製品概要 - TE Connectivity

製品概要
過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向
け リフロー対応温度ヒューズ
TEのリフロー対応温度ヒューズ(RTP)素子は、表面実装が可能な、低抵抗、高耐久性
の過熱保護素子です。この素子は、あらかじめ設定された断線温度でオープンし、
鉛フリーフロー工程を用いて表面実装することが可能です。
TE Connectivity
過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向け リフロー対応温度ヒューズ
本RTP素子は、車載製品および工業製品に要求される、衝撃、振動、熱サイクル、高湿度
などの厳しい環境に耐える性能、製品寿命、信頼性を提供します。製品中のRTP素子は、
内部の接合素子が、素子ごとに決められた断線温度を超えた場合にオープンになり
ます。温度上昇の原因は様々ですが、パワーFETやコンデンサー、抵抗、
トライアッ
クなどのパワー素子を部品として使用している場合は、その部品の故障によっても
温度が上昇します。RTP素子の断線温度は、部品が正常に動作している間は断線せず、
部品が熱暴走を始め、鉛フリーはんだが溶け始める温度に達する前にオープンになる
ように設定されています。
RTP素子は表面実装が可能なため、実装が簡単で、信頼性が高く、基板との熱結合が
最適化されます。特殊な表面実装技術を用いる必要はなく、実装後に電気的にアー
ミングを1回実行することで、熱に感応するようになる仕組みを用いています。アーミ
ングを実行する前は、表面実装に必要な260°
Cまでの温度にオープンすることなく耐
特徴
••危険な温度に到達する前に断線
••最高260°
Cまでの鉛フリーはんだ
えることができます。アーミングの実行後には、熱に感応する内部の接合素子が断線
温度に達すると素子が断線します。
アーミングは、製品テスト中に行うことも、製品出荷
後に行うこともできます。
リフロー工程に3回まで対応
••低直列抵抗
アプリケーション
••直流遮断電圧対応
• 車載分野ではエアコン(HVAC)、
ABS、パワーステアリング、DC/DCコンバータ、PTC
••厳格な認証テスト仕様により検証
された過酷環境対応の高耐久性設計
••RoHS指令対応、鉛フリー、
ハロゲンフリー
ヒーター等の製品、またはITサーバ、通信用電源、コンバータ等の製品における、
パワーFET等部品の、故障による熱暴走からの保護
• その他、
直流回路における過熱保護
利点
• 熱暴走時に故障部品が発煙し、
はんだが溶けて部品が剥離する事故の防止
• 標準的な表面実装工程が可能で、
特殊工程に伴う追加費用が不要
• 低パワーロス、
低電圧降下
• DC定格対応
• 過酷環境製品に最適
• 環境対応
circuitprotection.com/rtp-launch
1
(車載製品および工業製品)
過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向け リフロー対応温度ヒューズ
TE Connectivity
標準アプリケーションブロック図
故障したパワーFET
Failed powerFET
または他の熱源
or other
heat source
PTH
+
RTP
負荷11
Load
ARM
–
電池
Battery
P1
Thermal
熱結合
Coupling
ピン配置・説明/推奨パッドレイアウト
ピンの説明
ピン番号
ピン名称
ピン機能
1
P1
パワーI/Oピン
(主要パワー電流経路)
2
PTH
熱感応パワーI/Oピン
過熱保護対象の部品とのヒートシンクの共用を想定
3
ARM
電気的アーミングピン
ピン配置
Configuration
PinPin
Configuration
(部品の下面図)
(Bottom
View
Device)
(Bottom
View
of of
Device)
パッ
ドサイズ(mm)in mm
Pad
Dimensions
Pad
Dimensions
in mm
(上面図、ただし部品は透過)
(Top
View
– Through
Component)
(Top
View
– Through
Component)
9.34
9.34
7.707.70
4.144.14
ARM
ARM
2.39
2.39
PTHPTH
P1 P1
1.071.07
2.26
2.26
0.98
0.98
用語定義/素子内部ブロック図
接合部
アーミング後にRTP素子が断線するために「断線温度」に到達する必要のある内部インター
フェースのこと。
この内部インターフェース(温度素子)はPTHパッドの真上に位置する。
断線温度
素子の断線に必要な接合部の温度。
IARM および RARM
ARMピンとP1ピンまたはPTHピン間の電流値および抵抗値。
アーミング前のみ必要。
RPP および IPP
P1 ピンと PTH ピン間の抵抗値および電流値。
IARM
ARM
