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地上用静電浮遊炉の開発 - JASMA 日本マイクログラビティ応用学会

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地上用静電浮遊炉の開発 - JASMA 日本マイクログラビティ応用学会
日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 18 No. 2 2001 (106
115)
原著論文
地上用静電浮遊炉の開発
石川
毅彦・Paul-Fraicois Paradis・依田
真一
Development of Ground-based Electrostatic Levitation Furnace
Takehiko ISHIKAWA, Paul-Francois PARADIS and Shinichi YODA
Abstract
A ground-based electrostatic levitation furnace (NASDAELF) has been developed by the National Space Development Agency of Japan (NASDA). This furnace can levitate and melt a around 13 mm diameter sample in containerless
conditions. It has been developed not only as a test model for ‰ight hardware on-board the International Space Station
(ISS), but also as a tool for metastable phase research on the ground. This paper describes its design, capabilities several
improvements it oŠers over prior electrostatic levitators, and overviews thermophysical properties measurement capabilities.
.
機能,浮遊炉を利用した物性測定についてまとめるもので
はじめに
ある.JPL 等他の地上用静電浮遊炉からの改善点もあわせ
宇宙の有力な微小重力研究分野として材料の無容器プロ
て記述する.
セッシングによる準安定相研究が挙げられる.溶融試料を
.
坩堝なしで保持できることから,容器壁からの不純物の混
装置概要
開発中の本浮遊炉は,高真空中で直径 2 mm 程度の金
入や核発生を抑制でき,深い過冷却/長時間の過冷却の達
属,合金をクーロン力を用いて浮遊させ,レーザーを用い
成が可能となる.
地上では重力のため,微小重力下においても残留重力や
て加熱溶融するもので,浮遊溶融させた試料の熱物性値の
g ジッターのため,無容器状態で試料を特定の位置に保持
測定や過冷却状態からの凝固実験が可能である.Fig. 1 に
するためには何らかの制御メカニズムが必要である.位置
装置外観写真を示す.装置は,チャンバー,試料位置制御
制御方式としては静電場1) のほか音場2) ,電磁場3) ,ガス
系,加熱レーザー,帯電機構及び観察系より構成される.
圧4)を採用した装置が実現されている.静電方式は高真空
. チャンバー
雰囲気での実験実施が可能/加熱と位置制御が独立してい
直径 20 cm 高さ 40 cm の真空チャンバーで, Fig. 2 に示
る/試料に与える擾乱が少ないなどのメリットを有してい
すとおり 18 個の光学窓及び 1 つの X 線回折用窓を持つ.
る.しかし,制御機構の技術的な困難さから,他の方式に
チャンバーは真空ポンプ(粗排気用スクロールポンプと
比 べ て 実 現 が 遅 れ て い た . 1990 年 代 に な っ て 米 国 JPL
ターボ分子ポンプ)により10-5 Pa の真空度に到達してい
( Jet Propulsion Laboratory) において初めて地上での溶融
る.チャンバー内には試料を浮遊させるための電極,複数
金属の浮遊に成功している1)が,その他の稼働報告5,6)は少
の試料を取り扱うための試料交換機構,導電性試料に回転
ない.
トルクを与えるためのコイルが配置されている.
電極構成を Fig. 3 に示す.電極は上下の平行円板(直
宇宙開発事業団では,宇宙ステーションに向けて静電浮
遊炉の開発を進め,平成10年の小型ロケット実験で位置制
径25 mm)及び 4 個の水平位置制御用電極からなる.この
御機能の確認してきた7).地上用の装置については以下の
構成は JPL の電極構成1)と同様である.上下の電極間隔は
目的のために研究開発を進めてきている.
10 mm を基本としているが,上電極の調整機構により数


