CM400ST-24S1

<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
4素子入 (BRIDGE & AC SWITCH)
コレクタ電流 I C .............…..............................… 4 0
コレクタ・エミッタ間電圧 VCES ..............................…
ブリッジ（BRIDGE） 1 2 0
6 5
AC スイッチ（AC SWITCH）
最大接合温度 T v j m a x ........................ 1 7
●フラットベース形
●銅ベース板
●スズめっきピン端子
●RoHS 指令準拠
●UL Recognized under UL1557, File E323585
0A
0V
0V
5 °C
用途
3 レベルインバータ装置, UPS, PV など
外形及び接続図
単位：mm
TERMINAL t=0.8
SECTION A
Tolerance otherwise specified
Division of Dimension
P
C
Cs2
N
Tr2
Di2
Cs1
Tr1
Es23
±0.2
3
over
6
to
6
±0.3
to
30
over
±0.5
30
to 120
±0.8
over 120
to 400
±1.2
G4
Tr4
Es1
Cs4
G3
Di3
Tr3
NTC
Cs3
AC
1
over
Tolerance
3
Es4
Di4
G1
Ver.1.4
to
G2
Di1
2016.9 作成
CMH-10640-D
0.5
TH1
TH2
ブリッジ（BRIDGE）
・IGBT ：Tr1, Tr4
・DIODE ：Di1, Di4
AC スイッチ（AC SWITCH）
・IGBT ：Tr2, Tr3
・DIODE ：Di2, Di3
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
最大定格 (指定のない場合，Tvj=25 °C)
BRIDGE 部 IGBT/DIODE (Tr1, Tr4, Di1, Di4)
記号
項目
条件
VCES
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
VGES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
IC
直流, TC=103 °C
コレクタ電流
ICRM
Pt ot
(注 1)
TC=25 °C
IERM
(注 1)
直流
エミッタ電流
単位
1200
V
± 20
V
400
(注 2, 4)
パルス, 繰返し, VGE15 V
コレクタ損失
IE
定格値
A
800
(注 3)
2340
(注 2, 4)
W
400
(注 2)
A
800
(注 3)
パルス, 繰返し
AC SWITCH 部 IGBT/DIODE (Tr2, Tr3, Di2, Di3)
記号
項目
条件
定格値
単位
VCES
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
650
V
VGES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
± 20
V
IC
直流, TC=95 °C
コレクタ電流
ICRM
Pt ot
パルス, 繰返し, VGE15 V
TC=25 °C
コレクタ損失
IE
(注 1)
IERM
(注 1)
400
(注 2, 4)
直流
エミッタ電流
1415
(注 2, 4)
W
400
(注 2)
パルス, 繰返し
A
800
(注 3)
A
800
(注 3)
モジュール
記号
項目
条件
定格値
単位
V
Visol
絶縁耐電圧
全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間
4000
Tv jmax
最大接合温度
瞬時動作（過負荷等）
175
TCmax
最大ケース温度
(注 4)
125
Tv jop
動作接合温度
連続動作
-40 ~ +150
Tst g
保存温度
-
-40 ~ +125
°C
°C
電気的特性 (指定のない場合，Tvj=25 °C)
BRIDGE 部 IGBT/DIODE (Tr1, Tr4, Di1, Di4)
記号
項目
条件
ICES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
VCE=VCES, G-E 間短絡
最小
-
IGES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
VGE=VGES, C-E 間短絡
-
V G E (t h )
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
IC=40mA, VCE=10 V
V C E sa t
(Terminal)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