RARM
P1
過熱
保護素子
IPP
PTH
circuitprotection.com/rtp-launch
2
過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向け リフロー対応温度ヒューズ
TE Connectivity
動作概要－電気的アーミング
RTP素子はユニークな特性を持つ過熱保護素子です。
リフロー時には最高260℃でも断線せず、動作時には260℃よりもはるかに低
い温度で断線します。RTP素子のこの機能は電気的アーミングのメカニズムを用いて実現されています。
電気的アーミングはリフロー後に行います。製品の最終テスト時に行うことも可能です。
ARMピン経由で規定の電流を流してアーミングを行います。アーミングは、時間と電流に依存します。アーミングに必要な時間と電流
の関係は、本書の「アーミング特性」を参照してください。ARMピンを経由させる電流の方向はどちらでも構いません。
「アーミング特性」で規定されています。アーミングが実行されると、ARMピンは、P 1ピンとP THピンに
アーミング前のR ARMの抵抗値は、
対して電気的に切断されます。
RARMの値が「アーミング特性」で規定されるアーミング後の最小抵抗値を超えた時点でアーミングが完了します。RTP素子のアーミング
は個別に行う必要があり、複数の素子を直列にして同時に行うことはできません。
アーミングを実行したRTP素子は、素子の接合部が規定の断線温度を超えると断線します。
他にも多数の方法がありますが、以下にアーミング方法の例を示します。
アーミング方法の例
テスト時
電流の流れ
説明
PTH ⇔ ARM = アーミング
この例でP1ピンは「フローティング状態」です。2つのテストポイントに接続し、テス
トポイント1とテストポイント2の間に、アーミングが完了するまで十分な電流(IARM)
を流して、製品テスト中の指定した時間にアーミングを行うことができます。
P1
RTP
ARM
Test
Point 1
ARMピンを2つのテストポイントの間に接続
PTH PowerFET
Test
Point 2
絶対最大定格
RTP200R060SA
RTP140R060SD
絶対最大定格
最大
最大
32
32
@ 16 VDC
200
200
@ 24 VDC
130
130
@ 32 VDC
100
100
ESD耐性定格(人体モデル)
25
25
kV
最大リフロー温度(アーミング前)
260
260
°
C
動作時温度限度、
アーミング後
非断線
-55
+175
-40
+105
°
C
最大直流断線電圧 (1)
最大遮断電流
(1)
(1)
同じ条件でも、性能は基板の設計によって異なることがあります。
実際のシステム上で性能を確認する必要があります。
circuitprotection.com/rtp-launch
3
単位
VDC
A
過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向け リフロー対応温度ヒューズ
TE Connectivity
性能
RTP140R060SD
抵抗値およびオープン性能 RTP200R060SA
P1 PTH 間
最小
標準
最大
最小
標準
最大
単位
@ -23+/-3°
C
–
0.6
0.8
–
0.7
1.1
RPP (P1 PTH間抵抗)
@ 105+/-3°
C
–
–
–
–
0.9
1.2
@ 175+/-3°
C
–
0.8
1.2
–
–
–
動作電圧
–
–
32
–
–
32
–
VDC
断線温度、
アーミング後
IPP = 0 196
205
213
135
140
145
°
C
熱抵抗:接合部から素子ケース
素子ケース=PTHパッド
–
0.5
–
–
0.5
–
°
C/W
@ 23+/-3°
C
32 -
–
25
–
–
実装依存動作電流、
アーミング後 (2)(3) @ 100+/-3°
C
27 -
–
-
–
–
@ 105+/-3°
C
-
-
–
12
–
–
耐湿性レベル定格 (4)
@ 175+/-3°
C
9
-
–
–
–
–
–
–
1
–
–
1
–
mΩ
A
–
アーミング特性
RTP200R060SA RTP140R060SD
アーミング特性
ARM
最小
標準
最大
最小
標準
最大
アーミング種別
RARM (ARM と P1 または PTH間抵抗)
アーミング前
–
アーミング後
アーミング電流 (IARM) (2)
@ 23+ /-3°
C
アーミング時間 (@23 +/-3°
C) (2)
電気的アーミング
300
–
-
10
–
–
2
–
5
@ 2A
–
0.10
@ 5A
–
0.01
電気的アーミング
単位
300
-
mΩ
10
–
–
kΩ
2
–
5
A
–
–
0.10
–
–
0.01
-
Sec
-
この結果は、44.5 x 57.2 x 1.6 (mm) 1層 FR4 基板上銅厚70μm (2オンス) の配線を用い、RTP素子のPTHパッドに 645mm2の 銅厚70μm (2オンス) のヒートスプレッダ、P1バッドに