宇宙ステーションでの静電浮遊炉実験に必要な基礎
技術の確立


mm の変更が可能である.上電極調整機構は主に上電極の
水平度の確保に用いる.上下電極の水平度を保つことが安
地上における準安定相研究の実施
定した浮遊に不可欠である.上電極は酸素銅に金メッキを
本論文は,これまでの地上用静電浮遊炉の開発,装置の
施し,仕事関数を高くしている.これは,試料の帯電補給
宇宙開発事業団 〒3058505 茨城県つくば市千現 2
11
National Space Development Agency of Japan 211 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 3058505, Japan (E-mail: ishikawa.takehiko@nasda.go.jp)
52
― 106 ―
地上用静電浮遊炉の開発
Fig. 1
Fig. 2
Overview of the ground-based electrostatic levitation
furnace (NASDAELF).
Fig. 3
Schematic drawing for electrodes and sample changing
mechanism of NASDAELF.
Fig. 4
Schematic drawing of sample position control system.
Schematic arrangement of NASDAELF (viewing from
top of the vacuum chamber).
のための紫外線が上電極に当たり,上電極から電子が放出
される(かえって試料の帯電が阻害される)ことを防ぐた
めである.他の電極は無酸素銅を使用している.下電極中
クターに投影することによって行われる.ポジションディ
央には直径 5 mm の貫通穴があり,これを通じて下部の試
テクター前には,レーザー光量調整のための偏光板とバン
料交換機構から試料が供給される.試料交換機構は押し棒
ドパスフィルターを配置し,さらに位置検出分解能向上の
(ステム)を上下させて試料下部電極まで押し上げるもの
ための光学レンズを挿入している.光学レンズにより試料
である.ステムを通じた試料の汚染やステムへの試料の噛
の影は実際の 1.6 倍となっている.ポジションセンサーか
み混みを防止するため,試料10個と同数のステムを持つ機
らは水平方向及び垂直方向の位置に対応した 2 つの電圧値
構としている.下電極は基本的には接地して使用するが,
が出力される.これらの信号はオフセット調整回路を経て
後述するとおり溶融試料の表面張力測定ための液滴振動時
コンピュータに取り込まれる.この位置検出系を水平方向
は数 kV の交流電圧がかけられるため,チャンバーとはマ
の 2 軸に配置して,3 次元位置の検出を実現している.
コンピュータでは位置データを基に PID 制御の演算を
コール材により絶縁が確保されている.
試料回転のための回転磁場を発生する 4 つのコイルが下
圧は高速高圧アンプで 3000 倍(鉛直 Z 軸方向)及び 1000
電極下部に配置してある.
倍(水平 X, Y 方向)に増幅され各電極に印加される. Z
. 試料位置制御系
Fig. 4 に位置制御系の構成を示す.試料の位置検出は
He Ne レーザー光によって試料の影をポジションディテ
日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 18 No. 2 2001
行い,X, Y, Z 各軸の電圧値を出力する.これらの指令電
軸の高速高圧アンプにより上電極には-30 kV まで印加す
ることが可能である.
― 107 ―
53
石川 毅彦,他
. 加熱レーザー
測定を主な目的として以下のものが設置されている.
浮遊させた試料の加熱には100 W の炭酸ガスレーザーを
CCD カメラ


使用している.水平面に X 線散乱用窓を確保するため
カメラは,現在 3 台設置している.1 台は全体観察用で
レーザー光は水平電極から12度斜め上方(Fig. 2 上の黒い
ある.2 台目は拡大観察用で,拡大望遠レンズにより約60
光学窓)から照射している.レーザーの加熱は最大 3 方向
倍の試料イメージが得られる.本画像から試料の体積,試
から可能であり,複数のレーザーによる照射パワーの向上
料の変形等の解析が可能である.3 台目は放射温度計と同
や試料の均一加熱を可能としている.レーザー光は複数の
軸に設置してある.このカメラにより,放射温度計が正し
反射ミラーにより光学窓に導かれる.ミラーの調整によっ
く試料を捕捉していることを確認できる.また,このカメ
てレーザー光の焦点位置を微調整することができる.
ラは拡大観察用と直行しているため,2 台のカメラによっ
. 試料への帯電
て試料の 3 次元的な位置が確認できる.拡大観察用カメラ
静電浮遊ではクーロン力を利用するため,試料の帯電が
に写される試料の大きさはカメラからの位置により異なる
欠かせない.本装置では試料を+に帯電させ,上電極との
ため,画像解析により試料の体積変化を求める際には試料
間に引力を働かせて浮遊を達成している.
の絶対的な位置に変化がないことを確認することが重要で
 初期浮遊時のコンデンサ効果,
 紫外
試料の帯電は,
ある.
 試料の熱電子放出の 3 つによって達
線による光電効果,


