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SPI シリアル EEPROM ファミリデータシート

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SPI シリアル EEPROM ファミリデータシート
25AA010A/25LC010A
25AA020A/25LC020A
25AA040A/25LC040A
25AA080A/25LC080A
25AA080B/25LC080B
25AA160A/25LC160A
25AA160B/25LC160B
25AA320A/25LC320A
25AA640A/25LC640A
25AA128/25LC128
25AA256/25LC256
25AA512/25LC512
25AA1024/25LC1024
SPI シリアル EEPROM ファミリ データシート
特徴 :
概要 :
• 最大クロック速度
- 10 MHz (1 ～ 256K)
- 20 MHz (512K ～ 1M)
• バイトおよびページレベルでの書き込み動作
• 低消費電力 CMOS 技術
- 標準書き込み電流 :
5 mA
- 標準読み出し電流 :
10 MHz 動作時 5 mA
20 MHz 動作時 7 mA
- 標準スタンバイ電流 : 1 µA
• 書き込みサイクル時間 : 最大 5 ms
最大 6 ms (25XX1024)
マイクロチップ テクノロジー社は、シリアル周辺
装置インターフェイス (SPI) 互換のシリアル バス
アーキテクチャを採用し、1K ビットから 1M ビッ
トまで幅広いメモリ容量の品種を取り揃えた低電
圧シリアルの電気的に消去可能なPROM (EEPROM)
を装備しています。バイトレベルおよびページレベ
ルの機能を備え、さらに高メモリ容量 512K ビット
および 1M ビット品種においては、通常フラッシュ
ベースの製品に付属するセクタおよびチップ消去
機能も装備されています。
• セルフタイムの消去および書き込みサイクル
• 消去機能 (512K ～ 1M)
- ページ消去 : 最大 6 ms
- セクタ消去 : 最大 15 ms
- チップ消去 : 最大 15 ms
• 内蔵書き込み保護機能
- 電源オン / オフ データ保護回路
- ライト イネーブル ラッチ
- 書き込み保護ピン
• ブロック / セクタ書き込み保護機能
- アレイのうち 1 つも保護しない、1/4、1/2、ま
たはすべてを保護するから選択
• 連続読み出し
• 高い信頼性
- データ保持時間 : 200 年超
- 静電気保護 : 4000V 超
- データ書き換え耐久性 : 100 万回の消去 / 書き
込みサイクルを超える
• 標準 8 ピンおよび 6 ピンパッケージで提供
• サポートされている温度範囲 :
- 工業用 (I): -40°C ～ +85°C
- 自動車用 (E): -40°C ～ +125°C
必要なバス信号は、クロック入力 (SCK) ラインに加
え、それぞれデータ入力 (SI) ラインとデータ出力
(SO) ラインです。デバイスへのアクセスは、チップ
セレクト (CS) 入力ピンで制御されます。
デバイスへの通信は、保持ピン (HOLD) で一時停止
できます。デバイスが一時停止している間、入力の
信号変化は無視されますが、チップ セレクトはこ
の限りではなく、ホストはより優先順位の高い割り
込みを実行します。
この SPI 互換デバイスの全てのシリーズは、標準
の 8 ピンの PDIP および SOIC パッケージ、さらに、
より進歩した 8 ピンの TSSOP、MSOP、2x3 DFN、
5x6 DFN パッケージおよび 6 ピンの SOT-23 パッ
ケージ で提供さ れます。い ずれのパ ッケージも
RoHS に準拠しており、鉛フリー ( つや消しタイプ
の錫メッキ ) 加工が施されています。
ピン配置図 ( 縮尺は正しくありません )
Chip Select ( チップ セレクト )
SO
Serial Data Output ( シリアル データ出力 )
WP
Write Protect ( 書き込み保護 )
VSS
グランド
SI
1
2
3
4
CS
SO
WP
VSS
機能
CS
(P、
SN、SM)
(ST、MS)
ピン機能表
名称
PDIP/SOIC
TSSOP/MSOP
8
7
6
5
VCC
HOLD
SCK
SI
CS
SO
1
2
8
7
VCC
HOLD
WP
3
6
SCK
VSS
4
5
SI
DFN
SOT-23
(MC)
(OT)
SCK
1
6
VDD
VSS
2
5
CS
SI
3
4
SO
CS 1
SO 2
8 VCC
WP 3
VSS 4
6 SCK
5 SI
DFN
(MF)
CS 1
8
VCC
Serial Data Input ( シリアル データ入力）
SO 2
7
HOLD
SCK
Serial Clock Input ( シリアル クロック入力 )
WP 3
6
SCK
HOLD
入力保持
VSS 4
5
SI
VCC
電源電圧
©2007 Microchip Technology Inc.
7 HOLD
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 1
25AAXXXX/25LCXXXX
デバイス選択表
部品
番号
メモリ容量
( ビット )
構成
VCC 範囲
最大
動作速度
(MHz)
ページ
サイズ
( バイト )
温度範囲
パッケージ
25LC010A
1K
128 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
16
I、E
P、MS、SN、ST、
MC、OT
25AA010A
1K
128 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
16
I
P、MS、SN、ST、
MC、OT
25LC020A
2K
256 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
16
I、E
P、MS、SN、ST、
MC、OT
25AA020A
2K
256 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
16
I
P、MS、SN、ST、
MC、OT
25LC040A
4K
512 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
16
I、E
P、MS、SN、ST、
MC、OT
25AA040A
4K
512 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
16
I
P、MS、SN、ST、
MC、OT
25LC080A
8K
1024 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
16
25AA080A
8K
1024 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
16
I、E
I
25LC080B
8K
1024 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
32
25AA080B
8K
1024 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
32
25LC160A
16K
2048 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
16
25AA160A
16K
2048 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
16
25LC160B
16K
2048 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
32
25AA160B
16K
2048 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
32
25LC320A
32K
4096 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
32
25AA320A
32K
4096 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
32
25LC640A
64K
8192 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
32
25AA640A
64K
8192 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
32
25LC128
128K
16,384 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
64
25AA128
128K
16,384 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
64
25LC256
256K
32,768 x 8
2.5 ～ 5.5V
10
64
25AA256
256K
32,768 x 8
1.8 ～ 5.5V
10
64
25LC512
512K
65,536 x 8
2.5 ～ 5.5V
20
128
25AA512
512K
65,536 x 8
1.8 ～ 5.5V
20
128
25LC1024
1024K
131,072 x 8
2.5 ～ 5.5V
20
256
25AA1024
1024K
131,072 x 8
1.8 ～ 5.5V
20
256
DS22040A_JP - ページ 2
Preliminary
I、E
I
P、MS、SN、ST
P、MS、SN、ST
P、MS、SN、ST
P、MS、SN、ST
I、E
I
P、MS、SN、ST
I、E
I
P、MS、SN、ST
I、E
I
P、MS、SN、ST
I、E
I
I、E
I
P、MS、SN、ST
P、MS、SN、ST
P、MS、SN、ST
P、MS、SN、ST
P、MS、SN、ST
P、SN、SM、ST、MF
P、SN、SM、ST、MF
I、E
I
P、SN、SM、ST、MF
I、E
I
P、SM、MF
I、E
I
P、SN、SM、ST、MF
P、SM、MF
P、SM、MF
P、SM、MF
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
1.0
電気的特性
絶対最大定格 (†)
VCC ..................................................................................................................................................................................... 6.5V
VSS を基準にしたすべての入出力........................................................................................................ -0.6V ～ VCC+1.0V
保存温度 ........................................................................................................................................................-65°C ～ +150°C
バイアス付加時周囲温度 ............................................................................................................................-40°C ～ +125°C
全ピンに対する静電気保護 ............................................................................................................................................ 4 kV
† 注意 : 上記の「絶対最大定格」を超えるストレスを加えると、デバイスに恒久的な損傷を与えること
があります。この規定はストレス定格のみを規定するものであり、この条件、あるいはこの仕様の動作
条件に記載する規定値以上の他の条件でのデバイス動作を定めたものではありません。デバイスを長時
間最大定格状態にすると、デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。
注:
これは AC および DC 特性の概略です。製品仕様については、デバイスのデータシートを参照してく
ださい。
表 1-1:
DC 特性
電気的特性 :
工業用 (I):
自動車用 (E):
DC 特性
パラ
メータ
番号
記号
特性
VCC = +1.8V ～ 5.5V
VCC = +2.5V ～ 5.5V
最小
最大
単位
TA = -40°C ～ +85°C
TA = -40°C ～ 125°C
