. Typical values are at TA = +25NC.) (Note 2) PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN SOURCE Current-Limit Comparator Propagation Delay FB Input Bias Current IFB VFB = 0V and VFB = 0.3V -1 REFI Source Current VREFI = 1.224V 47.5 FB Average Voltage During Foldback MAX 25 FB Current-Limit Comparator Leading-Edge Blanking Foldback Kick in Threshold TYP ns +1 50 50 52.5 FA V Falling on REFI 1.135 1.2 1.255 178 189 201 VREFI = 1V 153 164.5 176 VREFI = 0.8V 120 132 143 VREFI = 1V EXT Drive Current VIN = 2V, VEXT = 1V EXT Pulldown Resistance FA ns VREFI = 1.15V FB Average Voltage to REFI Gain UNITS mV 6.075 12.5 40 5 10 mA 20 kI Thermal-Shutdown Temperature Temperature rising 165 NC Thermal Shutdown Hysteresis 15 NC Note 2: All devices are 100% tested at TA = TJ = +25NC. Limits over temperature are guaranteed by design. Maxim Integrated 3 MAX16840 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) 標準動作特性 (TA = +25°C, unless otherwise noted.) 1.2 MAX16840 toc03 1.4 190 2.0 MAX16840 toc02 1.6 MAX16840 toc01 200 IQ vs. VIN IQ vs. TEMPERATURE VFB vs. DUTY CYCLE FOR BUCK-BOOST 210 1.5 180 IQ (mA) 1.0 IQ (mA) VFB (mV) 0.8 1.0 0.6 170 0.5 0.4 160 0.2 0 150 30 40 50 60 70 80 90 100 10 35 60 85 0 110 5 VIN (V) OSCILLATOR FREQUENCY vs. TEMPERATURE ULVOIN vs. TEMPERATURE 5.7 VIN RISING AND FALLING 250 200 150 100 MAX16840 toc05 5.8 MAX16840 toc04 300 fSW (kHz) 10 15 20 25 30 35 40 45 50 TEMPERATURE (°C) DUTY CYCLE (%) 50 5.6 5.5 5.4 5.3 5.2 VIN RISING 5.1 VIN FALLING 5.0 0 10 35 60 85 10 110 35 60 85 110 TEMPERATURE (°C) TEMPERATURE (°C) VFB vs. TEMPERATURECOMPATIBILITY MODE VFB vs. VREFI 195 190 MAX16840 toc07 250 MAX16840 toc06 200 200 185 180 VFB (mV) VFB (mV) MAX16840 MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ 175 170 150 100 165 160 50 155 150 10 35 60 85 TEMPERATURE (°C) 4 110 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 VREFI (V) Maxim Integrated MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ MAX16840 ピン配置 TOP VIEW DRAIN 1 DRAIN 2 IN 3 EXT 4 COMP 5 + MAX16840 EP 10 SOURCE 9 SOURCE 8 FB 7 GND 6 REFI TDFN 端子説明 端子 1, 2 名称 DRAIN 3 IN 4 EXT 5 COMP 機能 内蔵スイッチングMOSFETのドレイン 入力。