387mm2 の 銅ヒートスプレッダが接続している条件下で測定したものです。(RTP素子テスト基板図面参照)　結果は実装状態によって異なります。
(3) 動作電流はRTP素子テスト基板上で規定の温度で測定したものです。
この値は実装状態によって異なります。
(4) JEDEC J-STD-020Cに準拠。
(2)
circuitprotection.com/rtp-launch
4
過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向け リフロー対応温度ヒューズ
TE Connectivity
標準電気特性
(RPP) vs
Typical抵抗値
Resistance
(R温度
) Vs(代表値)
Temperature
PP
(Passive Testing)
Testing)
(Passive
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
RTP200R060SA
RTP140R060SD
0.5
0.5
RPP(mOhms)
(mΩ)
RPP
Typical Resistance
(RPP) Vs (R
Temperature
Typical Resistance
) Vs
Temperature
RTP200R060SA
PP
RTP200R060SA
(Passive(Passive
Testing)Testing)
RTP140R060SD
RTP140R060SD
RPP (mOhms)
RPP (mOhms)
RPP (mOhms)
RPP (mOhms)
Typical Resistance
(RPP) Vs (R
Temperature
Typical Resistance
) Vs Temperature
PP
(Passive(Passive
Testing)Testing)
0.5
RTP200R060SA
RTP200R060SA
RTP140R060SD
RTP140R060SD
0.5
0.5
0.0
-50
0
50
100
150
200
温度 (°
C) (°C)
Temperature
0.0
-50
0.0
-50 0
0 50
50 100
100150
150200
200
Temperature
(°C)
Temperature
(°C)
0.0
-50
0.0
-50 0
0 50
50 100
100150
150200
実装依存特性
200
40
RTP200R060SA
100
10 Current
Typical
Time-to-Open
Vs FaultVs
Current
(IPP Open)
Typical Time-to-Open
Fault
(IPP Open)
-55°C
-55°C
断線時間
遮断電流(I
(代表値)
for vs
RTP200R060SA
Device
for RTP200R060SA
Device
PP Open)
100
動作電流 vs30
温度
10
20
0
10
-50
30
40
20
30
20
RTP200R060SA
RTP200R060SA
RTP140R060SD
RTP140R060SD
10
10
20
0
-50
0
50
Time-to-Open
Time-to-Open
(sec)
(sec)
20
30
(上記の注に従って実装)
RTP140R060SD
(Mounted(Mounted
as described
in above notice)
as described
in RTP140R060SD
above notice)
動作電流
(A) (A)
Operating
Operating
Current
Current (A)
30
40
Time-to-Open
(sec)
Time-to-Open
(sec)
断線時間
(秒)
RTP200R060SA
RTP200R060SA
Operating
Current Current
Vs Temperature
Operating
Vs Temperature
10
100
101
0.11
100
Temperature (°C)
0
10
-50 0
0 50
50 100
100150
150200
200
0.01
0.1
Time-to-Open (sec)
Operating Current (A)
40
Operating
Current (A)
Operating
Current (A)
Typical Time-to-Open Vs F
Operating Current Vs Temperature
for RTP200R0
Temperature
Temperature
注: この結果は、
44.5
x(°C)
57.2 x 1.6(°C)
(mm) 1層 FR4 基板上銅厚70μm (2オンス) 2mΩの配線を用い、RTP素子のPTHパッドに 645mm2
