Model 4225-PMU Ultra-Fast I-V Module for the Model 4200-SCS

60ns～DCまで10nsステップでプログ
●
ラム可能な電圧出力
最大200メガサンプル/秒（MS/s）のサ
●
ンプルレートを実現したIV同時測定
2種類の電圧印加レンジ
（±10Vまた
●
は±40V）
と4種類の電流測定レンジ
（800mA、200mA、10mA、100μA）
を選択可能
●
各モジュールはI-V同時の印加と測定
が可能な2つの統合チャンネルを提供
します。1台のシャーシで最大4モジュ
ールまで搭載できるので、8つの同期
チャンネルを構成できます
●
4220-PGU型パルスジェネレータユニ
ットは、4225-PMU型の電圧印加機能
のみをカバーします
●
オプションの4225-RPM型リモー
トアンプ／スイッチは電流レンジ
を拡張し
（10mA、
1mA、
100μA、
10μA、
1μA、
100nA）
、
4225-PMU型、
4210-CVU型、4200-SMU／4210-SMU
型の間で印加／測定を切り替えます
アプリケーション
●
超速汎用I-V測定
●
パルスI-Vおよびトラン
ジェントI-V測定
●
フラッシュ、PCRAM、その他
●
中出力パワーデバイスの等温試験
●
CMOSスケーリングのための高
の不揮発性メモリの試験
誘電率（High-κ）材料の試験
●
NBTI/PBTI信頼性試験
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ますます充実する4200-SCS型半導体特性評価システム向け計測オプションのラインナッ
プに、4225-PMU型超速I-Vモジュールが新たに加わりました。この製品は、もともと強力な
4200-SCS型の試験環境に超速の電圧波形生成および信号観測機能を統合し、かつてないI-V試
験性能を提供します。
これによって、材料、デバイス、
プロセスの特性を評価するシステムの能力
が大幅に強化されます。
また、従来から定評のある高分解能ソースメジャーユニット
（SMU）
とと
もに超速のI-V印加および測定機能をDC測定のように簡単に実現できることも重要な特長です。
デバイス、材料、プロセスの特性を完全に評
価するには3種類の測定が必要になります。
そのうち2つは、高精度のDC I-V測定（通常は
4200-SCS型SMUを使用）
とACインピーダンス
測定（4210-CVU型C-Vユニットを使用）
です。そ
して、
この特性評価トライアングルの最後の一
辺、つまり超速I-V測定またはトランジェントI-V
測定を担うのが4225-PMU型です。
これによっ
て3種類の測定をすべて、柔軟でコスト効果の
高い単一の試験システムに統合できるように
なりました。
各4225-PMU型プラグインモジュールは、印加
機能と測定機能を統合したチャンネルを2つ提
供しますが、4200-SCS型シャーシにある9つの 4200-SCS型のシャーシには最大4個の4225-PMU
スロットのうち1スロットしか占有しません。他 型モジュールを収納できるので、最大8つの超速
社のソリューションとは異なり、4225-PMU型 印加／測定チャンネルを実現できます。
の各チャンネルには、高速の電圧出力（パルス
幅：60ns～DC）
と電流電圧の同時測定の両機能が統合されています。
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Optional ultra-fast voltage source and measurement unit for the Model 4200 Semiconductor Characterization System
4200-SCS型用
超速I-Vモジュール
SEMICONDUCTOR
4225-PMU
4225-RPM
4220-PGU
Optional ultra-fast voltage source and measurement unit for the Model 4200 Semiconductor Characterization System
4225-PMU
4225-RPM
4220-PGU
ご注文案内