ブーストおよびバックブースト構成の場合、オープンLED時のOVP保護のため、LEDストリング のアノードに接続してください。バック構成のアプリケーションでは、十分な容量のコンデンサでバイ パスして、INが6.5Vを下回らないようにしてください。 起動後に内蔵ドライバが最初にスイッチングを開始するまでの外付けバイポーラのベース駆動 スイッチング段の補償部品接続。グランドとの間に適切なRC回路を接続してください。これはgmアンプ の出力です。 6 REFI アナログ調光およびサーマルフォールドバック。このICはこの端子から50μAの電流をソースします。 この端子の電圧が1.2Vより高い場合、FBの電圧は内部の200mVリファレンスに調整されます。 この端子の電圧が1.2Vより低い場合、FBの電圧はVREFI/6に調整されます。このフォールドバック 機能をディセーブルするには、この端子を未接続のままにしてください。 7 GND グランド 8 FB 9, 10 SOURCE — EP Maxim Integrated 電流検出。この端子の入力には、スイッチングサイクル内の電流情報を平均化するための5kΩ/4pFの RCフィルタが内蔵されています。この端子をSOURCEに直接接続してください。 内蔵スイッチングMOSFETのソース エクスポーズドパッド。放熱のために、EPをグランドプレーンに接続してください。EPをグランドへの 唯一の電気的接続として使用しないでください。 5 MAX16840 MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ ファンクションダイアグラム IN 200mV 1/6 5V 50µA REFI I0 IN I1 LDO + BANDGAP S 1.2V 5V BG UVLO POK EXT gm 5kI PWMC DRAIN 4pF COMP 0.65V 2VP-P DRIVER CSLIMIT SOURCE OSCILLATOR FB GND 50ns BLANKING IN BG OVP MAX16840 詳細 MAX16840は、低電圧SSLアプリケーションにおける バック、ブースト、およびバックブースト構成用の平均電 流モード制御LEDドライバICです。このICは0.2Ω (max)、 48VのスイッチングMOSFETを内蔵しているため、MR16 用の照明アプリケーションおよびその他のSSLアプリケー ションで使用することができます。このLEDドライバは定 周波数平均電流モード制御を使用して内蔵スイッチング MOSFETのデューティサイクルを制御します。このICは、 LEDを使用するMR16照明アプリケーションに必要なすべ ての機能を備えています。このICは、入力電流制御方式を 使用して力率改善を実現します。この機能によって、この ICは電子トランスとの互換性を実現し、 (電子トランス用の) トレーリングエッジによる調光が可能となっています。 6 スイッチ電流はFBで検出されます。｢ファンクションダイア グラム｣で示すように、FBの電圧はRCフィルタを経由し ます。その後、この電圧はトランスコンダクタンスアンプの 負の入力に供給されます。gmアンプの正の入力が、設定 される入力電流レベルになります。gmアンプの出力電圧 がスイッチング周波数のランプと比較され、デューティサ イクルが設定されます。スイッチング周波数は300kHzに 設定されています。ICに内蔵された平均電流モードコント ローラが、入力電流の調整を行います。また、このICは INに46Vの過電圧保護を内蔵しており、LEDストリングが オープンの場合またはLEDストリングの電圧が高すぎる 場合に、内蔵のスイッチングMOSFETを損傷から保護し ます。 Maxim Integrated MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ このICは独立したEXT端子を備えており、電子トランスで 適切な動作を行わせるために、低入力電圧での通電時に 電流のキックスタートの存在を保証するために使用するこ とができます。EXTで、外付けのnpnトランジスタを駆動し ます。レギュレータMOSFETが初回のスイッチングを行い、 INの電圧が5.5VのUVLOスレッショルドを超えた後で、 EXTがグランドにプルダウンされ、外付けのnpnトランジ スタがオフになります。 内蔵発振器 このICは、300kHzの固定スイッチング周波数の発振器を 内蔵しています。 入力電圧(IN) このICは、INに印加する電圧によって動作します。INの動 作電圧範囲は6.5V〜48Vです。内部のUVLOは5.6Vに設 定されています。5.4V以下では内蔵パワーMOSFETのス イッチングは行われず、MOSFET用のゲートドライバは ローになります。UVLOスレッショルドのヒステリシスは 200mV (typ)です。5VのLDOが内蔵されており、すべて の内部回路および内蔵スイッチングMOSFET用のゲート ドライバへの給電に使用されます。