テスト条件
メモリ容量
D001
VIH
High レベル入力電圧
0.7 VCC
VCC + 1
V
D002
VIL
Low レベル入力電圧
-0.3
0.3 VCC
V
VCC ≥ 2.7V ( 注 1)
D003
VIL
-0.3
0.2 VCC
V
VCC ≥ 2.7V ( 注 1)
すべて
D004
VOL
—
0.4
V
IOL = 2.1 mA、VCC = 4.5V
すべて
D005
VOL
—
0.2
V
VOH
High レベル出力電圧
VCC -0.5
—
V
IOL = 1.0 mA、VCC = 2.5V
IOH = -400 µA
すべて
D006
D007
ILI
入力リーク電流
—
±1
µA
CS = VCC、VIN = VSS または VCC
すべて
D008
ILO
出力リーク電流
—
±1
µA
CS = VCC、VOUT = VSS または VCC
すべて
D009
CINT
内部容量
( すべての入出力 )
—
7
pF
TA = 25°C、CLK = 1.0 MHZ、VCC =
5.0V ( 注 1)
すべて
D010
ICC
Read
—
10
5
mA
VCC = 5.5V、FCLK = 20.0 MHz、
Vcc = 2.5V、FCLK = 10.0 MHz
512K および
1M
2.5
0.5
6
2.5
mA
1K ～ 256K
—
7
5
mA
VCC = 5.5V、FCLK = 10.0 MHz、
Vcc = 2.5V、FCLK = 5.0 MHz
VCC = 5.5V
Vcc = 2.5V
0.16
0.15
5
3
mA
VCC = 5.5V
VCC = 2.5V
—
20
12
µA
512K および
CS = VCC = 5.5V、125°C
1M
CS = VCC = 5.5V、85°C
( 入力ピンを VCC または VSS 接続時 )
—
5
1
µA
—
1
µA
CS = VCC = 5.5V、125°C
1K ～ 256K
CS = VCC = 5.5V、85°C
( 入力ピンを VCC または VSS 接続時 )
CS = VCC = 5.5V
512K および
( 入力ピンを VCC または VSS 接続時 ) 1M
Low レベル出力電圧
動作電流
D011
ICC
WRITE
D012
ICCS
D13
注
ICCSPD
1:
スタンバイ電流
ディープ パワーダウン
モード時の電流
すべて
すべて
すべて
512K および
1M
1K ～ 256K
このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、出荷されるデバイス全
数に対してテストしているものではありません。
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 3
25AAXXXX/25LCXXXX
表 1-2:
AC 特性
電気的特性 :
工業用 (I):
自動車用 (E):
AC 特性
パラ
メータ
番号
1
記号
FCLK
2
TCSS
3
TCSH
4
TCSD
5
TSU
6
THD
7
TR
8
注
特性
クロック周波数
CS セットアップ
時間
CS ホールド時間
( 注 3)
CS ディスエーブ
ル時間
データセット
アップ時間
データホールド
時間
CLK 立ち上がり
時間 ( 注 1)
VCC = +1.8V ～ 5.5V
VCC = +2.5V ～ 5.5V
最小
最大
単位
—
—
—
—
—
—
25
50
250
50
100
150
50
100
150
100
200
250
50
20
10
2
10
5
3
MHz
5
10
50
10
20
30
10
20
100
20
40
50
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
100
500
2000
20
100
500
2000
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TA = -40°C ～ +85°C
TA = -40°C ～ 125°C
条件
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
メモリ容量
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
1K ～ 256K
1K ～ 256K
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
128K および 256K
8K および 16K
1K ～ 4K、32K ～ 64K
TF
CLK 立ち下がり
512K および 1M
時間 ( 注 1)
128K および 256K
8K および 16K
1K ～ 4K、32K ～ 64K
1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、出
荷されるデバイス全数に対してテストしているものではありません。
2: このパラメータはテストを行ったものではなく、特性評価と適性評価により確定したものです。
特定のアプリケーションにおけるデータ書き換えの耐久性の概算については、マイクロチップ社
のウェブサイト www.microchip.com の Total Endurance™ Model をご参照ください。
3: THI 時間が含まれます。
DS22040A_JP - ページ 4
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
表 1-2:
AC 特性 ( つづき )
電気的特性 :
工業用 (I):
自動車用 (E):
AC 特性
パラ
メータ
番号
9
記号
THI
10
TLO
11
TCLD
12
TCLE
13
TV
特性
クロック High
時間
クロック Low
時間
クロック遅延
時間
クロック イネー
ブル時間
クロック low か
ら出力有効まで
の時間
最小
25
50
250
50
100
150
25
50
250
50
100
150
50
THO
15
TDIS
出力ホールド
時間 ( 注 1)
出力ディスエー
ブル時間 ( 注 1)
17
注
THS
THH
HOLD セット
アップ時間
HOLD ホールド
時間
単位
条件
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
—
50
—
ns
—
25
50
250
50
100
160
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
25
50
250
40
80
160
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
0
—
—
16
最大
TA = -40°C ～ +85°C
TA = -40°C ～ 125°C
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
14
VCC = +1.8V ～ 5.5V
VCC = +2.5V ～ 5.5V
10
20
100
20
40
80
10
20
100
20
40
80
—
—
—
—
—
—
—
—
メモリ容量
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
1K ～ 256K
すべて
すべて
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
1K ～ 256K
1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、出
荷されるデバイス全数に対してテストしているものではありません。
2: このパラメータはテストを行ったものではなく、特性評価と適性評価により確定したものです。
特定のアプリケーションにおけるデータ書き換えの耐久性の概算については、マイクロチップ社
のウェブサイト www.microchip.com の Total Endurance™ Model をご参照ください。
3: THI 時間が含まれます。
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 5
25AAXXXX/25LCXXXX
表 1-2:
AC 特性 ( つづき )
電気的特性 :
工業用 (I):
自動車用 (E):
AC 特性
パラ
メータ
番号
18
19
20
21
記号
THZ
THV
TREL
TPD
22
TCE
23
TSE
24
TWC
25
注
特性
最小
HOLD low から
出力 High-Z まで
の時間 ( 注 1)
15
30
150
30
60
160
15
30
150
30
60
160
—
HOLD high から
出力有効までの
時間
CS high からスタ
ンバイ モードま
での時間
CS high から
ディープ パワー
ダウンまでの
時間
チップ消去
サイクル時間
セクタ消去
サイクル時間
内部書き込み
サイクル時間
VCC = +1.8V ～ 5.5V
VCC = +2.5V ～ 5.5V
最大
—
—
—
—
100
単位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
TA = -40°C ～ +85°C
TA = -40°C ～ 125°C
条件
メモリ容量
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
4.5 ≤ VCC ≤ 5.5
2.5 ≤ VCC < 4.5
1.8 ≤ VCC < 2.5
1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
1K ～ 256K
512K および 1M
—
100
µs
1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V
512K および 1M
—
15
ms
1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V
—
15
ms
1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V
—
6
ms
512K および 1M
512K および 1M
バイトまたはページ モー
512K および 1M
ド、およびページ消去
—
5
ms
バイトまたはページ モード 1K ～ 256K
—
> 1M
—
E/W ページあたり
データ書き換え
512K および 1M
耐久性 ( 注 2)
サイクル バイトあたり
1K ～ 256K
1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、出
荷されるデバイス全数に対してテストしているものではありません。
2: このパラメータはテストを行ったものではなく、特性評価と適性評価により確定したものです。
特定のアプリケーションにおけるデータ書き換えの耐久性の概算については、マイクロチップ社
のウェブサイト www.microchip.com の Total Endurance™ Model をご参照ください。
3: THI 時間が含まれます。
表 1-3:
AC テスト条件
AC 波形 :
VLO = 0.2V
VHI = VCC ～ 0.2V
VHI = 4.0V
CL = 30 pF
タイミング測定リファレンスレベル
入力
出力
注
1: VCC ≤ 4.0V
2: VCC > 4.0V
DS22040A_JP - ページ 6
—
( 注 1)
( 注 2)
—
0.5 VCC
0.5 VCC
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
図 1-1:
保持 (HOLD) タイミング
CS
17
16
16
17
SCK
18
SO
n+2
n+1
n
19
ハイインピーダンス
n
5
無視
SI
n+2
n+1
n-1
n
n
n-1
HOLD
図 1-2:
シリアル入力タイミング
4
CS
2
7
モード 1,1
8
3
12
11
SCK モード 0,0
5
SI
6
MSB 入力
LSB 入力
ハイインピーダンス
SO
図 1-3:
シリアル出力タイミング
CS
9
3
10
モード 1,1
SCK
モード 0,0
13
SO
14
MSB 出力
SI
©2007 Microchip Technology Inc.
15
LSB 出力
無視
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 7
25AAXXXX/25LCXXXX
2.0
機能の説明
2.1
動作原理
EEPROM を「保持」モードにできます。HOLD ピ
ンを解除すると、HOLD 入力に切り換えたときの状
態から動作が再開します。
シリアル EEPROM25 シリーズは、マイクロチップ
社の PIC® マイクロコントローラを含め、現在人気
のある多くのマイクロコントローラ ファミリのシ
リアル周辺装置インターフェース (SPI) ポートに直
接接続できるように設計されています。また、ディ
スクリート I/O ラインを SPI プロトコルと整合性を
持つようファームウェアで適切にプログラムして
使うことで、SPI ポート内蔵型でないマイクロコン
トローラにも接続できます。
この EEPROM ファミリは、8 ビット命令レジスタ
