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第43回表面分析研究会 講演資料

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第43回表面分析研究会 講演資料
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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䝹䝇࿘Ἴᩘ䜢 200 kHz䠈᳨ฟ⋡䜢 0.2䡚0.4 %䠈ヨᩱ ᗘ䜢 35 K 䛸䛧䛯䠊㻌
䜎䛯, 䜸䞊䝆䜵㟁Ꮚศගἲ䛻䜘䜛῝䛥᪉ྥศᯒ䛷䛿, ୖグヨᩱ䛾 NiFe 䜻䝱䝑䝥ᒙ
䛜䛺䛟, CoFeB ᒙ䛾⭷ཌ䛜 10 nm 䛾ከᒙⷧ⭷ヨᩱ䜢⏝䛔䛯䠊 ᐃ䛻⏝䛔䛯⿦⨨䛿䠈
ULVAC-PHI SAM-680 䛷䛒䜛. 㟁Ꮚ㖠䛾ຍ㏿㟁ᅽ䛿, 10 kV䠈䝡䞊䝮㟁ὶ䛿, 8 nA,
ഴᩳ䝩䝹䝎䞊䜢฼⏝䛧䛶䠈㟁Ꮚ⥺䛾ධᑕゅᗘ䜢 85 ᗘ䠈Ar 䜲䜸䞁(High Voltage: 1 kV)
䛾ධᑕゅᗘ䜢 87 ᗘ䛻タᐃ䛧䛯㧗ഴᩳ㧗ឤᗘ AES ศᯒ䜢⾜䛳䛯䠊
䠏䠊⤖ᯝ䛸⪃ᐹ
ஂಖ⏣䜙䛻䜘䛳䛶, standard ᪉ྥ, reverse ᪉ྥ䛛䜙 ᐃ䛷 Ta 䜔 B 䛺䛹㟁⏺⵨Ⓨ䛾䛧
䛝䛔್䛾㧗䛔ඖ⣲䛜㐜䜜䛶᳨ฟ䛥䜜䜛䛣䛸䛜♧䛥䜜䛯 16). Fig. 1 (a) 䛿, standard ᪉ྥ,
Fig. 1 (b) 䛿, reverse ᪉ྥ䛾୍ḟඖ⃰ᗘศᕸ䛷䛒䜛䠊ඛ䛾ሗ࿌䛸ྠᵝ䛻 Ru 䛸 B 䛜㐜
䜜䛶᳨ฟ䛥䜜䛯. Fig. 1(c) 䛿, cross-section ᪉ྥ䛛䜙 ᐃ䛧䛯䛸䛝䛾 3DAP 䛾䝥䝻䝣䜯䜲
䝹䛷䛒䜛. 䛣䛣䛷䛿, B 䜔 Ru 䛾䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛻೫䜚䛾䛺䛔䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛜ᚓ䜙䜜䛶䛔䜛.
Fig. 2 䛻 AES ᐃ䛷ᚓ䜙䜜䛯῝䛥᪉ྥ䛾୍ḟඖ⃰ᗘศᕸ䜢♧䛩䠊 B 䛾ศᕸ䛿䠈
3DAP 䛾 cross-section ᪉ྥ䛛䜙䛾 ᐃ䛸ྠᵝ䠈CoFeB ᒙ୰䛻ᆒ୍䛻ศᕸ䛧䛶䛔䛯䠊
䜎䛯, Ru 䛾䝖䝺䞊䝕䜱䞁䜾ഃ䛾䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛻㛗䛔䝔䞊䝸䞁䜾䛜ぢ䜙䜜䛯. 䝄䝷䞊䝻䞊
䝔䞊䝅䝵䞁ἲ䜢⏝䛔䛯 ᐃ䛷䜒ྠᵝ䛷䛒䛳䛯䛣䛸䛛䜙䝇䝟䝑䝍䝸䞁䜾䛻䜘䜛䝜䝑䜽䜸䞁ຠ
ᯝ䛻䜘䜛䜒䛾䛸⪃䛘䜙䜜䛯.
ḟ䛻䚸3DAP 䛾䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛸 AES 䛾䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛛䜙 3DAP 䛾✵㛫ศゎ⬟䛸 AES
䛾῝䛥ศゎ⬟䜢ẚ㍑䛧䛯. ศゎ⬟䛿, NiFe (5 nm)ᒙ䛾 Ni 䛾䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛾䝥䝷䝖䞊䜎
䛯䛿䝢䞊䜽䝖䝑䝥䜢 100%䛸䛧䛶, 16% - 84%ᙉᗘ䛾❧䛱ୖ䛜䜚㒊ศ䛛䜙ồ䜑䛯.
3DAP 䛾 standard ᪉ྥ(Fig.1(a))䛸 reverse ᪉ྥ(Fig.1(b))䛾῝䛥ศゎ⬟䛚䜘䜃
cross-section ᪉ྥ䛾✵㛫ศゎ⬟䛿, 䛭䜜䛮䜜, 0.6 nm, 0.6 nm, 1.1 nm 䛷䛒䛳䛯.
୍᪉, AES 䛾῝䛥ศゎ⬟䛿, 2.4 nm 䛷䛒䛳䛯. 䜎䛯, Fig.3 䛾 Ru ᒙ䛾䛺䛔 Si Sub. /
NiFe (5 nm) / CoFeB (3 nm) / NiFe (3 nm)⭷䛾䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛷䜒῝䛥ศゎ⬟䛿, 2.4
nm 䛷䛒䛳䛯. Ni 䛾῝䛥ศゎ⬟䛻 Ru 䛾䝜䝑䜽䜸䞁ຠᯝ䛿ᙳ㡪䛧䛺䛔䛣䛸䛜䜟䛛䛳䛯.
