MB39C031 - Cypress Semiconductor

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
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本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用途の限定はありません) に使
用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重
大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管
制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2) 極
めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたものではありません。上記の製品
の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一
切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的
な損害を生じさせないよう、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお
願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基づき規制されている製品または
技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要となります。
商標および注記
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場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、開発を中止したりする権利を有します。このドキュメ
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せん。
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もしくは登録商標となっている場合があります。
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS405-00015-1v0-J
ASSP 電源用
SW FET 内蔵
2ch 降圧 DC/DC コンバータ+ 1ch LDO
MB39C031
 概要
MB39C031 は、2ch 降圧 DC/DC コンバータ, 1ch LDO を内蔵しています。システムのおもな電源
ラインを 1 チップで供給可能です。DC/DC コンバータには電流モード方式を採用し、SW FET 内
蔵による高スイッチング周波数動作でチップインダクタの使用が可能です。出力設定抵抗, 位相補
償回路を内蔵し、部品点数や実装面積の削減に貢献します。また、各 CH を ON/OFF 制御可能な
CTL 入力端子, パワーグッド信号出力端子, I2C 通信インタフェースを搭載しており電源シー
ケンスの設計が容易です。I2C 通信で出力電圧の微調整が可能で DVS/ASV システムへ対応可能で
す。
 特長
・ 動作入力電圧範囲:2.5V～5.5V(最大定格:7V)
・ 出力電圧設定可能範囲, 最大出力電流: DD1*:1.0V～1.3V (20mV/step), 1.4A(DC)
DD2*:1.2V～1.95V(50mV/step), 0.6A (DC)
LDO:2.8V/2.85V/3.0V/3.3V, 0.25A (DC)
(注意事項)それぞれ選択可能なプリセット電圧あり(計 32 種類のラインナップ)
・ ソフトスタート時間設定範囲: 0.9ms～14.3ms (約 0.9ms/step)
・ DC/DC 部のスイッチング周波数:3MHz (固定)
・ 通信インタフェース: I2C (ON/OFF, 出力電圧, ソフトスタート時間設定)
・ PFM/PWM 自動切換え機能内蔵
・ 内蔵機能: 出力設定抵抗, 位相補償回路, ディスチャージ抵抗, ソフトスタート
・ 各 CH パワーグッド出力機能(オープンドレイン)
・ 保護機能: 低入力時誤動作防止回路(UVLO), 過電流保護回路(OCP), 過熱保護回路(TSD)
・ エラー信号出力端子搭載(オープンドレイン)
・ 小型 PKG: QFN28 (4mm × 4mm × 0.8mm, 0.4mm pitch)
*: DC/DC コンバータ部 1, 2
 アプリケーション
・
・
・
・
ネットワーク機器: Wifi-tuner, 監視カメラ
データ記憶装置: HDD, SSD, 録画機器
画像・音声出力機器: MFP, プリンタ, スキャナ, プロジェクタ, 電子楽器, STB
各種端末: POS, FA, HEMS
など
Copyright©2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.10
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
r1.0
MB39C031
 応用回路例
Vin
5.0V
MB39C031
4.7μF
4.7μF
0.1μF
VCC
VCC
LX2
IN2
PGND2
CTL1
CTL2
CTLL
CTLMAIN
LDO
VR
VREF
Vo1
1.2V 1.4A
10μF
Vo2
1.8V 0.6A
10μF
LDO
3.3V 0.25A
10μF
VCCI2C
SCL
SDA
ADDSEL
0.1μF
1.5μH
1.5μH
0.1μF
Signal
0.47μF
LX1
IN1
PGND1
4.7μF
CTL Signal
I2C
PVCC1
PVCC2
PVCCL
100k 100k 100k 100k
PG1
PG2
PGL
ERR
GND
GND
2
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 推奨アプリケーション仕様
[入力電圧範囲]
入力電圧 VCC (V)
最小
標準
最大
2.5
3.6
5.5
[出力仕様]
(Ta=+25°C)
チャン
記号
ネル
出力 リミット
出力電圧 (V) 電流
電流
精度
(mA) (mA)
最小 標準 最大 最大
最小
0.99* 1.00* 1.01*
14.3
1.01 1.02 1.03
0.9*
1.03 1.04 1.05
1.8
1.05 1.06 1.07
2.7
1.07 1.08 1.09
3.6
1.09* 1.10* 1.11*
4.5
1.11 1.12 1.13
DD1
Vo1
方式
スイッ
ソフト ディス
出力
チング コイル
スタート チャージ
容量
周波数 (μH)
時間
抵抗
(μF)
(MHz)
(ms)
(kΩ)
1.13 1.14 1.15
±1.2%
1.15 1.16 1.17
1400
2000
降圧
(同期
整流)
5.4
3.0
1.5
10
C-mode
1.17 1.18 1.19
1.21 1.22 1.23
9.9
1.23 1.24 1.25
10.8
1.24 1.26 1.28
11.6
1.26 1.28 1.30
12.5
1.28* 1.30* 1.32*
13.4
1.19* 1.20* 1.21*
14.3
1.24 1.25 1.27
0.9*
1.28 1.30 1.32
1.8
1.33* 1.35* 1.37*
2.7
1.38 1.40 1.42
3.6
1.43 1.45 1.47
4.5
1.53 1.55 1.57
±1.2%
1.58 1.60 1.62
5
600
900
1.63 1.65 1.67
1.68 1.70 1.72
降圧
(同期
整流)
C-mode
5.4
3.0
1.5
10
6.3
7.2
8.1
9.0
1.73 1.75 1.77
9.9
1.78* 1.80* 1.82*
10.8
1.83 1.85 1.87
11.6
1.88 1.90 1.92
12.5
1.93 1.95 1.97
13.4
SWFET 内蔵
出力設定抵抗
内蔵
動作モード
切換
(Fixed PWM,
PFM/PWM)
9.0
1.48* 1.50* 1.52*
Vo2
7.2
8.1
1.19* 1.20* 1.21*
DD2
6.3
備考
5
SWFET 内蔵
出力設定抵抗
内蔵
動作モード
切換
(Fixed PWM,
PFM/PWM)
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
3
r1.0
MB39C031
チャン
記号
ネル
LDO
LDO
出力 リミット
出力電圧 (V) 電流
電流
精度
(mA) (mA)
最小 標準 最大 最大
最小
±1.8%
方式
スイッ
ソフト ディス
出力
チング コイル
スタート チャージ
容量
周波数 (μH)
時間
抵抗
(μF)
(MHz)
(ms)
(kΩ)
2.75 2.80 2.85
14.3
2.80* 2.85* 2.90*
0.9
2.95 3.00 3.05
1.8
3.24* 3.30* 3.36*
2.7*
-
-
-
3.6
-
-
-
4.5
-
-
-
5.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.1
-
-
-
9.0
-
-
-
9.9
-
-
-
10.8
250
300
LDO
-
-
4.7
6.3
7.2
-
-
-
11.6
-
-
-
12.5
-
-
-
13.4
備考
5
*: プリセット値
(注意事項) I2C にて出力電圧設定、ソフトスタート時間の変更が可能です。
4
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 端子配列図
VCC
ERR
PVCCL
LDO
PGL
CTLL
GND
(TOP VIEW)
28
27
26
25
24
23
22
CTL1
1
21
CTL2
PG1
2
20
PG2
PGND1
3
19
PGND2
LX1
4
18
LX2
PVCC1
5
17
PVCC2
IN1
6
16
IN2
CTLMAIN
7
15
VREF
Top View
11
12
13
14
ADDSEL
GND
VR
VCCI2C
10
SDA
9
SCL
8
VCC
EP(Exposed Pad)
(LCC-28P-M70)
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
5
r1.0
MB39C031
 端子機能説明(PKG)
回路
ブロック
DD1
DD2
LDO
CTL
ERR
端子記号
PKG 端子
I/O
端子数 番号
IN1
1
6
I
DD1･出力電圧フィードバッ
ク端子です。
-
GND 接続
-
-
-
PVCC1
1
5
-
DD1･出力部電源端子です。
-
VCC 接続
-
-
-
LX1
1
4
O
DD1･インダクタンス接続用
端子です。
-
オープン
-
-
-
PG1
1
2
O
DD1･パワーグッド出力端子
です。
-
オープン
-
-
-
PGND1
1
3
-
DD1･出力部 接地端子です。
-
GND 接続
-
-
-
IN2
1
16
I
DD2･出力電圧 フィードバッ
ク端子です。
-
-
GND 接続
-
-
PVCC2
1
17
-
DD2･出力部 電源端子です。
-
-
VCC 接続
-
-
-
-
オープン
-
-
LX2
1
18
O
DD2･インダクタンス接続用
端子です。
PG2
1
20
O
DD2･パワーグッド出力端子
です。
-
-
オープン
-
-
PGND2
1
19
-
DD2･出力部 接地端子です。
-
-
GND 接続
-
-
PVCCL
1
26
-
LDO･電源端子です。
-
-
-
VCC 接続
-
LDO
1
25
O
LDO･出力端子です。
-
-
-
オープン
-
PGL
1
24
O
LDO･パワーグッド出力端子
です。
-
-
-
オープン
-
CTL1
1
1
I
DD1 コントロール端子です。
○
オープン
-
-
-
CTL2
1
21
I
DD2 コントロール端子です。
○
-
オープン
-
-
CTLL
1
23
I
LDO コントロール端子です。
○
-
-
オープン
-
CTLMAIN
1
7
I
共通部, デジタル部コント
ロール端子です。*
○
-
-
-
-
ERR
1
27
O