成される.
放射温度計は複数台準備し,対象となる試料の融点に応


初期浮遊
放射温度計
じて交換する.
試料を下電極に乗せた状態で上電極に-の電圧をかける
その他,回転数計測や試料の液滴振動計測のディテク
と,上下電極はコンデンサを構成しているため,下電極は
ターを装備しているが,詳細は各々を利用した物性測定の
+になる.下電極に置かれている試料は下電極同様に+に
項で述べる.
帯電する.帯電量が十分大きくなると試料と下電極は反発
.
し,同時に上電極とは引き合い,この力により試料は浮遊
試料の位置制御
を開始する.帯電量は試料種や表面状態によってまちまち
電磁浮遊,音波浮遊などの浮遊方式では,ポテンシャル
であるが,電極間隔10 mm において黄銅試料36.4 mg を浮
の谷を生成し,そこに試料を安定させている.試料は浮遊
遊させるために必要な電圧が 10.68 kV であるから,帯電
位置からずれると復元力が自然に働くため,これらの浮遊
量はおよそ3.34×10-10 C である.
方式ではポテンシャルの谷の維持に注力すればよい.静電


紫外線照射による光電効果
浮遊方式では,このようなポテンシャルの谷ができないの
初期浮遊以降安定して試料の位置制御を行うためには試
で,絶えず試料の位置検出と位置のずれに応じた電場の調
料の帯電を保持していく必要がある.加熱中は試料表面か
整を行う必要がある.本静電浮遊炉ではコンピュータに取
らの不純物の蒸発等により帯電量は減少するため,帯電の
り込まれた試料位置情報を基に PID 制御を行っている.
補給が必要となる.帯電補給は,試料に紫外線を照射し
また,試料の回転に対しても制御を加えている.以下にそ
て,試料表面から電子をはじき出すこと(光電効果)によ
の詳細を示す.
. 鉛直方向位置制御
り行う.
本装置では,平均出力7.2 mW の紫外線パルスレーザー
上下電極間距離 L に質量 m,帯電量 Q の試料が浮遊
を使用している.従来の静電浮遊炉では 2500 mW /cm2 程
し,電極間の電圧 V z とすると,試料にかかる力 Fz は簡易
度の出力を持つ紫外線ランプが使用されていた1,57).紫外
的に,
線ランプは出力は大きいものの,試料だけに照射すること
Fz=QVz/L-m 
が困難であるため出力の多くのが無駄になる.さらに,紫
(1 )
外線が当たった上電極から電子が試料に向かって放出さ
で表される.また,試料の鉛直方向位置 z の変化は真空中
れ,かえって試料の帯電が阻害される.紫外線レーザーは
では
この課題を解消している.


試料の熱電子の放出
Fz=m
試料が高温になると,試料表面から熱電子が放出され,
d 2z
dt 2
(2)
自然に試料は+に帯電する.熱電子の放出が始まる温度は
となる.試料位置の目標 z0 に対してコンピュータにて以
約1200°
Cであり1),これ以上の温度においては熱電子の放
下の PID 制御を行う.
出が支配的となり,紫外線の光電効果の寄与は少なくなる.
浮遊溶融した試料から実験データを得るための観察装置
は,実験に応じて光学観察窓に設置される.現在は熱物性
54
日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 18 No. 2 2001
∞
Vz(t )=kpz(z(t )-z0)+kiz ‚ (z(t-nT )-z0)+kdz(z(t )-z(t-T ))
. 観察系
― 108 ―
n= 0
(3 )
地上用静電浮遊炉の開発
ここで kpz, kiz, kdz はそれぞれ比例,積分,微分制御の係数,
となる.従って,制御なしの状態では試料は単振動を行
T は制御時間間隔である.
う.空気抵抗のない高真空下では,速度に比例した項(微
Fig. 5 に制御系のブロック線図を Fig. 6 にボード線図
を示す.Fig. 6 からわかるとおり,電荷量の変化によって
分制御)をあたえ,振動を減衰させる.また,他の外乱へ
の対処のため比例制御を加える.
系のゲインは変化し,電荷量が落ちるとゲインが下がり制
Vx(t )=kdx( x(t )-x(t-T ))+kpx( x(t )-x0)
御帯域が狭くなる.試料の浮遊加熱中に帯電量が変化する
(6)
ため, PID 制御の係数調整が必要である.また,ラウス
Fig. 8 に黄銅球(直径 1 mm 質量 36.4 mg )の位置制御
フルビッツの安定判別法8)を用いて評価すると系の安定性
の様子を示す. FFT 解析によると系の固有振動数は 1.7
は制御周期(1/T )により,安定した位置制御には100 Hz
Hz 程度であり,これから b の値は3.1×105 (v/m2) 程度で
以上が必要である.本装置では実験操作を簡便にするた
あることがわかる.浮遊開始直後に約 1 mm の振幅が30秒
め,マンマシンインタフェースが統一されているマッキン
余りで 0.1 mm 程度に減衰している.最終的には 30 ~ 50
トシュの OS を利用し,C 言語によりソフトウェアを開発
mm までに振動を抑制することができる.
している9).画面上のボタンをマウスで操作する事により
. 試料の回転制御
パラメータを変更できる.位置制御の周期は現在 720 Hz
上記の制御により,試料の 3 次元位置の制御が可能とな
であり,十分に安定した浮遊を達成している.Fig. 7 に試
料初期浮遊時の Z 軸方向位置変化を示す.本ソフトウェ
アでは位置制御と同時にレーザーパワーの制御,放射温度
計データの取得/保存が可能である.
. 水平方向位置制御
水平方向の制御は X, Y 軸とも同様であるのでここでは
X 軸を代表として表す.横方向には電荷 Q に比例したバ
ネ的な復元力が働くのが,平行ディスクの特徴である.試
料の変位 x ,横電極間隔 d ,電圧 Vx ,バネの係数を b とし
て運動方程式は
m
d 2x
=Q
dt 2
Fig. 5
Fig. 6
( Vd
x
-bx
)
(5)
Fig. 7
Vertical position data recorded by a position sensor during initial sample levitation.
Fig. 8
Decay of horizontal sample movement recorded by a
position sensor.
Block diagram for vertical sample position control.
Bode diagram of vertical position control system. Control parameters are: kp=3×106 (v/m), ki=1/7×103
(v/m ・sec). kd=9×106 (v・sec/m).
日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 18 No. 2 2001
― 109 ―
55
石川 毅彦,他
った.試料の回転制御は,熱物性測定における精度の向上