INの電圧が46Vを上 回った場合、INに内蔵されている過電圧保護によってス イッチングが停止します。INの立上り電圧が46Vを超えた 時点で内蔵MOSFETのスイッチングが停止して、INの電 圧が46VのOVPスレッショルドを1.2V下回るまでオフの ままになります。 Maxim Integrated 外部BJTドライバ(EXT) EXTは、外付けnpnトランジスタ用の独立したドライバで あり、INの入力電圧がUVLO以下の場合に外付けの抵抗 性負荷の駆動に使用されます。これは、低入力電圧で電子 トランスを使って動作させる場合に便利です。この端子の 最小電流能力は20mAです。 内蔵スイッチングMOSFET このICは、最大RDSONが0.2Ω (+125℃時)のスイッチング MOSFETを内蔵しています。+25℃でのRDSON は0.1Ω (typ)です。これによって、このICを最大20Wの電力レベル までのブーストLEDドライバおよび最大7Wの電力レベルま でのMR16のバックブーストアプリケーションに使用する ことができます。MOSFETの最大電圧定格は、48V動作 です。内蔵MOSFETのドレインはDRAIN端子に接続され ており、内蔵MOSFETのソースはSOURCE端子に接続さ れています。 電流検出(FB) 内蔵MOSFETのソースはSOURCEに接続されているた め、SOURCEとグランドの間に電流検出抵抗を接続する 必要があり、電流情報はFBによって読み取られるため、 SOURCEをFBに接続する必要があります。電流の設定ポ イントはREFIによって決定されます。REFIをオープンのま まにした場合、FBの平均電流検出電圧はICの制御ループ によって200mVに調整されます。独立したピーク制限コン パレータが存在して、FBの電圧が650mVを超えた場合 に各サイクルのスイッチングを終了させます。このコンパ レータのリーディングエッジブランキング時間は50ns です。 制御ループ このICは、平均電流モード制御方式を使用して入力電流 の調整を行います(図1)。制御ループが、FBの平均電圧 を調整します。内蔵のRCフィルタが、この端子に出現する 電流スパイクを除去します。必要に応じて、フィルタを追 加することが可能です。電流調整ループは、電流検出抵 抗RCS、図1に示すRCフィルタ、トランスコンダクタンス エラーアンプ(gm)、300kHzのランプを提供する発振器、 gmアンプの正の入力の制御電圧、およびPWMコンパレータ (PWMC)で構成されます。 7 MAX16840 このICは、入力電流を設定するための制御端子REFIを備 えています。REFIがオープンのままの場合、ICはFBの平 均電圧を200mVに調整します。REFIの制御電圧を使用し て入力電流を制御することができます。FBの平均電圧は、 VREFI/6に調整されます(VREFIはREFIの電圧です)。FBの 電圧に対する直線的な制御は、REFIの電圧が1.2Vを超え た時点で終了します。電圧が1.2Vを超えて上昇した場合、 FBの電圧は200mVに調整されます。REFIは50μAの内部 電流ソースを備えているため、REFIとグランドの間に接続 する抵抗によってREFIの電圧を設定することも可能です。 この端子にNTC抵抗を接続することによって、この端子を 使用してサーマルフォールドバックを実現することもでき ます。 MAX16840 MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ L1 INPUT LED+ COMP RCF CP CZ CONTROL VOLTAGE MAX16840 gm PWMC 2VP-P DRIVER 5kI 10pF SOURCE FB RCS 図1. 制御ループ ピーク制限コンパレータ 電流リファレンス入力(REFI) このICは、スイッチングMOSFETのピーク電流を制限す るピーク制限コンパレータを備えています。FBの電流検出 電圧が0.65Vを上回った場合、ピーク制限コンパレータが そのスイッチングサイクルのスイッチングを終了させます。 これによって、過渡時のスイッチングMOSFETとインダク タのピーク電流が制限されます。 このICは、電流リファレンス入力(REFI)を備えています。 VREFI > 1.2Vの場合、内蔵リファレンスが入力平均電流 を200mV/RCSに設定します。VREFI < 1.2Vの場合、入 力電流がVREFIに比例して低減され、0まで低減すること が可能です。入力の最大耐電圧は6Vです。REFIは50μA の内部電流ソースを備えているため、REFIとグランドの 間に接続する抵抗によってREFIの電圧を設定することも 可能です。この端子にNTC抵抗を接続することによって、 この端子を使用してサーマルフォールドバックを実現する こともできます。 PWMコンパレータ PWMコンパレータ(PWMC)は、gmアンプの出力と2VP-P のランプ信号を比較することによって、サイクル単位でス イッチングMOSFETのオン時間を決定します。