ERR 信号出力端子です。
-
-
-
-
-
共通部
-
2
VCCI2C
1
9
-
I C 用電源端子です。
-
-
-
-
GND 接続
SCL
1
10
I
I2C クロック端子です
×
-
-
-
オープン
SDA
1
11
I/
O
I2C データ入出力端子です。
×
-
-
-
オープン
ADDSEL
1
12
I
スレーブアドレスの切換端子
です。
○
-
-
-
オープン
VCC
2
8,
28
-
制御回路部 電源端子です。
-
-
-
-
-
VREF
1
15
O
基準電圧(2.4V)出力端子です。
-
-
-
-
-
VR
1
14
O
基準電圧(0.6V)出力端子です。
-
-
-
-
-
GND
2
13,
22
-
制御回路部 接地端子です。
-
-
-
-
-
GND
1
EP
-
接地端子です。
-
-
-
-
-
2
IC
機能説明(PKG)
2
DD1
DD2
LDO
I C 通信
プル
未使用時 未使用時 未使用時 未使用時
ダウン
の PAD の PAD の PAD の PAD
抵抗
処理
処理
処理
処理
*: DD1, DD2, LDO を ON する場合は、CTLMAIN も"H"にしてください。詳細は、
「■動作モード一覧」
を参照してください。
6
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 ブロックダイヤグラム
IN1
PVCC1
<<DD1>>
VCC:2.5V~5.5V
L Priority
A
VCC
VCC
VCC
ErrAMP
ctl1
ICOMP
0.6V
DEC
UVLO
POR
A
PWM
Logic AST
Control
LX1
LV
CNV
Vo1:1.00V～1.30V
(20mV step)
Io(Max):1400mA
PGND1
SLP
PG1
IN2
scp1
cs1
vsel1
clk1
PVCC2
<<DD2>>
L Priority
B
VCC
VCC
VCC
ErrAMP
ctl2
ICOMP
0.6V
DEC
UVLO
POR
B
PWM
Logic AST
Control
LX2
LV
CNV
Vo2:1.20V～1.95V
(50mV step)
Io(Max):600mA
PGND2
SLP
PG2
cs2
vsel2
scp2
clk2
PVCCL
<<LDO>>
LDO:2.80V/2.85V/
3.00V/3.30V
Io(Max):250mA
LDO
0.6V
ctll
DEC
UVLO
POR
csl
vsell
PGL
scpl
VREF
CTLMAIN
Logic制御部
ctlmain
VCCI2C
SCL
SDA
ADDSEL
CTL1
ctl1
CTL2
ctl2
CTLL
ctll
scp1/2/l
ERR
SCP( カウンタ＆ラッチ )
OTP
ソフトスタート制御
出力電圧切替制御
ctlmain
cs1/2/l
VCC
共通部電源
共通部
vsel1/2/l
VR,OSC,logic電源
VREF
VCC
BGR
UVLO
VREF
VREF
基準 0.6V
OSC
CT
VR
RT
clk1/2
VREF
(2.4V)
VR
GND
GND
:端子
(0.6V)
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
7
r1.0
MB39C031
 絶対最大定格
項目
記号
条件
定格値
最小
VCC, PVCC1, PVCC2,
PVCCL, VCCI2C 端子
CTLMAIN, 1, 2, L 端子
VCTL
入力電圧
IN1, IN2 端子
VOUT
Vlogic SDA, SCL 端子
LX 電圧
LX1, LX2 端子
VLX
-0.3
Ta≦+25°C
許容損失
PD
熱抵抗値(θj-a):(50°C/W*)
最大ジャンクション温度
Tjmax
保存温度
TSTG
-55
*: QFN28 (LCC-28P-M70) PKG, 4 層 0.8mm 厚 117mm × 84mm 基板実装時
電源電圧
VCC
最大
単位
7
V
7
7
7
+7
V
V
V
V
1720
mW
+125
+125
°C
°C
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを破壊
する可能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意くだ
さい。
8
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 推奨動作条件
項目
記号
DC/DC
CH
動作温度
電源電圧
入力電圧
VCC
IREF
IR
Ta
VCC
VOUT
LDO CH
電源電圧
VCC
電源電圧
共通部分
基準電圧
出力電流
CTL 部
入力電圧
VCTL
電源電圧
VCC
デジタル
ロジック
部(I2C)
Vlogic
入力電圧
*: CTLMAIN, CTL1, CTL2, CTLL
条件
VCC 端子
VREF 端子
VR 端子
VCC, PVCC1, PVCC 2 端子
IN1, IN2 端子
VCC, PVCCL 端子
出力電圧設定:default (3.3V)
CTL*端子
VCCI2C 端子
SDA, SCL 端子
最小
規格値
標準
最大
2.5
-1
-1
-30
2.5
0
3.6
+25
3.6
-
5.5
0
0
+85
5.5
VCC
V
mA
μA
°C
V
V
3.5
3.6
5.5
V
0
1.76
-
VCC
3.37
V
V
0
-
VCCI2C
V
単位
＜注意事項＞ 推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の
規格値は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してくだ
さい。この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証してい
ません。記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門まで
ご相談ください。
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
9
r1.0
MB39C031
 電気的特性
1. 共通部
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1, PVCC2, L=3.6V)
項目
基準電圧部
[VR , VREF]
低入力時
誤動作防止
回路部
[VCC UVLO]
過電流保護
回路部 [OCP]
過熱保護回路部
[TSD]
コントロール部
( CTL ) [CTL]
出力電圧
スレッショル
ド電圧
ヒステリシス
幅
記号
VR
VREF1
VREF2
VREF3
VTH
条件
規格値
最小 標準 最大
単位
VR 端子=0mA
VREF 端子=0mA
VCC 端子=2.5V~5.5V
VREF 端子=0mA~-1mA
0.594
2.376
2.370
2.370
0.600
2.400
2.400
2.400
0.606
2.424
2.430
2.430
V
V
V
V
VCC 端子=
2.156
2.20
2.244
V
VH
-
-
0.20
-
V
タイマ時間
tOCP1
DD1, DD2, LDO Default 値
0.5
1
1.5
ms
停止温度
TTSDH
-
-
150*
-
°C
入力電圧
VIH
CTL*端子
VIL
CTL*端子
CTL*端子=3.6V
CTL*端子=0V
入力電流
入力
プルダウン
抵抗
ICTLH
ICTLL
RP
CTL*端子
VCC
× 0.7
0
2.7
-
-
VCC
V
3.6
-
0.4
5.1
1
V
μA
μA
-
1
-
MΩ
0
1.0
μA
80
120
μA
200
300
μA
450
680
μA
10.8
16.2
mA
7.2
12.0
μA
CTL*端子=0V
CTLMAIN=3.6V
IVCCS2
CTL1, 2, L 端子=0V
CTLMAIN, L 端子=3.6V
IVCC
LDO のみ動作 無負荷
CTL*端子=3.6V
全 CH 無負荷
全デバイス
IVCC
電源電流
(DD 動作モード:
(DC/DC 部)
PFM/PWM モード)
CTL*端子=3.6V
全 CH 無負荷
IVCC
(DD 動作モード:
Fixed PWM モード)
CTLMAIN, L 端子=3.6V
IVCCI2C
VCCI2C 端子=1.8V
*: この値は規格値ではありません。設計する際の目安としてお使いください。
IVCCS1
10
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
2. DD1, DD2
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1, PVCC2, L=3.6V)
DC/DC
コンバータ部
[DD1]
項目
記号
出力電圧
VOUT
入力安定度
VLINE
負荷安定度
VLOAD
IN1 端子
入力インピーダンス
SW PMOS-Tr
ON 抵抗
SW NMOS-Tr
ON 抵抗
SW PMOS-Tr
リーク電流
SW NMOS-Tr
リーク電流
過電流保護値
PFM/PWM 切換電流
ディスチャージ抵抗
ソフトスタート時間
スイッチング周波数
RIN
条件
出力電圧設定: 1.2V
IOUT=-10mA
IOUT=-10mA,
VCC=2.5V~5.5V
IOUT=-1mA~-1400mA
(Fixed PWM モード時)
IOUT=-1mA~-1400mA
(PFM/PWM モード時)
IN1 端子=1.5V
出力電圧設定: 1.2V
規格値
最小 標準 最大
単位
1.186
1.20
1.214
V
-5
-
+5
mV
-10
-
-
mV
-10
-
+15
mV
-
400
-
kΩ
RPMOS
LX1 端子=-30mA
-
0.12*
-
Ω
RNMOS
LX1 端子= 30mA
-
0.09*
-
Ω
ILEAK
LX1 端子=0V
-1
-
-
μA
ILEAK
LX1 端子=3.6V
-
-
1
μA
ILIMIT
IPFM
RDIS
tSS
fOSC
L=1.5μH
L=1.5μH
2000
0.8
2.7
40*
5
0.9
3.0
1.0
3.3
mA
mA
kΩ
ms
MHz
1.778
1.80
1.822
V
-5
-
+5
mV
-10
-
-
mV
-10
-
+20
mV
300
-
kΩ
0.16*
-
Ω
0.14*
-
Ω
-
-
μA
-
1
μA
70*
5
0.9
3.0
1.0
3.3
mA
mA
kΩ
ms
MHz
出力電圧
VOUT
入力安定度
VLINE
負荷安定度
VLOAD
プリセット値
出力電圧設定: 1.8V
IOUT=-10mA
IOUT=-10mA
VCC=2.5V~5.5V
IOUT=-1mA~-600mA
(Fixed PWM モード時)
IOUT=-1mA~-600mA
(PFM/PWM モード時)
IN2 端子=2.0V
出力電圧設定: 1.8V
IN2 端子入力
RIN
インピーダンス
SW PMOS-Tr
DC/DC
LX2 端子=-30mA
RPMOS
ON 抵抗
コンバータ部
SW NMOS-Tr
[DD2]
LX2 端子= 30mA
RNMOS
ON 抵抗
SW PMOS-Tr
LX2 端子=0V
ILEAK
-1
リーク電流
SW NMOS-Tr
LX2 端子=3.6V
ILEAK
リーク電流
過電流保護値
ILIMIT
L=1.5μH
900
PFM/PWM 切換電流
IPFM
L=1.5μH
ディスチャージ抵抗
RDIS
ソフトスタート時間
プリセット値
tSS
0.8
スイッチング周波数
fOSC
2.7
*: この値は規格値ではありません。設計する際の目安としてお使いください。
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
11
r1.0
MB39C031
3. LDO
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1, PVCC2, L=3.6V)
LDO 部
[LDO]
項目
記号
出力電圧
VOUT
入出力電圧差
VDIF
入力安定度
VLINE
負荷安定度
VLOAD
リップル除去比
過電流保護値
制御マクロ消費
電流
ディスチャージ
抵抗
ソフトスタート
時間
規格値
最小 標準 最大
条件
ILIMIT
IPVCCLS
IPVCCL