䠐䠊䜎䛸䜑
3DAP 䛻䛚䛡䜛 cross-section ᪉ྥ䛾 ᐃ䛷䛿, ✵㛫ศゎ⬟䛿, standard ᪉ྥ䛸
reverse㻌 ᪉ྥ䛾῝䛥ศゎ⬟䜘䜚పୗ䛧䛶䛔䜛䛜, B 䛾䝥䝻䝣䜯䜲䝹䛻೫䜚䛿ぢ䜙䜜䛺䛛䛳
䛯. 㟁⏺⵨Ⓨ䛾䛧䛝䛔್䛾␗䛺䜛」ᩘ䛾ඖ⣲䛜ΰᅾ䛩䜛ሙྜ, standard ᪉ྥ䛸 reverse
᪉ྥ䛛䜙䛾 ᐃ䛷䛿, 䜰䞊䝔䜱䝣䜯䜽䝖䛻ὀព䛩䜛ᚲせ䛜䛒䜛. 䜎䛯, ᶓ㍈䜒⌧≧䛷䛿
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䛾῝䛥ศゎ⬟䛿, ⏺㠃≧ែ䜢ᢕᥱ䛩䜛䛯䜑䛻䛿, 㨩ຊⓗ䛺್䛷䛒䜚, ᙳ㡪䜢⌮ゎ䛧䛶
ά⏝䛩䜜䜀, ᭷⏝䛺᝟ሗ䜢䜒䛯䜙䛩䜒䛾䛸ᮇᚅ䛥䜜䜛.
AES ᐃ䛷䛿䠈῝䛥ศゎ⬟䛿 3DAP 䛸ẚ㍑䛩䜛䛸ప䛛䛳䛯䛜䠈B 䛾ศᕸ䛻 3DAP ᐃ䛾 cross-section ᪉ྥ䛛䜙 ᐃ䛧䛯⤖ᯝ䛸ྠᵝ, ೫䜚䛿ぢ䜙䜜䛺䛛䛳䛯.㻌 䛣䜜䜎䛷
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AES 䛜⏝䛔䜙䜜䛶䛝䛯ᐇ⦼䛸䝕䞊䝍䛛䜙ಙ㢗ᗘ䛿㧗䛔. 3DAP 䛾⤖ᯝ䜢ṇ䛧䛟ゎ㔘䛩
䜛䛻䛿, ௒䛾䛸䛣䜝, AES 䛺䛹௚䛾ᡭἲ䛸䛾ẚ㍑䛜ᚲせ䛷䛒䜛. 䛯䛰䛧, AES 䛾ሙྜ䜒
Ru 䜔 Ta 䛺䛹㔜䛔ඖ⣲䛾䝇䝟䝑䝍䝸䞁䜾䛻䛿ὀព䛜ᚲせ䛷䛒䜛. 䝜䝑䜽䜸䞁ຠᯝ䛷ᡴ䛱
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㝖ཤ䛥䜜䛻䛟䛔䛣䛸䜒䜟䛛䛳䛯.
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䛧䛶䛔䛝䛯䛔䛸⪃䛘䛶䛔䜛.
Fig. 1 One-dimensional concentration profiles across the interfaces of the sample
measured from (a) standard, (b) reverse, and (c) cross-sectional analysis directions.
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Fig. 2 Depth profiles of the test stacking films obtained by AES with a low incident
angle Ar ion beam.
Fig. 3 Depth profiles of Si Sub. / NiFe (5 nm) / CoFeB (3 nm) / NiFe (3 nm) films
obtained by AES with a low incident angle Ar ion beam.
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ᮏ◊✲䛾 3DAP ᐃ䛻䛒䛳䛶䛿, ᮾ໭኱Ꮫ䛾ΎỈᗣ㞝༤ኈ䠈㔝ἑᗣᏊẶ䠈ᾏ⪁⃝
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1) ཎ᫴἞, ᖹ⏣ி, ᓥἑᖾྖ, ᰗෆඞ᫛, 㔝ཱྀ₩, ☾ୖៅ஧, ゅ⏣໷Ύ, ୰ᮧဴ
ஓ, ᖹᡂ 19 ᖺᗘ SPring-8 㔜Ⅼ⏘ᴗ฼⏝ㄢ㢟ᡂᯝሗ࿌᭩, 2007A1914 (2007).
2) K. Yanagiuchi, S. Hara, K. Hirata, K. Shimazawa, K.Noguchi, S. Isogami, M.
Tsunoda, M Takahashi and T. Nakamura, Program and Abstract of 4th Vacuum and
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3) ᰗෆඞ᫛, ᖹ⏣ ி, ▼⏣ὒ୍, ┿✵ Vol.55, No.5 (2012).
4) ᢲᮌ‶㞞, 㸦⊂)᪥ᮏᏛ⾡᣺⯆఍࣐࢖ࢡࣟࣅ࣮࣒࢔ࢼࣜࢩࢫ➨ 141 ጤဨ఍ ➨
120 ᅇ◊✲఍㈨ᩱ 12(2005).
5) ᐑᓥ㇏⏕, ఀ⸨ு἞, ᮏ⏣⪔୍㑻, ሯ⏣ᓠ᫓, FUJITSU Vol.61 No.1(2010).
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8) K. Hono, T. Ohkubo, Y. M. Chen, M. Kodzuka, K. Oh-ishi, H. Sepehri-Amin, F. Li,
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9) D. J. Larson, D. Lawrence, W. Lefebvre, D. Olson, T. J. Prosa, D. A. Reinhard, R.
M. Ulfig, P. H. Clifton, J. H. Bunton, D. Lenz, J. D. Olson, L. Renaud, I. Martin,
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Nozawa, Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Takeshi Toyama, Koji Inoue, and
Yasuyoshi Nagai, J. Surf. Anal. 20, 207 (2014).
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䜰䝖䝮䝥䝻䞊䝤䛻䛚䛡䜛ഃ㠃䛛䜙䛾䝺䞊䝄䞊↷ᑕ䛜୚䛘䜛ᝏᙳ㡪䛻䛴䛔䛶
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[8-11]
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A-60
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
Fig. 1 Desorption images of W<110> with
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[18]
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-8-
A-61
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
Fig. 3 TEM image of sample shape after laser
assisted field evaporation.
Fig. 4 APT images of InGaAs/GaAsP multilayer film
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[16] D. J. Larson et al., Curr. Opin. Solid State Mat. Sci.
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17, 236 (2013).
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(2010).