V C E sa t
入力容量
Coes
出力容量
Cres
帰還容量
QG
ゲート電荷量
td(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
td(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
VEC
6.6
2.25
試験回路図参照
T v j =125 °C
-
2.00
-
(注 5)
T v j =150 °C
-
2.05
-
IC=400 A, VGE=15 V,
T v j =25 °C
-
1.70
2.15
(注 5)
T v j =125 °C
-
1.90
-
T v j =150 °C
-
1.95
-
-
-
40
-
-
8.0
-
-
0.67
-
840
-
-
-
700
-
-
200
-
-
600
-
-
150
IE=400 A, G-E 間短絡,
T v j =25 °C
-
2.60
3.40
試験回路図参照
T v j =125 °C
-
2.16
-
(注 5)
T v j =150 °C
-
2.10
-
IE=400 A, G-E 間短絡,
T v j =25 °C
-
2.50
3.30
(注 5)
T v j =125 °C
-
2.06
-
T v j =150 °C
-
2.00
-
(Chip)
2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
V
6.0
1.80
RG=1.6 Ω, 誘導負荷
エミッタ・コレクタ間電圧
μA
-
VCC(P-C)=VCC(C-N)=300 V, IC=400 A, VGE=±15 V,
(注 1)
0.5
5.4
VCC(P-C)=VCC(C-N)=300 V, IC=400A, VGE=15 V
(Terminal)
-
T v j =25 °C
VCE=10 V, G-E 間短絡
VEC (注 1)
最大
1.0
IC=400 A, VGE=15 V,
(Chip)
Cies
規格値
標準
-
2
単位
mA
V
V
nF
nC
ns
V
V
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
電気的特性 (続き：指定のない場合，Tvj=25 °C)
BRIDGE 部 IGBT/DIODE (Tr1, Tr4, Di1, Di4)
記号
trr
(注 1)
Qrr
(注 1)
Eon
E of f
Err
(注 1)
項目
条件
逆回復時間
VCC(P-C)=VCC(C-N)=300 V, IE=400 A, VGE=±15 V,
逆回復電荷
RG=0 Ω(Tr2/Tr3), 誘導負荷
ターンオンスイッチング損失
VCC(P-C)=VCC(C-N)=300 V, IC=IE=400 A,
ターンオフスイッチング損失
VGE=±15 V, T v j =150 °C,
逆回復損失
誘導負荷, 1 パルスあたり
主端子-チップ間, 1 素子あたり,
TC=25 °C (注 4)
R CC'+EE'
内部配線抵抗
rg
内部ゲート抵抗
RG(Tr1,4) =1.6 Ω
RG(Tr2,3) =0 Ω
1 素子あたり
最小
-
規格値
標準
-
最大
250
-
16
-
-
17.0
-
-
23.5
-
-
7.0
-
mJ
-
-
0.25
mΩ
-
4.9
-
Ω
単位
ns
μC
mJ
推奨動作条件
記号
項目
規格値
条件
VCC(P-C)
VCC(C-N)
電源電圧
P-C 端子間，C-N 端子間
VGEon
ゲート (駆動) 電圧
各 IGBT G-E 間
RG
外部ゲート抵抗
1 端子あたり
Tr1, Tr4
単位
最小
標準
最大
-
300
425
13.5
15.0
16.5
V
1.6
-
16
Ω
最小
-
規格値
標準
-
最大
1.0
V
AC SWITCH 部 IGBT/FWD (Tr2, Tr3, Di2, Di3)
記号
項目
条件
ICES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
VCE=VCES, G-E 間短絡
IGES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
VGE=VGES, C-E 間短絡
V G E (t h )
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
IC=40mA, VCE=10 V
V C E sa t
(Terminal)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
V C E sa t
Cies
入力容量
Coes
出力容量
Cres
帰還容量
QG
ゲート電荷量
td(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
td(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
エミッタ・コレクタ間電圧