出力電圧設定: 3.3V
IOUT=-10mA
IOUT=-10mA
IOUT=-10mA,
VCC=3.5V~5.5V
IOUT=-1mA~-150mA
PVCCL=0.2Vrms, f=10Hz,
IOUT=-150mA
PVCCL=0.2Vrms, f=10kHz,
IOUT=-150mA
Vout×0.9
スタンバイ時
IOUT=0mA
RDIS
-
RR
tSS
Default 値
単位
3.241
3.300
3.359
V
-
-
0.20
V
-5
-
+5
mV
-30
-20
-
mV
35
75
-
dB
15
50
-
dB
300
-
0
80
1
105
mA
μA
μA
-
5
-
kΩ
2.4
2.7
3.0
ms
4. デジタル部
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1, PVCC2, L=3.6V)
項目
パワーグッド
部
[Power Good ]
エラー部
[ERR]
記号
出力電圧
VOL
出力電流
IOL
低電圧検出
Vth
パワーオン
検出電圧
Vth
出力電圧
出力電流
VOL
IOL
VIH
入力電圧
VIL
IIH
I2C 部[I2C]
入力電流
IIL
条件
PG1, PG2, L 端子
IOL=1mA
PG1, PG2, L 端子
IN1, IN2, LDO 端子
=
IN1, IN2, LDO 端子
=
ERR 端子 IOL =1mA
ERR 端子
SCL, SDA 端子
VCCI2C=3.3V
SCL, SDA 端子
VCCI2C=3.3V
SCL, SDA 端子
VCCI2C=3.3V
SCL, SDA 端子
VCCI2C=3.3V
SDA 端子 IOL =3mA
SDA 端子
最小
規格値
標準
最大
-
-
0.4
V
1
-
-
mA
-
Vo × 0.75*
-
V
-
Vo × 0.85*
-
V
1
VCCI2C ×
0.7
-
0.4
-
V
mA
-
VCCI2C
V
0
-
VCCI2C ×
0.3
V
-
-
10
μA
-10
-
-
μA
0.4
-
V
mA
-
MΩ
出力電圧
VOL
出力電流
IOL
3
入力プルダ
ADDSEL 端子
RP
1
ウン抵抗
*: この値は規格値ではありません。設計する際の目安としてお使いください。
12
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
単位
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 動作モード一覧
モード
スタンバイ
スタンバイ 2
通常
ERR 検出
CTLMAIN (外部)
L
H
H
H
CTL1 (外部/I2C)
L
L
H/L
X
CTL 信号
CTL2 (外部/ I2C)
L
L
H/L
X
CTLL (外部/ I2C)
L
L
H/L
X
共通部
OFF
ON
ON
ON
デジタル部
OFF
ON
ON
ON
動作
OSC, VR 部
OFF
OFF
ON*2
OFF
ブロック
DD1
OFF
OFF
ON/OFF
OFF
DD2
OFF
OFF
ON/OFF
OFF
LDO
OFF
OFF
ON/OFF
OFF
I2C 通信
I2C 通信
不可
可
可
可
過熱保護 (TSD)
なし
なし
あり
*1
保護動作
過電流保護 (OCP)
なし
なし
あり
*1
*1: ERR を検出後の状態です。電源再投入または CTLMAIN 再投入で ERR 検出モードを解除できます。
*2: LDO のみ動作時は LDO 起動後に OSC 部は停止(OFF)します。また LDO 起動後も VR 部は動作(ON)
を継続します。
・CTL1, CTL2, L の外部端子/I2C 通信の優先度
CTLMAIN
(外部端子)
CTL*
(外部端子)
CTL*
(I2C 通信)
当該 CH
H
H
H
使用禁止
H
H
L
ON
H
L
H
ON
H
L
L
OFF
通信不可
L
X
OFF
*: ・I C 通信は外部 CTLMAIN 端子"H"にして共通部, デジタル部が起動後から有効
・DD1, DD2, LDO の ON/OFF 制御を外部端子で行う場合は I2C での ON/OFF 制御を行わないでくださ
い。I2C で ON/OFF 以外の制御は可能です。
・DD1, DD2, LDO の ON/OFF 制御を I2C で行う場合は CTL*端子は"L"を入力してください(端子は
オープンまたは GND 接続)
2
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
13
r1.0
MB39C031
 状態遷移図
スタンバイ
(1)
(2)
スタンバイ2
(3)
(4)
通常
(5)
(6)
エラー検出
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
外部 CTLMAIN 端子"H"
外部 CTLMAIN 端子"L"
外部 CTL 端子"H" / I2C 通信 "当該 CH_ON"
外部 CTL 端子"L" / I2C 通信 "当該 CH_OFF"
エラー検出(OCP, OCP_1ms 継続)
電源再投入(uvlo_vcc リセット電圧以下)、または CTLMAIN を"L"
(注意事項) ・DD1, DD2, LDO の ON/OFF 制御を外部端子で行う場合は I2C での ON/OFF 制御を行わない
でください。I2C で ON/OFF 以外の制御は可能です。
・DD1, DD2, LDO の ON/OFF 制御を I2C で行う場合は CTL*端子は"L"を入力してください。
(端子はオープンまたは GND 接続)
14
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 投入切断シーケンス (CTL*: CTL1, CTL2, CTLMAIN=VCC同時投入)
2.0V
2.2V
VCC
VCCI2C
0V
CTL*
uvlo_vcc
(IC内部信号)
2.4V
VREF
90%
VR
0.6V
osc (IC内部信号)
ctl* (IC内部信号)
DD1
85%
ディスチャージ
85%
ディスチャージ
PG1
DD2
PG2
UVLO解除～DD*起動
ソフトスタート時間
開始までの時間*
Typ:200μS
Max:300μS
*: VREF, VR の起動は VREF 端子容量,VR 端子容量に依存します。
上記シーケンス図の時間は下記の条件の場合です。
・VREF 端子容量 : 0.1μF
・VR 端子容量
: 0.47μF
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
15
r1.0
MB39C031
 CTL投入切断シーケンス 1 (VCC → CTL: CTL1, CTL2, CTLMAIN)
VCC
3.6V
VCCI2C
0V
CTL*
uvlo_vcc
(IC内部信号)
2.4V
VREF
90%
VR
0.6V
osc (IC内部信号)
ctl*(IC内部信号)
85%
ディスチャージ
85%
ディスチャージ
DD1
PG1
DD2
PG2
CTL*投入～DD*起動 ソフトスタート時間
開始までの時間*
Typ:270μS
Max:450μS
*: VREF, VR の起動は VREF 端子容量,VR 端子容量に依存します。
上記シーケンス図の時間は下記の条件の場合です。
・VREF 端子容量 : 0.1μF
・VR 端子容量
: 0.47μF
16
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 CTL投入切断シーケンス 2 (VCC→CTLMAIN→CTL1→CTL2)
VCC
3.6V
VCCI2C
0V
CTLMAIN
uvlo_vcc
(IC内部信号)
2.4V
VREF
CTL1
(1)
90%
VR
0.6V
osc (IC内部信号)
ctl1 (IC内部信号)
DD1
(2)
ディスチャージ
85%
PG1
ソフトスタート時間
CTL2
ctl2 (IC内部信号)
85%
DD2
ディスチャージ
PG2
ソフトスタート時間
(1) CTLMAIN 投入から VREF 起動完了(=通信可能)までの時間*
Typ: 130μS, Max:200μS
(2) CTL1 投入から ctl1(IC 内部信号)"H"までの時間*
Typ: 150μS, Max: 250μS
*: VREF, VR の起動は VREF 端子容量,VR 端子容量に依存します。
上記シーケンス図の時間は下記の条件の場合です。
・VREF 端子容量 : 0.1μF
・VR 端子容量
: 0.47μF
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
17
r1.0
MB39C031
 CTL端子スレッショルド電圧
CTL*端子の入力回路構成はシュミットトリガ形式となっており、CTL* OFF→ON 時、および ON→
OFF 時のスレッショルド電圧はヒステリシス特性を示します。
(「・CTL*端子 等価回路図」を参照してください。)
また、スレッショルド電圧レベルは VCC 端子電圧に依存します。
なお、CTL*端子には、必ず"H"レベル(>"VCC×0.7"V), "L"レベル(<0.4V)のいずれかを入力してくださ
い。
・CTL*端子 等価回路図
CTLスレッショルド電圧
はヒステリシス特性を
示します。
VCC
ESD保護素子
CTL*
ESD保護素子
GND
18
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 保護動作シーケンス
・ DD チャネル
DD チャネルは動作中 FET 電流のピーク値を随時監視しています。DD 出力は過電流状態となった場
合出力電圧を低下させます。その後タイマ動作を行い約 1ms 経過後出力停止します。
・ LDO チャネル
過負荷や出力過電流による破壊を防止するため、フの字型の過電流保護回路を内蔵しています。
LDO の過電流保護値(ILIMIT)付近をピークに過電流電流(Is)まで、
出力電流と出力電圧を制限します。
このとき、出力電圧 Vo が検出電圧 Vd(Vd:Vo×0.5)より低い電圧になると、タイマ動作を行い約 1ms
経過後出力停止します。なお、ソフトスタート時(0V~Vo×0.7)には過電流保護回路は動作しないため
出力停止せずエラー信号も出力しません。ただし、フの字型過電流保護特性は機能しています。
下図にフの字型過電流保護特性を示します。
出力電圧
Vo
出力電圧設定値
Vo
Vo×0.5
Vd
Vo×0.7
Vo×0.9
Is
ILmax
ILIMIT
出力電流 Io
t
ソフトスタート
過電流保護回路停止
(出力停止しない）
過電流保護回路動作
(出力停止する)
フの字特性過電流機能
(過電流リミット動作)
・ 過熱保護
過熱保護回路は接合部温度が+150℃に達すると全 CH OFF します。
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
19
r1.0
MB39C031
・ エラー検出シーケンス
DD1, DD2, LDO
IC全体
通常動作
通常動作
過電流検出
過熱保護
電圧垂下
No
1ms
継続？
Yes
ERR検出モード
ERROR信号出力(ERR端子)
・ ERR 検出モードの解除
ERR 検出モードを解除するためには電源再投入、または CTLMAIN 再投入が必要です。
20
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 保護回路の動作条件, 停止回路, 解除条件
チャン
ネル
DD1, DD2
保護時
動作
ディス
チャージ
ディス
チャージ
LDO
ERR 出力
(ERR 端子)
-
過電流保護
(OCP)
作動条件:
過電流状態にて約 1ms 経
過後
保護動作時の処理:
DD1, DD2, LDO の停止
復帰条件:
(1) 電源再投入
(2) CTLMAIN 再投入
作動条件:
過電流状態にて約 1ms 経
過後
保護動作時の処理:
DD1, DD2, LDO の停止
復帰条件:
(1) 電源再投入
(2) CTLMAIN 再投入
DD1, DD2, LDO のいずれ
かの CH にて OCP 検出時
に"L"出力
低 VCC 時誤動作防止
(UVLO)
作動条件:入力電圧低下
保護動作時の処理:
DD1, DD2, LDO の停止
復帰条件: 入力電圧上昇
UVLO は CTLMAIN が
"H" (共通部が動作) 時