を含みます。デバイスには SI ピンからアクセスで
き、データは SCK の立ち上りエッジに同期して入
力されます。動作中、CS ピンは low、HOLD ピン
は high 状態でなければなりません。
表 2-1 は、デバイス動作中の命令バイトおよび形式
を示します。すべての命令、アドレス、およびデー
タは、MSB から LSB の順に転送されます。
データ (SI) は、CS が low になってから最初の SCK
の立ち上りエッジでサンプリングされます。クロッ
ク ラインをSPIバス上の他の周辺デバイスと共用し
ている場合、ユーザーは、HOLD 入力をオンにし、
表 2-1:
ブロック図
STATUS
レジスタ
I/O 制御
ロジック
HV ジェネレータ
メモリ
制御
ロジック
EEPROM
アレイ
X
Dec
ページラッチ
SI
SO
Y デコーダ
CS
SCK
センスアンプ
R/W 制御
HOLD
WP
VCC
VSS
命令セット
命令名称
命令形式
説明
全デバイス向け命令
READ
0000 0011
選択したアドレスでメモリアレイからデータを読み出しを開始する
WRITE
0000 0010
選択したアドレスでメモリアレイにデータを書き込みを開始する
WREN
0000 0110
ライト イネーブル ラッチを設定 ( 書き込み動作を有効にする )
WRDI
0000 0100
ライト イネーブル ラッチをリセット ( 書き込み動作を無効にする )
RDSR
0000 0101
ステータス レジスタを読み出す
WRSR
0000 0001
ステータス レジスタに書き込む
PE
0100 0010
ページ消去 - メモリアレイの 1 ページを消去
SE
1101 1000
セクタ消去 - メモリアレイの 1 セクタを消去
CE
1100 0111
チップ消去 - メモリアレイの全セクタを消去
RDID
1010 1011
ディープ パワーダウンの解除および電子署名を読み出し
DPD
1011 1001
ディープ パワーダウン モードにする
25XX512 および 25XX1024 向け追加命令
DS22040A_JP - ページ 8
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
2.2
表 2-2:
読み出しシーケンス
CS を low にするとデバイスが選択されます。8 ビッ
トの READ 命令が EEPROM に転送され、次にアド
レスが転送されます。正しい READ 命令とアドレス
が送信されたら、選択したアドレスのメモリに保存
されているデータが SO ピンにシフト出力されま
す。クロック パルスを送信し続ければ、次のアド
レスのメモリに保存されているデータを連続して
読み出せます。
データの各バイトがシフト出力されると、内部アド
レス ポインタは自動的に次の上位アドレスに進み
ます。最上位アドレスまで進むと、アドレス カウ
ンタはアドレス 00000h に戻り、読み出しサイクル
は無限に続きます。CS ピンの立ち上がりで、読み
出し動作は終了します。バイト読み出しについて
は、図 2-1A/B/C を参照してください。
メモリ
容量
アドレス
ビット
最上位
アドレス
ページ サイズ
1K
7
007F
16 バイト
2K
8
00FF
16 バイト
4K
9
01FF
16 バイト
8K
10
03FF
16 または
32 バイト *
16K
11
07FF
16 または
32 バイト *
32K
12
0FFF
32 バイト
64K
12
1FFF
32 バイト
128K
14
3FFF
64 バイト
256K
15
7FFF
64 バイト
512K
16
FFFF
256 バイト
1024K
17
1FFFF
256 バイト
注:
図 2-1A:
読み出し / 書き込みシーケンス
アドレス指定
バージョン A - 16 バイト
バージョン B - 32 バイト
8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
SCK
命令 + アドレス MSB
SI
0
0
0
0 A8* 0
1
下位アドレス バイト
1 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
データ出力
ハイインピーダンス
7
SO
6
5
4
3
2
1
0
* 上位アドレスビット A8 は 1K と 2K のデバイスにおいてはドントケアです。
図 2-1B:
16 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
16 ビット アドレス
命令
SI
0
0
0
0
0
0
1
1 A15 A14 A13 A12
A2 A1 A0
データ出力
ハイインピーダンス
7
SO
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Preliminary
6
5
4
3
2
1
0
DS22040A_JP - ページ 9
25AAXXXX/25LCXXXX
図 2-1C:
24 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
SCK
24 ビット アドレス
命令
SI
0
0
0
0
0
0
1
1 A23 A22 A21 A20
A2 A1 A0
データ出力
ハイインピーダンス
7
SO
2.3
書き込みシーケンス
EEPROM にデータを書き込む前に、WREN 命令を発
行し、ライト イネーブル ラッチを設定しなければ
なりません ( 図 2-4 参照 )。CS を low にし、その後
適切な命令を EEPROM にクロックと同期して出力
してください。8 ビットの命令をすべて送信したら、
ライト イネーブル ラッチを設定し
CS を high にし、
ます。CS を high にせず、WREN 命令を発行後すぐ
に書き込み動作を始めると、ライト イネーブル
ラッチが正しく設定されていないため、データをア
レイに書き込むことができません。
5
4
3
2
1
0
24XX512 および 24XX1024 デバイスの場合、ページ
全体を書き込むかどうかにかかわりなく、必ずペー
ジ全体を更新する必要があります。したがって、こ
れらのデバイスのデータ書き換えの耐久性はペー
ジ単位で規定されています。
注:
書き込みシーケンスには、自動セルフタイムの消去
サイクルが含まれるため、ライト コマンドを発行
する前にメモリのいかなる部分をも消去する必要
はありません。
ライト イネーブル ラッチが設定されたら、ユー
ザーは CS を low にすることから始めて、WRITE 命
令を発行し、続けて書き込むアドレス、そしてデー
タを発行します。書き込みサイクルを実行する前
に、デバイスのメモリ容量に依存して、16 バイト
から 256 バイトまでのサイズのデータ 1 ページをデ
バイスに送る必要があります。このとき、全バイト
が同じページになくてはいけないという制限があ
ります。ページ サイズについては、表 2-2 を参照し
てください。
DS22040A_JP - ページ 10
6
Preliminary
ページ書き込み動作では、書き込むバイト
数に関係なく、1 物理ページ内のバイトに
しか書き込むことができません。物理的な
ページ境界は、ページ バッファ サイズ
( または「ページ サイズ」) の整数倍であ
るアドレスから、ページ サイズ −1 の整数
倍であるアドレスまでです。ページ ライ
ト コマンドが物理的なページ境界をまた
いで書き込もうとすると、ユーザーが期待
するようにデータは次のページに書き込
まれず、現在のページの先頭に折り返され
ます ( 以前に同位置に保存されたデータを
上書きします )。したがって、アプリケー
ション ソフトウェアはページ境界をまた
がるようなページ書き込み動作をしない
ようにする必要があります。
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
実際アレイに書き込むデータ用に、n 番目のデータ
バイトの最下位ビット (D0) をクロックに同期して
入力した後は、CS を high にする必要があります。
このとき以外に CS を high にすると、書き込み動作
は完了できません。バイト書き込みシーケンスおよ
びページ書き込みシーケンスについての詳細は、そ
れぞれ図 2-2A/B/Cおよび図 2-3A/B/C/Dを参照して
ください。書き込み動作が実行中は、ステータ ス
図 2-2A:
レジスタを読み出し、WIP ビットおよび WEL ビッ
トの状態を確認します ( 図 2-6 参照 )。書き込みサイ
クル中、メモリアレイ位置は読み出せません。書き
込みサイクルが終了したら、ライト イネーブル
ラッチをリセットします。
8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時のバイト書き込みシーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Twc
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
SCK
命令 + アドレス MSB
0
SI
0
0 A8* 0 1
0
下位アドレス バイト
0 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 7
データ バイト
6
5
4
3
2
1
0
ハイインピーダンス
SO
* 上位アドレスビット A8 は 1K と 2K のデバイスにおいてはドントケアです。
図 2-2B:
16 ビットのアドレス指定時の書き込みシーケンス
CS
Twc
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
16 ビット アドレス
命令
SI
0
0
0
0
0
0
1
0 A15 A14 A13 A12
A2 A1 A0 7
データ バイト
6
5
4
3
2
1
0
ハイインピーダンス
SO
図 2-2C:
24 ビットのアドレス指定時のバイト書き込みシーケンス
CS
Twc
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
SCK
24 ビット アドレス
命令
SI
0
0
0
0
0
0
1
0 A23 A22 A21 A20
A2 A1 A0 7
データ バイト
6
5
4
3
2
1
0
ハイインピーダンス
SO
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 11
25AAXXXX/25LCXXXX
図 2-3A:
8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
SCK
アドレス バイト
命令
SI
0
0
0 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 7
0 A8* 0 1
0
データ バイト 1
6
5
4
3
2
1
0
CS
24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
SCK
データ バイト 2
7
SI
6
5
4
3
2
データ バイト 3
1
0
7
6
5
4
3
2
データ バイト n ( 最大 16)
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
* 上位アドレスビット A8 は 1K と 2K のデバイスにおいてはドントケアです。
図 2-3B:
16 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
SCK
16 ビット アドレス
命令
SI
0
0
0
0
0
0 1
0 A15 A14 A13 A12
データ バイト 1
A2 A1 A0 7
6
5
4
3
2
1
0
CS
32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47
SCK
データ バイト 2
SI
7
6
5
DS22040A_JP - ページ 12
4
3
2
データ バイト 3
1
0
7
6
5
4
3
2
Preliminary
データ バイト n ( 最大 16/32)
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
図 2-3C:
24 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス
CS
0
1
2
0
0
0
3
4
5
6
0
0 1
7
8
9 10 11
29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
SCK
24 ビット アドレス
命令
SI
0
0 A23 A22 A21 A20
データ バイト 1
A2 A1 A0 7
6
5
4
3
2
1
0
CS
40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55
SCK
データ バイト 2
SI
2.4
7
6
5
4
3
2
データ バイト 3
1
0
7
6
5
4
ライト イネーブル (WREN) および
ライト ディスエーブル (WRDI)
3
2
データ バイト n ( 最大 256)