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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Chemical-State analysis of organic semiconductors using synchrotron-radiation
soft X-ray spectroscopy and first-principles calculations
Yutaka NATSUME, Maiko MURO, Jun KIKUMA , Yasuji MURAMATSU*
Analysis and Simulation Center, Asahi KASEI Corporation
2-1 Samejima, Fuji, Shizuoka 416-8501, Japan
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Graduate School of Engineering, University of Hyogo
2167 Shosha, Himeji, Hyogo 678-1205, Japan
We have investigated chemical states for several organic semiconductors (OSCs) using
synchrotron-radiation soft x-ray spectroscopy, such as x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and x-ray
absorption spectroscopy. A first-principles calculation for the XPS valence-band (VB) and the x-ray absorption
near edge structure (XANES) spectra has been used to interpret the experimental results. We have proposed the
degradation mechanisms of the OSCs by making a comparison between the experimental and the simulated
XPS-VB/XANES spectra. In this article, we discuss the chemical and structural changes for the typical OSCs,
Pentacene and 6,13-bis(2-(Tri-isopropylsilyl)ethynyl)Pentacene, with the oxidative and the thermal
degradations.
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ᐃࡢධᑕ࢚ࢿࣝࢠ࣮ࡣ, 70, 150 eV ࡜ࡋ, XANES ࡟ࡘ࠸࡚ࡣ඲㟁Ꮚ཰㔞ἲ࡟ࡼࡾ ᐃࢆ⾜ࡗࡓ. ࡲ
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6,13-bis(2-(Tri-isopropylsilyl)ethynyl) Pentacene㸦TIPS-Pen, Fig. 1 a㸧࠾ࡼࡧ Pentacene㸦Pen, Fig. 1 b㸧ࢆ
⏝࠸࡚, ࡑࢀࡒࢀ XPS-VB ࡜ XANES ࢆゎᯒࡋࡓ⤖ᯝࢆ⤂௓ࡍࡿ.
TIPS-Pen ࡢᐇ㦂࠾ࡼࡧィ⟬࡟ࡼࡾᚓࡓ XPS-VB ࢫ
࣌ࢡࢺࣝࢆ Fig. 2 ࡟♧ࡍ. XPS-VB ࡢࢫ࣌ࢡࢺࣝࢩ࣑
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PDOS ࡟ᑐࡋ࡚, ᑐᛂࡍࡿඖ⣲࠾ࡼࡧཎᏊ㌶㐨ࡢ࢖
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XPS-VB ࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆᚓࡿࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡿ. Fig.2 a-c ࢆ
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XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢィ⟬࡟ࡣ, ᇶᗏ≧ែ࠿ࡽෆẆ
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Projector Augmented Wave ἲ[9]ࢆ⏝࠸ࡿࡇ࡜࡟ࡼࡾ
XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆィ⟬ࡍࡿࡇ࡜ࡀྍ⬟࡜࡞ࡗ࡚
Fig. 2 Experimental and calculated XPS-VB
࠸ࡿ[10, 11]. Fig. 3 ࡟ Pen ࡢᐇ㦂࠾ࡼࡧィ⟬࡟ࡼࡿ
spectra for TIPS-Pen with photon energy
C-K ➃ XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆ♧ࡍ. XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝ
(a)1486.6 eV, (b) 150 eV, (c) 70 eV. (d)
ࡢィ⟬࡟ࡣ, Pen ศᏊࡢ㠀➼౯࡞ C ཎᏊࢆ C1㹼6 ࡜ࡋ,
Calculated PDOS of C atom.
ࡑࢀࡒࢀࡢ C1s ࡟ෆẆṇᏍࢆᑟධࡋ࡚ྛ㑄⛣ࢫ࣌ࢡ
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
ࢺࣝࢆ⟬ฟࡍࡿ㸦Fig. 3 a㸧. ࡑࡋ࡚, ྛⅣ
⣲ཎᏊࡢ XANES ィ⟬ࢫ࣌ࢡࢺࣝ࡟ᑐࡋෆ
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Ꮚᩘ࡟ࡼࡿ㔜ࡳ࡙ࡅࢆ᪋ࡋ࡚㊊ࡋྜࢃࡏ
ࡿ࡜ Fig. 3 b ࡟♧ࡍ Pen ࡢ XANES ィ⟬ࢫ࣌
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ᗘ࡟ XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡀண ࡛ࡁࡿࡇ࡜
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3.1 ࢺࣛࣥࢪࢫࢱᛶ⬟ࡢ⤒᫬ኚ໬
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ࢱࢆ኱Ẽ୰࡛ಖᏑࡍࡿ࡜, ࢺࣛࣥࢪࢫࢱ≉ᛶࡢ୍ࡘ࡛࠶ࡿࡋࡁ࠸್㟁ᅽ㸦Vth㸧ࡀ⤒᫬࡟క࠸㈇࡟ࢩࣇ
ࢺࡍࡿ. ࡇࡢ Vth ࢩࣇࢺࡢཎᅉࡣ, ᭷ᶵ༙ᑟ
Fig. 3 Experimental and simulated C-K edge XANES
యࡢ࢚ࢿࣝࢠ࣮ࣂࣥࢻࢠࣕࢵࣉ୰࡟ᙧᡂ
spectra for (a) the nonequivalent C atoms and (b) the
ࡉࢀࡓࢺࣛࢵࣉ‽఩ࡢᐦᗘቑ኱࡛࠶ࡿ࡜
total spectra in comparison with the experimental one.
᥎ᐃࡉࢀࡿ[2]. ኱Ẽ୰࡟ಖᏑࡋࡓ Pen ⷧ⭷
ࢆ㣕⾜᫬㛫ᆺ஧ḟ࢖࢜ࣥ㉁㔞ศᯒἲ㸦TOF-SIMS㸧࡟ࡼࡾゎᯒࡍࡿ࡜, Pen㸦m/z=278㸧ࡀ㓟໬ࡉࢀࡓ
ศᏊ࡟㉳ᅉࡍࡿࣆ࣮ࢡ㸦C22H14O : m/z=294, C22H13O2: m/z=309㸧ࡀ☜ㄆࡉࢀࡓ. ࡋ࠿ࡋ TOF-SIMS ࡢ㉁
㔞ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡔࡅ࡛ࡣ, ࡑࡶࡑࡶ C–OH ᇶࡀྵࡲࢀ࡚࠸ࡿࡢ࠿஧ḟ࢖࢜ࣥࡢ C=O ᇶ࡬ࡢࣉࣟࢺࢿ࣮
ࢩࣙࣥ࡟ࡼࡿࡶࡢ࡞ࡢ࠿ุูࡍࡿࡇ࡜ࡣ㞴ࡋ࠸.