/試料の均一加熱(単一加熱光源時)などに必要となる手
回 転制御 のた め には, 回転 数計 測が 不可 欠で ある .
段である.試料の回転制御は回転トルクの付加と回転計測
Rhim らは,回転数計測は試料から反射する光の強度変化
からなる.
を計測/解析することによって行っている11).試料表面に
回転トルクの付加


回転数計測
は若干の不純物が存在するため,試料の回転に応じて試料
雰囲気ガス下では音場を利用して浮遊試料に回転トルク
表面からの反射光の強度は変化する.反射光をパワーディ
を与えることが可能であり10),すでにこの方式を用いて液
テクターでとらえ,その出力信号をパワースペクトル解析
滴の回転実験がスペースシャトルで実施されている2).真
にかけ,周波数を計測している.また,ビデオ信号( 60
空下で回転トルクを付加する方法として,回転磁場法と
Hz )のエリアシングを利用して, 60 Hz の約数およびそ
レーザーフォトンを利用する方法を採用している.
の倍数の回転数を画像から特定する方法も併用している.
a)
回転磁場法
本静電浮遊炉でも現在は同様の方法を採用しているが,こ
導電性試料が回転磁場中に置かれると,試料に誘導電流
れらの方法では試料表面の観察が困難な場合,例えば Zr
が流れ,磁場と誘導電流の相互作用により回転トルクが発
等の高融点試料で試料からの発光が強い場合は適用が困難
生する.回転磁場をコイルにより発生させたのが誘導モー
であるため,他の方法も検討する必要がある.
ターである.誘導モーターの原理によると,一次側に電流
.
I1 , 周波 数 vs の交 流 電流 を 流し た 際に 2 次 側( 抵 抗値
R2,インダクタンス L2)に発生するトルク t は,
2
1
(
t = I vs
sR 2
R 22+s 2L22
)
性能確認試験の結果
. 浮遊試料の位置制御
常 温での 試料 の 浮遊に 関し ては ,こ れま でに 純金 属
(7)
(Al, Sn, Zr, Nb, Mo),合金(黄銅,PdZr, AlPdRe, NiZr,
Al 合金),セラミクス(BiFeO3, Al2O3)の浮遊を実現して
ここで s は 2 次側回転数 v と vs との差の比((vs-v)/vs)
いる.試料の質量は最大 120 mg である.試料径は 1 ~ 3
である.浮遊炉の場合は浮遊試料が 2 次側に相当し,その
mm 程度が適している.質量が試料の大径化に対する制約
インダクタンスは非常に小さいため,(7)式は
である一方,ハンドリングの困難さが小径化に対して制約
s
t I v s
R2
2
1
となっている.
(8)
なお,我々は,加圧雰囲気用の静電浮遊炉の開発も進め
ており,窒素 2 気圧下において有機材料(サクシノニトリ
となり,1 次側に流す電流の 2 乗に比例したトルクを付加
ル)およびセラミクスの浮遊に成功している(これらのサ
することが可能である.
ンプルは加熱時に蒸発を考慮すると加圧下での実験が望ま
Rhim と Ishikawa は,上電極にコイルを設置し,静電浮
しい)
.詳細は別途報告する.
遊炉で初めて回転磁場による試料の回転制御を実施してい
. 高融点試料の浮遊溶融
る11).本浮遊炉においては,下電極下部にそれぞれ直行し
無容器プロセッシングの有効な実験の一つに,高融点材
て設置した 4 個のコイルに位相が90度ずつ異なる正弦波電
料の溶融実験が挙げられる.Nb や Mo といった試料にお
流を流し,鉛直方向を回転軸とした回転磁場を発生させる
いては,これらの融点まで耐えて試料に適合する坩堝材が
方式を採用している.各コイルは鉄心にエナメル銅線を
ないことから,過冷却を期待しない溶融実験ですら通常の
400 回巻いたものであり,抵抗値 4 Q ,インダクタンスは
方法では困難である.これまで Zr 試料の浮遊溶融に関し
51 mH である.
ては報告があるため13) , Zr 以上の高融点試料の浮遊溶融
b)
レーザーフォトンの利用12)
を試みた.
加熱レーザーの焦点を試料の中心からずらすことによ
従来,試料を常温で初期浮遊させてから試料を溶融する
り,試料に回転トルクを与えることが可能である. Rhim
までかなりの時間を必要としていた5).これは,試料の温
らによると,発生トルク t は試料に吸収されるフォトンが
度上昇に伴い表面の不純物が蒸発するなど種々の理由によ
試料に与えるモーメントに等しく,レーザー焦点の試料か