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
以下は、ライト イネーブル ラッチをリセットする
ときの条件のリストです。
•
•
•
•
•
EEPROM には、ライト イネーブル ラッチが含まれ
ます。書き込み保護機能マトリックスについては、
表 2-4 を参照してください。書き込み動作を内部で
終了する前に、このラッチを設定しなければなりま
せん。WREN 命令はこのラッチを設定し、WRDI 命
令はこのラッチをリセットします。
電源投入時
WRDI 命令が正常に実行された
WRSR 命令が正常に実行された
WRITE 命令が正常に実行された
WP ピンが low に設定された (1K、2K、4K ビッ
ト品種のみ )
25XX512 および 25XX1024 向け追加命令
• PE 命令が正常に実行された
• SE 命令が正常に実行された
• CE 命令が正常に実行された
図 2-4:
ライト イネーブル シーケンス (WREN)
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
ハイインピーダンス
SO
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 13
25AAXXXX/25LCXXXX
図 2-5:
ライト ディスエーブル シーケンス (WRDI)
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
0
SI
0
0
0
0
10
1
0
ハイインピーダンス
SO
2.5
‘1’ に設定されていると、書き込み動作中で、‘0’ に
設定されていると、書き込み動作は行われていませ
ん。本ビットは読み出し専用です。
リード ステータス レジスタ命令
(RDSR)
リード ステータス レジスタ命令 (RDSR) は、ステー
タス レジスタにアクセスするために使用します。ス
テータス レジスタは、書き込みサイクル中を含め
いつでも読み出せます。ステータス レジスタの
フォーマットは以下のとおりです。
表 2-3:
ライト イネーブル ラッチ (WEL) ビットは、ライト
イネーブル ラッチの状態を示し、読み出し専用で
す。‘1’ に設定されていると、アレイへの書き込み
が可能で、‘0’ に設定されていると、アレイへの書
き込みができません。このビットの状態は、ステー
タス レジスタの書き込み保護の設定にかかわりな
く、いつでも WREN または WRDI コマンドで更新
されます。これらのコマンドを図 2-4 および図 2-5
に示します。
ステータス レジスタ
7
6
5
4
3
2
1
0
W/R
—
—
—
W/R
W/R
R
R
WPEN
X
X
X
BP1
BP0 WEL WIP
ブロック保護 (BP0 および BP1) ビットは、どのブ
ロックが現在書き込み保護状態にあるのかを示し
ます。これらのビットは、ユーザーが WRSR 命令を
発行すると設定できます。これらのビットは不揮発
性で、その内容を表 2-4 に示します。RDSR のタイ
ミング シーケンスについては、図 2-6 を参照してく
ださい。
W/R = 書き込み可 / 読み出し可 R = 読み出しのみ
注:
WPEN ビットは、24XX010A、24XX020A、お
よび 24XX040A デバイスにはありません。
書き込みインプロセス (WIP) ビットは、EEPROM が
書き込み動作中でビジー状態かどうかを示します。
図 2-6:
リード ステータス レジスタのタイミング シーケンス (RDSR)
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
命令
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
ステータス レジスタからのデータ
ハイインピーダンス
SO
DS22040A_JP - ページ 14
7
Preliminary
6
5
4
3
2
1
0
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
2.6
メモリ容量が 8K ビット以上の EEPROM の場合、書
き込み保護イネーブル (WREN) ビットは不揮発性
ビットで、WP ピンのイネーブル ビットとして機能
します。書き込み保護 (WP) ピンおよびステータス
レジスタの書き込み保護イネーブル (WPEN) ビット
が、プログラム可能なハードウェア書き込み保護機
能を制御します。WP ピンが low で WPEN ビットが
high のとき、ハードウェア書き込み保護が有効にな
ります。WP ピンが high、あるいは WPEN ビットが
low のとき、ハードウェア書き込み保護が無効にな
ります。チップでハードウェアの書き込み保護を設
定している場合、ステータス レジスタの不揮発性
ビットへの書き込みのみが無効になります。WPEN
ビットの機能マトリックスについては、表 2-6 を参
照してください。WRSR のタイミング シーケンス
については、図 2-7 を参照してください。
ライト ステータス レジスタ命令
(WRSR)
ライト ステータス レジスタ命令 (WRSR) は、ユー
ザーに表 2-3 のようなステータス レジスタの不揮
発性ビットに書き込む権限を与えます。ユーザー
は、ステータス レジスタの適切なビットに書き込
むことで、アレイの保護レベル 4 つのうちの 1 つを
選択できます。アレイは 4 つのセグメントに分割さ
れます。ユーザーは、アレイの 4 つのセグメントの
うち 1 つも保護しないか、1 つ、2 つ、または 4 つ
すべてを書き込み保護するかを選択できます。この
区分けは、表 2-4 のように制御されます。
表 2-4:
アレイの保護
BP1
BP0
アレイアドレスが書き込み保護されている
アレイアドレスが書き込み保護されていない
0
0
1
1
0
1
0
1
なし
上位 1/4 ( セクタ 3)
上位 1/2 ( セクタ 2 および 3)
すべて ( セクタ 0、1、2、および 3)
すべて ( セクタ 0、1、2、および 3)
下位 3/4 ( セクタ 0、1、および 2)
下位 1/2 ( セクタ 0 および 1)
なし
表 2-5:
保護されたアレイアドレス位置
メモリ容量
1K
2K
4K
8K
16K
32K
64K
128K
256K
512K
1024K
図 2-7:
上位 1/4
( セクタ 3)
上位 1/2
( セクタ 2 および 3)
全セクタ
60h ～ 7Fh
C0h ～ FFh
180h ～ 1FFh
300h ～ 3FFh
600h ～ 7FFh
C00h ～ FFFh
1800h ～ 1FFFh
3000h ～ 3FFFh
6000h ～ 7FFFh
C000h ～ FFFFh
18000h ～ 1FFFFh
40h ～ 7Fh
80h ～ FFh
100h ～ 1FFh
200h ～ 3FFh
400h ～ 7FFh
800h ～ FFFh
1000h ～ 1FFFh
2000h ～ 3FFFh
4000h ～ 7FFFh
8000h ～ FFFFh
10000h ～ 1FFFFh
00h ～ 7Fh
00h ～ FFh
000h ～ 1FFh
000h ～ 3FFh
000h ～ 7FFh
000h ～ FFFh
0000h ～ 1FFFh
0000h ～ 3FFFh
0000h ～ 7FFFh
0000h ～ FFFFh
00000h ～ 1FFFFh
ライト ステータス レジスタのタイミング シーケンス (WRSR)
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
命令
SI
0
0
0
0
ステータス レジスタへのデータ
0
0
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
ハイインピーダンス
SO
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DS22040A_JP - ページ 15
25AAXXXX/25LCXXXX
2.7
• 内部書き込みサイクル中にアレイへアクセスし
ようしてもアクセスできず、プログラミングが
続行されます。
データ保護
不注意によるアレイへの書き込みを防ぐために、以
下の保護機能が実装されました。
• 電源投入時にライト イネーブル ラッチはリセッ
トされます。
• ライト イネーブル ラッチの設定には、ライト イ
ネーブル命令を発行しなければなりません。
• バイト書き込み、ページ書き込み、ステータス
レジスタ書き込みが終了したら、ライト イネー
ブル ラッチはリセットされます。
• 内部書き込みサイクルを開始するには、クロッ
ク サイクルを適切な回数実行した後で、CS を
high に設定しなければなりません。
表 2-6:
2.8
電源オンの状態
シリアル EEPROM は、以下の状態で電源がオンに
なります。
• デバイスは、低消費電力のスタンバイ モードで
す (CS = 1)。
• ライト イネーブル ラッチはリセットされます。
• SO はハイインピーダンス状態です。
• CS を high から low レベルに移行するときは、ア
クティブ状態である必要があります。
書き込み保護機能マトリックス
WEL(SR ビット 1) WPEN(SR ビット 7)*
WP( ピン 3)
保護された
ブロック
保護されていない
ステータス レジスタ
ブロック
X
保護
保護
保護
書き込み可
0
X
1
0
X
保護
書き込み可
1
1
0 (low)
保護
書き込み可
保護
1
1
1 (high)
保護
書き込み可
書き込み可
X = 不定
* = WPEN ビットは、24XX010A/020A/040A にはありません。
2.9
ページ消去機能には、CS を low にし、続けて命令
コード ( 図 2-8A/B 参照 ) および 2 または 3 アドレス
バイトを指定することで移行します。ページ内で消
去するアドレスは、必ず有効なアドレスでなければ
いけません。
ページ消去
ページ消去は、典型的なフラッシュ機能で、512K
ビットおよび 1024K ビットのシリアル EEPROM の
みに実装されています。この機能は、指定したペー
ジ内部の全ビットを消去 (FFh) します。ページ消去
を実行する前に、ライト イネーブル (WREN) 命令を
発行しなければなりません。CS を low にし、その
後適切な命令をクロックに同期させて EEPROM に
出力してください。8 ビットの命令をすべて送信し
たら、CS を high にし、ライト イネーブルラッチを
設定します。
図 2-8A:
アドレスの最終ビットの後で CS を high にしなけれ
ばなりません。これを行わないと、ページ消去は実
行されません。CS を high に設定すると、セルフタ
イムのページ消去サイクルが開始します。ステータ
ス レジスタの WIP ビットを読み出すと、ページ消
去サイクルがいつ完了したかを判断できます。
ページ消去機能にブロック保護ビット (BP0、BP1)
で保護されているアドレスが与えられると、シーケ
ンスは中断し、消去は発生しません。
24 ビットのアドレス指定時のページ消去シーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
29 30 31
SCK
24 ビット アドレス
命令
SI
0
1
0
0
0
0
1
0 A23 A22 A21 A20
A2 A1 A0
ハイインピーダンス
SO
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25AAXXXX/25LCXXXX
図 2-8B:
16 ビットのアドレス指定時のページ消去シーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
21 22 23
SCK
16 ビット アドレス
命令
SI
0
1
0
0
0
0
1
0 A15 A14 A13 A12
A2 A1 A0
ハイインピーダンス
SO
2.10
アドレスの最終ビットの後で CS を high にしなけれ
ばなりません。これを行わないと、セクタ消去は実
行されません。CS を high に設定すると、セルフタ
イムのセクタ消去サイクルが開始します。ステータ
ス レジスタの WIP ビットを読み出すと、セクタ消
去サイクルがいつ完了したかを判断できます。
セクタ消去
セクタ消去は、典型的なフラッシュ機能で、512K
ビットおよび 1024K ビットのシリアル EEPROM に
のみ実装されています。この機能は、指定したセク
タ内部の全ビットを消去 (FFh) します。セクタ消去
を実行する前に、ライト イネーブル (WREN) 命令
を発行する必要があります。CS を low にし、その
後適切な命令をクロックに同期させて EEPROM に
出力してください。8 ビットの命令をすべて送信し
たら、CS を high にし、ライト イネーブル ラッチ
を設定します。
セクタ消去命令にブロック保護ビット (BP0、BP1)
で保護されているアドレスが与えられると、シーケ
ンスは中断し、消去は発生しません。
セクタのアドレス指定については、表 2-2 および
表 2-3 を参照してください。
セクタ消去機能には、CS を low にし、続けて命令
