第4回 技術フォーラム「SiC パワーデバイスを活かす」

～京都が拓くグリーンイノベーション～
第４回 技術フォーラム「SiC パワーデバイスを活かす」
○ 目 的 ： いよいよ実用化段階に入ってきた SiC パワーデバイスの幅広い応用分野への普及のため、関連する
産業界への技術周知・普及、ユーザー企業の発掘が今後ますます重要です。特に、本技術の発祥の地
であり、その発展を担ってきた京都を中心とした関西地域において、中小企業をはじめ関連企業の参画
による地域産業振興に貢献するため、最新の SiC パワーデバイスおよびその関連技術の技術普及・交
流を目的とした技術フォーラムの第４回目を開催します。今回は『SiC パワーデバイスの新たなる応用展
開』を主題といたします。ぜひ多数ご参加ください。
○日 時：平成２３年１１月７日（月） １３：３０～１７：２５
（交流会 １７：３０～１９：００）
○場 所：
フォーラム：（独）科学技術振興機構 JST イノベーションプラザ京都 セミナー室
〒615-8245 京都市西京区御陵大原 1-30 http://www.kyoto.jst-plaza.jp/
（※地図・アクセス http://www.kyoto.jst-plaza.jp/access/index.html）
交 流 会 ：（独）中小企業基盤整備事業 京大桂ベンチャープラザ南館
〒615-8245 京都市西京区御陵大原 1-39 http://www.smrj.go.jp/incubation/kkvp/
○主 催：文部科学省地域イノベーション戦略支援プログラム（グローバル型） 京都環境ナノクラスター
（中核機関 (財) 京都高度技術研究所）
○プログラム
13：30–13：35
13：35–14：15
14：15-14：55
14：55-15：10
挨拶
電力パケット伝送系の提案と SiC パワーデバイス
－新しいパワーエレクトロニクス－
高速スイッチング SiC トランジスタと
その応用回路の開発
― 休憩 ―
京都環境ナノクラスター 事業総括
市原達朗
京都大学 工学研究科 教授 引原隆士 氏
住友電気工業株式会社 パワーデバイス開発部
グループ長 築野 孝 氏
技術研究組合
次世代パ ワー エ レ ク ト ロ ニ ク ス 研究開発機構
（FUPET）研究センター 主幹研究員 谷本 智 氏
株式会社安川電機 技術開発本部
パワーエレクトロニクス技術開発本部
パワーエレクトロニクス技術チーム
課長補佐 原 英則 氏
ローム（株）研究開発本部
新材料デバイス研究開発センター
センター長 中村 孝 氏
15：10-15：50
ここまできた SiC インバータ
－高パワー密度化と応用展開－
15：50-16：30
環境エネルギー分野における SiC パワーデバイスの
応用
16：30-16：50
SiC パワーデバイスの大出力化
16：50-17：10
SiC 国際会議 ICSCRM2011 の話題より
－SiC パワーデバイスおよびその応用展開－
京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢 氏
17：10-17：25
おわりに
（独）科学技術振興機構 JST イノベーションプラザ京都
館長 松波弘之 氏
○お申込み等
●参加対象： 関西地区を中心とする企業（中小企業歓迎）の経営者・技術者・研究者
●参 加 費： フォーラム 無料 交流会 ３,０００円
●定
員： 70 名（先着順。申込状況により、一社当たりの人数を制限する場合があります）
●詳細・お申込み：http://www.astem.or.jp/kyo-nano/news/111107.htm
●問合せ先： (財)京都高度技術研究所 京都環境ナノクラスター本部
担当：柴田
TEL：075-315-6603
E-maiｌ：[email protected]