ࡑࡇ࡛, ୕࠿᭶㛫኱Ẽ୰࡛ಖᏑࡋ㓟໬ຎ໬ࡋࡓ Pen ヨᩱ㸦a-Pen㸧࡜, ẚ㍑ࡢࡓࡵ O ཎᏊࡢ໬Ꮫ≧
ែࡀ C=O ᇶ࡜࡞ࡿ໬ྜ≀ࡢᶆ‽ヨᩱ࡜ࡋ࡚, 6,13-Pentacene-quinone㸦PQ, Fig. 1 c㸧ࡢ XANES ゎᯒࢆ
⾜ࡗࡓ. ᐇ㦂࠾ࡼࡧィ⟬࡟ࡼࡿ O-K ➃ XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝ㸦Fig. 4 a㸧ࢆぢࡿ࡜, PQ ࡟࠾ࡅࡿ O-K ➃
XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝ࡟ࡘ࠸࡚ࡶ㧗⢭ᗘ࡟෌⌧࡛ࡁ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࡀศ࠿ࡿ. ࡲࡓ, a-Pen, PQ ࡜ࡶ࡟ 530 eV
௜㏆࡟S*㑄⛣ࡢࣆ࣮ࢡࡀ☜ㄆࡉࢀࡿࡀ, ୧⪅࡟࠾ࡅࡿࣆ࣮ࢡ㛫ࡢ┦ᑐᙉᗘࡣ᫂ࡽ࠿࡟␗࡞ࡿࡇ࡜ࡀ
ุ᫂ࡋࡓ. ࡇࡢࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢ㐪࠸ࡀ C–OH ᇶ࡟㉳ᅉࡍࡿ࡜⪃࠼, 6-hydroxy-Pentacene㸦P-OH, Fig. 1d㸧
ࡢ XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢィ⟬ࢆヨࡳࡓ. ࡜ࡇࢁࡀ, P-OH ࡟ࡘ࠸࡚ࡢ⤖ᬗᵓ㐀ࢹ࣮ࢱࡣሗ࿌ࡉࢀ࡚࠸࡞
࠸ࡓࡵ, Pen ⤖ᬗᵓ㐀[12]ࡢ༢఩ࢭࣝෆࡢ஧ศᏊࡢ࠺ࡕ୍ࡘࢆ P-OH ࡜ࡋ࡚ᵓ㐀᭱㐺໬ࡋࡓ௬᝿ⓗ࡞⤖
ᬗᵓ㐀ࣔࢹࣝࢆ⏝࠸࡚ XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆィ⟬ࡋࡓ. ィ⟬࡟ࡼࡾᚓࡽࢀࡓ PQ ࠾ࡼࡧ P-OH ࡢ O-K
➃ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢᙧ≧ࡣ኱ࡁࡃ␗࡞ࡗ࡚࠸ࡿࡀ㸦Fig. 4 b㸧, PQ ࡜ P-OH ࡢࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆ㊊ࡋྜࢃࡏࡿࡇ
࡜࡛ a-Pen ࡢᐇ㦂ࢫ࣌ࢡࢺࣝ࡟ぢࡽࢀࡓ୕ࡘࡢ≉ᚩⓗ࡞ࣆ࣮ࢡᙧ≧ࢆ෌⌧ࡍࡿࡇ࡜ࡀ࡛ࡁࡓ. ௨ୖࡢ
⤖ᯝ࠿ࡽ, a-Pen ࡟ྵࡲࢀࡿ㓟໬ຎ໬ Pen ศᏊ࡟ࡣ, C=O ࡜ C–OH ᇶࡀΰᅾࡋ࡚࠸ࡿ࡜⪃࠼ࡽࢀࡿ.
Fig. 4 Experimental and simulated O-K edge spectra for PQ and P-OH in comparison with a-Pen.
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
3.2 ຍ⇕ຎ໬ᶵᵓࡢ᳨ウ
ࣉࣜࣥࢸࢵࢻ࣭࢚ࣞࢡࢺࣟࢽࢡࢫࡢᐇ⌧ࡢࡓࡵ࡟ࡣ, ᭷ᶵ༙ᑟయᮦᩱ࡟㧗⁐ゎᛶࡀồࡵࡽࢀࡿ. 㞴
⁐ᛶ࡛࠶ࡿ Pen ࡟ᑐࡋᔞ㧗࠸⨨᥮ᇶࢆ᭷ࡋࡓ TIPS-Pen ࡣ⁐ゎᛶࡀ㧗ࡃ, ᭷ᶵ༙ᑟయࡢ୰࡛ࡶ 1 cm2/Vs
௨ୖࡢ㧗⛣ືᗘࢆ♧ࡍ᭷ᮃ࡞ೃ⿵ᮦᩱࡢ୍ࡘ࡛࠶ࡿ. ♧ᕪ㉮ᰝ⇕㔞 ᐃ࡟ࡼࡾ, TIPS-Pen ࡣ 130Υ௜
㏆࡛⤖ᬗ┦㌿⛣, 270Υ௜㏆࡛୙ྍ㏫࡞໬Ꮫኚ໬ࡀ㉳ࡁࡿࡇ࡜ࡀሗ࿌ࡉࢀ࡚࠸ࡿ[13]. ࡋ࠿ࡋ, 270Υ௜
㏆࡟࠾ࡅࡿ໬Ꮫኚ໬࡟ࡘ࠸࡚ヲ⣽࡞ゎᯒࢆ⾜ࡗࡓሗ࿌౛ࡣ↓࠿ࡗࡓ. ᨺᑕග XPS-VB ࠾ࡼࡧ XANES
ࢆే⏝ࡍࡿࡇ࡜࡟ࡼࡾ, ࡝ࡢࡼ࠺࡞ຎ໬ᶵᵓ࡟ࡼࡗ࡚୙ྍ㏫ኚ໬ࡀ㉳ࡇࡗ࡚࠸ࡿࡢ࠿᳨ウࡋࡓ஦౛
ࢆ⤂௓ࡍࡿ[4].