に動作します。
変化なし
過熱保護
(TSD)
作動条件:
チップ温度上昇
保護動作時の処理:
DD1, DD2, LDO の停止
復帰条件:
(1) 電源再投入
(2) CTLMAIN 再投入
TSD は CTLMAIN が"H"
かつ CTL1, CTL2, L の
いずれかが"H"時のみ
動作します。
TSD 検出時に"L"出力
過電流保護タイマ動作中の過熱保護(TSD)動作
過電流保護(OCP)タイマ動作中に過熱保護(TSD)が動作した場合、過熱保護が優先されます。
低 VCC 時誤動作防止(UVLO)解除時の動作
DD1, DD2, LDO: CTL*端子の条件に従い起動
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
21
r1.0
MB39C031
 DDソフトスタート動作
DD 起動時の突入電流防止のため、DD1, DD2, LDO のソフトスタート動作が可能です。ソフトスター
ト時間は I2C により制御可能です。
ソフトスタート制御: DD1, DD2, LDO で設定可能です。
・DD, LDO ソフトスタート
出力電圧設定値
ソフトスタート時間
CH ON/OFF信号 (内部信号)
t
22
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 ディスチャージ動作
・DD チャネル
CH ON/OFF 信号にて DD OFF にすると、各出力電圧に充電された DC/DC 平滑容量を IC 内部で設定
した放電用抵抗にて放電し出力電圧を徐々に低下させます。ただし DC/DC コンバータの負荷電流に
より、ディスチャージ時間は変化します。ディスチャージ時間は次式で求められます。
ディスチャージ時間 (無負荷で出力 10%になるまでの時間)
toff(s)≒2.3 × RDIS × Cout(F)
(注意事項) ディスチャージ抵抗値は「■電気的特性」の表を参照してください。
INx
A
R1
PVCCX
放電用抵抗
R2
A
Error
Amp
LXx
Cout
0.6V
PGNDx
CH ON/OFF Cont.
・LDO チャネル
CH ON/OFF 信号にて LD OFF にすると、出力電圧に充電された出力容量を IC 内部で設定した放電用
抵抗にて放電し出力電圧を徐々に低下させます。ただし出力負荷電流により、ディスチャージ時間
は変化します。ディスチャージ時間は次式で求められます。
ディスチャージ時間(無負荷で出力 10%になるまでの時間）
toff(s)≒2.3 × RDIS × Cout(F)
(注意事項) ディスチャージ抵抗値は「■電気的特性」の表を参照してください。
PVCCL
0.6V
LDO
+
放電用抵抗
Cout
CH ON/OFF Cont.
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
23
r1.0
MB39C031
 PG1/PG2/PGL端子, ERR端子について
各 CH のパワーグッド出力用として下記端子が用意されています。
・PG1
DD1 のパワーグッド出力用端子です。
DD1 ON 時に出力電圧が設定値の 85%を超えると"H"を出力します。
また、"H"出力後に出力電圧が設定値の 75%以下となると"L"を出力します。
DD1 OFF 時は"L"を出力します。
・PG2
DD2 のパワーグッド出力用端子です。
DD2 ON 時に出力電圧が設定値の 85%を超えると"H"を出力します。
また、"H"出力後に出力電圧が設定値の 75%以下となると"L"を出力します。
DD2 OFF 時は"L"を出力します。
・PGL
LDO のパワーグッド出力用端子です。
LDO ON 時に出力電圧が設定値の 85%を超えると"H"を出力します。
また、"H"出力後に出力電圧が設定値の 75%以下となると"L"を出力します。
LDO OFF 時は"L"を出力します。
エラー状態出力用として下記端子が用意されています。
・ERR 端子
エラー状態出力用端子です。エラー検出モード時に"L"を出力します。
ERR 検出モードは電源再投入、または CTLMAIN 再投入で解除されます。
24
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 I2Cインタフェース
2
1. I Cインタフェースの構成
I2C インタフェースは、SCL (シリアル クロック ライン) と SDA (シリアル データ ライン) の
2 本の信号線 (バス) を使って、1 バイト(8 ビット) 単位のデータ通信を行います。
このバスには、複数の
・master
: clock 信号を発生し、データ転送を制御するデバイス (CPU など)
・slave
: master から address を指定されるデバイス
が接続されます。
本 IC は、slave として設定されており、master となる機能はありません。
各デバイスは、通信の方向により
・transmitter : データをバスに送信するデバイス
・receiver
: データをバスから受信するデバイス
と定義されます。
本 IC は、transmitter / receiver 両方の機能を持っています。
SCL
SDA
transmitter
receiver
master
receiver
slave1
transmitter
slave2
本 IC では、
・書込み(write) : master から data が送信され、本 IC が data を受信すること
・読出し(read) : 本 IC が data を送信し、master は data を受信すること
と定義しています。
2. 信号線の定義
SCL と SDA は、プルアップ抵抗により、電源に接続されます。
出力回路は、Open Drain 出力となっています。
バスを使用していない (待ち受け状態) ときは、Open Drain を OFF し、open "H"となります。
(注意事項) SCL, SDA 端子には ESD 強化のため標準 I2C 仕様と異なる ESD 保護方法を採用していま
す(「■入出力回路形式」を参照してください)。
バスラインに電源が入っている場合は、IC の電源(VCCI2C)を切断しないでください。
2
I C バスライン電源
R
R
Pull-up
SCL
SDA
input
IC内
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
input
output
25
r1.0
MB39C031
3. dataの有効性
data は
・ SCL が"L"レベルのときに変化
・ SCL が"H"レベルの間は、状態を保持
の場合、有効です。
SCL
SDA
data
state
data
change
data
state
なお、SCL が"H"レベルのときの SDA 信号変化は、start または stop コンディションを意味します。
4. startとstop コンディションの定義
start と stop コンディションは、master から出力され、slave に対して通信の開始と終了を指示します。
・ Start
・ Stop
: SCL が"H"のとき、SDA が"H"→"L"へ変化する。
: SCL が"H"のとき、SDA が"L"→"H"へ変化する。
SCL
SDA
S
start
condition
26
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
P
stop
condition
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
5. ACK信号
通信を行っているとき、data 受信の確認を行う信号です。
receiver は、data を 1 バイト (8 ビット) 受信するごとに、transmitter に対して data を受信できたこと
を示す ACK 信号を返します。ACK 信号は、master が発生する SCL 信号に合わせ、data 8 ビット送信
後の 9 clk 目にて、送信されます。
・ transmitter は、SCL9 clk 目に SDA 出力"open H"を維持します。
・ receiver は、SCL9 clk 目に
data が受信できた場合
: SDA 出力"L" (ACK)
data が受信できなかった場合
: SDA 出力"open H"(NACK)
を出力し、transmitter に data 受信状況を知らせます。
ただし、master が receiver となっている場合、slave transmitter に対して、data 送信を終了しバスを開
放させるため、最後の data 受信後は、ACK を返しません。この場合、slave transmitter は、バスを開
放 (open H) し、master からの stop コンディション受信待ち受け状態になります。
SCL
from master
SDA
by transmitter
1
8
9
10
bit0
bit7
H hold
bit0
NACK
SDA
by receiver
ACK
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
27
r1.0
MB39C031
2
6. I Cインタフェース入力タイミング
(推奨動作条件下)
規格値
項目
記号
SCL clock 周波数
Start コンディション
ホールド時間
Restart コンディション
セットアップ時間
Stop コンディション
セットアップ時間
Stop ~ Start バス開放時間
SCL "L" 時間
SCL "H" 時間
SCL/SDA 立上り時間
SCL/SDA 立下り時間
Data ホールド時間
Data セットアップ時間
SCL/SDA 容量性負荷
・
・
SCL=100kHz
最小
最大
SCL=400kHz
最小
最大
単位
fSCL
-
100
-
400
kHz
tHD:start
4.0
-
0.6
-
μs
tSU:start
4.7
-
0.6
-
μs
tSU:stop
4.0
-
0.6
-
μs
tbuf
tLow
tHigh
tr
tf
4.7
4.7
4.0
0.0
0.25
-
1.0
0.3
400
1.3
1.3
0.6
0.0
0.10
-
0.3
0.3
400
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
pF
tHD:data
tSU: data
Cb
VIH/VIL レベル基準
I2C バス仕様書に準拠
tr
S
tf
tHigh
Sr
tLow
P
SCL
tbuf
SDA
tHD:start
tSU:data
tHD:data
28
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
tSU:start
tSU:stop
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
7. Slave Address
I2C インタフェースで通信するときの slave address です。
本 IC の slave address は以下のとおり最初の 7 ビットで設定します。
7 番目のビットは ADDSEL 端子に従い、"0"/"1"が可変します。
8 番目のビットは最下位ビット (LSB) と呼ばれメッセージの方向を決定するためのビットです。
8 番目のビットが "0"ならマスタからスレーブに向かって情報の書込み(W)が行われることを示しま
す。"1"ならマスタがスレーブから情報を読み込む(R)ことを示します。
ゼネラル・コール・アドレスには対応しておりません。
・ADDSEL 端子"H"の場合
slave address
S
T
A
R
T
0
1
0
1
1
1
1
MSB
R/W
LSB
S
T
O
P
・ADDSEL 端子"L"の場合
slave address
S
T
A
R
T
0
1
0
1
MSB
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
1
1
0
R/W
LSB
S
T
O
P
29
r1.0
MB39C031
2
8. I Cインタフェース上でのdataのビット構成について
(1) レジスタへのデータ書込み, 読出し
data 列は、最上位ビット(MSB)から最下位ビット(LSB)の順番で送受信されます。
No.