4225-PMU型超速I-Vモジュール
4225-RPM型リモートアンプ／スイッチ
4220-PGU型パルスジェネレータユニット
（電圧印加のみ）
付属アクセサリ
4225-PMU型または4220-PGU型：
SMA-SMA 50Ωケーブル、2m（4本）
SMA-SSMC Y-ケーブルアセンブ
リ、15cm（2個）
4200-SCS型用
超速I-Vモジュール
この超速の電圧印加機能と電圧電流測定機能を組み合わせれば、既存の4200-SCS型システム
を、
どのような超速I-V試験アプリケーションにも幅広く柔軟に対応できる測定ツールへと、簡単
にアップグレードできます。各シャーシに最大4個の4225-PMU型モジュールを搭載できますの
で、最大8つの超速印加／測定チャンネルが得られます。残りの5つのシャーシスロットには他
の種類の測定ユニットを導入できます。
これらのハードウェアとソフトウェアの機能は、新規の
4200-SCS型システムに工場出荷時の導入済みオプションとして提供することもできます。
試験ライブラリのサポート
KTEIの最新バージョンには、多くの種類の標準的な超速I-V試験が組み込まれています。例え
ば、MOSFETのトラップ電荷の等温パルスI-V特性や過渡現象の測定、チャージポンプ、抵抗、
ダ
イオード、
コンデンサ、
フラッシュメモリ、太陽電池の試験などに対応できます。
また、内蔵波形、
セグメントARB®機能、オプションの4225-RPM型リモートアンプ／スイッチの使用方法を示すサ
ンプルプログラムも付属しています。
別売アクセサリ
4200-BTI-A
NBTI/PBTI信頼性試験機能を総合
的に提供する超速のハードウェア
およびソフトウェアパッケージ。
4200-PMU-PROBER-KIT
汎用ケーブル／コネクタキッ
ト。4225-PMUと、ほとんどの
トライアキシャルおよび同軸
プローブステーションを接続
可能。4225-PMU型モジュール
1台あたり1キット必要です。
4210-MMPC-C Cascade用のマルチ測定高性
能ケーブル。マニピュレータ1
台あたり1キット必要です。
4210-MMPC-S Suss社用のマルチ測定高性
能ケーブル。マニピュレータ1
台あたり1キット必要です。
4225-RPM
ACS V4.2
リモートアンプ／スイッチ。4225-
4225-PMU型超速I-Vモジュールは4200-SCS型
の測定器スロットに直接挿入でき、最大2台の
4225-RPM型リモートアンプ／スイッチオプション
の接続が可能です。4225-RPM型リモートアンプ／
スイッチは、4225-PMU型の低電流側測定レンジ
を拡張するとともに、4225-PMU型とシャーシ内
の他のモジュール間の切り替えを可能とします。
4225-PMU型の統合測定機能を必要としないアプ
リケーションには、4220-PGU型が電圧印加機能
のみを提供する選択肢となります。
PMU型モジュール1台あたり最
印加機能と測定機能の柔軟性を高めるハードウェアオプション
大2ユニットを使用できます。
オプションの4225-RPM型リモートアンプ／スイッチは、電流測定レンジを最高感度数十ピ
コアンペアまで低電流側に4段階拡張することで、4225-PMU型の機能を強化します。さらに
4225-RPM型はケーブル容量の影響を軽減し、シャーシに設置された4225-PMU型、4210-CVU
型、その他のSMUモジュールの自動切り替えも可能にします。
これによって、オペレータはケーブ
ル配線をやり直さずに特定の測定作業に最適の測定器を選択できます。4220-PGU型パルスジ
ェネレータユニットは、4225-PMU型の電圧印加機能のみをカバーします。
ACS統合テストシステム
（Automated Characterization
Suite）のソフトウェア。
汎用試験と信頼性試験の両方のアプリケーションをサポート
SEMICONDUCTOR
4225-PMU型では電圧および電流の測定レンジ、パルス幅、立ち上がり時間などを、広い範囲
でプログラム可能で、ナノCMOSからフラッシュメモリまで、超速の電圧出力と測定の両方を必
要とするさまざまな試験アプリケーションに最適です。4225-PMU型は、高速の電圧パルス発