各クロック サイクルの開始時に、RSフリップフロップがリセットされ、 ゲートドライバがスイッチングMOSFETをオンにします。 ランプ信号がCOMP電圧を上回り次第、コンパレータが フリップフロップをセットして、オンサイクルを終了させ ます。 8 Maxim Integrated MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ D1 R3 L1 LED+ DRAIN BD1 12V AC MAX16840 L2 REFI EXT C1 IN C3 MAX16840 COMP LED- SOURCE C4 GND FB R1 R2 図2. ブーストLEDドライバ アプリケーション情報 ブースト構成 MR16およびその他の12V AC入力アプリケーションでは、 LEDストリングの電圧が18Vを超える場合ブースト構成が 使用されます。すなわち、一般的に、アプリケーション内で 直列に接続されるLEDの数が6 LED以上の場合、このICを ブースト構成で使用することによって最高の効率が提供さ れます。図2にブーストMR16アプリケーションを示します。 LEDの個数は、6〜10 LEDの範囲が可能です。LEDスト リングにかかる最大電圧が40Vを超えないようにしてくだ さい。 ブースト構成の場合、インダクタの電流は電流検出抵抗R1 の電流と等しくなります。 抵抗(R1) 抵抗R1の電流は、インダクタL2の電流と同一です。50Hz または60Hzの12V ACで求める最大出力電力がPOUTで ある場合、入力電力PINは次式で与えられます。 PIN = POUT/n ここで、n は効率を示します。入力電流は次式で与えられ ます。 IIN = PIN/10.8V 抵抗R1は次式で与えられます。 R1 = 0.2V/IIN ここで、R1の単位はΩ、IINの単位はAです。 ブーストインダクタ(L2) 最高の効率を実現するために、ブーストインダクタを連続 伝導モードで動作させる必要があります。インダクタの最 Maxim Integrated 大ピーク電流は、最も高い入力電圧のピーク時に発生し ます。この入力電圧でのP-Pリップルは∆ILです。最も高い 入力電圧は13.2V ACであり、標準値より10%高い値です。 インダクタのピーク電流は、次の通りです。 IPK = IIN + 0.5∆IL LEDストリングの出力電圧は、VLEDによって与えられます。 1次近似として、LED電圧が一定であると仮定します。した がって、入力電圧のピークにおけるデューティサイクルは 次のようになります。 D MIN = 1 − 13.2V × 2 18.66V = 1− VLED VLED P-Pリップル率は一般的に最大入力電流の30%〜60%の 範囲で選択されます。60% P-Pインダクタ電流リップルを 想定した場合、最大インダクタ電流は次式で与えられます。 IPK = 1.3IINMAX 最小インダクタ値は次式で与えられます。 L MIN = 18.66V × D MIN 0.6IINMAX × 300kHz ここで、スイッチング周波数は300kHzです。インダクタ の飽和電流がP-Pよりも高く、IP-Pでのインダクタの最小値 がLMINを上回っている必要があります。 アプリケーション内のインダクタの温度は+90℃〜+100℃ の範囲になる可能性があるため、これらの高温下につい て損失の評価を行う必要があります。 9 MAX16840 MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ バックブースト構成 ブーストダイオード(D1) 電力消費を低減するために、整流ダイオードD1にはショッ トキーダイオードを使用する必要があります。ダイオード D1の電圧定格は、最大出力電圧より高い値である必要が あります。+90℃〜+100℃の範囲の温度での消費が最小 限になるダイオードを選択してください。このダイオードは、 最大出力電圧時の逆方向リーク電流が最小限であるとと もに、ダイオード導通時の順方向損失が最小限のものを 選択する必要があります。 MR16アプリケーションでは、LEDの個数が3〜5 LEDの 範囲の場合にバックブースト構成が使用されます。図3に、 バックブーストLEDドライバの回路図を示します。LED+の 最大電圧が40Vを超えないようにしてください。 抵抗(R1) 50Hzまたは60Hzの12V ACで求める最大出力電力が POUTである場合、入力電力PIN 端子は次式で与えられ ます。 ループ補償(R2、C4) 最高の性能を実現するために、ループのクロスオーバー 周波数を最大限に高くする必要があります。R2の最大値 は次式で与えられます。 2 × 300kHz × L2 R2 MAX = in kΩ R1× VLED × g m PIN = POUT/n ここで、n は効率を示します。入力電流は次式で与えられ ます。 