コード ( 図 2-9A/B 参照 ) および 2 または 3 アドレス
バイトを指定することで移行します。セクタ内で消
去するアドレスは、必ず有効なアドレスでなければ
いけません。
図 2-9A:
24 ビットのアドレス指定時のセクタ消去シーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
29 30 31
SCK
24 ビット アドレス
命令
SI
1
1
0
1
1
0
0
0 A23 A22 A21 A20
A2 A1 A0
ハイインピーダンス
SO
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図 2-9B:
16 ビットのアドレス指定時のセクタ消去シーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
21 22 23
SCK
16 ビット アドレス
命令
SI
1
1
0
1
1
0
0 A15 A14 A13 A12
0
A2 A1 A0
ハイインピーダンス
SO
2.11
命令コードの 8 番目のビットの後で CS ピンを high
にしなければなりません。これを行わないと、チッ
プ消去機能は実行されません。CS ピンを high に設
定すると、セルフタイムのチップ消去機能が開始し
ます。デバイスがチップ消去機能を実行している間
にステータス レジスタの WIP ビットを読み出すと、
チップ消去機能がいつ完了したかを判断できます。
ブロック保護ビット (BP0、BP1) のいずれも‘0’で
ない、つまりアレイの 1/4、1/2、またはすべてが保
護されている場合、チップ消去機能は無視されま
す。
チップ消去
チップ消去機能は、アレイの全ビットを消去 (FFh)
します。チップ消去を実行する前に、ライト イネー
ブル (WREN) 命令を発行しなければなりません。CS
を low にし、その後適切な命令をクロックに同期さ
せて EEPROM に出力してください。8 ビットの命
令をすべて送信したら、CS を high にし、ライト イ
ネーブル ラッチを設定します。チップ消去機能に
は、CS を low にし、続けて SI ラインに命令コード
( 図 2-10 参照 ) を指定することで移行します。
図 2-10:
チップ消去シーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
1
1
0
0
0
1
1
1
ハイインピーダンス
SO
2.12
ディープ パワーダウン モード
ディープ パワーダウン モードは、高メモリ容量の
25XX512 および 25XX1024 シリアル EEPROM に実装
され、これらのデバイスの消費電力が最も少ない状
態です。ディープ パワーダウン モード時は、デバイ
スはリードまたはライト コマンドに応答しません。
したがって、ソフトェアの書き込み保護の補助機能
としても使えます。
ディープ パワーダウン モードには、CS を low にし、
続けて SI ラインに命令コード ( 図 2-11 参照 ) を指
定し、その後 CS を high にすることで移行します。
命令コードの 8 番目のビットが与えられた後で CS
ピンを high にしないと、ディープ パワーダウンは
実行されません。CS ラインを high にした後、消費
電力が最小に設定されるまでに遅延時間 (TDP) があ
ります。
ディープ パワーダウン モード時に発行されたすべ
ての命令は、電子署名リード コマンド (RDID) を除
いてすべて無視されます。RDID コマンドは、ディー
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プ パワーダウン モードを解除し、電子署名を SO ピ
ンに出力し、遅延時間 (TREL) の後デバイスをスタ
ンバイ モードに戻します。
図 2-11:
ディープ パワーダウン モードは、デバイスの電源
を切ると自動的に解除されます。再度デバイスの電
源が投入されると、デバイスはスタンバイ モード
で起動します。
ディープ パワーダウン シーケンス
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
1
0
1
1
1
0
0
1
ハイインピーダンス
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DS22040A_JP - ページ 19
25AAXXXX/25LCXXXX
2.13
ディープ パワーダウンの解除および
電子署名の読み出し
デバイスが一度ディープ パワーダウン モードにな
ると、ディープ パワーダウンの解除および電子署
名のリード コマンド以外のすべての命令は無視さ
れます。またこのコマンドは、デバイスがディープ
パワーダウン モードでないときにも、消去、プログ
ラム、ライト ステータス レジスタなどのコマンド
が実行されていない場合には、電子署名を SO ピン
に読み出すために使えます。
ディープ パワーダウンの解除および電子署名の読
み出しには、CS を low にし、続けて RDID 命令コー
ド ( 図 2-12A/B 参照 ) を指定することで移行します。
その後、25XX1024 機種では 24 ビットのダミー ア
ドレス (A23-A0) を、25XX512 機種では 16 ビットの
ダミー アドレスを送信できます。ダミー アドレス
の最終ビットをクロックに同期して入力したら、8
ビットの電子署名がクロックに同期して SO ピンに
出力されます。署名を 1 度でも読み出したら、CS
を high にしてシーケンスを終了できます。その後
デバイスはスタンバイ モードに戻り、新しい命令
が与えられるのを待ちます。電子署名が一度読み出
された後に、追加のクロック サイクルが送信され
た場合、シーケンスが終了するまで SO ラインに署
名を出力し続けます。
図 2-12A: ディープ パワーダウンの解除および電子署名の読み出し (24 ビット )
CS
TREL
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
SCK
24 ビット アドレス
命令
SI
1
0
1
0
1
0
1
1 A23 A22 A21 A20
A2 A1 A0
電子署名出力
ハイインピーダンス
SO
7
6
0
0
5
4
3
2
1
0
1
0
1
0
0
1
製造業者 ID 0x29
図 2-12B: ディープ パワーダウンの解除および電子署名の読み出し (16 ビット )
CS
TREL
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
21 22 23 24 25 26 27 28 28 30 31
SCK
16 ビット アドレス
命令
SI
1
0
1
0
1
0
1
1 A15 A14 A13 A12
A2 A1 A0
電子署名出力
ハイインピーダンス
7
SO
0
6
5
4
3
2
1
0
0
1
0
1
0
0
1
製造業者 ID 0x29
8 ビットの RDID コマンドの実行後でも電子署名を
送信する前であれば CS を high にしても、デバイス
をディープ パワーダウン モードから抜け出させる
DS22040A_JP - ページ 20
ことができます。しかし図 2-13 に示すように、デ
バイスがスタンバイ モード (ICCS) に戻る前に遅延
時間 TREL が生じます。
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図 2-13:
ディープ パワーダウン モードの解除
CS
0
1
2
3
4
5
6
0
1
7
TREL
SCK
命令
SI
1
0
1
0
1
1
ハイインピーダンス
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3.0
ピン説明
各ピンの説明を表 3-1 に示します。
表 3-1:
名称
ピン番号
機能
CS
1
チップ セレクト入力
SO
2
シリアル データ出力
WP
3
書き込み保護ピン
VSS
4
グランド
SI
5
シリアル データ入力
SCK
6
シリアル クロック入力
HOLD
7
入力保持
VCC
8
電源電圧
3.1
のすべての動作は正常に機能します。WP ピンが論
理 high に設定されると、ステータス レジスタの不
揮発性ビットへの書き込みも含め、すべての機能が
正常に動作します。WPEN ビットが設定されてい
て、ステータス レジスタへの書き込みシーケンス
中に WP ピンが論理 low になると、ステータス レ
ジスタへの書き込みが無効になります。内部書き込
みサイクルがすでに開始している場合、WP が low
になっても進行中の書き込み動作には影響しませ
ん。
ピン機能表
チップ セレクト (CS)
このピンを low レベルにすると、デバイスを選択で
きます。high レベルにすると、デバイスの選択を解
除し、強制的にスタンバイ モードに入ります。し
かし、CS 入力信号にかかわりなく、すでに始まっ
たまたは進行中のプログラミング サイクルは終了
します。プログラミング サイクルの途中で CS を
high にすると、プログラミング サイクルが完了し
たらすぐにデバイスはスタンバイ モードになりま
す。デバイスの選択を解除すると、SO はハイイン
ピーダンス状態になり、複数の部品が同じ SPI バス
を共用できるようになります。有効な書き込みシー
ケンスの後で CS を low から high に変えると、内部
書き込みサイクルが開始します。電源投入後は、
シーケンスを始める前に CS を low レベルにする必
要があります。
3.2
シリアル出力 (SO)
SO ピンは、EEPROM から転送データを出力するの
に使用します。読み出しサイクル中、データはシリ
アルクロックの立ち下がりエッジ後このピンにシ
フト出力されます。
3.3
書き込み保護 (WP)
WP ピンは、ハードウェア書き込み保護入力ピンで
す。4K ビット以下の低メモリ容量品種では、この
ピンを論理 low に設定すると、ライト イネーブル
ラッチをリセットし、プログラミング動作が禁止さ
れます。しかし、書き込みサイクルがすでに進行中
の場合、WP が low になっても書き込みサイクルを
変更したり、停止したりすることはありません。書
き込み保護機能マトリックスについては、表 2-4 を
参照してください。
8K ビット以上のメモリ容量の品種では、WP ピン
は、ステータス レジスタの WPEN ビットとともに、
ステータス レジスタの不揮発性ビットの書き込み
を禁止するために使用します。WP ピンが low で、
WPEN が high のとき、ステータス レジスタの不揮
発性ビットへの書き込みは無効になります。その他
DS22040A_JP - ページ 22
ステータス レジスタの WPEN ビットが low のとき、
WP ピン機能はブロックされます。こうすることで、
ユーザーは WP ピンを接地して EEPROM をシステ
ムにインストールしていても、ステータス レジス
タに書き込めます。WPEN ビットを論理 high にす
ると、WP ピン機能は有効になります。
3.4
シリアル入力 (SI)
Si ピンは、転送データをデバイスに入力するのに使
用します。命令、アドレス、およびデータを受信し
ます。
データはシリアル クロックの立ち上がりエッ
ジでラッチされます。
3.5
シリアル クロック (SCK)
SCK は、マスターと EEPROM 間の通信を同期する
ために使用します。SI ピン上の命令、アドレス、ま
たはデータは、クロック入力の立ち上がりエッジで
ラッチされ、SO ピンのデータは、クロック入力の
立ち下がりエッジ後に更新されます。
3.6
保持 (HOLD)
HOLD ピンは、シリアル シーケンスの最中に、シー
ケンス全体を再送信することなく、EEPROM への
送信を一時停止するために使用します。このピン
は、この機能を使わないときは常に high にしてお
きます。デバイスが選択され、シリアル シーケン
スが進行中に、HOLD ピンを low にしてシリアル
シーケンスをリセットすることなく、さらなるシリ
アル通信を一時停止します。SCK が low の間は、
HOLD ピンを low にしなければなりません。そうし
ないと、次に SCK が high から low に切り換わるま
で、HOLD 機能を呼び出すことができません。この
シーケンスの最中は、EEPROM は選択されたまま
にしなければなりません。デバイスが一時停止して
いる間、SI、SCK、および SO ピンはハイインピー
ダンス状態で、これらのピンの変化は無視されま
す。シリアル通信を再開するには、SCK ピンが low
の間に HOLD を high にします。これを行わないと
シリアル通信は再開しません。HOLD ラインを low
にすると、いつでも SO ラインはトライステートに
なります。
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25AAXXXX/25LCXXXX
4.0
パッケージ情報
4.1
パッケージ マーキング情報
8 ピン PDIP
例 : 鉛フリー
XXXXXXXX
XXXXXNNN
YYWW
25LC080A
I/P e3 1L7
0628
8 ピン PDIP パッケージマーキング ( 鉛フリー )
