WAに向けた規制緩和提案（レーザー光を用いたリソグラフィ装置）

経済産業省
貿易経済協力局
貿易管理部
安全保障貿易管理課
井上課長殿
安全保障貿易審査課
長谷川課長殿
安全保障貿易管理課
芳川安全保障情報調査官殿
ＷＡに向けた規制緩和提案（レーザー光を用いたリソグラフィ装置）
2006 年２月１日
(財) 安全保障貿易情報センター
エレクトロニクス専門委員会
半導体製造装置・材料分科会
平素は格別のご高配を賜り誠にありがとうございます。
さて、本年度（平成 17 年度）のＣＩＳＴＥＣ分科会活動において検討いたしました結果、マスク、
半導体製造用レーザー光を用いた装置について、以下のとおり現行規制体系の再検討を提案申し上げ
ます。
１．提案内容
貨物等省令第６条第十七号へ（二） の「マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができ
るように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いた装置のうち、次
のいずれかに該当するもの」に「（一）で規制される以外の方式で」との記述を追加するよう、ご提
案申し上げます。
ＷＡ
３．Ｂ．１．
ｆ
貨物等省令第６条第十七号へ（二）
2.Equipment specially designed for mask making マスク、半導体素子又は集積回路の製造
or semiconductor device processing using
をすることができるように設計した装置
deflected focussed electron beam, ion beam or であって電子ビーム、イオンビーム又は
"laser" beam having any of the following:
レーザー光を用いた装置のうち、次のい
ずれかに該当するもの。（（一）に規定
Note 3.B.1.f.2 . does not control any
equipment controlled by 3.B.1.f.1.
されるリソグラフィ装置を除く。）
１．∼３．
a.
A spot size smaller than 0.2 µm;
b. Being capable of producing a pattern
with a feature size of less than 1 µm;
or
c. An overlay accuracy of better than ±
0.20 µm (3 sigma);
1/2
（中略）
２．趣旨/理由
平成 17 年 12 月公布の政省令改正にて半導体用リソグラフィ装置（貨物等省令第６条第十七号へ（一）
１）の規制が緩和され、露光装置に使用する光源波長の閾値が「３５０ナノメートル未満」から「２
４５ナノメートル未満」に変更された。また同条 同号 へ (二)では電子ビーム、イオンビーム、レ
ーザー光を用いたマスク、半導体製造装置も規制されている。半導体露光装置の光源は g 線ランプ、
i 線ランプからＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーヘと変化してきた。これらの光源
波長は既知であり、（一）ではランプ、レーザーにかかわらず光源波長による判定が可能である。従
って、（一）にて判定済みの「エキシマレーザー光を露光光源とするリソグラフィ装置」は（二）で
は判定不要とすべく、限定条件を付与しようとする提案である。
（一）で規定される方式の装置は、エキシマレーザー光を含むステップアンドリピート方式又はステ
ップアンドスキャン方式の光露光装置であり、
（二）では（一）以外の露光装置を規定しているので、
全てのリソグラフィ装置は、必ず、
（一）又は（二）に分類される。
以
2/2
上