生機能と、電流電圧同時測定機能を備えています。最大サンプルレートは200メガサンプル/秒
（MS/s）で、チャンネルあたり2つ（モジュールあたり4つ）の14ビットADコンバータを使用し
ています。2種類の電圧印加レンジ（±10Vまたは±40V、1MΩ負荷）
と4種類の電流測定レンジ
（800mA、200mA、10mA、100μA）を選択できます。
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4200-SCS型用
超速I-Vモジュール
4225-PMU型および4225-RPM型を組み合わせることで、通常1つの測
定器シャーシでは対応できないような多種多様なアプリケーションの
測定に必要なすべてのツールを得られます。
●
●
●
●
●
汎用超速I-V測定 DC信号ではなく、短いパルスあるいはデューティ
サイクルの小さいパルス（または、その両方）を用いてデバイスの自
己発熱を予防するなど、さまざまな目的で幅広いデバイスを対象と
したパルスI-V試験を実行できます。
CMOSデバイスの特性評価 4225-PMU/4225-RPM型の組み合わせ
による、高速な電圧印加機能と高感度の電流測定機能は、high-κ
デバイスやシリコンオンインシュレータ
（SOI）などの先端CMOS技
術をはじめとする、CMOSデバイスの特性評価に最適です。
不揮発メモリデバイスの試験 4200-SCS型のKTEIソフトウェアには、
フラッシュおよび相変化メモリ
（PCM）デバイスの両方を試験するツ
ールキットが含まれています。4225-PMU型は、研究開発またはプロ
セス検証などで分離されたメモリセルの試験が必要な場合に、単
一メモリセルまたは小さなセルアレイを測定するのに最適の測定
器です。
4200-SCS型のシャーシには最大4個の4225-PMU型モジュールを装着できる
ため、最大8つの超速印加および測定チャンネルを構成できます。写真は、4
化合物半導体のデバイスおよび材料の特性評価 GaN、GaAsなどの
ピンのプローバに4台の4225-RPM型モジュールを接続した状態です。
III-V族材料や、その他の化合物半導体材料から作られたデバイス
の特性評価には、
しばしばパルスI-V試験が必要になります。4225PMU型は、非ゼロ値（Qポイント）から測定を開始できるように、パルスにオフセット電圧を設定できます。
この機能
は、
アンプの利得またはデバイスの線形性の評価に使用できます。
NBTI/PBTI信頼性試験 KTEIに含まれる標準的な信頼性試験シーケンスに加えて、ケースレーのACS統合テス
トシステム（Automated Characterization Suite）オプションが提供する信頼性試験用のシーケンスを使用できま
す。4200-BTI-A型超速BTIパッケージには、一般的な特性評価やラボオートメーションの作業に加えて、さまざまな超
速BTI試験アプリケーションに必要な、すべてのハードウェアとソフトウェアが統合されています。
セグメントARB®波形発生
4225-PMU型は、線形スイープ、パルス、任意波形、セグメントARB（特許申請中）の4種類のスイープを発生できます。な
かでもセグメントARBモードは、ユーザが定義した最大2,048個のセグメントをもとに、波形を簡単に作成、保存、発生で
きる機能です。各セグメントには異なる時間幅を設定できるため、波形発生の柔軟性が格段に高まります。
高性能ケーブル接続
4225-PMU/4225-RPM型の組み合わせは、ほとんどの半自動プローブステーションと互換性があります。オプションの
マルチ測定高性能ケーブルキット
（4210-MMPC-x）は、4200-SCS型とプローバマニピュレータを接続し、DC I-V、C-V、
および超速I-V試験の各設定を簡単に切り替えることができます。
このキットにより、ケーブルの再配線が不要になると
同時に、不適切なケーブル接続が原因で生じることが多い測定誤差を排除することで、信号の忠実度が最大化されま
す。Cascade MicrotechおよびSUSS MicroTecプローバ専用に開発されたバージョンがあります。
また、4225-PMU型を
他のトライアキシャルまたは同軸プローブステーションに接続する汎用キット
（4200-PMU-PROBER-KIT）