IIN = PIN/12V 抵抗R1は次式で与えられます。 R1 = 0.2V/IIN ここで、R1の単位はΩ、VLEDはV、gmはエラーアンプの トランスコンダクタンスで単位はμS、インダクタL2の値は μHです。R2には上記より20%低い値を選択してください。 ここで、R1の単位はΩ、IINの単位はAです。 バックブーストインダクタ(L2) 最高の効率を実現するために、インダクタを連続伝導モード で動作させる必要があります。インダクタの最大ピーク電 流は、最も高い入力電圧のピーク時に発生します。この入 力電圧でのP-Pリップルは∆ILです。最大入力電流は、最も 高い入力電圧で発生します。通常、最も高い入力電圧は 13.2V ACであり、標準値より10%高い値です。 C4、R2によるゼロ点は、次の位置に設定する必要があ ります。 R1× VLED × g m × R2 fz = 12V × π × L したがって、C4は次式で与えられます。 C4 = 1 2 × π × fz × R2 インダクタのピーク電流は、次の通りです。 IPK = IINDMIN + 0.5∆IL LEDL2 D1 R3 L1 12V AC C2 LED+ DRAIN BD1 IN REFI EXT C1 MAX16840 COMP C4 SOURCE FB GND R1 R2 図3. バックブーストLEDドライバ 10 Maxim Integrated MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ P-Pリップル率は一般的に最大入力電流の30%〜60%の 範囲で選択されます。60% P-Pインダクタ電流リップルを 想定した場合、最大インダクタ電流は次式で与えられます。 IP-P = 1.3IIN 最小インダクタ値は次式で与えられます。 L MIN = 18.66V × D MIN 2 0.6IIN × 300kHz ここで、スイッチング周波数は300kHzです。インダクタの 飽和電流がIP-Pよりも高く、IP-Pでのインダクタの最小値が LMINを上回っている必要があります。 Maxim Integrated 出力ダイオード(D1) 電力消費を低減するために、整流ダイオードD1にはショット キーダイオードを使用する必要があります。ダイオードD1 の電圧定格は、最大ピーク入力電圧と最大出力電圧の和よ り高い値である必要があります。+90℃〜+100℃の範囲 の温度での消費が最小限になるダイオードを選択してくだ さい。このダイオードは、最大出力電圧時の逆方向リーク 電流が最小限であるとともに、ダイオード導通時の順方向 損失が最小限のものを選択する必要があります。 パッケージ 最新のパッケージ図面情報およびランドパターン(フットプリ ント)はjapan.maxim-ic.com/packagesを参照してください。 なお、パッケージコードに含まれる｢+｣、｢#｣、または｢-｣は RoHS対応状況を表したものでしかありません。パッケージ図面 はパッケージそのものに関するものでRoHS対応状況とは関係 がなく、図面によってパッケージコードが異なることがある点 を注意してください。 パッケージ タイプ パッケージ コード 外形図 No. ランドパターン No. 10 TDFN-EP T1033+1 21-0137 90-0003 11 MAX16840 LEDストリングの出力電圧は、VLEDによって与えられます。 1次近似として、LED電圧が一定であると仮定します。した がって、入力電圧のピークにおけるデューティサイクルは 次のようになります。 13.2V × 2 18.66V D MIN = 1 − = 1− VLED + 18.66V VLED + 13.2V × 2 MAX16840 MR16およびその他12V AC入力ランプ用、 MOSFET内蔵LEDドライバ 改訂履歴 版数 改訂日 0 12/10 初版 2/11 最低温度を-40℃に変更 1 説明 改訂ページ — 1, 2, 3, 8 マキシム･ジャパン株式会社 〒141-0032 東京都品川区大崎1-6-4 大崎ニューシティ 4号館 20F TEL: 03-6893-6600 Maximは完全にMaxim製品に組込まれた回路以外の回路の使用について一切責任を負いかねます。回路特許ライセンスは明言されていません。Maximは随時 予告なく回路及び仕様を変更する権利を留保します。｢Electrical Characteristics (電気的特性)｣の表に示すパラメータ値(min、maxの各制限値)は、このデータ シートの他の場所で引用している値より優先されます。 12 Maxim Integrated Products, Inc. 160 Rio Robles, San Jose, CA 95134 USA 1-408-601-1000 © 2011 Maxim Integrated Products MaximはMaxim Integrated Products, Inc.の登録商標です。