S
T
A
R
T
slave address
1
2
3
4
5
6
7
8
A
C
K
S 0 1 0 1 1 1 1 W
register address
1
2
3
4
5
6
7
8
A
C
K
0 0 0 0 0 0 1 0
data
1
2
3
4
5
6
7
8
S
A T
C O
K P
a b c d e f g h
P
*ADDSEL 端子"H"の場合
Register
DATA
address
00H
01H
02H
10H
11H
..
..
D07
D06
D05
D04
D03
D02
D01
D00
a
b
c
d
e
f
g
h
Write data 送信後は、"stop"コンディションを出力してください。
30
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
(2) I2C インタフェース data フォーマット
I2C の通信について
1. 異なる slave address がきた場合、salve address を受信後 ACK を返さないことで ID が一致しないこ
とを知らせます。
2. すべてのレジスタは各設定の 8 ビットデータを受け取った後の ACK の信号にて内部レジスタへの
書込みを行います。
3. 存在しない Register address が指定された場合、データはレジスタには書き込まれません。
4. Write データ送信後は"stop" コンディションを出力してください。
<書込み(W)時>
S
T
A
R
T
A
C
K
slave address
register address
A
C
K
DATA 1 data
S 0 1 0 1 1 1 1 W
S
A T
C O
K P
P
*ADDSEL 端子 "H" の場合
: 本 IC が送信する信号
：master が送信する信号
書込みは、1 アドレスごとの書込みとなります(連続書き込みは出来ません)。
resister address と data を 1 つの単位として送出してください。
＜読出し(R)時＞
S
T
A
R
T
slave address
A
C
K
register address
S
T
A A
C R
K T
slave address
S 0 1 0 1 1 1 1 W
S 0 1 0 1 1 1 1 R
*ADDSEL 端子 "H" の場合
*ADDSEL 端子 "H" の場合
A
C
K
：master が送信する信号
data
S
A T
C O
K T
P
: 本 IC が送信する信号
読出しは、1 アドレスごとの読出しとなります。必ず resister address を指定して read してください(連続
読み出しはできません)。
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
31
r1.0
MB39C031
 I2Cインタフェースとdataの構成について
・
レジスタマップ
address
d07
d06
d05
d04
DATA
d03
d02
d01
d00
書込み
Default タイミング
00H
X
X
X
X
D03
D02
D01
D00
01H
X
X
X
X
D03
D02
D01
D00
02H
X
X
X
X
X
X
D01
D00
00H*
05H*
0AH*
0FH*
00H*
03H*
06H*
0CH*
03H
10H
X
X
X
X
D03
D02
D01
D00
01H
ACK
11H
X
X
X
X
D03
D02
D01
D00
01H*/
03H*
ACK
12H
X
X
X
X
D03
D02
D01
D00
03H
ACK
DD 動作
モード
20H
X
X
X
X
X
X
D01
D00
00H
ACK
ON/OFF
30H
X
X
X
X
X
D02
D01
D00
00H
ACK
テスト用
FXH
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
出力電圧
ソフト
スタート
内容/備考
ACK
DD1 出力電圧設定
ACK
DD2 出力電圧設定
ACK
LDO 出力電圧設定
DD1 ソフトスタート
時間設定
DD2 ソフトスタート
時間設定
LDO ソフトスタート
時間設定
DD1, DD2 動作モード
設定
"0": Fixed PWM モード,
"1": PFM/PWM モード
DD1, DD2, LDO 出力
ON/OFF 設定
"0":出力 OFF/
"1":出力 ON
使用禁止
*: プリセット値変更品により異なります。
・レジスタマップの"X"部はレジスタを持っていないため、read 時は"0"が返ります。
・FXH アドレスはテスト用として使用します。通常時は使用禁止です。
FXH アドレスへの write/resd は行わないでください。
32
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
(1) DD1, DD2 出力電圧制御について
1. DC/DC の出力電圧制御用のレジスタとして、address 00H, 01H が割り当てられています。
2. DC/DC 出力電圧制御は、address 00H, 01H に、data を write することでコントロールされます。
DATA
S
T
A
R
T
0
0
0
0
D03 D02 D01
MSB
D00
A
C
K
LSB
S
T
O
P
address 00H : DD1 出力電圧設定用
address 01H : DD2 出力電圧設定用
D03~D00:出力電圧の設定を行います。
DD1 出力電圧設定テーブル
出力電圧
DATA
DD2 出力電圧設定テーブル
出力電圧
DATA
00H
1.00*
00H
1.20*
01H
1.02
01H
1.25
02H
1.04
02H
1.30
03H
1.06
03H
1.35*
04H
1.08
04H
1.40
05H
1.10*
05H
1.45
06H
1.12
06H
1.50*
07H
1.14
07H
1.55
08H
1.16
08H
1.60
09H
1.18
09H
1.65
0AH*
1.20*
0AH
1.70
0BH
1.22
0BH
1.75
0CH
1.24
0CH*
1.80*
0DH
1.26
0DH
1.85
0EH
1.28
0EH
1.90
0FH
1.95
[V]
0FH
1.30*
*: プリセット値変更品で選択可能な出力電圧
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
[V]
33
r1.0
MB39C031
(2) LDO の出力電圧制御について
1. LDO の出力電圧制御用のレジスタとして、address 02H が割り当てられています。
2. LDO の出力電圧制御は、address 02H に、data を write することでコントロールされます。
DATA
S
T
A
R
T
0
0
0
0
MSB
0
0
D01 D00
LSB
A
C
K
S
T
O
P
address 02H: LDO 出力電圧設定用
D01~D00:出力電圧の設定を行います。
LDO 出力電圧設定テーブル
DATA
出力電圧
00H
2.80
01H
2.85*
02H
3.00
[V]
03H*
3.30*
*: プリセット値変更品で選択可能な出力電圧
34
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
(3) ソフトスタート時間について
1. ソフトスタート時間制御用のレジスタとして 10H~12H が割り当てられています。
2. ソフトスタート時間制御は、10H~12H に、data を write することでコントロールされます。
DATA
S
T
A
R
T
0
0
0
0
D03 D02 D01 D00
MSB
LSB
A
C
K
S
T
O
P
address10H: DD1 ソフトスタート時間設定用
address11H: DD2 ソフトスタート時間設定用
address12H: LDO ソフトスタート時間設定用
D03~D00: ソフトスタート時間の設定を行います。
ソフトスタート時間設定テーブル
DATA1
ソフトスタート時間
00H
01H
02H
03H
04H
05H
06H
07H
08H
09H
0AH
0BH
0CH
0DH
0EH
0FH
14.3mS
0.9mS
1.8mS
2.7mS
3.6mS
4.5mS
5.4mS
6.3mS
7.2mS
8.1mS
9.0mS
9.9mS
10.8mS
11.6mS
12.5mS
13.4mS
デフォルト設定
DD1, DD2
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
LDO
35
r1.0
MB39C031
(4) DC/DC 動作モードについて
1. DC/DC の動作モード制御用のレジスタとして、address 20H が割り当てられています。
2. DC/DC の動作モード制御は、address 20H に、data を write することでコントロールされます。
DATA
S
T
A
R
T
0
0
0
0
0
0
D01
MSB
A
C
K
D00
LSB
S
T
O
P
address20H: DC/DC 動作モード設定用
D01~D00: DC/DC 動作モードの設定を行います。
address
20H
20H
ビット
値
D00
D01
0*
0*
ビット内容
DD1 Fixed PWM*
DD2 Fixed PWM*
値
ビット内容
DD1 PFM/PWM
DD2 PFM/PWM
1
1
*: プリセット値
(5) DC/DC, LDO の ON/OFF について
1. DC/DC,LDO の ON/OFF 制御用のレジスタとして、address 30H が割り当てられています。
2. DC/DC,LDO の ON/OFF 制御は、address 30H に、data を write することでコントロールされます。
DATA
S
T
A
R
T
0
0
0
0
0
D02 D01 D00
MSB
LSB
A
C
K
S
T
O
P
address30H: DC/DC, LDO の ON/OFF 設定用
D02~D00: DC/DC, LDO の ON/OFF の設定を行います。
address
ビット
30H
D00
30H
D01
30H
D02
*: プリセット値
値
ビット内容
値
ビット内容
0*
0*
0*
DD1 出力 OFF*
DD2 出力 OFF*
LDO 出力 OFF*
1
1
1
DD1 出力 ON
DD2 出力 ON
LDO 出力 ON
36
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 入出力端子等価回路図
≪VCC≫
VCC
ESD保護素子
GND
≪基準電圧部 VR≫
≪基準電圧部VREF≫
VCC
VCC
VREF
VREF
VR
GND
GND
≪IN1,2≫
≪出力部(DD1,2)≫
VCC
VCC
PVCCx
INx
PVCCx,PGNDx,VODDx
: 各チャンネル
LXx
GND
INx,LXx,PGNDx
:各チャンネル
LXx
PGNDx
PGNDx
GND
≪PVCCL/LDO≫
VCC
PVCCL
LDO
LDO_S
GND
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
37
r1.0
MB39C031
 入出力回路形式
・ CTLMAIN/CTL1/CTL2/CTLL/ADDSEL 端子
VCC
CTL*
ADDSEL
GND
・ SCL 端子
VCCI2C
SCL
GND
・ SDA 端子
VCCI2C
SDA
GND
・ PG1/PG2/PGL/ERR 端子
VCC
PG*/ERR
GND
38
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 標準動作特性測定回路
MB39C031
VCC:2.5V～5.5V
C1
0.1μF
C2
0.1μF
C3
4.7μF
VCC
VCC
PVCC1
LX1
CTL1
IN1
L1
R1
100k
PG1
PGND1
C4
4.7μF
PVCC2
LX2
CTL2
IN2
Vo1:1.00V~1.30V
(20mV step)
Io(Max):1400mA
C10
10μ
PG1
3.3V
L2
Vo2:1.20V~1.95V
(50mV step)
Io(Max):600mA
C9
10μ
R2
100k
3.3V
PG2
PG2
PGND2
C5
4.7μF
LDO
PVCCL
R3
100k
CTLL
3.3V
PGL
CTLMAIN
3.3V
SCL
SDA
LDO:2.80V/2.85V/
3.00V/3.30V
Io(Max):250mA
C8
4.7μ
PGL
R4
100k
VCCI2C
ERR
3.3V
ERR
SCL
SDA
ADDSEL
VREF VR
C6
0.1μF
GNDGND
C7
0.47μF
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
39
r1.0
MB39C031
・部品表
記号
(回路図表記)
L1
L2
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
R1
R2
R3
品名
メタルアロイインダクタ
メタルアロイインダクタ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
セラミックコンデンサ
抵抗
抵抗
抵抗
抵抗
R4
TOKO :東光株式会社
TDK :TDK 株式会社
SSM :進工業株式会社
型格
仕様
ベンダ
1299AS-H-1R5N
1299AS-H-1R5N
C1608X5R1H104K
C1608X5R1H104K
C1608X5R1V475K
C1608X5R1V475K
C1608X5R1V475K
C1608X5R1H104K
C1608X5R1H474K
C1608X5R1V475K
C1608X5R1A106K
C1608X5R1A106K
RR0816P-104-D
RR0816P-104-D
RR0816P-104-D
1.5μH
1.5μH
0.1μF
0.1μF
4.7μF
4.7μF
4.7μF
0.1μF
0.47μF
4.7μF
10μF
10μF
100kΩ
100kΩ
100kΩ
TOKO
TOKO
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
SSM
SSM
SSM
RR0816P-104-D
100kΩ
SSM
(注意事項)上記は推奨部品です。
40
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 特性例
 DC/DC 負荷効率特性
・DD1
Vo=1.0V (Min)
Vo=1.2V
Fixed PWM
PFMPWM
0.1
1
10
負荷電流[A]
0.1
1
10
1
10
Fixed PWM