μA
6.6
V
1.75
試験回路図参照
T v j =125 °C
-
1.43
-
(注 5)
T v j =150 °C
-
1.45
-
IC=400 A, VGE=15 V,
T v j =25 °C
-
1.25
1.65
(注 5)
T v j =125 °C
-
1.33
-
T v j =150 °C
-
1.35
-
-
-
48
-
-
3.1
-
-
0.9
-
1450
-
-
-
350
-
-
150
-
-
500
-
-
300
RG=0 Ω, 誘導負荷
VEC (注 1)
0.5
1.35
VCC(P-C)=VCC(C-N)=300 V, IC=400 A, VGE=±15 V,
(Terminal)
6.0
-
VCC(P-C)=VCC(C-N)=300 V, IC=400 A, VGE=15 V
VEC (注 1)
T v j =25 °C
VCE=10 V, G-E 間短絡
IE=400 A, G-E 間短絡,
T v j =25 °C
-
2.00
2.80
試験回路図参照
T v j =125 °C
-
1.95
-
(注 5)
T v j =150 °C
-
1.90
-
IE=400A, G-E 間短絡,
T v j =25 °C
-
1.90
2.70
(注 5)
T v j =125 °C
-
1.85
-
T v j =150 °C
(Chip)
mA
5.4
IC=400 A, VGE=15 V,
(Chip)
単位
V
V
nF
nC
ns
V
V
-
1.80
-
逆回復時間
VCC(P-C)=VCC(C-N)=300 V, IE=400 A, VGE=±15 V,
-
-
200
ns
逆回復電荷
RG=1.6 Ω(Tr1/Tr4), 誘導負荷
-
16
-
μC
Eon
ターンオンスイッチング損失
VCC(P-C)=VCC(C-N)=300 V, IC=IE=400 A,
-
0.2
-
E of f
ターンオフスイッチング損失
VGE=±15 V, T v j =150 °C,
-
21.2
-
逆回復損失
誘導負荷
主端子-チップ間, 1 素子あたり,
TC=25 °C (注 4)
-
15.3
-
mJ
-
-
0.25
mΩ
-
1.5
-
Ω
trr
Qrr
Err
(注 1)
(注 1)
(注 1)
R CC'+EE'
内部配線抵抗
rg
内部ゲート抵抗
2016.9 作成
CMH-10640-D
1 素子あたり
Ver.1.4
3
RG(Tr2,3) =0 Ω
RG(Tr1,4) =1.6 Ω
mJ
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
電気的特性 (続き：指定のない場合，Tvj=25 °C)
推奨動作条件
記号
VCC(P-C)
VCC(C-N)
VGEon
RG
項目
規格値
条件
電源電圧
P-C 端子間，C-N 端子間
ゲート (駆動) 電圧
各 IGBT G-E 間
外部ゲート抵抗
1 端子あたり
Tr2, Tr3
単位
最小
標準
最大
-
300
360
13.5
15.0
16.5
V
0
-
16
Ω
最小
4.85
規格値
標準
5.00
最大
5.15
-7.3
-
+7.8
-
3375
-
K
-
-
10
mW
最小
-
規格値
標準
-
最大
0.064
-
-
0.105
-
-
0.106
-
-
0.165
-
0.011
-
規格値
標準
4.0
最大
4.5
V
NTC サーミスタ部
記号
項目
条件
R25
ゼロ負荷抵抗値
TC=25 °C
ΔR/R
抵抗値許容差
R100=493 Ω, TC=100 °C
B(25/50)
B 定数
計算式による値
P25
電力損失
TC=25 °C
(注 4)
(注 4)
(注 6)
(注 4)
単位
kΩ
%
熱的特性
記号
項目
条件
Rt h(j -c)Q
接合・ケース間, BRIDGE 部 IGBT
(注 4)
Rt h(j -c)D
接合・ケース間, BRIDGE 部 FWD
(注 4)
Rt h(j -c)Q
熱抵抗
接合・ケース間, AC SWITCH 部 IGBT
接合・ケース間, AC SWITCH 部 FWD (注 4)
ケース・ヒートシンク間, 1 モジュールあたり,
熱伝導性グリース塗布 (注 4, 7)
Rt h(j -c)D
Rt h(c-s)
(注 4)
接触熱抵抗
単位
K/W
K/W
機械的特性
記号
項目
条件
単位
Mt
締付けトルク
主端子
M 6 ねじ
最小
3.5
Ms
締付けトルク
取付け
M 5 ねじ
2.5
3.0
3.5
N·m
m
質量
-
-
560
-
g
端子間
14.4
-
-
端子・ベース板間
16.7
-
-
端子間
8.0
-
-
端子・ベース板間
16.7
-
-
-50
-
+100
ds
沿面距離
da
空間距離
ec
ベース板平面度
X, Y 各中心線上
(注 8)
本製品は RoHS※指令(2011/65/EU)に準拠しています。
※Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment
注 1.