TIPS-Pen ⢊ ᮎ ࠶ ࡿ ࠸ ࡣ ࢫ ࣆ ࣥ ࢥ ࣮ ࢺ ⭷ ࢆ ,
150Υ࠾ࡼࡧ 300Υ, ኱Ẽ࠾ࡼࡧ❅⣲㞺ᅖẼୗ࡛
ࡑࢀࡒࢀຍ⇕ຎ໬ࡉࡏࡓヨᩱࢆ‽ഛࡋࡓ. ࡲࡎ,
ᐇ㦂ᐊࡢ XPS㸦Al KD⥺㸧࡟ࡼࡾ ᐃࡋࡓ┦ᑐඖ
⣲⃰ᗘࡣ, ኱Ẽୗ࡛ຍ⇕ࡋ, ຍ⇕ ᗘࡀ㧗࠸࡯
࠺ࡀ㓟⣲ࡢ┦ᑐඖ⣲⃰ᗘࡀ㧗ࡃ࡞ࡾ, ᑐ↷ⓗ࡟
[C]/[Si]ẚࡀపୗࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࡀศ࠿ࡗࡓ. ࡉࡽ
࡟, C1s ࠾ࡼࡧ Si2p ࡢෆẆࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆぢࡿ࡜
㸦Fig. 5㸧, ヨᩱ㛫࡛ C1s ࢫ࣌ࢡࢺࣝ࡟኱ࡁ࡞ኚ
໬ࡀぢࡽࢀ࡞࠸ࡢ࡟ᑐࡋ, Si2p ࢫ࣌ࢡࢺ࡛ࣝࡣ
300Υ࡟ຍ⇕ࡋࡓヨᩱ࡛㢧ⴭ࡟㧗 BE ഃࡢᡂศࡀ
ቑ኱ࡋ࡚࠸ࡿ. ࡇࢀࡣ, ຍ⇕࡟ࡼࡾⅣ⣲ࡢ⬺㞳
࡜࡜ࡶ࡟㓟໬ࡀ㉳ࡁ࡚࠾ࡾ, O ཎᏊࡀ┤᥋ Si ࡜⤖
ྜࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࢆ♧၀ࡋ࡚࠸ࡿ.
ḟ࡟, 70eV ࡢᨺᑕගࢆ⏝࠸࡚ຍ⇕ຎ໬ヨᩱࡢ
XPS-VB ࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆ ᐃࡋࡓ㸦Fig. 6 a-d㸧. ᚓ
ࡽࢀࡓ XPS-VB ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢഴྥ࡜ࡋ࡚, ኱Ẽ
୰࡛ 300Υࡢ⇕ฎ⌮ࢆຍ࠼ࡓࡶࡢ࡯࡝ 4 eV ࠾ࡼ
ࡧ 8 eV ࡢࣆ࣮ࢡࡀῶᑡࡋ, ┦ᑐⓗ࡟ 6 eV ࡢࣆ࣮
ࢡᙉᗘࡀቑ኱ࡍࡿࡇ࡜ࡀศ࠿ࡗࡓ. ࡇࡢ
Fig. 5 Experimental XPS core level spectra of
XPS-VB ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢኚ໬ࡢഴྥࢆゎ㔘ࡍࡿࡓ
thermally treated TIPS-Pens (a) C1s and (b) Si2p.
ࡵ, ஧ࡘࡢࣔࢹࣝ㸦Fig. 6 ྑᅗ㸧ࢆ௬ᐃࡋ, ➨୍
ཎ⌮ィ⟬࡟ࡼࡾࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆィ⟬ࡋࡓ㸦Fig. 6 f,
Fig. 6 Experimental (a-e) and calculated (f-h) XPS-VB spectra for the TIPS-Pens with/without thermal
degradation.
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g㸧. ࡑࡢ⤖ᯝ, ᐇ㦂ࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢኚ໬ࡢഴྥࢆⰋࡃ෌⌧ࡋ࡚࠸ࡿࡢࡣ, ࣓ࢳࣝᇶࡀ⬺㞳ࡋ OH ᇶࡀ⨨
᥮ࡍࡿ Model 1 ࡛ࡣ࡞ࡃ, ࢖ࢯࣉࣟࣆࣝᇶࡀ⬺㞳ࡋ Si ཎᏊ࡟┤᥋ O ࡀ⤖ྜࡋࡓ Model 2 ࡛࠶ࡿࡇ࡜ࡀ
᫂ࡽ࠿࡟࡞ࡗࡓ. ࡲࡓྠ᫬࡟, ࡇࢀࡣෆẆࢫ࣌ࢡࢺࣝࡢ⤖ᯝ࡜୍⮴ࡋ࡚࠸ࡿ.
ࡉࡽ࡟ྠ୍ヨᩱ࡟ࡘ࠸࡚ C-K ➃ XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆ ᐃࡋࡓ㸦Fig. 7 a-e㸧. ࡲࡎ, ኱Ẽୗ 300Υ
࡛ຍ⇕ࡋࡓヨᩱ࡟ࡘ࠸࡚ 288 eV ௜㏆ࡢV*ࣆ࣮ࢡᙉᗘࡀ㢧ⴭ࡟పୗࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࡀศ࠿ࡗࡓ. ࡇࢀࡣ,
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ቑ኱ࡍࡿ࡜࡜ࡶ࡟ 286 eV ࡢࣆ࣮ࢡᙉᗘࡀపୗࡍࡿࡇ࡜ࡀ☜ㄆࡉࢀࡓ. ࡇࡢࢫ࣌ࢡࢺࣝኚ໬ࡣ࢖ࢯࣉ
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ཎ⌮ィ⟬࡟ࡼࡾᵓ㐀᭱㐺໬ࢆ⾜࠺ࡇ࡜࡟ࡼࡾ, XANES ࢫ࣌ࢡࢺࣝィ⟬⏝ࡢ DA ཯ᛂᚋ TIPS-Pen ࡢ⤖
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ࡓ. ࡑࢀࡒࢀ CŁC ఙ⦰᣺ື, ࣌ࣥࢱࢭࣥ㦵᱁▷㍈᪉ྥࡢ C–C ⎔ఙ⦰᣺ື࡜ᖐᒓࡉࢀࡿࡓࡵ[15], DA
཯ᛂࡀ㉳ࡁ࡚࠸ࡿྍ⬟ᛶࡀᨭᣢࡉࢀࡓ.
Fig. 7 Experimental (a-e) and calculated (f, g) C-K edge XANES spectra for TIPS-Pens. (h) Schematic
image of dimerization.