も提供していま
す。
Optional ultra-fast voltage source and measurement unit for the Model 4200 Semiconductor Characterization System
4225-PMU
4225-RPM
4220-PGU
ケースレーの4200-SCS型は、
さまざまな電気試験ツールを、広範なアプリケーションに的確に対応できる単一のコンパ
クトに統合された特性評価ソリューションに置き換えます。システムの有効性を保つために、ケースレーはハードウェア
とソフトウェアを継続的に強化してきました。
このたゆまぬ取り組みにより、新しい試験のニーズが生まれた場合にも、そ
れに対処するコスト効果の高いシステムアップグレードの道筋を確保できるのです。
これは、4200-SCS型のユーザには、
パラメータアナライザの陳腐化によって新しいものを購入せざるを得なくなることはないことを意味します。4200-SCS型
は、業界の常に変化する試験のニーズにいつでも適応でき、お客様の設備投資の効果をより長く持続させ、ROIを改善し
ます。
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SEMICONDUCTOR
継続的なシステム強化による継続的なROI確保
4200-SCS型用
超速I-Vモジュール
代表的な性能ウィンドウ
代表的な最大電圧および電流1
4225-PMU型および4220-PGU型
10Vレンジ
最大電圧2
最大電流2
抵抗2
1 Ω
0.196 V
196 mA
5 Ω
0.909 V
182 mA
10 Ω
1.67 V
167 mA
25 Ω
3.33 V
133 mA
50 Ω
5.00 V
100 mA
100 Ω
6.67 V
66.7 mA
250 Ω
8.33 V
33.3 mA
1 kΩ
9.52 V
9.5 mA
10 kΩ
9.95 V
995 μA
4225-PMU型は、次世代の超速I-V測定機能を体現する製品です。測定
速度は、セトリング時間、確度、分解能、
ノイズと密接に関わるため、
こ
のシステムが実現する代表的な測定性能のグラフを作成し、以下に示
します。
これは最大（最高）性能でも、保証される仕様でもありません。
単に新しいモジュールによって得られる性能を示すことが目的です。
代表的な電流測定
4225-PMU型超速I-Vモジュール
（4225-RPM型リモートアンプ／スイッチオプションありまたはなし）
10Vレンジ
40Vレンジ
電流測定レンジ
10 mA
200 mA 100 µA
10 mA
140 ns
70 ns
6 µs 700 ns
推奨最小パルス幅1
20 ns
20 ns
1 µs 100 ns
推奨最小測定ウィンドウ1
20 ns
20 ns
1 µs 100 ns
推奨最小立上り時間2
15 µA
50 µA
75 nA
5 µA
ノイズ3
100 ns
30 ns
4 µs 500 ns
セトリング時間4
800 mA
700 ns
100 ns
100 ns
200 µA
500 ns
IMAX = Vrange /（50Ω + 抵抗）
VMAX = IMAX・抵抗
この式の抵抗は、PMUまたはPGUチャンネルに接続された全抵抗です。Vrangeの値は10または
40です。
代表的な電流測定
例：10VレンジでR = 10Ω（DUT + 相互接続）の場合
4225-RPM型リモートアンプ／スイッチ（RPMは4225-PMU用オプションです）
10Vレンジ
電流測定レンジ
100 nA
1 µA 10 µA 100 µA
1 mA
10 mA
111 µs
12 µs 7.36 µs 920 ns 270 ns 140 ns
推奨最小パルス幅1
1 µs 130 ns
40 ns
20 ns
推奨最小測定ウィンドウ1 10 µs 1.64 µs
1 µs
360 ns 360 ns 40 ns
30 ns
20 ns
推奨最小立上り時間2
200 pA
2 nA
5 nA 50 nA 300 nA 1.5 µA
ノイズ3
100 µs
10 µs
6 µs 750 ns 200 ns 100 ns
セトリング時間4
