...

TC75S56F,TC75S56FU,TC75S56FE

by user

on
Category: Documents
19

views

Report

Comments

Transcript

TC75S56F,TC75S56FU,TC75S56FE
TC75S56F/FU/FE
東芝CMOS形リニア集積回路 シリコン
モノリシック
TC75S56F,TC75S56FU,TC75S56FE
シングルコンパレータ
TC75S56F、TC75S56FU、TC75S56FE は、CMOS タイプの汎用
シングルコンパレータです。単一電源動作が可能で、従来のバイポー
ラタイプの汎用コンパレータにくらべて、低消費電流となっており
ます。また、出力段は、プッシュプル出力となっており、TTL や CMOS
などのロジック IC に直接接続することができます。
特
TC75S56F
長
•
低消費電流です。
•
単一電源動作ができます。
•
同相入力電圧範囲が広い。 : VSS~VDD − 0.9 V
•
出力回路はプッシュプル出力です。
•
低入力バイアス電流です。
•
小型外囲器です。
: IDD = 10 μA (標準)
TC75S56FU
TC75S56FE
質量
SSOP5-P-0.95 : 0.014 g (標準)
SSOP5-P-0.65A : 0.006 g (標準)
SON5-P-0.50
: 0.003 g (標準)
現品表示 (top view)
5
ピン接続図 (top view)
4
VDD
OUT
5
4
TC
1
2
1
IN (−)
3
1
2
VSS
3
IN (+)
2007-11-01
TC75S56F/FU/FE
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
電
差
項
目
源
電
動
入
力
記
電
号
定
格
単位
圧
VDD, VSS
±3.5 or 7
V
圧
DVIN
±7
V
入
力
電
圧
VIN
VSS~VDD
V
出
力
電
流
IOUT
±35
mA
消
費
電
力
TC75S56F/FU
PD
TC75S56FE
200
100
mW
動
作
温
度
Topr
−40~85
°C
保
存
温
度
Tstg
−55~125
°C
注:
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても、高負荷 (高温お
よび大電流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれが
あります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注:
本製品は、CMOS 構造のデバイスに特有のラッチアップと呼ばれる状態になることがありますので、次の点に
注意してください。
•
入出力端子の電圧レベルを VDD より上げない、または、VSS より下げないでください。
電源投入時のタイミングも考慮してください。
•
異常ノイズがデバイスに加わらないようにしてください。
2
2007-11-01
TC75S56F/FU/FE
電気的特性 (特に指定がない場合, VDD = 5 V, VSS = GND, Ta = 25°C)
項
目
記
号
測定
回路
測 定 条 件
最小
標準
最大
単位
入
力
オ
フ
セ
ッ
ト
電
圧
VIO
⎯
⎯
⎯
±1
±7
mV
入
力
オ
フ
セ
ッ
ト
電
流
IIO
⎯
⎯
⎯
1
⎯
pA
入
力
電
流
II
⎯
⎯
⎯
1
⎯
pA
バ
イ
ア
ス
⎯
⎯
0
⎯
4.1
V
⎯
⎯
⎯
11
22
μA
GV
⎯
⎯
⎯
94
⎯
dB
圧
CMVIN
電
源
電
流
IDD
電
圧
利
得
同
相
入
力
電
(注)
シ
ン
ク
電
流
Isink
⎯
VOL = 0.5 V
13
25
⎯
mA
ソ
ー
ス
電
流
Isource
⎯
VOH = 4.5 V
9
21
⎯
mA
VOL
⎯
Isink = 5.0 mA
⎯
0.1
0.3
VOH
⎯
Isource = 5.0 mA
4.7
4.9
⎯
1.8
⎯
7.0
出
力
電
圧
動
作
範
囲
VDD
⎯
伝
(
搬
遅
延
時
立
ち
上
が
り
間
)
tPLH (1)
⎯
オーバドライブ = 100 mV
⎯
680
⎯
tPLH (2)
⎯
TTL ステップ入力
⎯
500
⎯
伝
(
搬
遅
延
時
立
ち
下
が
り
間
)
tPHL (1)
⎯
オーバドライブ = 100 mV
⎯
250
⎯
tPHL (2)
⎯
TTL ステップ入力
⎯
380
⎯
tTLH
⎯
オーバドライブ = 100 mV
⎯
60
⎯
tTHL
⎯
オーバドライブ = 100 mV
⎯
8
⎯
電
応
源
電
圧
答
時
間
⎯
V
V
ns
ns
ns
電気的特性 (特に指定がない場合, VDD = 3 V, VSS = GND, Ta = 25°C)
項
目
記
号
測定
回路
測 定 条 件
最小
標準
最大
単位
入
力
オ
フ
セ
ッ
ト
電
圧
VIO
⎯
⎯
⎯
±1
±7
mV
入
力
オ
フ
セ
ッ
ト
電
流
IIO
⎯
⎯
⎯
1
⎯
pA
入
力
電
流
II
⎯
⎯
⎯
1
⎯
pA
圧
CMVIN
⎯
⎯
0
⎯
2.1
V
流
IDD
⎯
⎯
⎯
10
20
μA
同
バ
相
電
イ
ア
入
ス
力
源
電
電
(注)
シ
ン
ク
電
流
Isink
⎯
VOL = 0.5 V
6
18
⎯
mA
ソ
ー
ス
電
流
Isource
⎯
VOH = 2.5 V
3
15
⎯
mA
VOL
⎯
Isink = 5.0 mA
⎯
0.15
0.35
VOH
⎯
Isource = 5.0 mA
2.65
2.85
⎯
出
力
電
圧
V
伝
(
搬
遅
延
時
立
ち
上
が
り
間
)
tPLH
⎯
オーバドライブ = 100 mV
⎯
550
⎯
ns
伝
(
搬
遅
延
時
立
ち
下
が
り
間
)