2.
3.
4.
フリーホイールダイオード (FWD) の定格又は特性を示します。
接合温度は，最大接合温度 (Tvjmax) 以下です。
パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が，最大接合温度(T v j m a x ) を越えない値とします。
ケース温度 (TC) 及びヒートシンク温度 (T s ) の定義点は，チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は，チップ配置図のとおりです。
5. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が無視できる値とします。
R 25
1
1
) /(

)
6. B( 25 / 50)  ln(
R 50
T25
T50
R25: 絶対温度 T25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15
R50: 絶対温度 T50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15
7. 接触熱抵抗の標準値は，熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。
2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
4
N·m
mm
mm
μm
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
-:Concave
+:Convex
注 8. ベース板（取付面）平面度測定箇所は，次図のとおりです。
Y
X
mounting side
mounting side
-:Concave
mounting side
+:Convex
9 . プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は，下記仕様のタッピンねじをご使用ください。
※ねじの長さは，プリント基板の厚み（t1.0～t1.6）によります。
仕様
PT
寸法
K25×8
締付けトルク
0.55 ± 0.055 N・m
締付け方法
PT
DELTA PT
K25×10
0.75 ± 0.075 N・m
(3)
25×8
0.55 ± 0.055 N・m
手作業（電動ドライバー30 r/min 相当）
～電動ドライバー 600 r/min 以下
(4)
DELTA PT
25×10
0.75 ± 0.075 N・m
(5)
B1 タッピンねじ
呼び径（φ）2.6×10
又は，呼び径（φ）2.6×12
0.75 ± 0.075 N・m
(1)
(2)
チップ配置図 (Top view)
単位：mm, 公差： ±1 mm
Tr1/Tr4: BRIDGE 部 IGBT, Tr2/Tr3: AC SWITCH 部 IGBT,
Di1/Di4: BRIDGE 部 FWD, Di2/Di3: AC SWITCH 部 FWD,
Th: NTC サーミスタ
2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
5
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
C
vGE
P
G
-VGE
Tr1,Di1
iE
AC
Tr3
Di3
C
Tr4,Di4
Cs
+VGE
0
V -VGE
vCE
Cs
C
vGE
E
Es
G
Tr2
Di2
Es G
C
Cs
0V
VCC(P-N)
C
E
+VGE
G
RG
+
Load
E
Es
90 %
0
iC
～
～
Cs
～
～
試験回路及び試験波形
90 %
+
-VGE
iC
N
t
10%
0A
tr
td(on)
tf
td(off)
t
スイッチング特性試験回路及び試験波形 (BRIDGE 部スイッチング)
C
Cs
-VGE
P
iE
G
Es
Tr1,Di1
AC
Tr3
Di3
iC
C
Tr4,Di4
C
Cs
-VGE
G
E
Es
N
Tr2
Di2
C
G
vCE
Es G
RG +VGE
0
V -VGE
Cs
vCE
0
iC
iC
VCC(P-C)
VCC(C-N)
0.1×VCC(P-C)
0.1×VCC(C-N)
0.1×ICM
0
ti
t
Irr
+
0.5×I r r
-VGE
t r r , Q r r test waveform
iE
iC
ICM
VCC(P-C)
VCC(P-C)
VCC(C-N)
VCC(C-N)
t
trr
0A
スイッチング特性試験回路及び試験波形 (AC SWITCH 部スイッチング)
ICM
Q r r =0.5×I r r ×t r r
IE
VCC(P-N)
C
E
Cs
iE
+
Load
E
0.1×VCC
0
0.1×VCC(P-C)
0.1×VCC(C-N)
ti
ti
ICM
vCE
IEM
vEC
vCE
0.02×I0.02×I
CM
CM
t
t
0A
t
0V
t
ti
IGBT ターンオンスイッチング損失
IGBT ターンオフスイッチング損失
FWD 逆回復損失
ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形 (積分時間説明図)
2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
6
VCC(P-C)
VCC(C-N)
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
試験回路
Cs
V
C
P
Cs
IC
G
Es
VGE
=15V Tr1
E
Tr4