IMAX = Vrange / (50 + R) = 10 / (50 + 10) = 10 / 60 = 0.167A
VMAX = IMAX ･ R = 0.167 ･ 10 = 1.67V
2. パルス出力のコネクタ部分における代表的な最大値です。抵抗はデバイスと相互接続を含むパル
ス出力コネクタに接続された全抵抗です。
10V Range: Max. Output vs. DUT Resistance
10Vレンジ
10V Range:
Max. ：最大出力対DUT抵抗
Output vs. DUT Resistance 0.20
10
9
0.20
0.18
4225-RPM
10 V
140 ns
20 ns
20 ns
1 mV
100 ns
I
I
9
8
0.16
0.14
7
6
0.14
0.12
6
5
0.12
0.10
5
4
0.10
0.08
4
3
0.08
0.06
3
2
0.06
0.04
1
0
01
1
1. 推奨最小パルス幅 = セトリング時間 + 推奨最小遷移時間 + 推奨最小測定ウィンドウ
0.18
0.16
8
7
2
1
代表的な性能ウィンドウに対する注記：
V
V
2. オーバシュートを最低限に抑えるための推奨立上り／立下り時間
V
V
100
100
DUT Resistance
(Ω)
（Ω）
DUTDUT抵抗
Resistance
(Ω)
I
I
0.04
0.02
0.02
0.00
10000
0.00
10000
4. 信号がDCの確度レベルに落ち着くまでに必要な時間。
（例：PMUの10Vレンジにおける10mAのセ
40
40Vレンジ
40V Range:
Max. ：最大出力対DUT抵抗
Output vs. DUT Resistance
40V Range: Max. Output vs. DUT Resistance 0.8
トリング時間は、信号が最終値の1.25%以内となるまでの時間と定義されます。計算は次のとおり
40
35
0.8
0.7
3. 与えられた電流レンジで推奨最小測定ウィンドウにわたって測定したRMSノイズの代表値
SEMICONDUCTOR
最大出力電圧
（V）
Max.
Max.
Output
Output
Voltage
Voltage
(V)(V)
です。確度 = 0.25% + 100μA = 0.25% +（100μA / 10mA）= 0.25% + 1% = 1.25%）
I
I
0.7
0.6
30
25
0.6
0.5
25
20
0.5
0.4
20
15
0.4
0.3
15
10
0.3
0.2
10
5
0.2
0.1
01
1
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4
V
V
35
30
5
0
V
V
100
100（Ω）
DUTDUT抵抗
Resistance
(Ω)
DUT Resistance (Ω)
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最大電流
（A）(A)(A)
Max.
Max.
Current
Current
4225-PMU型および4225-RPM型
4225-PMU
10 V
40 V
70 ns
150 ns
20 ns
20 ns
20 ns
100 ns
2 mV
8 mV
30 ns
30 ns
10
I 0.1
I 0.0
10000
0.0
10000
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最大電流
（A）
Max.
Max.
Current
Current
(A)(A)
代表的な電圧測定
電圧測定レンジ
推奨最小パルス幅1
推奨最小測定ウィンドウ1
推奨最小立上り時間2
ノイズ3
セトリング時間4
40Vレンジ
最大電圧2
最大電流2
0.784 V
784 mA
3.64 V
727 mA
6.67 V
667 mA
13.3 V
533 mA
20.0 V
400 mA
26.7 V
267 mA
33.3 V
133 mA
38.1 V
38.1 mA
39.8 V
3.98 mA
1. 任意の抵抗に対する、最大電流および電圧の概算値は、次の式で計算できます。
最大出力電圧
（V）
Max.
Max.