tPHL
⎯
オーバドライブ = 100 mV
⎯
250
⎯
ns
tTLH
⎯
オーバドライブ = 100 mV
⎯
30
⎯
tTHL
⎯
オーバドライブ = 100 mV
⎯
8
⎯
応
注:
答
時
間
ns
本製品は、動作周波数が高くなると消費電流が増加しますので、消費電力が許容損失を超えないようにご注意く
ださい。
3
2007-11-01
TC75S56F/FU/FE
IDD – f
1000
VDD = 3 V
VSS = GND
IDD (μA)
100
消費電流
Ta = 25°C
10
1
0.001
0.01
0.1
1
周
波
10
100
1000
10
100
1000
f (kHz)
数
IDD – f
1000
VDD = 5 V
VSS = GND
IDD (μA)
100
消費電流
Ta = 25°C
10
1
0.001
0.01
0.1
1
周
波
f (kHz)
数
4
2007-11-01
TC75S56F/FU/FE
VOL – Isink
VOL – Isink
3.0
5.0
VDD = 3 V
4.5
VSS = GND
4.0
(V)
Ta = 25°C
VOL
2.0
1.5
出力電圧
出力電圧
VOL
(V)
2.5
1.0
VDD = 5 V
VSS = GND
Ta = 25°C
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.5
0.0
0
5
15
10
25
20
Isink
シンク電流
30
35
0.0
0
40
5
(mA)
10
15
シンク電流
20
25
Isink
30
35
40
35
40
(mA)
VOH – Isource
VOH – Isource
5.0
3.0
4.5
(V)
4.0
VOH
2.0
1.5
出力電圧
出力電圧
VOH
(V)
2.5
1.0
VDD = 3 V
0.5
0.0
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
VSS = GND
1.0
Ta = 25°C
0.5
5
10
15
25
20
ソース電流
30
35
0.0
0
40
Isource (mA)
VDD = 5 V
VSS = GND
Ta = 25°C
5
10
15
ソース電流
20
25
30
Isource (mA)
PD – Ta
300
IC 単体のデータで基板実装時は、これ
より許容損失が大きくできます。
異なりますので十分検討願います。
200
許容損失
PD
(mW)
ただし、基板実装の状態により大きく
100
0
−40
0
40
周囲温度
80
Ta
120
(°C)
5
2007-11-01
TC75S56F/FU/FE
外形図
質量: 0.014 g (標準)
6
2007-11-01
TC75S56F/FU/FE
外形図
質量: 0.006 g (標準)
7
2007-11-01
TC75S56F/FU/FE
外形図
質量: 0.003 g (標準)
8
2007-11-01
TC75S56F/FU/FE
当社半導体製品取り扱い上のお願い
20070701-JA
• 当社は品質,信頼性の向上に努めておりますが,一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
社半導体製品をご使用いただく場合は,半導体製品の誤作動や故障により,生命・身体・財産が侵害されること
のないように,購入者側の責任において,機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお,設計に際しては,最新の製品仕様をご確認の上,製品保証範囲内でご使用いただくと共に,考慮されるべ
き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」,「半導体信頼性ハンドブック」な
どでご確認ください。
• 本資料に掲載されている製品は,一般的電子機器(コンピュータ,パーソナル機器,事務機器,計測機器,産業
用ロボット,家電機器など)に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され,その故
障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器(原子力制御機器,航空宇宙機器,輸送
機器,交通信号機器,燃焼制御,医療機器,各種安全装置など)にこれらの製品を使用すること(以下“特定用
途”という)は意図もされていませんし,また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用
途に使用することは,お客様の責任でなされることとなります。
• 本資料に掲載されている製品を,国内外の法令,規則及び命令により製造,使用,販売を禁止されている応用製
品に使用することはできません。
• 本資料に掲載してある技術情報は,製品の代表的動作・応用を説明するためのもので,その使用に際して当社及
び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
• 本資料に掲載されている製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合
せください。本資料に掲載されている製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令な
どの法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様が適用される法令を遵守しないこ
とにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
• 本資料の掲載内容は,技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
9
2007-11-01
Fly UP