PFMPWM
0.1
1
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
負荷電流[A]
PFMPWM
0.1
1
10
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
0.01
0.1
1
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
Fixed PWM
PFMPWM
0.01
0.1
1
10
負荷電流[A]
負荷効率
Fixed PWM
PFMPWM
0.01
PFMPWM
負荷効率
Fixed PWM
0.01
Fixed PWM
負荷電流[A]
負荷効率
効率[%]
効率[%]
Vin=5.5V
0.1
負荷電流[A]
負荷効率
0.01
0.01
効率[%]
効率[%]
Vin=3.6V
効率[%]
PFMPWM
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
負荷電流[A]
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
PFMPWM
負荷効率
Fixed PWM
0.01
Fixed PWM
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
負荷電流[A]
負荷効率
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
負荷効率
効率[%]
0.01
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
効率[%]
負荷効率
効率[%]
効率[%]
Vin=2.5V
負荷効率
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
Vo=1.3V (Max)
0.1
負荷電流[A]
1
10
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
Fixed PWM
PFMPWM
0.01
0.1
1
10
負荷電流[A]
41
r1.0
MB39C031
・DD2
Vo=1.2V (Min)
Vo=1.8V
Fixed PWM
PFMPWM
0.1
1
負荷電流[A]
0.1
1
1
Fixed PWM
PFMPWM
0.1
1
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
負荷電流[A]
PFMPWM
0.1
1
42
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
0.01
0.1
1
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
Fixed PWM
PFMPWM
0.01
0.1
1
負荷電流[A]
負荷効率
Fixed PWM
PFMPWM
0.01
PFMPWM
負荷効率
Fixed PWM
0.01
Fixed PWM
負荷電流[A]
負荷効率
効率[%]
効率[%]
Vin=5.5V
0.1
負荷電流[A]
負荷効率
0.01
0.01
効率[%]
効率[%]
Vin=3.6V
効率[%]
PFMPWM
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
負荷電流[A]
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
PFMPWM
負荷効率
Fixed PWM
0.01
Fixed PWM
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
負荷電流[A]
負荷効率
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
負荷効率
効率[%]
0.01
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
効率[%]
負荷効率
効率[%]
効率[%]
Vin=2.5V
負荷効率
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
Vo=1.95V (Max)
0.1
負荷電流[A]
1
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
Fixed PWM
PFMPWM
0.01
0.1
1
負荷電流[A]
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 DC/DC ライン効率特性
・DD1
Vo=1.0V (Min)
Vo=1.2V
ライン効率(Io=400mA)
100
95
95
95
90
90
90
85
80
75
Fixed PWM
70
PFMPWM
60
効率[%]
100
65
85
80
75
Fixed PWM
70
PFMPWM
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
60
5.5
85
80
75
Fixed PWM
70
PFMPWM
65
65
60
2.5
入力電圧 Vin[V]
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
2.5
入力電圧 Vin[V]
・DD2
Vo=1.2V (Min)
ライン効率(Io=400mA)
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
100
100
100
95
95
95
90
90
90
80
75
Fixed PWM
70
PFMPWM
65
60
効率[%]
Vo=1.95V (Max)
ライン効率(Io=400mA)
85
85
80
75
Fixed PWM
70
PFMPWM
3.0
3.5
4.0
4.5
入力電圧 Vin[V]
5.0
5.5
60
85
80
75
Fixed PWM
70
PFMPWM
65
65
2.5
5.5
入力電圧 Vin[V]
Vo=1.8V
ライン効率(Io=400mA)
効率[%]
効率[%]
ライン効率(Io=400mA)
100
効率[%]
効率[%]
ライン効率(Io=400mA)
Vo=1.3V (Max)
60
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
入力電圧 Vin[V]
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
5.0
5.5
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
入力電圧 Vin[V]
43
r1.0
MB39C031
 DC/DC ラインレギュレーション特性
・DD1
Vo=1.0V (Min)
Vo=1.2V
PFMPWM
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
1.220
1.215
1.210
1.205
1.200
1.195
1.190
1.185
1.180
2.50
入力電圧 Vin[V]
PFMPWM
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
出力電圧 Vout[V]
出力電圧 Vout[V]
Fixed PWM
3.00
PFMPWM
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
1.320
1.315
1.310
1.305
1.300
1.295
1.290
1.285
1.280
2.50
入力電圧 Vin[V]
・DD2
Vo=1.2V (Min)
ラインレギュレーション
(Io=400mA)
1.220
1.215
1.210
1.205
1.200
1.195
1.190
1.185
1.180
2.50
Fixed PWM
出力電圧 Vout[V]
Fixed PWM
ラインレギュレーション
(Io=400mA)
Fixed PWM
PFMPWM
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
Vo=1.8V
ラインレギュレーション
(Io=400mA)
Vo=1.95V (Max)
ラインレギュレーション
(Io=400mA)
1.820
1.815
1.810
1.805
1.800
1.795
1.790
1.785
1.780
2.50
1.970
1.965
1.960
1.955
1.950
1.945
1.940
1.935
1.930
2.50
入力電圧 Vin[V]
Fixed PWM
PFMPWM
3.00
3.50
4.00
4.50
5.50
入力電圧 Vin[V]
5.00
5.50
出力電圧 Vout[V]
1.020
1.015
1.010
1.005
1.000
0.995
0.990
0.985
0.980
2.50
ラインレギュレーション
(Io=400mA)
出力電圧 Vout[V]
出力電圧 Vout[V]
ラインレギュレーション
(Io=400mA)
Vo=1.3V (Max)
入力電圧 Vin[V]
Fixed PWM
PFMPWM
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
入力電圧 Vin[V]
 LDO ラインレギュレーション特性
・LDO
Vo=2.8V (Min)
Vo=3.3V (Max)
ラインレギュレーション
(Io=50mA)
ラインレギュレーション
(Io=50mA)
3.360
出力電圧 Vout[V]
出力電圧 Vout[V]
2.860
2.840
2.820
2.800
2.780
2.760
2.740
3
3.5
4
4.5
5
5.5
入力電圧 Vin[V]
44
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
3.340
3.320
3.300
3.280
3.260
3.240
3
3.5
4
4.5
5
5.5
入力電圧 Vin[V]
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 DC/DC ロードレギュレーション特性
・DD1
Vo=1.0V (Min)
Vo=1.2V
ロードレギュレーション
ロードレギュレーション
PFMPWM
1.005
1.000
0.995
0.990
0.985
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.320
1.215
Fixed PWM
1.210
PFMPWM
1.205
1.200
1.195
1.190
1.185
1.180
0
0.2
負荷電流[A]
ロードレギュレーション
1
1.2
1.4
1.6
Fixed PWM
1.010
PFMPWM
1.005
1.000
0.995
0.990
0.985
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.215
Fixed PWM
1.210
PFMPWM
1.205
1.200
1.195
1.190
1.185
1.180
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.005
1.000
0.995
0.990
0.985
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.290
1.285
1.280
0
0.2
1.2
1.4
1.6
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.315
Fixed PWM
1.310
PFMPWM
1.305
1.300
1.295
1.290
1.285
1.280
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
ロードレギュレーション
1.320
1.215
Fixed PWM
1.210
PFMPWM
1.205
1.200
1.195
1.190
1.185
1.180
0.4
負荷電流[A]
出力電圧[V]
PFMPWM
1.295
ロードレギュレーション
ロードレギュレーション
出力電圧[V]
Fixed PWM
1.300
1.320
1.220
1.010
PFMPWM
1.305
負荷電流[A]
ロードレギュレーション
1.015
Fixed PWM
1.310
負荷電流[A]
出力電圧[V]
1.015
1.020
出力電圧[V]
0.8
ロードレギュレーション
出力電圧[V]
出力電圧[V]
Vin=3.6V
0.6
1.220
負荷電流[A]
Vin=5.5V
0.4
1.315
負荷電流[A]
1.020
0.980
出力電圧[V]
Fixed PWM
1.010
出力電圧[V]
出力電圧[V]
Vin=2.5V
1.015
0.980
ロードレギュレーション
1.220
1.020
0.980
Vo=1.3V (Max)
0
0.2
負荷電流[A]
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
0.4
0.6
0.8
1
負荷電流[A]
1.2
1.4
1.6
1.315
Fixed PWM
1.310
PFMPWM
1.305
1.300
1.295
1.290
1.285
1.280
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
負荷電流[A]
45
r1.0
MB39C031
・DD2
Vo=1.2V (Min)
Vo=1.8V
ロードレギュレーション
ロードレギュレーション
PFMPWM
1.205
1.200
1.195
1.190
1.185
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
1.970
1.815
Fixed PWM
1.810
PFMPWM
1.805
1.800
1.795
1.790
1.785
1.780
0
0.1
負荷電流[A]
ロードレギュレーション
0.5
0.6
0.7
Fixed PWM
1.210
PFMPWM
1.205
1.200
1.195
1.190
1.185
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
1.815
Fixed PWM
1.810
PFMPWM
1.805
1.800
1.795
1.790
1.785
1.780
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
1.205
1.200
1.195
1.190
1.185