(Mounted as described in above notice)
(Mounted as describe
の 銅厚70μm (2オンス) のヒートスプレッダが接続している条件下で測定したものです(RTP素子テスト基板図面参照)。
結果は実際
40
100 Current
Typical Time-to-Open
Vs Fault Vs
Current
(IPP Open)
Typical Time-to-Open
Fault
(IPP Open)
の基板構成に大きく依存します。
製品上での検証が必要です。
Operating
Current Current
Vs Temperature
RTP200R060SA
Operating
Vs Temperature
for RTP200R060SA
Device Device
for RTP200R060SA
(Mounted(Mounted
as described
in above notice)
RTP140R060SD
as described
in above notice)
(Mounted(Mounted
as described
in above notice)
as described
in above notice)
(Mounted
as described
in above notice)
(Mounted
as described
in above 23°C
notice) 23°C
(上記の注に従って実装)
10
100
101
0.11
0
-50 0
50 100
23°C
0.1
200
0
50
100150
150200
200
50
0
100
50
150
100
200
150
250
200
050
100
50
Typical Arming Time @ 23 +/-3°C
150
100
200
150
250
200
遮断電流
(A)(A)
Fault
Current
Fault
Current (A) Typical
2.0
3.0
1
0.1
3.0
3.0
4.0
4.0
5.0
5.0
(Mounted(Mounted
as described
in above notice)
as described
in above 23°C
notice)
0.01
50
0.1
0.01
7050
9070
2.0
3.0
3.0
4.0
4.0
ActivationActivation
Current - ICurrent
(A) - IARM (A)
ARM
circuitprotection.com/rtp-launch
5.0
5.0
0.01
50
0.01
7050
9070
11090
130
110
150
130
11090
130
110
170
150
4x .100
4x .100
170
150
150
130
23°C
90
110
190
170
210
190
210
190
170
.039
(1.00) 210
210
190
Fault Current
(A)
Fault
Current
3X(A)
ø.030±.003
3X ø.030±.003
4x .100
4x .100
4x .100
4x .100
.039 (1.00).039 (1.00)
AFTER PLATING
AFTER PLATING
PLATED THRU
HOLETHRU HOLE
PLATED
4x .100
4x .100
4x .100
4x .100
.039 (1.00).039 (1.00)
5
1.750
1.750
CTIVITY
2 JAN 2010
0.01
70
Fault
Current
(A)
遮断電流
(°
C)
Fault
Current (A)
CTIVITY
2 JAN 2010
2.0
23°C
+105°C +105°C
130
Fault Curr
アーミング電流
- IARM
(A)(A)
ActivationActivation
Current
- ICurrent
(A)
- IARM
ARM
0.01
0.1
0.01
50
5.0
23°C
+105°C
-40°C +105°C
-40°C
1
0.1
4.0
Activation Current - IARM0.1
(A)
2.0
10
1
E CONNECTIVITY
4225 Rev.2 JAN 2010
0.01
0.01
10
1
3X ø.030±.003
3X ø.030±.003
AFTER PLATING
AFTER PLATING
1.750
PLATED THRU
HOLETHRU HOLE
PLATED
(44.5)
st Board
2.0
0.1
RTP200R060SA
RTP200R060SA
RTP140R060SD
RTP140R060SD
0.1
(Mounted(Mounted
as described
in above notice)
as described
in above notice)
(上記の注に従って実装)