り表面の帯電が減少し,試料の浮遊が困難になるからであ
らのずれ a,試料表面積を A,試料の温度 T とすると
る.このため,加熱は帯電状況を見ながら徐々に行い,帯
sSB eT AaT 4
t=
c
電が減少したら温度を下げて電荷の回復を待つという時間
(9)
のかかる手順を繰り返していた.試料温度が上昇し,熱電
子の放出が始まると帯電の減少は問題なくなるが,この温
で与えられる.ここで sSB, eT, c はそれぞれステファン・
度に到達するまで通常 1 時間程度費やしていた.また,帯
ボルツマン定数,試料の全半球輻射率,光速である.従っ
電の喪失は,チャンバーの真空度や試料の表面状態に依存
て,加熱レーザーの焦点位置を調整することにより,試料
するためコントロールが難しく,静電浮遊炉での実験上の
の回転を制御することが可能である.
大きな課題であった.
56
日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 18 No. 2 2001
― 110 ―
地上用静電浮遊炉の開発
Fig. 9
Molten niobium sample levitated in the NASDAESL.
Fig. 11
Fig. 10(a)
Spinning molten tin before bifurcation (a) and after
bifurcation (b).
Cooling curve of molten zirconium. A: onset of
cooling B: maximum undercooling C: recalescence.
Fig. 11(c)
Laser induced rotation on a molten Zr sample.
の方法のポイントは浮遊後の試料の温度が低下しないよう
にすることである.浮遊前後の加熱レーザー照射位置を反
射ミラーの角度調整により素早く行い,浮遊試料の温度低
下を防いだ.「Hot Launch 」と名付けたこの方法により,
試料の加熱溶融は10分程度に短縮することができた.この
方法は特に高融点金属には有効で, Zr, Nb の浮遊溶融お
よび安定保持を達成した.
Fig. 9 に Zr 試料の浮遊溶融状況を示す.また,Fig. 10
に Zr 及び Nb 試料を急冷した時の冷却曲線を示す. Fig.
10 (a)において,A の時点まで試料は一定温度で溶融して
いる.A の時点でレーザーの出力を 0 にすると,試料は輻
Fig. 10(b)
Cooling curve of molten niobium.
射のみによって冷却され温度が下がり,融点以下になって
も凝固せず,過冷却状態が達成される.B の時点で凝固が
開始し,凝固潜熱のために融点まで温度が上がる「復熱現
採用した新しい方法は,試料を浮遊前に加熱し,熱電子
を放出する状態を達成してから浮遊させる方法である.こ
日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 18 No. 2 2001
象」が確認される.Zr(融点(T m)=2130 K)では 310 K,
Nb(融点(T m)=2740 K)では450 K の最大過冷度( DT )
― 111 ―
57
石川 毅彦,他
が得られている.融点に対する過冷度の割合( DT / Tm )
タであるため,温度依存性を含めたデータの取得が不可欠
はそれぞれ0.13 及び0.16である.これは,電磁浮遊炉で達
である.
成可能と報告されている最大過冷却0.18 ~0.3014)には若干
. 比熱/全半球輻射率16)
劣る.加熱レーザーの出力を調整して徐令した場合は,
比熱/全半球輻射率は,熱収支計算により行う.質量 m
100 K 程度の過冷却状態であれば 1 分以上継続して維持す
の試料の温度 T は,レーザーによる熱入力 P ,比熱 C p ,
ることが可能である.これは 5 項で述べる種々の熱物性計
試料からチャンバーへの熱伝導率 h とすると
測に十分な時間である.
. 試料の回転制御
mcp
試料へのトルク付加については,以下の実験を行い 3 項
dT
=-eT sSB A(T 4-T 4c )-hA(T -Tc)+P
dt
(10)
で述べた原理が静電浮遊炉上で実現されていることを確認
となる.ここで Tc はチャンバー壁面の温度である.さ
している.
て,真空中であるから(10)式の右辺第 2 項は 0 であり,加