Output
Output
Voltage
Voltage
(V)(V)
Optional ultra-fast voltage source and measurement unit for the Model 4200 Semiconductor Characterization System
4225-PMU
4225-RPM
4220-PGU
4200-SCS型用
超速I-Vモジュール
4225-PMU型および4220-PGU型の仕様1
タイミング
パルス／レベル2
VOUT
50Ωから1MΩ
VOUT
50Ωから50Ω
オーバシュート／
プレシュート／
リンギング3
40Vレンジ
-40V～+40V
周波数レンジ
タイミング分解能
-5V～+5V
-20V～+20V
±(0.5% + 10 mV)
±(0.2% + 20 mV)
50Ωから50Ω
<250 µV
<750 µV
50Ωから1MΩ
<0.5 mV
<1.5 mV
50Ωから50Ω
50Ωから50Ω
通常のベストケース
±(3% + 20 mV)
±(2% + 20 mV)
±(3% + 80 mV)
±(0.5% + 40 mV)
確度
分解能
10Vレンジ
-10V～+10V
ソースインピーダンス
50Ω負荷への電流
(フルスケール時）
短絡電流
出力コネクタ
出力電圧制限
10ns
10ns
0.01% + 200ps
0.01% + 200ps
20ns～1s
±1%
100ns～1s
±1%
10ns～（周期 - 10ns）
±(1% + 200ps)
50ns～（周期 - 10ns）
±(1% +5ns)
10ns～33ms
30ns～33ms
周期レンジ4
確度
パルス幅レンジ5
確度
50Ω（公称値）
50Ω（公称値）
プログラム可能
な遷移時間6
（0%～100%）
±100mA
（代表値）
±400mA
（代表値）
遷移スルーレ
ート確度7
±200mA
±800mA
SMA
SMA
ソリッドステ
ートリレー
±1%（遷移時間 > 100ns）±1%（遷移時間 > 1μs）
開閉時間
25μs
25μs
DUT保護のためにプログラム可能
トリガ
電流測定（4225-PMU型のみ）
トリガ出力インピーダンス：50Ω
10Vレンジ
トリガ出力レベル：TTL
40Vレンジ
電流測定
10 mA
200 mA
100 µA
10 mA
800 mA
レンジ
確度（DC） ±(0.25% + 100 µA) ±(0.25% + 250 µA) ±(0.5% + 1 µA) ±(0.5% + 100 µA) ±(0.25% + 3 mA)
トリガ入力レベル：TTL
トリガ入力遷移時間（最大値）
：< 100ns
トリガ入力からパルス出力までの遅延：400ns
セグメントARB®およびタイミング
10 V Range
100 nA
トリガ入力インピーダンス：10kΩ
トリガ同期／ジッタ8：< 2ns
4225-RPM型の電流測定
電流測定
レンジ
40Vレンジ
1Hz～10MHz
RMSジッタ
（周
期、幅）代表値
±(0.1%+1mV) RMS ±(0.1%+5mV) RMS
代表値
代表値
ベースラインノイズ
10Vレンジ
1Hz～50MHz
1 µA
10 µA
100 µA
1 mA
10 mA
確度 (DC） ±(0.5% + 800 pA) ±(0.5% + 1 nA) ±(0.5% + 10 nA) ±(0.5% + 100 nA) ±(0.5% + 1 µA) ±(0.25% +10 µA)
4220-PGU、4225-PMU（4225-RPMありまたはなし）
最大セグメント数9：2048
最大シーケンス数9：512
最大シーケンスループ数：1012
4225-PMUおよび4225-RPM型の電圧測定
確度（DC）
セグメントあたりの時間幅：20ns～40s
±10V PMU
±40V PMU
±10V RPM
±(0.25% + 10 mV)
±(0.25% + 40 mV)
±(0.25% + 10 mV)
セグメントの時間分解能：10ns
各セグメントに対する制御パラメータ：
Optional ultra-fast voltage source and measurement unit for the Model 4200 Semiconductor Characterization System
4225-PMU
4225-RPM
4220-PGU
開始電圧
終了電圧
注記
1. 特記のないかぎり、仕様はすべて50Ω終端を想定しています。
期間
2. レベルに関する仕様は、50Ω負荷に入力し、10V印加レンジの場合50ns（代表値）、40V印加レンジの場合500ns（代表値）のセトリング
測定ウィンドウ
（PMUまたはPMU + RPMのみ）
時間（立ち上がり、立ち下がり後）が経過した後に有効となります。
測定タイプ（PMUまたはPMU + RPMのみ）
3. 遷移時間を10V印加レンジの場合20ns（0%～100%）、40V印加レンジの場合100ns（0%～100%）