RTP140R060SD
st Board
0.01
アーミング
時間
(秒)
Arming Time
Arming
(sec)
Time
(sec)
Arming
Time (sec)
Arming Time
(sec)
0.1
300
(Mounted as describe
Time-to-Open (sec)
RTP200R060SA
RTP200R060SA
RTP140R060SD
RTP140R060SD
Time-to-Open
(sec)
断線時間
Time-to-Open
(sec) (秒)
Typical Arming
Time @ Time
23 +/-3°C
Typical Arming
@ 23 +/-3°C
(Mounted(Mounted
as described
in above notice)
as described
in above notice)
0.1
300
250
Time-to-Open Vs F
for RTP140R06
10 Time-to-Open
Typical
Vs FaultVs
Current
(IPP Open)
Typical Time-to-Open
Fault Current
(IPP Open)
1 Device
for RTP140R060SD
Device
for RTP140R060SD
-40°C -40°C
10
Time-to-Open
Time-to-Open
(sec)
(sec)
Arming Time (sec)
(上記の注に従って実装)
(Mounted(Mounted
as described
in above notice)
as described
in above notice)
0.1
300
RTP140R060SD
Typical Time-to-Open
Vs Fault Vs
Current
(IPP Open)
10 Current
Typical Time-to-Open
Fault
(IPP Open)
断線時間vs遮断電流(I
(代表値)
for
RTP140R060SD
Device
for RTP140R060SD
Device
PP Open)
RTP200R060SA
1
1
300
250
0.01
0
標準アーミング時間
@ +/-3°C
23@
+/-3°
C (代表値)
Typical
Arming
@ 23
Typical Time
Arming
Time
23 +/-3°C
1
150
0.01
0.1
(Mounted as described in above notice)
1
100
Fault Current
(A)
Fault
Current (A)
温度 (°
C) (°C)
Temperature
(°C)
Temperature
1
23°C
+175°C +175°C
Fault Curr
0
0.01
0 50
+175°C
-55°C +175°C
-55°C
0.01
150
Temperature
(°C)
Temperature
(°C)
0
-50
1
0.01
100
150
200
0
50
mperature (°C)
100
150
200
250
300
Fault Current (A)
過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向け リフロー対応温度ヒューズ
TE Connectivity
テスト基板44.5 x 57.2 x 1.6 mm、銅厚70μm (2オンス)
3X ø.030±.003
4x .100
4x .100
ng Time @ 23 +/-3°C
scribed in above notice)
3XAFTER
ø.030±.003(メッキ後寸法)
PLATING
スルーホール(メッキあり)
PLATED
THRU HOLE
.039 (1.00)
Cu 2.0 oz
TE CONNECTIVITY
T4225 Rev.2 JAN 2010
1.750
(44.5)
FFR4
RTP
テスト基板
FR4 RTP
Test
Board
RTP200R060SA
P1
ARM
PTH
4X4X
ø.0.65±.003
ø.065±.003穴
NON PLATED HOLE
(メッキ無し)
.039 (1.00)
4.0
5.0
2.250 (57.2)
urrent - IARM (A)
PTH パッド面積 = 661mm2, P1 , パッド面積 = 393mm2, ARM パッド面積 = 169mm2
寸法
L
RTP200R060SA
単位
最小
最大
H
6.00
6.35
mm
L
11.60
12.00
mm
W
5.25
5.50
mm
H
W
原材料情報
RoHS指令対応
ELV指令対応
鉛フリー
欧州指令 2000/53/EC対応
欧州指令 2002/95/EC対応
ハロゲンフリー*
Pb
HF
* ハロゲンフリーとはここでは(Br ≤ 900ppm、Cl ≤ 900ppm、Br+Cl ≤ 1500ppm)のこと。