回転磁場の利用
熱レーザーのパワーを切ると第 3 項も 0 となる.試料の位
回転磁場の機能確認のため,溶融 Sn の回転実験を行っ
置制御と加熱を独立にコントロールできるのがここでの静
た.Fig. 11に遠心力により変形した Sn 試料を示す.さら
電浮遊炉のメリットである.(電磁浮遊では,試料の浮遊
にトルクを加えると,試料がもはや回転対称で存在できな
により加熱が行われてしまう.)また,試料は球形である
い点(bifurcation)に到達した(Fig. 11(b)).
ので,表面積 A の算出も密度データから簡単にできる.


レーザーフォトンの利用
データ解析は Fig. 10 の冷却曲線の冷却開始から復熱現
溶融 Zr において加熱レーザーの焦点をずらし,回転を
象までのデータ式(10)にあてはめ,C p/eT の形で得られる.
与えた.Fig. 11(c)のとおり,Zr 試料の変形により試料の
. 表面張力,粘性係数17)
回転を確認した.
表面張力 g,粘性係数 h の液滴試料(半径 r0 )を振動さ
.
せた場合,2 次の振動モードの周波数 v2,減衰係数 t は以
熱物性測定への適用
下の式で与えられる.
無容器処理の最大のターゲットは,過冷却状態からの凝
v22=
固により通常の凝固では得られない準安定相を持つ新材料
を創出することである.こうした新材料創製を効率よく進
1
5h
= 2
rr 0
t
めていくためには,過冷却からの凝固の機構の解明・創出
される相の予測等が必要である.これらの機構解明は現在
(11)
(11)式より,表面張力および粘性係数は,液滴振動法に
急速に発展している数値シミュレーションが用いられる
が,数値シミュレーションには基礎となる熱物性値が不可
8g
rr 30
より試料の振動数と振動の減衰から得られる.
欠である.液体状態の金属・合金の熱物性データは取得が
溶融試料に液滴振動を起こさせるために,通常は接地し
困難であることから,情報は少ない.特に過冷却状態の
てある下電極に正弦波電圧を加える.このために±10 kV
データは,計測に必要な長時間の過冷却状態の達成が困難
の高速高圧アンプとファンクションジェネレータを用い
なことからさらに限定されている.
る.正弦波の周波数が v2 に一致するとき,試料は表面振
地上用静電浮遊炉では比較的長時間の過冷却状態の保持
動を開始する.
液滴振動の計測は Fig. 12 のとおり,試料の影の変化を
が可能である.また,他の浮遊炉にない長所を持ち,熱物
計測することで行う.位置計測光学系から分岐されたレー
性測定に適した装置である.
これまでに密度(熱膨張率),比熱/平均輻射率,表面張
ザー光はスリットを通じてパワーディテクターに入る.パ
力,粘性係数,電気抵抗率の測定が報告されている.本静
ワーディテクターに入る He Ne レーザーの光量変化を試
電浮遊炉を利用した熱物性測定はこれからであるが,以下
料の変形としてとらえ,パワーディテクターの出力を解析
に記す手法により熱物性測定を実施していく予定である.
することにより試料の振動数や振幅の変化を得る.
本計測におけるにおいても溶融試料が真球であることを
. 密度(熱膨張率)15)
密度 r は,拡大観察画像から画像解析により体積を求
めて得られる.Fig. 9 の写真からわかるとおり,溶融試料
前提にしており,静電浮遊炉は最適な装置である.
. 電気抵抗率11)
は地上においてもほぼ真球である.(画像解析によると 1
(8 )式から明らかに,試料にかかるトルクは試料の抵抗
程度上下に伸張している.)これは地上用電磁浮遊炉に
値に反比例する.従って,試料にかかるトルクを計測でき
はないメリットである.画像解析では画像からの試料の境
れば,試料の電気抵抗率を計算できる.小野らは,試料を
界の抽出を行い,抽出されたデータをルジャンドル関数へ
回転磁場に吊した坩堝内で溶かし,トルクを吊り線のねじ
フィッティングし,中心の座標と半径を求める.
れ角として計測して,溶融金属の電気抵抗値を求めている
密度のデータは比熱/平均輻射率などの計算の基礎デー
58
日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 18 No. 2 2001
(回転磁場法)18).非接触の場合は,試料の回転角加速度は
― 112 ―
地上用静電浮遊炉の開発
の懸念に対して答を得る予定である.
. 地上用静電浮遊炉の限界/微小重力のメリット
地上用静電浮遊炉の限界及び微小重力実験用静電浮遊炉
のメリットを考察する.