Di4
Cs
Tr3
Di3
C
C
Cs
G
Es
Es
Tr2
Di2
E
V
C
E
Es G
Tr4
Di4
Cs
V
N
E
Tr1
Di1
C
Short-circuited
G
Cs
P
G
AC
Di1
C
Cs
C
Cs
C
G
C
C
E
Es G
E
N
Tr4
Di4
Cs
Cs
Cs
IE
Es
Es
Tr3
Di3
C
C
Cs
G
C
Tr4
P
Cs
IC
G
Es
E
Tr1
Di1
Tr4
Di4
Cs
C
C
G
Es
E
Cs
G
Shortcircuited
N
Es
Tr2
Di2
C
C
E
Es G
V
VGE=15V
Cs
Tr1
Di1
Tr4
Di4
Cs
P
Cs
Es
C
Cs
Tr3
Di3
G
V
G
Short- Es
circuited
E
Tr2
Tr2
Di2
C
E
Es G
Tr4
Di4
Cs
Cs
VGE=15V
V
Cs
Tr3
Di3
C
Cs
C
G
Tr2
Di2
C
C
E
Es G
Cs
Short-circuited
G
E
N
IE
Di4
P
Cs
IE
E
Short- Es
circuited
Es
Tr3
Di3
C
Cs
C
G
VGE=15V
E
N
Tr2
Di2
C
P
IE
C
E
Es G
V
Cs
E
Tr1
Di1
Tr4
Di4
Cs
AC
C
Cs
C
E
N
Di3
VEC 試験回路 (AC SWITCH 部)
7
Tr3
Di3
G
V
G
Short- Es
circuited
Di2
C
G
AC
G
N
Tr3
Ver.1.4
C
Tr1
Di1
C
V CEsa t 試験回路 (AC SWITCH 部)
2016.9 作成
CMH-10640-D
Cs
Es
G
AC
C
Es G
Tr4
Di4
AC
VEC 試験回路 (BRIDGE 部)
IC
E
P
Di1
G
AC
Tr3
Di3
C
C
E
E
Tr1
Di1
C
N
V CEsa t 試験回路 (BRIDGE 部)
Cs
Tr2
Di2
Short-circuited
E
C
G
AC
G
IC
Tr1
E
Tr1
Di1
Short-circuited
G
VGE Es
=15V
Tr3
Di3
Tr2
Di2
P
G
Es
AC
C
Tr2
Di2
C
C
E
Es G
Cs
VGE=15V
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
BRIDGE 部
出力特性
(代表例)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
(代表例)
(チップ)
T v j =25 °C
800
15 V
VGE=20 V
12 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat
(V)
700
コレクタ電流 IC (A)
600
500
11 V
400
300
10 V
200
9V
100
0
0
2
4
6
8
T v j =125 °C
2.5
2
T v j =25 °C
1.5
1
0.5
0
100
200
300
400
500
600
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
(代表例)
フリーホイールダイオード順特性
(代表例)
(チップ)
T v j =25 °C
700
G-E間短絡
800
(チップ)
1000
IC=800 A
T v j =125 °C
8
IC=400 A
エミッタ電流 IE (A)
(V)
T v j =150 °C
3
0
10
10
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat
(チップ)
VGE=15 V
3.5
6
IC=160 A
4
T v j =150 °C
100
T v j =25 °C
2
0
6
8
10
12
14
ゲート・エミッタ間電圧
2016.9 作成
CMH-10640-D
16
18
10
20
VGE (V)
Ver.1.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
8
3.5
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
BRIDGE 部
スイッチング時間特性
(代表例)
スイッチング時間特性
(代表例)
VCE=300 V, VGE=±15 V, RG=1.6 Ω(Tr1/Tr4), 誘導負荷
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
VCE=300 V, VGE=±15 V, IC=400 A, 誘導負荷
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
1000
1000
td(off)
td(on)
100
(ns)
tr, tf
tf
100
スイッチング時間
tr
10
スイッチング時間
(ns)
tr
スイッチング時間
スイッチング時間
100
tr
td(on), tr, td(off), tf
td(on)
10
td(off)
(ns)
td(on), tr, td(off) tf (ns)
tf
10
1000
0.1
1
コレクタ電流 IC (A)
10
外部ゲート抵抗
100
RG (Tr1/Tr4) (Ω)
スイッチング損失特性
(代表例)
スイッチング損失特性
(代表例)
VCE=300 V, VGE=±15 V, RG=1.6 Ω(Tr1/Tr4),
誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