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.940
1.935
1.930
0
0.1
0.6
0.7
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
1.965
Fixed PWM
1.960
PFMPWM
1.955
1.950
1.945
1.940
1.935
1.930
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
ロードレギュレーション
1.970
1.815
Fixed PWM
1.810
PFMPWM
1.805
1.800
1.795
1.790
1.785
1.780
0.2
負荷電流[A]
出力電圧[V]
PFMPWM
1.945
ロードレギュレーション
ロードレギュレーション
出力電圧[V]
Fixed PWM
1.950
1.970
1.820
1.210
PFMPWM
1.955
負荷電流[A]
ロードレギュレーション
1.215
Fixed PWM
1.960
負荷電流[A]
出力電圧[V]
1.215
1.220
出力電圧[V]
0.4
ロードレギュレーション
出力電圧[V]
出力電圧[V]
Vin=3.6V
0.3
1.820
負荷電流[A]
Vin=5.5V
0.2
1.965
負荷電流[A]
1.220
1.180
出力電圧[V]
Fixed PWM
1.210
出力電圧[V]
出力電圧[V]
Vin=2.5V
1.215
1.180
ロードレギュレーション
1.820
1.220
1.180
Vo=1.95V (Max)
0
0.1
負荷電流[A]
46
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
0.2
0.3
0.4
0.5
負荷電流[A]
0.6
0.7
1.965
Fixed PWM
1.960
PFMPWM
1.955
1.950
1.945
1.940
1.935
1.930
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
負荷電流[A]
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 LDO ロードレギュレーション特性
・LDO
Vo=2.8V (Min)
Vo=3.3V (Max)
ロードレギュレーション
ロードレギュレーション
3.360
2.850
Vin=3.5V
出力電圧[V]
出力電圧[V]
Vin=3.0V
2.840
2.830
2.820
2.810
2.800
2.790
2.780
2.770
2.760
2.750
0
0.05
0.1
0.15
0.2
3.340
3.320
3.300
3.280
3.260
3.240
0.25
0
0.05
負荷電流[A]
ロードレギュレーション
Vin=3.6V
出力電圧[V]
出力電圧[V]
Vin=3.6V
2.830
2.820
2.810
2.800
2.790
2.780
2.770
2.760
0
0.05
0.1
0.15
0.2
3.320
3.300
3.280
3.260
3.240
0.25
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
負荷電流[A]
ロードレギュレーション
ロードレギュレーション
3.360
2.850
2.840
Vin=5.5V
出力電圧[V]
出力電圧[V]
0.25
3.340
負荷電流[A]
Vin=5.5V
0.2
ロードレギュレーション
2.840
2.830
2.820
2.810
2.800
2.790
2.780
2.770
2.760
2.750
0.15
3.360
2.850
2.750
0.1
負荷電流[A]
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
負荷電流[A]
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
3.340
3.320
3.300
3.280
3.260
3.240
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
負荷電流[A]
47
r1.0
MB39C031
 DC/DC 出力リップル波形
・DD1(Fixed PWM モード)
Io=0mA
出力電圧=1.2V 設定
Io=1400mA
Io=400mA
VIN=2.5V
Vo1 (10.0mV/div_DC)
offset:1.200V
1
1
1
200ns
200ns
200ns
VIN=3.6V
Vo1 (10.0mV/div_DC)
offset:1.200V
1
1
1
200ns
200ns
200ns
VIN=5.5V
Vo1 (10.0mV/div_DC)
offset:1.200V
1
1
1
200ns
48
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
200ns
200ns
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
・DD1 (PFM/PWM モード)
Io=0mA
出力電圧=1.2V 設定
Io=1400mA
Io=400mA
VIN=2.5V
Vo1 (10.0mV/div_DC)
offset:1.200V
1
1
1
200ns
200ns
4.0ms
VIN=3.6V
Vo1 (10.0mV/div_DC)
offset:1.200V
1
1
1
200ns
200ns
4.0ms
VIN=5.5V
Vo1 (10.0mV/div_DC)
offset:1.200V
1
1
1
4.0ms
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
200ns
200ns
49
r1.0
MB39C031
・DD2 (Fixed PWM モード)
Io=0mA
出力電圧=1.8V 設定
Io=600mA
Io=400mA
VIN=2.5V
Vo2 (10.0mV/div_DC)
offset:1.800V
1
1
1
200ns
200ns
200ns
VIN=3.6V
Vo2 (10.0mV/div_DC)
offset:1.800V
1
1
1
200ns
200ns
200ns
VIN=5.5V
Vo2 (10.0mV/div_DC)
offset:1.806V
1
1
1
200ns
50
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
200ns
400ns
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
・DD2 (PFM/PWM モード)
Io=0mA
出力電圧=1.8V 設定
Io=600mA
Io=400mA
VIN=2.5V
Vo2 (10.0mV/div_DC)
offset:1.800V
1
1
1
200ns
200ns
4.0ms
VIN=3.6V
Vo2 (10.0mV/div_DC)
offset:1.800V
1
1
1
200ns
200ns
4.0ms
VIN=5.5V
Vo2 (10.0mV/div_DC)
offset:1.800V
1
1
1
4.0ms
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
200ns
200ns
51
r1.0
MB39C031
 DD1 起動/切断波形
出力電圧=1.2V 設定
ソフトスタート設定=0.9ms
Fixed PWM モード
外部端子(CTL1)による制御
VCC = 2.5V
Io=1400mA
Io=0mA
CTL1(3V/div)
CTL1(3V/div)
1
1
PG1(3V/div)
PG1(3V/div)
2
2
200μs/div
Vo1(0.6V/div)
Vo1(0.6V/div)
3
3
IIN(1A/div)
4
VCC = 3.6V
Io=1400mA
20ms/div
IIN(10mA/div)
4
Io=0mA
CTL1(3V/div)
CTL1(3V/div)
1
1
PG1(3V/div)
PG1(3V/div)
2
2
200μs/div
Vo1(0.6V/div)
Vo1(0.6V/div)
3
3
20ms/div
IIN(10mA/div)
4
IIN(1A/div)
VCC = 5.5V
Io=1400mA
4
Io=0mA
CTL1(3V/div)
CTL1(3V/div)
1
1
PG1(3V/div)
PG1(3V/div)
2
2
200μs/div
Vo1(0.6V/div)
Vo1(0.6V/div)
3
3
20ms/div
IIN(10mA/div)
4
IIN(1A/div)
52
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
4
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 DD2 起動/切断波形
出力電圧=1.8V 設定
ソフトスタート設定=0.9ms
Fixed PWM モード
外部端子(CTL2)による制御
VCC = 2.5V
Io=600mA
Io=0mA
CTL2(3V/div)
CTL2(3V/div)
1
1
PG2(3V/div)
PG2(3V/div)
2
2
200μs/div
Vo2(0.9V/div)
Vo1(0.9V/div)
3
3
20ms/div
IIN(10mA/div)
4
IIN(500mA/div)
VCC = 3.6V
Io=600mA
4
Io=0mA
CTL2(3V/div)
CTL2(3V/div)
1
1
PG2(3V/div)
PG2(3V/div)
2
2
200μs/div
Vo2(0.9V/div)
Vo1(0.9V/div)
3
3
20ms/div
IIN(10mA/div)
4
IIN(500mA/div)
VCC = 5.5V
Io=600mA
4
Io=0mA
CTL2(3V/div)
CTL2(3V/div)
1
1
PG2(3V/div)
PG2(3V/div)
2
2
200μs/div
Vo2(0.9V/div)
Vo1(0.9V/div)
3
3
20ms/div
IIN(10mA/div)
4
IIN(500mA/div)
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
4
53
r1.0
MB39C031
 LDO 起動/切断波形
出力電圧=3.3V 設定
ソフトスタート設定=2.7ms
外部端子(CTLL)による制御
VCC = 3.6V
Io=250mA
Io=0mA
CTLL(3V/div)
CTLL(3V/div)
1
PGL(3V/div)
1
PGL(3V/div)
2
2
1ms/div
LDO(1.5V/div)
LDO(1.5V/div)
20ms/div
3
3
IIN(200mA/div)
4
VCC = 5.5V
Io=250mA
IIN(20mA/div)
4
Io=0mA
CTLL(3V/div)
1
CTLL(3V/div)
1
PGL(3V/div)
2
PGL(3V/div)
2
1ms/div
LDO(1.5V/div)
LDO(1.5V/div)
3
3
IIN(200mA/div)
20ms/div
IIN(20mA/div)
4
4
54
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 DC/DC 負荷急変特性
・DD1(Fixed PWM モード) 0mA⇔1400mA/10μs
出力電圧=1.2V 設定
VCC=2.5V
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
1
1
10μs
10μs
Io(1.0A/div)
Io(1.0A/div)
4
4
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
VCC=3.6V
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
1
1
10μs
10μs
Io(1.0A/div)
Io(1.0A/div)
4
4
VCC=5.5V
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
1
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
1
10μs
10μs
Io(1.0A/div)
4
Io(1.0A/div)
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
4
55
r1.0
MB39C031
・DD2 (Fixed PWM モード) 0mA⇔600mA/10μs
出力電圧=1.8V 設定
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
VCC=2.5V
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
1
1
10μs
10μs
Io(200mA/div)
Io(200mA/div)
4
4
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
VCC=3.6V
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
1
1
10μs
10μs
Io(200mA/div)
4
Io(200mA/div)
4
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
VCC=5.5V
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
1
1
10μs
10μs
Io(200mA/div)
4
56
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Io(200mA/div)
4
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
・DD1 (PFM/PWM モード) 0mA⇔1400mA/10μs
出力電圧=1.2V 設定
VCC=2.5V
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
1
a
b
1
b
10μs
10μs
Io(1.0A/div)
4
Io(1.0A/div)
4
VCC=3.6V
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
1
a
b
1
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
a
b
10μs