試料サイズ
地上では重力をキャンセルするだけの力を発生させる必
要がある.その力は(1 )式より QV /L である.一方,液体
状態の試料が安定した形状を保持するためには,電場(E
=V /L )及び帯電量 Q がある範囲に収まっている必要があ
る.Rayleigh19)は液滴が破裂しない限界電荷量 Q R を
Q R=8p ge0r 30
(12)
としている.ここで e0 は真空の透磁率である.一方,
Fig. 12
Taylor20)は電場の限界として
Conceptual drawing for sample oscillation measurement.
g
4pe0r0
ER1.625
トルクに比例する(真空であるため,空気抵抗は無視でき
(13)
を導いている.Adornato21)らは,有限要素法を用いて静電
る)ため,試料の回転数データから角加速度を求め,電気
浮遊液滴の形状と安定領域を求めている. Fig. 13 にその
抵抗値を計算することができる.この際,試料の慣性モー
概要を示す. Q 0, E0 は無次元化された電荷及び電場であ
メントの値が必要となるが,試料が球形であるから質量と
り,それぞれ
半径から簡単に計算できる.
.
議
Q 0=Q(4pe0r 30g)-1/2
論
E 0= E
- 1/2
(4pe r )
(14)
0 0
. 地上での熱物性測定における静電浮遊炉のメリッ
で与えられる.液滴の電荷及び浮遊に必要な電場が Fig.
ト
静電浮遊炉における熱物性計測は他の地上用浮遊炉に比
13 の線より下側の領域であれば,液滴の形状は安定であ
る.ここで,線が Q 0 軸及び E 0 軸と交わる点がそれぞれ
較して以下のメリットを持っている.


g
Rayleigh 及び Taylor の限界値である.また,電場に関し
浮遊溶融した試料がほぼ真球である.
多くの計測手法が球形の試料を前提としており,その前
ては高圧アンプの性能による上限,試料の帯電量も単位表
提条件を満たしている.このため解析が単純である.地上
面積あたりの帯電量の上限から制約が加わるため,現実的
用電磁浮遊炉では試料は大きく変形するため,球の近似が
な安定領域は Fig. 13に示された範囲となる.一方,(1)式
できず,測定を困難にしている.音波浮遊においても,音
及び(14)式から,
圧による初期変形が物性測定の誤差要因となっている.