としたときの値です。
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RMSジッタ
（セグメント）
：0.01% + 200ps（代表値）
4. 測定を有効にした場合の最小周期は、10V印加レンジでは120ns、40V印加レンジでは280nsになります。
5. 測定を有効にした場合の最小パルス幅は、10V印加レンジでは60ns、40V印加レンジでは140nsになります。
6. 測定を有効にした場合の最小遷移時間は、10V印加レンジでは20ns、40V印加レンジでは100nsになります。
7. 10%～90%遷移（代表値）に対する仕様です。10V印加レンジの最小スルーレート = 724mV/ms、40V印加レンジの最小スルーレート
= 2.71V/ms、いずれも標準パルスおよびセグメントARBモードの両方に適用されます。
8. 複数の4225-PMUまたは4220-PGUカードを、単一の4200-SCSシャーシに挿入した場合の値です。
9. チャンネルあたりの値です。
すべての仕様は、23±5℃、1年以内の校正、相対湿度5%～60%、
ウォームアップ30分後に適用されます。
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KTEI 8.0に含まれるソフトウェアツールおよ
びサポート
（詳細は4200-SCS型のデータシートを参照してくださ
い）
4200-SCS型用
超速I-Vモジュール
電圧印加の絶対最高性能
電圧印加としてだけ使用する場合（つまり、電圧または
電流の測定が不要の場合）、4225-PMU型は、実際には
以上に示した仕様値を超える性能を発揮します。以下
汎用超速I-V測定用の対話式テストモジュール（ITM）
：プ
ログラミングは不要です。
の値は、4225-PMU型を最適条件のもとで使用した場合
に得られる、最高レベルと呼ぶにふさわしい性能がどの
4225-PMU/4225-RPM/4220-PGU型の全機能を使って
ようなものか、
より明確に理解していただくために掲載
詳細なプログラムを作成する場合のユーザテストモ
しています。
これらを、代表的なユースケースにおける
ジュール（UTM）
4225-PMU型の保証値とはみなさないでください。
KPulse（電圧印加のみ）
：汎用パルスジェネレータインタ
フェース
K X C（
I U T M から呼 び 出 す 場 合 の み ）
：イー サ ネッ
ト／GPIBを介した外部制御用
オプションソフトウェア
信 頼 性 試 験 、汎 用 特 性 評 価 、ラ ボ オ ートメ ー ショ
ンの た め の A C S 統 合テストシステム（A u t o m a t e d
Characterization Suite） V4.2。
これらの機能に関する
詳細は、4220-BTI-A型のデータシートを参照してくださ
い。
10Vレンジ：
立上り時間：< 10ns
パルス幅：10ns（半値全幅）
周期：20ns
オーバシュート／プレシュート／リンギング：± (2%
+ 20mV)
40Vレンジ：
立上り時間：10Vまで50ns、40Vまで100ns
パルス幅：50ns
周期：100ns
オーバシュート／プレシュート／リンギング：± (0.5%
+ 40mV)
SEMICONDUCTOR
Optional ultra-fast voltage source and measurement unit for the Model 4200 Semiconductor Characterization System
4225-PMU
4225-RPM
4220-PGU
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超速I-Vモジュール
Optional ultra-fast voltage source and measurement unit for the Model 4200 Semiconductor Characterization System
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4225-RPM
4220-PGU
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Cascade Microtech社のプローブステーションでの上面写真です。4225-RPMリモートアンプ/スイッチを
青色のマルチ測定高性能ケーブルを介してプローバに接続する良い例です。
2個の4225-RPMの拡大写真です。DC SMU、C-V、超速I-Vのケーブルが接続されています。
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予告なしに仕様書を変更することがあります。
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