-15-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
4. ࡲ࡜ࡵ
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ࢡࢺࣝࡢゎ㔘࡟, ➨୍ཎ⌮ィ⟬࡟ࡼࡿࢫ࣌ࢡࢺࣝࢩ࣑࣮ࣗࣞࢩࣙࣥࡢᛂ⏝ࡀ㠀ᖖ࡟᭷ຠ࡛࠶ࡿࡇ࡜
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ࡇ࡜ࡀศ࠿ࡗࡓ. ࡇࢀ࡟ࡼࡾ, ᭷ᶵ༙ᑟయࡢ㓟໬ຎ໬࡟ࡣ኱Ẽ୰ࡢ㓟⣲ࡔࡅ࡛࡞ࡃỈ࡟ࡼࡿຎ໬ࡶ኱
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300Υ࡛ຍ⇕ࡍࡿࡇ࡜࡟ࡼࡗ࡚, ࢖ࢯࣉࣟࣆࣝᇶࡢ⬺㞳ࢆక࠸, 㓟໬࡟ࡼࡿ Si–O ⤖ྜᙧᡂࡀ㉳ࡇࡗ࡚
࠸ࡿࡇ࡜ࡀศ࠿ࡗࡓ. ࡉࡽ࡟, 㞄᥋ࡍࡿ TIPS-Pen ࡢ CŁC ࡜࣌ࣥࢱࢭࣥ㦵᱁ࡢ C ࡀ DA ཯ᛂ࡟ࡼࡾከ
㔞໬ࡋ࡚࠸ࡿࡇ࡜ࡀ♧၀ࡉࢀࡓ.
ᨺᑕග㌾ X ⥺྾཰ศග࡜➨୍ཎ⌮ィ⟬ࢆ⤌ࡳྜࢃࡏࡓᮏゎᯒᡭἲࡣ, ✀ࠎࡢᮦᩱ⣔࡟ࡶᒎ㛤ྍ⬟
࡛࠶ࡿ. ௒ᚋ, ୧⪅」ྜⓗ࡟ࢫ࣌ࢡࢺࣝࢆゎ㔘ࡍࡿࡇ࡜࡛ศᏊ࡛ࣞ࣋ࣝࡢ໬Ꮫ≧ែゎᯒ࡟㔜せ࡞ᙺ๭
ࢆᯝࡓࡍࡶࡢ࡜ᮇᚅࡉࢀࡿ.
5. ㅰ㎡
XPS-VB ࠾ࡼࡧ XANES ࡢᐇ㦂ࡢ୍㒊ࡣ, ஑ᕞࢩࣥࢡࣟࢺࣟࣥග◊✲ࢭࣥࢱ࣮㸦SAGA-LS/BL12㸧
࡟࡚, ㄢ㢟␒ྕ 1302002GT ࡛ᐇ᪋ࡉࢀࡓࡶࡢ࡛࠶ࡿ. ஑ᕞࢩࣥࢡࣟࢺࣟࣥග◊✲ࢭࣥࢱ࣮ࡢ℩ᡞᒣ
ᐶஅ༤ኈ࡟῝ࡃឤㅰ⏦ࡋୖࡆࡲࡍ.
6. ཧ⪃ᩥ⊩
[1] M. Kawasaki, S. Imai, S. Hirota, T.Arai, T. Shiba, M. Ando, Y. Natsume, T. Minakata, S. Uemura, T.
Kamata, J. Soc. Info. Display 16, 161 (2008).
[2] Y. Natsume, Phys. Stat. Sol. a, 205, 2958 (2008).
[3] Y. Natsume, T. Kohno, T. Minakata, T. Konishi, E. M. Gullikson, Y. Muramatsu, J. Phys. Chem A, 116,
1527 (2012).
[4] ᐊ㯞⾰Ꮚ, ኟ┠✨, ⳥㛫῟, ℩ᡞᒣᐶஅ, X ⥺ศᯒࡢ㐍Ṍ, 45, 99 (2014).
[5] S. J. Clark, M. D. Segall, C. J. Pickard, P. J. Hasnip, M. J. Probert, K. Refson, M. C. Payne, Z. Krystallogr.,
220, 567 (2005).
[6] J. E. Anthony, J. S. Brooks, D. L. Eaton, S. R. Parkin, J. Am. Chem. Soc., 123, 9482 (2001).
[7] M. B. Trzhaskovskaya, Atomic Data and Nuclear Data Tables, 77, 1 (2001).
[8] M. B. Trzhaskovskaya, Atomic Data and Nuclear Data Tables, 82, 257 (2002).
[9] C. G. Van de Walle, P. E. Blऺchl, Phys. Rev. B, 47, 4244 (1993).
[10] S.-P. Gao, C. J. Pickard, M. C. Payne, J. Zhu, H. Yuan, Phys. Rev. B, 77, 115122 (2008).
[11] T. Mizoguchi, I. Tanaka, S.-P. Gao, C. J. Pickard, J. Phys.: Condens. Matter., 21, 104204 (2009).
[12] D. Holmes, S. Kumaraswamy, A. J. Matzger, K. P. C. Volhardt, Chem. –Eur. J., 5, 3399 (1999).
[13] J. Chen, J. Anthony, D. C. Martin, J. Phys. Chem. B, 110, 16397 (2006).
[14] M. M. Payne, S. A. Odom, S. R. Parkin, J. E. Anthony, Org. Lett., 6, 3325 (2004).
[15] D. T. James, B. K. C. Kjellander, W. T. T. Smaal, G. H. Gelinck, C. Combe, I. McCulloch, R. Wilson, J. H.
Burroughes, D. D. C. Bradley, J.-S. Kim, ACS Nano, 5, 9824 (2011).
-16-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
分光的反射電子像観察:
低エネルギー損失電子の事例
熊谷 和博
産業技術総合研究所
計測標準研究部門
2013年6月13日 第43回表面分析研究会
はじめに
SEMの動向:多検出器による信号検出
豊かな情報⇔像解釈が課題
Au グレイン@3kV, 同一視野
HA-BSE
Lower
LA-BSE
SE
竹内ら, Technical Data 141 (2010).