推奨リフロー温度プロファイル
分類リフロー温度プロファイル
鉛フリーはんだ組み付け
平均温度上昇勾配 (TsMAX ～ Tp)
最大3°
C/秒
予備加熱
• 最低温度 (TsMIN)
• 最高温度 (TsMAX)
• 時間 (tsMIN ~ tsMAX)
150°
C
200°
C
60-180 秒
はんだ溶融温度超維持時間:
• はんだ溶融温度 (TL)
• 時間 (tL)
217°
C
60-150 秒
ピーク温度 (Tp)
260°
C
ピーク±5°
C温度維持時間
時間 (tp)
20-40 秒
下降勾配
最大6°
C/秒
25°
C（室温）からピーク温度に達する時間
最大8分
tp
Tp
TL
リフロー温度
Temperature
プロファイル条件
リフロー温度プロファイル
留意領域
Critical Zone
Ramp
up
温度上
TL to Tp
tL
Ts最大
MAX
TsMIN
最小
ts
Ramp
down
温度下降
Preheat
予備加熱
25
Reflow
Profile
プロファイル
t 25°C to Peak
Time
時間　⇒
circuitprotection.com/rtp-launch
6
過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向け リフロー対応温度ヒューズ
TE Connectivity
推奨レイアウト
保護性能を確保するには、熱源となる可能性がある部品との熱結合を密にする必要があります。RTP素子を使用して、FETや保護対象
となる部品の、最も熱を発するピンやヒートシンクと、PTHピンが銅パッドを共用するようにしてください。熱結合を適切に行うために、
基板レイアウトに関する以下の推奨事項を守ってください。
1. RTP素子のPTH パッドは、FETのヒートシンクと可能な限り近くに配置すること。
2. PTHパッドとFETのヒートシンクは厚みがあり幅のある銅配線で接続すること。
また、可能な限り離して配置すること。
このような銅層は、RTPから熱を奪うため、
3. 他の銅層がPTHパッドの直下にかからないようにし、
素子の熱検知の感度を鈍らせることになります。
4. 熱を奪う最上層の銅配線を、RTP素子のPTHパッドから可能な限り離して配置すること。
FR4 基板上に標準的パワーFETのパッケージ近くでRTP素子を実装した場合のレイアウト例
GNDまたは
RTP
RTP
素子の
device
パッド
pads
FET
FETのパッ
pads ド
Via to テストポイント
GND or TP
ARM
PTH
P1
注: RTP素子と熱源間での熱の伝わり方は、基板のレイアウトや、ヒートシンクの構造、他の部品の相対的配置や設計によって大きく異なります。
ご使用の際には、素子の最終的な実装状態で十分な保護性
能が保たれていることを必ず確認してください。
circuitprotection.com/rtp-launch
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過酷環境対応パワー･エレクトロニクス製品向け リフロー対応温度ヒューズ
TE Connectivity
その他の回路例(多FET構成など)
Load Resistance
Load Resistance
P1
N-Channel
PowerFET
電池 Battery
Battery
Battery
ローサイド・Nチャネル
単一FET保護
回路図
P
RTP1
Load Resistance
D
考慮事項
S
N-Channel
PowerFET
PTH
DNチャネルS
RTP
ARM
P1 PTH
• ローサイド・Nチャネル構成の場合、１つのRTP素子に対
して１つのFETのみを実装できます。
パワーFET
N-Channel
G
PowerFET
ARM
RTP
PTH
D
S
G
ARM
• 注: 負荷によってはアーミング電流に制限がかかる場合
があります。
G
D
S
PTH
RTP
ARM
P1 PTH
ARM
RTP
PTH
D
負荷1 1Load 1
Load 1 Load
電池 Battery
Battery Battery
単一FET
P
RTP1
S
G
D
ARM
S
G
G
D
S
S
D
G
G
D
P
RTP1
D
S
PTH
RTP
ARM
P1 PTH
ARM
RTP
PTH
D
S
G
D
G
S
負荷1 1
Load 1 Load 1Load
Load
負荷22
Load 2 Load 2
電池
Battery
Battery Battery
S
• ハイサイド・Nチャネル構成の場合、同一の実装用銅パッド
(ヒートシンク)を共用して、１つのRTP素子に対して複数
のFETを実装することができます。
• 多FET構成の場合、それぞれのFETに対して適切な熱の
応答性が確保されるか、十分に検証する必要があります。
P1
多FET
ハイサイド・NチャネルFET保護
P1