注:
デバイス名
ライン 1 マーキング
デバイス名
ライン 1 マーキング
25AA010A
25AA010A
25LC010A
25LC010A
25AA020A
25AA020A
25LC020A
25LC020A
25AA040A
25AA040A
25LC040A
25LC040A
25AA080A
25AA080A
25LC080A
25LC080A
25AA080B
25AA080B
25LC080B
25LC080B
25AA160A
25AA160A
25LC160A
25LC160A
25AA160B
25AA160B
25LC160B
25LC160B
25AA320A
25AA320A
25LC320A
25LC320A
25AA640A
25AA640A
25LC640A
25LC640A
25AA128
25AA128
25LC128
25LC128
25AA256
25AA256
25LC256
25LC256
25AA512
25AA512
25LC512
25LC512
25AA1024
25AA1024
25LC1024
25LC1024
T = 温度グレード (I、E)
記号の説明 : XX...X
Y
YY
WW
NNN
e3
部品番号または部品番号コード
年コード ( 暦年の下位 1 桁 )
年コード ( 暦年の下位 2 桁 )
週コード (1 月 1 日の週を週 ‘01’ とする )
英数字のトレース用コード ( 小型パッケージには 2 文字 )
つや消しタイプの錫メッキ (Sn) 加工デバイス用鉛フリーJEDEC 指定マーク
注:
鉛フリー JEDEC 指定マーク e3 を印字する場所のない小型パッケージの場合、
このマークは外箱またはリールラベルにのみ表示されます。
注:
マイクロチップの部品番号全体が 1 行で入らないときは、次の行に回ります。
このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。
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DS22040A_JP - ページ 23
25AAXXXX/25LCXXXX
8 ピン SOIC
例 : 鉛フリー
XXXXXXXT
XXXXYYWW
NNN
25L080AI
SN e3 0628
1L7
8 ピン SOIC パッケージマーキング ( 鉛フリー )
デバイス名
ライン 1 マーキング
デバイス名
ライン 1 マーキング
25AA010A
25AA01AT
25LC010A
25LC01AT
25AA020A
25AA02AT
25LC020A
25LC02AT
25AA040A
25AA04AT
25LC040A
25LC04AT
25AA080A
25A080AT
25LC080A
25L080AT
25AA080B
25A080BT
25LC080B
25L080BT
25AA160A
25A160AT
25LC160A
25L160AT
25AA160B
25A160BT
25LC160B
25L160BT
25AA320A
25AA32AT
25LC320A
25LC32AT
25AA640A
25AA64AT
25LC640A
25LC64AT
25AA128
(SM パッケージもあります )
25AA256
(SM パッケージもあります )
25AA512
(SM パッケージもあります )
25AA1024
(SM パッケージのみです。
SN パッケージはありません )
25AA128T
25LC128
25LC128T
25AA256T
25LC256
25LC256T
25AA512T
25LC512
25LC512T
25AA1024
25LC1024
25LC1024
注:
T = 温度グレード (I、E)
記号の説明 : XX...X
Y
YY
WW
NNN
e3
部品番号または部品番号コード
年コード ( 暦年の下位 1 桁 )
年コード ( 暦年の下位 2 桁 )
週コード (1 月 1 日の週を週 ‘01’ とする )
英数字のトレース用コード ( 小型パッケージには 2 文字 )
つや消しタイプの錫メッキ (Sn) 加工デバイス用鉛フリーJEDEC 指定マーク
注:
鉛フリー JEDEC 指定マーク e3 を印字する場所のない小型パッケージの場合、
このマークは外箱またはリールラベルにのみ表示されます。
注:
マイクロチップの部品番号全体が 1 行で入らないときは、次の行に回ります。
このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。
DS22040A_JP - ページ 24
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
例 : 鉛フリー
8 ピン TSSOP
5L8A
I628
1L7
XXXX
TYWW
NNN
8 ピン TSSOP パッケージマーキング ( 鉛フリー )
注:
デバイス名
ライン 1 マーキング
デバイス名
ライン 1 マーキング
25AA010A
5A1A
25LC010A
5L1A
25AA020A
5A2A
25LC020A
5L2A
25AA040A
5A4A
25LC040A
5L4A
25AA080A
5A8A
25LC080A
5L8A
25AA080B
5A8B
25LC080B
5L8B
25AA160A
5AAA
25LC160A
5LAA
25AA160B
5AAB
25LC160B
5LAB
25AA320A
5ABA
25LC320A
5LBA
25AA640A
5ACA
25LC640A
5LCA
25AA128
5AD
25LC128
5LD
25AA256
5AE
25LC256
5LE
T = 温度グレード (I、E)
記号の説明 : XX...X
Y
YY
WW
NNN
e3
部品番号または部品番号コード
年コード ( 暦年の下位 1 桁 )
年コード ( 暦年の下位 2 桁 )
週コード (1 月 1 日の週を週 ‘01’ とする )
英数字のトレース用コード ( 小型パッケージには 2 文字 )
つや消しタイプの錫メッキ (Sn) 加工デバイス用鉛フリーJEDEC 指定マーク
注:
鉛フリー JEDEC 指定マーク e3 を印字する場所のない小型パッケージの場合、
このマークは外箱またはリールラベルにのみ表示されます。
注:
マイクロチップの部品番号全体が 1 行で入らないときは、次の行に回ります。
このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。
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Preliminary
DS22040A_JP - ページ 25
25AAXXXX/25LCXXXX
8 ピン MSOP
例 : 鉛フリー
5L8AI
6281L7
XXXXXXT
YWWNNN
8 ピン MSOP パッケージマーキング ( 鉛フリー )
注:
デバイス名
ライン 1 マーキング
デバイス名
ライン 1 マーキング
25AA010A
5A1AT
25LC010A
5L1AT
25AA020A
5A2AT
25LC020A
5L2AT
25AA040A
5A4AT
25LC040A
5L4AT
25AA080A
5A8AT
25LC080A
5L8AT
25AA080B
5A8BT
25LC080B
5L8BT
25AA160A
5AAAT
25LC160A
5LAAT
25AA160B
5AABT
25LC160B
5LABT
25AA320A
5ABAT
25LC320A
5LBAT
25AA640A
5ACAT
25LC640A
5LCAT
T = 温度グレード (I、E)
記号の説明 : XX...X
Y
YY
WW
NNN
e3
部品番号または部品番号コード
年コード ( 暦年の下位 1 桁 )
年コード ( 暦年の下位 2 桁 )
週コード (1 月 1 日の週を週 ‘01’ とする )
英数字のトレース用コード ( 小型パッケージには 2 文字 )
つや消しタイプの錫メッキ (Sn) 加工デバイス用鉛フリー JEDEC 指定マーク
注:
鉛フリー JEDEC 指定マーク e3 を印字する場所のない小型パッケージの場合、
このマークは外箱またはリールラベルにのみ表示されます。
注:
マイクロチップの部品番号全体が 1 行で入らないときは、次の行に回ります。
このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。
DS22040A_JP - ページ 26
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
例 : 鉛フリー
6 ピン SOT-23
32L7
XXNN
6 ピン SOT-23 パッケージマーキング ( 鉛フリー )
デバイス名
I - 温度マーキング
デバイス名
I - 温度マーキング
E - 温度マーキング
25AA010A
12NN
25LC010A
15NN
16NN
25AA020A
22NN
25LC020A
25NN
26NN
25AA040A
32NN
25LC040A
35NN
36NN
記号の説明 : XX...X
Y
YY
WW
NNN
e3
部品番号または部品番号コード
年コード ( 暦年の下位 1 桁 )
年コード ( 暦年の下位 2 桁 )
週コード (1 月 1 日の週を週 ‘01’ とする )
英数字のトレース用コード ( 小型パッケージには 2 文字 )
つや消しタイプの錫メッキ(Sn)加工デバイス用鉛フリーJEDEC指定マーク
注:
鉛フリー JEDEC 指定マーク e3 を印字する場所のない小型パッケージの場合、
このマークは外箱またはリールラベルにのみ表示されます。
注:
マイクロチップの部品番号全体が 1 行で入らないときは、次の行に回ります。
このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 27
25AAXXXX/25LCXXXX
8 ピン 2x3DFN
例 : 鉛フリー
XXX
YWW
NN
421
627
L7
8 ピン 2x3DFN パッケージマーキング ( 鉛フリー )
注:
デバイス名
I - 温度マーキング
デバイス名
I - 温度マーキング
E - 温度マーキング
25AA010A
401
25LC010A
404
405
25AA020A
411
25LC020A
414
415
25AA040A
421
25LC040A
424
425
NN = 英数字のトレース用コード
記号の説明 : XX...X
Y
YY
WW
NNN
e3
部品番号または部品番号コード
年コード ( 暦年の下位 1 桁 )
年コード ( 暦年の下位 2 桁 )
週コード (1 月 1 日の週を週 ‘01’ とする )
英数字のトレース用コード ( 小型パッケージには 2 文字 )
つや消しタイプの錫メッキ (Sn) 加工デバイス用鉛フリー JEDEC 指定マーク
注:
鉛フリー JEDEC 指定マーク e3 を印字する場所のない小型パッケージの場合、
このマークは外箱またはリールラベルにのみ表示されます。
注:
マイクロチップの部品番号全体が 1 行で入らないときは、次の行に回ります。
このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。
DS22040A_JP - ページ 28
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
8-Lead Plastic Dual In-Line (P) – 300 mil Body [PDIP]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
N
NOTE 1
E1
1
3
2
D
E
A2
A
L
A1
c
e
eB
b1
b
Units
Dimension Limits
Number of Pins
INCHES
MIN
N
NOM
MAX
8
Pitch
e
Top to Seating Plane
A
–
–
.210
Molded Package Thickness
A2
.115
.130
.195
Base to Seating Plane
A1
.015
–
–
Shoulder to Shoulder Width
E
.290
.310
.325
Molded Package Width
E1
.240
.250
.280
Overall Length
D
.348
.365
.400
Tip to Seating Plane
L
.115
.130
.150
Lead Thickness
c
.008
.010
.015
b1
.040
.060
.070
b
.014
.018
.022
eB
–
–
Upper Lead Width
Lower Lead Width
Overall Row Spacing §
.100 BSC
.430
Notes:
1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located with the hatched area.
2. § Significant Characteristic.
3. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed .010" per side.
4. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
Microchip Technology Drawing C04-018B
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 29
25AAXXXX/25LCXXXX
8-Lead Plastic Small Outline (SN) – Narrow, 3.90 mm Body [SOIC]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
D
e
N
E
E1
NOTE 1
1
2
3
α
h
b
h
A2
A
c
φ
L
A1
L1
Units
Dimension Limits
Number of Pins
β
MILLIMETERS
MIN
N
NOM
MAX
8
Pitch
e
Overall Height
A
–
1.27 BSC
–
Molded Package Thickness
A2
1.25
–
–
Standoff §
A1
0.10
–
0.25
Overall Width
E
Molded Package Width
E1
3.90 BSC
Overall Length
D
4.90 BSC
1.75
6.00 BSC
Chamfer (optional)
h
0.25
–
0.50
Foot Length
L
0.40
–
1.27
Footprint
L1
1.04 REF
Foot Angle
φ
0°
–
8°
Lead Thickness
c
0.17
–
0.25
Lead Width
b
0.31
–
0.51
Mold Draft Angle Top
α
5°
–
15°
Mold Draft Angle Bottom
β
5°
–
15°
Notes:
1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.
2. § Significant Characteristic.
3. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.15 mm per side.
4. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
REF: Reference Dimension, usually without tolerance, for information purposes only.
Microchip Technology Drawing C04-057B
DS22040A_JP - ページ 30
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
8-Lead Plastic Small Outline (SM) – Medium, 5.28 mm Body [SOIJ]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
D
N
E
E1
1
2
e
b
α
A2
A
c
φ
β
A1
Units
Dimension Limits
Number of Pins
L
MILLIMETERS
MIN
N
NOM
MAX
8
Pitch
e
Overall Height
A
1.77
1.27 BSC
–
Molded Package Thickness
A2
1.75
–
1.98
Standoff §
A1
0.05
–
0.25
Overall Width
E
7.62
–
8.26
Molded Package Width
E1
5.11
–
5.38
Overall Length
D
5.13
–
5.33
Foot Length
L
0.51
–
0.76
Foot Angle
φ
0°
–
8°
Lead Thickness
c
0.15
–
0.25
Lead Width
b
0.36
–
0.51
Mold Draft Angle Top
α
–
–
15°
Mold Draft Angle Bottom
β
–
–
2.03
15°
Notes:
1. SOIJ, JEITA/EIAJ Standard, formerly called SOIC.
2. § Significant Characteristic.
3. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.25 mm per side.
Microchip Technology Drawing C04-056B
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 31
25AAXXXX/25LCXXXX
8-Lead Plastic Thin Shrink Small Outline (ST) – 4.4 mm Body [TSSOP]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
D
N
E
E1
NOTE 1
1
2
b
e
c
A
φ
A2
A1
L
L1
Units
Dimension Limits
Number of Pins
MILLIMETERS
MIN
N
NOM
MAX
8
Pitch
e
Overall Height
A
–
0.65 BSC
–
Molded Package Thickness
A2
0.80
1.00
1.05
Standoff
A1
0.05
–
0.15
1.20
Overall Width
E
Molded Package Width
E1
4.30
6.40 BSC
4.40
Molded Package Length
D
2.90
3.00
3.10
Foot Length
L
0.45
0.60
0.75
Footprint
L1
4.50
1.00 REF
Foot Angle
φ
0°
–
8°
Lead Thickness
c
0.09
–
0.20
Lead Width
b
0.19
–
0.30
Notes:
1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.
2. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.15 mm per side.
3. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
REF: Reference Dimension, usually without tolerance, for information purposes only.
Microchip Technology Drawing C04-086B
DS22040A_JP - ページ 32
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
8-Lead Plastic Micro Small Outline Package (MS) [MSOP]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
D
N
E
E1
NOTE 1
1
2
e
b
A2
A
c
φ
L
L1
A1
Units
Dimension Limits
Number of Pins
MILLIMETERS
MIN
N
NOM
MAX
8
Pitch
e
Overall Height
A
–
0.65 BSC
–
Molded Package Thickness
A2
0.75
0.85
0.95
Standoff
A1
0.00
–
0.15
Overall Width
E
Molded Package Width
E1
3.00 BSC
Overall Length
D
3.00 BSC
Foot Length
L
Footprint
L1
1.10
4.90 BSC
0.40
0.60
0.80
0.95 REF
Foot Angle
φ
0°
–
8°
Lead Thickness
c
0.08
–
0.23
Lead Width
b
0.22
–
0.40
Notes:
1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.
2. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.15 mm per side.
3. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
REF: Reference Dimension, usually without tolerance, for information purposes only.
Microchip Technology Drawing C04-111B
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 33
25AAXXXX/25LCXXXX
6-Lead Plastic Small Outline Transistor (OT) [SOT-23]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
b
4
N
E
E1
PIN 1 ID BY
LASER MARK
1
2
3
e
e1
D
A
A2
c
φ
L
A1
L1
Units
Dimension Limits
Number of Pins
MILLIMETERS
MIN
N
NOM
MAX
6
Pitch
e
0.95 BSC
Outside Lead Pitch
e1
1.90 BSC
Overall Height
A
0.90
–
Molded Package Thickness
A2
0.89
–
1.45
1.30
Standoff
A1
0.00
–
0.15
Overall Width
E
2.20
–
3.20
Molded Package Width
E1
1.30
–
1.80
Overall Length
D
2.70
–
3.10
Foot Length
L
0.10
–
0.60
Footprint
L1
0.35
–
0.80
Foot Angle
φ
0°
–
30°
Lead Thickness
c
0.08
–
0.26
Lead Width
b
0.20
–
0.51
Notes:
1. Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed 0.127 mm per side.
2. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
Microchip Technology Drawing C04-028B
DS22040A_JP - ページ 34
Preliminary
©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
8-Lead Plastic Dual Flat, No Lead Package (MC) – 2x3x0.9 mm Body [DFN]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
D
e
b
N
N
L
K
E2
E
EXPOSED PAD
NOTE 1
2
1
2
NOTE 1
1
D2
BOTTOM VIEW
TOP VIEW
A
A3
A1
NOTE 2
Units
Dimension Limits
Number of Pins
MILLIMETERS
MIN
N
NOM
MAX
8
Pitch
e
Overall Height
A
0.80
0.90
1.00
Standoff
A1
0.00
0.02
0.05
Contact Thickness
A3
0.20 REF
Overall Length
D
2.00 BSC
Overall Width
E
Exposed Pad Length
D2
1.30
–
Exposed Pad Width
E2
1.50
–
1.90
b
0.18
0.25
0.30
Contact Length
L
0.30
0.40
0.50
Contact-to-Exposed Pad
K
0.20
–
–
Contact Width
0.50 BSC
3.00 BSC
1.75
Notes:
1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.
2. Package may have one or more exposed tie bars at ends.
3. Package is saw singulated.
4. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
REF: Reference Dimension, usually without tolerance, for information purposes only.
Microchip Technology Drawing C04-123B
©2007 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS22040A_JP - ページ 35
25AAXXXX/25LCXXXX
8-Lead Plastic Dual Flat, No Lead Package (MF) – 6x5 mm Body [DFN-S]
Note:
For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at
http://www.microchip.com/packaging
e
D
L
b
N
N
K
E
E2
EXPOSED PAD
NOTE 1
1
2
2
NOTE 1
1
D2
BOTTOM VIEW
TOP VIEW
A
A3
A1
NOTE 2
Units
Dimension Limits
Number of Pins
MILLIMETERS
MIN
N
NOM
MAX
8
Pitch
e
Overall Height
A
0.80
1.27 BSC
0.85
1.00
Standoff
A1
0.00
0.01
0.05
Contact Thickness
A3
0.20 REF
Overall Length
D
5.00 BSC
Overall Width
E
Exposed Pad Length
D2
3.90
4.00
4.10
Exposed Pad Width
E2
2.20
2.30
2.40
6.00 BSC
Contact Width
b
0.35
0.40
0.48
Contact Length
L
0.50
0.60
0.75
Contact-to-Exposed Pad
K
0.20
–
Notes:
1. Pin 1 visual index feature may vary, but must be located within the hatched area.
2. Package may have one or more exposed tie bars at ends.
3. Package is saw singulated.
4. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
BSC: Basic Dimension. Theoretically exact value shown without tolerances.
REF: Reference Dimension, usually without tolerance, for information purposes only.
–
Microchip Technology Drawing C04-122B
DS22040A_JP - ページ 36
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©2007 Microchip Technology Inc.
25AAXXXX/25LCXXXX
付録 A:
改版履歴
リビジョン A (2007 年 5 月 )
本文書の初版
( パッケージ図 Rev. AP)
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25AAXXXX/25LCXXXX
メモ :
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25AAXXXX/25LCXXXX
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のウェブサイトを使うことで、お客様はファイルや
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ブサイトには以下の情報が掲載されています。
マイクロチップ社製品のユーザーは、以下の複数の
ルートでサポートを受けられます。
• 製品サポート – データシートと正誤表、アプ
リケーションノートとサンプルプログラム、
設計リソース、ユーザーズガイドとハード
ウェアサポート文書、最新のソフトウェアと
過去のソフトウェア
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クニカルサポートリクエスト、オンライン
ディスカッショングループ、マイクロチップ
社コンサルタントプログラムメンバの一覧
• マイクロチップ社の事業 – 製品選択および注
文ガイド、マイクロチップ社の最新プレスリ
リース、セミナーおよびイベントの一覧、マ
イクロチップ各営業所、販売代理店、工場担
当者の一覧
•
•
•
•
•
販売代理店
該当地域の営業所
フィールドアプリケーションエンジニア (FAE)
テクニカルサポート
Development Systems Information Line ( 開発シス
テム情報を提供する電話サービス )
サポートが必要な場合、お客様は製品を購入した販
売代理店またはフィールドアプリケーションエン
ジニア (FAE) にご連絡ください。該当地域の営業所
でもお客様へのサポートを提供しています。各営業
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25AAXXXX/25LCXXXX
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はい
デバイス : 25AAXXXX/25LCXXXX
いいえ
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質問 :
1. 本書の中で最も良い記事はどれですか ?
2. 本書には、お客様がハードウェアおよびソフトウェアを開発する際に必要な情報が十分に記載されて
いますか ?
3. 本書の構成はわかりやすいですか ? わかりにくいと感じた場合、その理由をお書きください。
4. 本書の構成や内容を改善するには、何を追加したらよいと思われますか ?