2
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A-70
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
はじめに
検出器アクセプタンス
SE, BSE 放出
エネルギーEで θ方向へ
検出可能電子
@Ep
E, θ, Epにより像情報が変化
複数検出器で切分け
分光的信号電子検出
検出器ごとのデータが少ない
ユーザが測定するのは困難
像を観ながらの議論
3
はじめに
BSE像情報の変化
Ep vs θ
BSEについても
分光的検出の議論が
進められている
Detector
PE
BSE
Take-off
angle
T Aoyama et al, ISIJ Int. 51 (2011) p. 1487.
specimen
4
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
低エネルギー損失電子(LLE)
LLEの情報
Reimerによると*
LLE: electrons from the elastic peak inside
■
an energy window 10- 100 eV below Ep
■
■
LLE
10- 100 eV
表面敏感:少散乱回数
弾性散乱
ロス構造
■
■
プラズモン
バンドギャップ
*L Reimer, Scanning Electron Microscopy, 2nd ed. (Springer-Verlag, Berlin, 1998).
5
表面敏感性
LLE
フォトレジスト直接観察への応用
浅い部分からの電子放出
BSE
数λ
帯電の影響を受けにくいエネルギー
SE
LLE
(width 300eV)
二枚の減速グリッドを利用し
LLEを選択検出
Ep=2.5 keV
6
5 µm
OC Wells, Appl. Phys. Lett. 49 (1986) p. 764.
-19-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
元素敏感性
高感度元素識別能
従来のBSE像(0.1Z)を上回る元素識別能?
コントラストはZと対応しない?
In-lens SE
EsB (LLE)
H. Jaksch, Application Note. (2008).
7
元素敏感性 :BSEコントラストとスペクトル
Zが離れている場合
Material contrast
SE
AES Web: http://riodb.ibase.aist.go.jp/DB111/welcome.html (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, May 2014).
後方散乱電子強度の違いにより,
組成コントラストがBSE像で観察される.
8
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A-73
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
元素敏感性 :BSEコントラストとスペクトル
Zが近接した場合
SE
Ep=4 keV
t!
No contras
AES Web: http://riodb.ibase.aist.go.jp/DB111/welcome.html (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, May 2014).
スペクトル強度がほぼ一致,通常のBSE像では識別困難.
LLEに注目することで識別可能?
LLEコントラストは何に起因するのか?
ナノ薄膜を例にして像形成を議論する
9
実験
電子分光:
SEM:
S
PHI680 (Ulvac PHI)
ULTRA 55 (Carl Zeiss)
同軸円筒鏡型分光器 (CMA)
SE: In-lens, E-T検出器
BSE: EsB検出器
PE
Detector
EsB
Filter grid
In-lens
PE
E-T
Specimen
Specimen
ご協力:九州大 板倉先生
10
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A-74
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
実験
TiO2 nanosheets
試料: TiO2( 1 nmt)/Si
液相でTiO2ナノシート*を合成,
LB法によりSi基板上に成膜**
Si
SE像
in-lens
E-T
TiO2 nano film
1µm
11
2 kV
*T. Sasaki and M. Watanabe, J. Am. Chem. Soc. 120, 4682 (1998).
**K. Akatsuka, M. Haga, et al., ACS Nano 3, 1097 (2009).
TiO2薄膜SE像とSEスペクトル
in-lens
E-T
ナノシートの有無で表面ポテンシャルが変調,
低エネルギーSE放出に影響
では,BSEではどうか?
K Kumagai et al, Appl. Phys. Express 2 (2009) p. 105504.
12
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A-75
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
BSE領域のスペクトル
BSE側にもコントラストのつくエネルギー領域あり→LLE!
Ep=1 keV
Intensity ratio NS/Si
N(E) (a.u.)
TiO2 Nanosheet
Si
Si LVV
1.2
TiO2 Nanosheet / Si
1.1
1.0
0.9
0.8
50
200
400
600
800
1000
Kinetic Energy (eV)
13
BSE領域のスペクトル
BSE側にもコントラストのつくエネルギー領域あり→LLE!
Si < NS
Elastic peak image
N(E) (a.u.)
Si
20 µm
NS
Si > NS
Plasmon loss peak image
no contrast
Si
E-T像
800
850
900
950
1000
Kinetic Energy (eV)
NS
20 μm
14
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
高コントラストを実現するには
スペクトル
積分強度
N(E) (a.u.)
Integral of N(E) from 800 eV to K.E. (a.u.)
TiO2 nanosheet
Si
800
850
900
950
1000
800
850
Kinetic Energy (eV)
900
950
1000
Kinetic Energy (eV)
15
高コントラストを実現するには
積分強度
コントラスト
Ep
Integral of N(E) from 800 eV to K.E. (a.u.)
0.0
13 eV
Contrast (%)
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
800
850
900
950
800
1000
850
900
950
1000
Kinetic Energy (eV)
Kinetic Energy (eV)
弾性散乱電子と非弾性散乱電子を分離して検出すべき
Epまですべて検出してしまうとコントラストが大幅に低下
16
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
BSE領域のスペクトル
LLE領域:エネルギー弁別することでコントラストをさらに強調
Si < NS
Si
N(E) (a.u.)
TiO2 nanosheet
Si
NS
Si > NS
Plasmon loss peak image
Si
no contrast
E-T像
800
Elastic peak image
850
900
950
1000
Kinetic Energy (eV)
NS
20 μm
17
SEM-BSE像グリッド電圧依存性
Grid
bias Ep=1.5 kV
Grid: 50V
Grid: 1000V
EsB検出器
Grid: 1450V
Grid bias ∼1.5 kVで
TiO2は暗コントラスト
→プラズモンロスの差異
Grid: 1500V
Grid bias ∼50 Vで信号急増
→SEの影響
2 µm
18
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A-78
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
SEM-BSE像 一次電子エネルギー依存性
Grid bias
= 1500V Ep
Ep=1.5 keV
Ep=2 keV
Ep=3 keV
Ep=4 keV
2 µm
19
SEM-BSE像 一次電子エネルギー依存性
Ep=1.5 keV
Ep=2 keV
Ep=2 keV
Ep=3 keV
Kinetic Energy (eV)
Ep=3 keV
Ep=4 keV
スペクトルのLLE領域では
強度差があるがEsB像ではコントラスト消失
→ 所謂BSE成分の影響
LLE観察では観察条件設定が鍵
2 µm
20
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A-79
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
なぜLLEがin-column BSE検出器で観察されるか?