VCE=300 V, VGE=±15 V, IC=400 A,
誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
100
100
Eon
1
(mJ)
E off
逆回復損失
スイッチング損失
(mJ)
(mJ)
E off
逆回復損失
スイッチング損失
(mJ)
10
Eon
10
0.1
0.01
10
100
1
1000
コレクタ電流 IC (A)
エミッタ電流 IE (A)
2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
0.1
1
外部ゲート抵抗
9
10
RG (Tr1/Tr4) (Ω)
100
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
BRIDGE 部
スイッチング損失特性
(代表例)
スイッチング損失特性
(代表例)
VCE=300 V, VGE=±15 V, RG=0 Ω (Tr2/Tr3),
誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
VCE=300 V, VGE=±15 V, IE=400 A,
誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
100
100
0.1
0.01
10
100
1000
Irr
100
trr
10
10
100
1000
エミッタ電流 IE (A)
エミッタ電流 IE (A)
2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
tr, tf
0.1
1
外部ゲート抵抗
VCE=300 V, VGE=±15 V, RG=0 Ω (Tr2/Tr3), 誘導負荷
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
t r r (ns)
(mJ)
1
1000
フリーホイールダイオード逆回復特性
(代表例)
(A)
10
Err
エミッタ電流 IE (A)
Irr
スイッチング時間
Err
1
逆回復損失
スイッチング時間
逆回復損失
tr
(mJ)
(ns)
(ns)
10
10
10
RG (Tr2/Tr3) (Ω)
100
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
AC SWITCH 部
出力特性
(代表例)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
(代表例)
(チップ)
T v j =25 °C
800
12 V
VGE=20 V
11 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat
(V)
15 V
700
コレクタ電流 IC (A)
600
10 V
500
400
300
9V
200
100
0
0
2
4
6
8
2.5
T v j =150 °C
2
T v j =125 °C
1.5
T v j =25 °C
1
0.5
0
100
200
300
400
500
600
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (A)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
(代表例)
フリーホイールダイオード順特性
(代表例)
(チップ)
T v j =25 °C
700
G-E間短絡
800
(チップ)
1000
IC=800 A
8
T v j =150 °C
IC=400 A
エミッタ電流 IE (A)
(V)
3
0
10
10
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCEsat
(チップ)
VGE=15 V
3.5
6
IC=160 A
4
100
T v j =125 °C
2
T v j =25 °C
0
6
8
10
12
14
ゲート・エミッタ間電圧
2016.9 作成
CMH-10640-D
16
18
10
20
VGE (V)
Ver.1.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)
11
3.5
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
AC SWITCH 部
スイッチング時間特性
(代表例)
スイッチング時間特性
(代表例)
VCE=300 V, VGE=±15 V, RG=0 Ω(Tr2/Tr3), 誘導負荷
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
VCE=300 V, VGE=±15 V, IC=400 A, 誘導負荷
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
1000
1000
tf
td(on)
100
(ns)
tr, tf
tf
100
スイッチング時間
スイッチング時間
tr
td(on)
tr
スイッチング時間
(ns)
td(on), tr, td(off), tf
(ns)
td(off)
スイッチング時間
td(on), tr, td(off) tf (ns)
td(off)
tr
10
10
100
10
1000
0.1
コレクタ電流 IC (A)
1
10
外部ゲート抵抗
100
RG (Tr2/Tr3) (Ω)
スイッチング損失特性
(代表例)
スイッチング損失特性
(代表例)