10μs
Io(1.0A/div)
4
Io(1.0A/div)
4
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
VCC=5.5V
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
a
1
a
b
1
Vo1(50mV/div)
offset:1.200V
a
b
10μs
4
10μs
Io(1.0A/div)
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Io(1.0A/div)
4
57
r1.0
MB39C031
・DD2 (PFM/PWM モード) 0mA⇔600mA/10μs
出力電圧=1.8V 設定
VCC=2.5V
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
1
b
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
a
1
b
a
10μs
10μs
Io(200mA/div)
4
Io(200mA/div)
4
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
VCC=3.6V
a
1
b
1
b
a
10μs
10μs
Io(200mA/div)
Io(200mA/div)
4
4
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
VCC=5.5V
b
1
1
Vo2(50mV/div)
offset:1.800V
a
b
a
10μs
10μs
Io(200mA/div)
Io(200mA/div)
4
58
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
4
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 LDO 負荷急変特性
・LDO 0mA⇔150mA/2μs
出力電圧=3.3V 設定
LDO(10mV/div)
offset:3.300V
LDO(10mV/div)
offset:3.300V
VCC=3.6V
a
1
1
b
b
a
5μs
5μs
Io(100mA/div)
Io(100mA/div)
2
2
LDO(10mV/div)
offset:3.300V
LDO(10mV/div)
offset:3.300V
VCC=5.5V
a
1
1
b
b
a
5μs
5μs
Io(100mA/div)
Io(100mA/div)
2
2
 許容損失
許容損失-動作周囲温度
2.0
1.72
1.6
Pd [W]
1.2
0.8
0.4
0.0
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100
温度[℃]
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
59
r1.0
MB39C031
 使用上の注意
1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。
絶対最大定格を超えるストレス(電圧, 電流, 温度など)の印加は、半導体デバイスを破壊する可能性
があります。
したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
2. 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は、すべ
てこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて
使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。データシートに記載されていない項目,使用
条件,論理の組合せでの使用は、保証していません。記載されている以外の条件での使用をお考えの
場合は、必ず事前に営業部門までご相談ください。
3. プリント基板のアースラインは、共通インピーダンスを考慮し設計してください。
4. 静電気対策を行ってください。
・ 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。
・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。
・ 作業台, 工具, 測定機器は、アースを取ってください。
・ 作業する人は、人体とアースの間に 250 kΩ～1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。
5. 負電圧を印加しないでください。
-0.3 V 以下の負電圧を印加した場合、LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがありま
す。
6. 全 ch, 動作時は平均動作温度 Ta=+60°C, 標準入力電圧, 標準出力電圧, 標準出力電流条件で信頼
度設計されています。
60
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 オーダ型格
型格
MB39C031WQN
パッケージ
備考
プラスチック・QFN, 28 ピン
(LCC-28P-M70)
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
61
r1.0
MB39C031
 プリセットコード(MB39C031)の場合
プリセットコード
DD1 出力電圧
プリセット値
DD2 出力電圧
プリセット値
LDO 出力電圧
プリセット値
111
112
121
122
131
132
141
142
211
212
221
222
231
232
241
242
311
312
321
322
331
332
341
342
411
412
421
422
431
432
441
442
1.00V
1.00V
1.00V
1.00V
1.00V
1.00V
1.00V
1.00V
1.10V
1.10V
1.10V
1.10V
1.10V
1.10V
1.10V
1.10V
1.20V
1.20V
1.20V
1.20V
1.20V
1.20V
1.20V
1.20V
1.30V
1.30V
1.30V
1.30V
1.30V
1.30V
1.30V
1.30V
1.20V
1.20V
1.35V
1.35V
1.50V
1.50V
1.80V
1.80V
1.20V
1.20V
1.35V
1.35V
1.50V
1.50V
1.80V
1.80V
1.20V
1.20V
1.35V
1.35V
1.50V
1.50V
1.80V
1.80V
1.20V
1.20V
1.35V
1.35V
1.50V
1.50V
1.80V
1.80V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
2.85V
3.30V
62
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 評価ボードオーダ型格
EV ボード型格
EV ボード版数
MB39C031-EVB-01
備考
MB39C031-EVB-01 REV3.0
 製品捺印 (鉛フリーの場合)
39C031
XXXXXXX
342
E1
鉛フリー表示
XX
INDEX プリセットコード
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
63
r1.0
MB39C031
 製品ラベル (鉛フリーの場合の例)
鉛フリー表示
JEITA 規格
JEDEC 規格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1561190005
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
64
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
1/1
0605 - Z01A
1000
中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されています。
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
 MB39C031 推奨実装条件
推奨リフロー条件
項目
内容
実装方法
IR (赤外線リフロー)・温風リフロー
実装回数
連続 3 回
保管期間
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱～リフロー迄の
保管期間
7 日以内
開梱後の保管期間を
超えた場合*
ベーキング(125°C±3°C, 24H＋2H/－0H)を
実施の上、7 日以内に処理願います。
ベーキングは 2 回まで可能です。
5°C～30°C, 60％RH 以下 (できるだけ低湿度)
保管条件
*: テープ&リール, チューブは耐熱性がありませんので、耐熱性のあるトレイなどに移し換えてベーキン
グしてください。
移し換えるときにはリードの変形、静電気破壊を起こさぬよう十分にご注意ください。
Supplier TP ≥ TC
User TP ≤ TC
TC
TC
-5°C
Supplier tP
User tP
Temperature →
TP
tP
Max. Ramp Up Rate = 3°C/s
Max. Ramp Down Rate = 6°C/s
TC -5°C
TL
Tsmax
tL
Preheat Area
Tsmin
tS
25
Time 25°C to Peak
Time →
260°C 以下(J-STD-020D)
TL～TP
: 温度上昇勾配
3°C/s Max.
TS
: 予備加熱
TP - tP
: ピーク温度
150°C - 200°C, 60s -120s
260°C 以下, 30s 以内
TL - tL
TP～TL
: 本加熱
217°C, 60s - 150s
: 冷却温度勾配
Time 25°C to Peak
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
6°C/s Max.
8min Max.
65
r1.0
MB39C031
 パッケージ・外形寸法図
プラスチック・QFN, 28ピン
リードピッチ
0.40 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
4.00 mm × 4.00 mm
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
0.80 mm Max.
質量
0.04 g
(LCC-28P-M70)
プラスチック・QFN, 28ピン
（LCC-28P-M70）
4.00±0.10
(.157±.004)
2.40±0.10
(.094±.004)
4.00±0.10
(.157±.004)
INDEX AREA
2.40±0.10
(.094±.004)
0.40(.016)
TYP
0.02
(.001
C
+0.03
–0.02
+.001
–.001
0.20±0.05
(.008±.002)
0.40±0.05
(.016±.002)
1PIN CORNER
(C0.35(C.014))
0.75±0.05
(.030±.002)
(0.20(.008))
)
2009-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED C28070S-c-1-2
単位：mm（inches）
注意：括弧内の値は参考値です 。
最新の外形寸法図については, 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
66
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00015-1v0-J
r1.0
MB39C031
DS405-00015-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
67
r1.0
MB39C031
本資料の記載内容は, 予告なしに変更することがありますので, ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は, 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので, 実際に使用する機器での動作を保
証するものではありません。従いまして, これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用
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保証を行うものではありません。したがって, これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について, 当社はその責任
を負いません。
本資料に記載された製品は, 通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造
されています。極めて高度な安全性が要求され, 仮に当該安全性が確保されない場合, 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対す
る重大な危険性を伴う用途（原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生
命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器, 宇
宙衛星をいう）に使用されるよう設計・製造されたものではありません。したがって, これらの用途にご使用をお考えのお客様は, 必ず事前
に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては, 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても, 結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさ
せないよう, お客様は, 装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は,外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上, 必要
な手続きをおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は, 各社の商標または登録商標です。
68
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DS405-00015-1v0-J
r1.0