ARMヒートシンクの構造、他の部品の相対的配置や設計によって大きく異なります。ご使用の際には、素子の最終的な実装状態
注: RTP素子と熱源間での熱の伝わり方は、基板のレイアウトや、基板の材質、
G
G
で十分な保護性能が保たれていることを必ず確認してください。
認証試験
本RTP素子シリーズの認証テストは、関連する要求仕様の中で最も厳格な仕様に耐え得ることを実証する目的で、
「AEC車載用集積
回路信頼性試験 (AEC-Q100)」、
「AEC 車載用個別半導体信頼性試験 (AEC-Q101)」、
「AEC 車載用受動部品信頼性試験 (AEC-Q200)」に基
づいて計画・作成されています。
最新の認証状況および詳細なテスト手順については、TEのサーキット・プロテクションにお問い合わせください。
* 個々のテスト項目およびテスト条件のリストは、
ご希望に応じて開示します。
circuitprotection.com/rtp-launch
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製品に関するお問い合わせは...
TE Circuit Protection
308 Constitution Drive
Menlo Park, CA USA 94025-1164
Tel : (800) 227-7040, (650) 361-6900
Fax : (650) 361-4600
www.circuitprotection.com
www.circuitprotection.com.cn (Chinese)
www.te.com/japan/bu/circuitprotection/ (Japanese)
Brazil
Tel : 55-21-3958-0937
Email: [email protected]
Japan
Tel : 81-44-844-8194
Fax : 81-44-844-8040
China, Beijing
Tel : 86-21-6106-7597
Fax : 86-21-6485-3255
UK / Ireland / Benelux / Israel /
South Africa / France / Italy /
Portugal / Turkey / Greece / Spain
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Fax : 33-1-34208479
Korea
Tel : 82-2-3415-4654
Fax: 82-2-3486-1786
China, Shanghai
Tel : 86-21-6106-7379
Fax: 86-21-6485-3255
Taiwan
Tel : 886-2-2171-5213
Fax: 886-2-8768-1277
China, Shenzhen / Guangzhou
Tel : 86-755-2515-4780
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Germany / Austria / Switzerland /
Baltic / Eastern Europe /
Nordic / Others
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Singapore / Indonesia /
Australia / Philippines
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India
Tel : 91-80-4011-5647
Mobile : 91-99-0248-8886
China, Hong Kong
Tel : 852-2738-8181
Fax : 852-2735-0243
このカタログに記載の部品番号は特に記載のない限りRoHS指令対応*です。
*www.te.com/leadfreeにて規定されるとおりです。
te.com
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「TE」
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は、TEの販売に関する標準約款(TE Standard Terms and Conditions of Sale)に記載されている条項に限られ、いかなる場合もTEは、当社
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とがあります。またTEは、関連する仕様に抵触しない限り、購入者に連絡することなく材質および工程の変更を行う権利を有します。TEの担
当役員による表明されたまたは書面による同意なしには、TEは、原子力施設および航空宇宙分野、最重要生命維持装置・システムにおける
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