加熱と位置制御が独立に行われる.
Q 0 E 0=
地上用電磁浮遊炉では,浮遊のために試料に渦電流を発
4prr 20
3g
(15)
生し,試料は加熱される.このため,( 10 )式の熱入力 P
となり,半径 r0 の試料の浮遊に必要な Q 0 及び E 0 は双曲
を 0 にすることができず,計算は複雑となる.
線で与えられる. Fig. 14 は Bi (密度 10.1 × 103 kg / m3 ,表


面張力0.378 N/m)22)及び Sn 試料(密度6.98×103 kg/m3,
真空中で浮遊溶融可能.
これにより,雰囲気ガスによる伝熱や試料回転に対する
表面張力 0.56 N / m )22) について,半径を変えて必要な Q 0
抵抗等が無視でき,解析を単純化できる.音波浮遊では,
E 0 曲線をプロットしたものである.試料径が大きくなる
ガスは必須であるため,熱伝導や対流を考慮する必要が生
に従って安定領域は狭くなり,半径 3 mm では,安定した
じ,(10)式は容易に用いることができない.
領域がないことがわかる.式(15)から明らかに,限界とな
一方,静電浮遊炉における表面張力,粘性係数の測定に
る半径は試料の表面張力及び密度に依存し, Bi など表面
ついては,表面電荷の影響を考慮する必要がある.表面張
張力が弱く密度が大きい試料では,制約が顕著である.さ
力に関しては,補正式が提案されている17)が粘性係数に関
らに,電場に関しては高圧アンプの性能から30 kV が上限
してはない.粘性係数に関しては,位置制御にかかる力自
であるし,試料の帯電量も10-10 C オーダーであるためこ
体が振動減衰に効いている可能性がある.今後 MSL1 の
れらの制約からも試料径が限定されてくるため,1~3 mm
TEMPUS で行われた実験3) との比較実験を行い,これら
の試料直径が限度である.
日本マイクログラビティ応用学会誌 Vol. 18 No. 2 2001
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59
石川 毅彦,他
Fig. 13
Limitations on stable levitation of a molten sample.
Stability limit line is from Ref. 21.
Fig. 14(b)
.
ま
Limitation on Sample radius of tin. Sample size 1,
1.5, 2 and 3 mm are plotted together with Rayleigh-Taylor limit, maximum electric ˆeld and
maximum surface charge density.
と
め
地上用静電浮遊炉は,試料位置制御の困難さからこれま
で開発が遅れていたが,JPL での成果を基に改良を加え,
高融点試料である Nb の安定浮遊溶融まで可能となった.
静電浮遊炉の長所を利用して浮遊溶融試料の各種の熱物性
測定が簡便に行え,その温度範囲は過冷却状態まで及ぶ.
今後熱物性測定の精度向上等を図り,地上での研究活動,
熱物性データの充実を図るとともに,その技術を宇宙ス
テーション用の静電浮遊炉に活用していく予定である.
Fig. 14(a)
Limitation on Sample size 1, 1.5, 2 and 3 mm are
plotted together with Rayleigh-Taylor limit, maximum electric ˆeld and maximum surface charge
density.
謝辞
本 研究 の 遂 行に 当 たっ て は, 筆 者 らの JPL での 研 修
(一人は社内研修,一人はポスドクとしての研究)を基礎
としており,JPL/Rhim 博士に敬意を表します.東京工業
大学小田原教授からは紫外線レーザー採用の助言をいただ
微小重力下では,残留重力に対抗する制御力が作用すれ
きました.また,実験の実施に際しては,宇宙開発事業団
ばよい.残留重力を 10-4 G 程度とし,( 15 )式の g に与え
の荒井,越川,村上,余野,川崎の各氏に援助をいただき
ると微小重力の効果を知ることができる.理論的には試料
ました.
径を 2 桁大きくしても安定した浮遊が実現できる.


参考文献
帯電量減少への対応
加熱中の帯電量減少は静電浮遊炉にとって大きな問題で
ある.(1 )式より明らかに,帯電量が半分になれば,電場
を 2 倍にする必要がある.通常試料の初期浮遊に10 kV 程
度の電圧を印加している.高圧アンプの制限(最大30 kV)
から,対応できる帯電減少は最大で67程度である.TR
IA の実験ではセラミクス試料の帯電量は92 減少してお
り6)地上用静電浮遊炉では対応困難である.よって加熱溶
融時の帯電量減少が激しい試料の実験には微小重力環境が
不可欠である.
60
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地上用静電浮遊炉の開発
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年
月日採録)
61
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