5. 全体に影響を与えず、本書から削除してもかまわないと思われる内容があれば、お書きください。
6. 不正確な情報または誤解を与えるような情報がありますか ? もしあれば、記載ページと該当箇所をお
書きください。
7. 本書をさらにわかりやすくするには、どのような改善が必要だと思われますか ?
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25AAXXXX/25LCXXXX
製品識別システム
注文や資料請求、または価格や納期などの照会は、工場もしくは巻末のセールスオフィスへお問い合わせください。
パーツ番号
X
X
デバイス
パーツ番号
パッケージ
方法
温度範囲
デバイス :
EEPROM シリーズ 25
電圧 : AA = 1.8V ～ 5.5V
LC = 2.5V ～ 5.5V
容量 :
010A
020A
040A
080A
080B
160A
160B
320A
640A
128
256
512
1024
温度範囲 :
I
E
パッケージ
方法 :
T
= テープ＆リール
ブランク = 標準パッケージ
パッケージ :
P
SN
SM
ST
MS
=
=
=
=
=
MC
MF
OT
=
=
=
/XX
パッケージ
例:
a)
25AA010A-I/SN: 1K
b)
25AA040A-I/MS: 4K
c)
25LC040AT-I/OT: 4K
d)
25LC1024-I/SM: 1M
= 1K ビット
= 2K ビット
= 4K ビット
= 8K ビット
= 8K ビット
= 16K ビット
= 16K ビット
= 32K ビット
= 64K ビット
= 128K ビット
= 256K ビット
= 512K ビット
= 1024K ビット (1M ビット )
=
=
-40°C ～ +85°C
-40°C ～ +125°C
8 ピン プラスチック DIP (300 mil ボディ )
8 ピン プラスチック SOIC (3.90 mm ボディ )
8 ピン プラスチック SOIC (5.28 mm ボディ )
8 ピン プラスチック TSSOP (4.4 mm ボディ )
8 ピン プラスチック マイクロ スモール
アウトライン (MSOP)
8 ピン 2x3 mm DFN
8 ピン 6x5 mm DFN
6 ピン SOT-23
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メモ :
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マイクロチップ社デバイスのコード保護機能に関する以下の点にご留意ください。
•
マイクロチップ社製品は、その該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。
•
マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様どおりの方法で使用した場合、マイクロチップ社製品は現在市場に流
通している同種製品としては最もセキュリティの高い部類に入る製品であると考えております。
•
コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在します。マイクロチップ社の確認している範囲では、この
ような方法のいずれにおいても、マイクロチップ社製品をマイクロチップ社データシートの動作仕様外の方法で使用す
る必要があります。このような行為は、知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。
•
マイクロチップ社は、コードの保全について懸念を抱いているお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。
•
マイクロチップ社を含むすべての半導体メーカーの中で、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はあり
ません。コード保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証しているものではありません。
コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、製品のコード保護機能の改善に継続的に取り組んでいます。
マイクロチップ社のコード保護機能を解除しようとする行為は、デジタルミレニアム著作権法に抵触する可能性がありま
す。そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタルミレニアム著
作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります。
本書に記載されているデバイスアプリケーションなどに
関する情報は、ユーザーの便宜のためにのみ提供されて
いるものであり、更新によって無効とされることがあり
ます。アプリケーションと仕様の整合性を保証すること
は、お客様の責任において行ってください。マイクロチッ
プ社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、法定のいずれであ
るかを問わず、本書に記載されている情報に関して、状
態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性をはじめと
する、いかなる類の表明も保証も行いません。
マイクロ
チップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一切の
責任を否認します。マイクロチップ社デバイスを生命維持
および / または保安のアプリケーションに使用することは
デバイス購入者の全責任において行うものとし、デバイス
購入者は、デバイスの使用に起因するすべての損害、請
求、訴訟、および出費に関してマイクロチップ社を弁護、
免責し、同社に不利益が及ばないようにすることに同意す
るものとします。暗黙的あるいは明示的を問わず、マイク
ロチップ社が知的財産権を保有しているライセンスは一
切譲渡されません。
商標
Microchip の名前付きロゴ、Microchip ロゴ、Accuron、
dsPIC、KEELOQ、KEELOQ ロゴ、microID、MPLAB、
PIC、PICmicro、PICSTART、PRO MATE、PowerSmart、
rfPIC、SmartShunt は、米国およびその他の国における
Microchip Technology Incorporated の登録商標です。
AmpLab、FilterLab、Linear Active Thermistor、Migratable
Memory、MXDEV、MXLAB、PS ロゴ、SEEVAL、
SmartSensor、The Embedded Control Solutions Company は、
米国における Microchip Technology Incorporated の登録商
標です。
Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、
CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、
ECAN、ECONOMONITOR、FanSense、FlexROM、
fuzzyLAB、In-Circuit Serial Programming、ICSP、ICEPIC、
Mindi、MiWi、MPASM、MPLAB Certified ロゴ、MPLIB、
MPLINK、PICkit、PICDEM、PICDEM.net、PICLAB、
PICtail、PowerCal、PowerInfo、PowerMate、PowerTool、
Real ICE、rfLAB、rfPICDEM、Select Mode、Smart Serial、
SmartTel、Total Endurance、UNI/O、WiperLock、ZENA、
は米国およびその他の国における Microchip Technology
Incorporated の商標です。
SQTP は米国における Microchip Technology Incorporated
のサービスマークです。
その他、本書に記載されている商標は、各社に帰属しま
す。
© 2007, Microchip Technology Incorporated, Printed in the
U.S.A., All Rights Reserved.
再生紙を使用しています。
マイクロチップ社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、
Gresham ( オレゴン州 )、Mountain View ( カリフォルニア州 ) の本部、
設計部およびウエハ製造工場が ISO/TS-16949:2002 認証を取得してい
ます。マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は、
PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コードホッピングデバイス、
シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナ
ログ製品に採用されています。また、マイクロチップ社の開発シス
テムの設計および製造に関する品質システムは、ISO 9001:2000 の認
証を受けています。
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世界各国での販売およびサービス
北米
アジア / 太平洋
アジア / 太平洋
ヨーロッパ
本社
アジア太平洋支社
インド - バンガロール
オーストリア - ヴェルス
2355 West Chandler Blvd.
Chandler, AZ 85224-6199
Tel: 480-792-7200
Fax: 480-792-7277
テクニカルサポート :
http://support.microchip.com
ウェブアドレス :
www.microchip.com
Suites 3707-14, 37th Floor
Tower 6, The Gateway
Habour City, Kowloon
Hong Kong
Tel: 852-2401-1200
Fax: 852-2401-3431
Tel: 91-80-4182-8400
Fax: 91-80-4182-8422
Tel: 43-7242-2244-39
Fax: 43-7242-2244-393
インド - ニューデリー
デンマーク - コペンハーゲン
Tel: 91-11-4160-8631
Fax: 91-11-4160-8632
Tel: 45-4450-2828
Fax: 45-4485-2829
オーストラリア - シドニー
インド - プネ
フランス - パリ
Tel: 91-20-2566-1512
Fax: 91-20-2566-1513
Tel: 33-1-69-53-63-20
Fax: 33-1-69-30-90-79
日本 - 横浜
ドイツ - ミュンヘン
Tel: 81-45-471- 6166
Fax: 81-45-471-6122
Tel: 49-89-627-144-0
Fax: 49-89-627-144-44
韓国 - 亀尾
イタリア - ミラノ
Tel: 82-54-473-4301
Fax: 82-54-473-4302
Tel: 39-0331-742611
Fax: 39-0331-466781
韓国 - ソウル
オランダ - ドリューネン
Tel: 82-2-554-7200
Fax: 82-2-558-5932 または
82-2-558-5934
Tel: 31-416-690399
Fax: 31-416-690340
マレーシア - ペナン
Tel: 34-91-708-08-90
Fax: 34-91-708-08-91
アトランタ
Tel: 61-2-9868-6733
Fax: 61-2-9868-6755
Duluth, GA
Tel: 678-957-9614
Fax: 678-957-1455
中国 - 北京
ボストン
中国 - 成都
Westborough, MA
Tel: 774-760-0087
Fax: 774-760-0088
シカゴ
Itasca, IL
Tel: 630-285-0071
Fax: 630-285-0075
ダラス
Addison, TX
Tel: 972-818-7423
Fax: 972-818-2924
デトロイト
Tel: 86-10-8528-2100
Fax: 86-10-8528-2104
Tel: 86-28-8665-5511
Fax: 86-28-8665-7889
中国 - 福州
Tel: 86-591-8750-3506
Fax: 86-591-8750-3521
中国 - 香港 SAR
Tel: 852-2401-1200
Fax: 852-2401-3431
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Fax: 60-4-646-5086
中国 - 青島
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Fax: 248-538-2260
中国 - 上海
ココモ
中国 - 瀋陽
台湾 - 新竹
ロサンゼルス
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Fax: 86-757-2839-5571
中国 - 武漢
トロント
中国 - 西安
Mississauga, Ontario,
Canada
Tel: 905-673-0699
Fax: 905-673-6509
Tel: 886-3-572-9526
Fax: 886-3-572-6459
中国 - 深川
Santa Clara, CA
Tel: 408-961-6444
Fax: 408-961-6445
Tel: 86-27-5980-5300
Fax: 86-27-5980-5118
Tel: 44-118-921-5869
Fax: 44-118-921-5820
Tel: 65-6334-8870
Fax: 65-6334-8850
Tel: 86-24-2334-2829
Fax: 86-24-2334-2393
サンタクララ
Tel: 63-2-634-9065
Fax: 63-2-634-9069
英国 - ウォーキンガム
シンガポール
Tel: 86-21-5407-5533
Fax: 86-21-5407-5066
Kokomo, IN
Tel: 765-864-8360
Fax: 765-864-8387
Mission Viejo, CA
Tel: 949-462-9523
Fax: 949-462-9608
フィリピン - マニラ
スペイン - マドリッド
台湾 - 高雄
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Fax: 886-7-536-4803
台湾 - 台北
Tel: 886-2-2500-6610
Fax: 886-2-2508-0102
タイ - バンコク
Tel: 66-2-694-1351
Fax: 66-2-694-1350
Tel: 86-29-8833-7250
Fax: 86-29-8833-7256
12/08/06
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