VCE=300 V, VGE=±15 V, RG=0 Ω(Tr2/Tr3),
誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
VCE=300 V, VGE=±15 V, IC=400 A,
誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
100
100
Eon
E off
1
(mJ)
10
逆回復損失
スイッチング損失
(mJ)
(mJ)
E off
逆回復損失
スイッチング損失
(mJ)
10
1
0.1
Eon
0.01
10
100
0.1
1000
コレクタ電流 IC (A)
エミッタ電流 IE (A)
2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
0.1
1
外部ゲート抵抗
12
10
RG (Tr2/Tr3) (Ω)
100
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
AC SWITCH 部
スイッチング損失特性
(代表例)
スイッチング損失特性
(代表例)
VCE=300 V, VGE=±15 V, RG=1.6 Ω (Tr1/Tr4),
誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
VCE=300 V, VGE=±15 V, IE=400 A,
誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
100
100
10
100
エミッタ電流 IE (A)
VCE=300 V, VGE=±15 V, RG=1.6 Ω (Tr1/Tr4), 誘導負荷
---------------: T v j =150 °C, - - - - -: T v j =125 °C
1000
t r r (ns)
Irr
(A)
Irr
trr
100
10
100
1000
エミッタ電流 IE (A)
エミッタ電流 IE (A)
2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
tr, tf
Err
0.1
1
外部ゲート抵抗
フリーホイールダイオード逆回復特性
(代表例)
10
10
1
1000
13
スイッチング時間
0.1
逆回復損失
1
(mJ)
(ns)
スイッチング時間
逆回復損失
tr
(mJ)
Err
0.01
(ns)
10
10
RG (Tr1/Tr4) (Ω)
100
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
BRIDGE 部
容量特性
(代表例)
ゲート容量特性
(代表例)
G-E間短絡, T v j =25 °C
VCC(P-N) =600 V, IC=400 A, Tvj=25 °C
100
20
VGE (V)
Cies
Coes
1
Cres
0.1
0.01
ゲート・エミッタ間電圧
容量 (nF)
10
0.1
1
10
15
10
5
0
100
0
200
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
400
600
ゲート容量
800
QG
1000
1200
(nC)
AC SWITCH 部
容量特性
(代表例)
ゲート容量特性
(代表例)
G-E間短絡, T v j =25 °C
VCC(P-C)= VCC(C-N)=300 V, IC=400 A, Tvj=25 °C
100
20
VGE (V)
Cies
ゲート・エミッタ間電圧
1
容量
(nF)
10
Coes
Cres
0.1
0.01
0.1
1
10
Ver.1.4
10
5
0
100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
2016.9 作成
CMH-10640-D
15
0
500
1000
ゲート容量
14
QG
1500
(nC)
2000
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
共通部
最大過渡熱インピーダンス特性
Single pulse, TC=25 °C
B R ID G E 部 : R t h ( j - c ) Q =0.064 K/W, R t h ( j - c ) D =0.105 K/W
A C SW IT C H 部 : R t h ( j - c ) Q =0.106 K/W, R t h ( j - c ) D =0.165 K/W
Zt h(j-c)
10
NORMALIZED TRANSIENT 熱抵抗
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
時間
0.1
1
10
(S)
NTC サーミスタ部
温度特性
(代表例)
100
抵抗値
R (kΩ)
10
1
0.1
-50
-25
0
25
温度
2016.9 作成
CMH-10640-D
50
75
100
125
T (°C)
Ver.1.4
15
<IGBTモジュール>
CM400ST-24S1
大電力スイッチング用
絶縁形
安全設計に関するお願い
弊社は品質，信頼性の向上に努めておりますが，半導体製品は故障が発生したり，誤動作する場合があ
ります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として，人身事故，火災事故、社会的損害など
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2016.9 作成
CMH-10640-D
Ver.1.4
16