PE
Annular
EsB Detector
光学系が分光器の作用,
検出素子上にスペクトル投影?
Detection
Energy range
検出エネルギー範囲に影響する要因
対物レンズ(Vacc)
Filter grid,
Aperture,
In-lens Detector
作動距離
阻止グリッド条件
Obj. lens
21
応用例: High-k材料(HfSiON)
SE像に現れないコントラストをLLE像で観察可能
Plasmon loss peak
In-lens SE
200 nm
析出物?⇔Leakage siteとの関連
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まとめ
TiO2薄膜のLLEコントラストを電子分光的手法を用いて議論.
LLEを選択的に検出→ロス構造の違いを反映した像.
コントラストは表面状態に敏感だが,直感的ではない
観察条件・LLE検出器を最適化することで有効なツールに.
Si < NS
Si
TiO2 nanosheet
Si
N(E) (a.u.)
NS
Si > NS
no contrast
Si
NS
800
850
900
950
1000
Kinetic Energy (eV)
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䠏䠅㻌 㻌 H. Kakuda, T. Hasegawa et al. Chem. Phys. Lett. 415, 172 (2005).
-32-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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-33-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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-34-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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(b) ǾŨåǡǙ X ǎÞľǦǔSuperLab
(c) F{FÔǦǔCD-SAXS
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-Ō.ɁŌǮĜ-ćȷçɁ*A"[F~M`hƒtØȉ+ǭƊ?>
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∫ ρ (r )e
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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l = j +1
l
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j −1
R j −1ϕ γ j +1
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, ϕj = e
ik0η j d j
2η j −1
1 − γ jR j
η j − η j −1 −2k02σ 2j −1η jη j −1
e
, τj =
, tj =
η j + η j −1
η j + η j −1
τj
(4)
TN +1 = ϕ0 = ϕN +1 = 1, R0 = γ 0 = τ 0 = t 0 = 0
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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(
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−ik η˜ Z
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j
j
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N +1
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j =0
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j
( )
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( )
−iQ2, j ⋅r j
dr j
(6)
( )
−iQ ⋅r
−iQ ⋅r
+ R˜ jϕ˜ 2j ∫ ρ r j e 3, j j dr j + R˜ jϕ˜ 2j R jϕ 2j ∫ ρ r j e 4, j j dr j
)
(6)ğ-ŁĠ·BǪ>(Ɂ4 ĸº-Ú+*#&>-º>ɂ?.Ɂ²ąƁ(ŌƁ
+?? 2 ƶȻ-ĸº
>(+ăı>ɂ?<- 4 ƶȻ-Ō+>²ąƁ
;0ŌƁ-Ô.??Ŷ-;+*#&>ɂ
‚ Ƽ„ȶȿŌșƵ 1ɀɄ²ąƁȿǥȳ¬èť¬ɀɁŌƁȿèť¬ǥȳ¬ɀ
‚ ƼŽȶȿŌșƵ 2ɀɄ²ąƁȿèť¬ǥȳ¬ɀɁŌƁȿèť¬ǥȳ¬ɀ
‚ Ƽ…ȶȿŌșƵ 3ɀɄ²ąƁȿǥȳ¬èť¬ɀɁŌƁȿǥȳ¬èť¬ɀ
‚ ƼÝȶȿŌșƵ 4ɀɄ²ąƁȿèť¬ǥȳ¬ɀɁŌƁȿǥȳ¬èť¬ɀ
4 ƶȻ-ŌșƵ' Z œÔ-ŌnM`}2&ƣ*>ɂ4
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ɁZ œÔ.Ċľ-Ĥȴ
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(
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)
−η )
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Q2, j ⋅ e Z = −Q3, j ⋅ e Z
0
j
j
QX = k0 {(cos β cos2θ − cos α ) cos φ + cos β sin2θ sin φ}
(7)
QY = k0 {−(cos β cos2θ − cos α ) sin φ + cos β sin2θ cos φ}
(6)ğ-ŌŅĖ.(1)ğ-ŌŅĖ(ŻȆ&ǨȮ+Ǫ>Ɂ¨-Ō.Ɂ(1)ğ-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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5. űȔ-ģƖßö F(Q)({GHȫō G(Q)
X ǎćǮŌ-üȽ'ƭ=
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+è%&DZƿɁśćŽŒƀ+;=v_}g{uƒZBśțÅ>ɂ
űȔ„$-ȱöōĀĜºĔ-jƒ|HïŇBģƖßö(ɂƛâɁŲ*v_}
+ă&DZƿǣA?&>[4]ɂÌǖ4'+ɁűȔ-ģƖÇĦ R -Ɯģ'Ɂ-ȱ
öōĀĜ„Ų+ ρ0 -ģƖßöB(8)ğ+Ʋɂ
R π 2π
F (Q,R) =
∫ ∫ ∫ρe
−iQr cosθ
0
r 2 sin θdrdθdϕ =
0 0 0
4 πρ 0
(sinQR − QRcosQR)
Q3
(8)
Ŷ+ɁűȔ X, Y, Z -œÔ+ØŜ a, b, c ' Na, Nb, Nc ¨??Ȟ¼&>(
>ɂ-êÒɁȱöōĀĜ-ƹȪºĔ-jƒ|HïŇ.(9)ğ'ˆ<?>ɂ
∫ρe
−iQ⋅r
0
dr =F (Q,R)G(Q,a,b,c,N a ,N b ,N c )
N a −1
G(Q,a,b,c,N a ,N b ,N c ) =
∑e
j =0
=
N b −1
−iQX ja
∑e
N c −1
−iQY kb
k =0
∑e
−iQZ lc
(9)
l =0
sin(QX N a a 2) sin(QY N b b 2) sin(QZ N c c 2)
sin(QX a 2)
sin(QY b 2)
sin(QZ c 2)
G(Q,a,b,c,N a ,N b ,N c ) .{GHȫō'ɁØŜűȔ+;>k{]NÍąBˆ>ȶ'
>ɂ
ºź- sin ȫō-ŠȂ π -Ŏō©+*>ŌnM`}' Bragg ÍąġǭƊ?>ɂ
űȔ{[t+ºŌ&>êÒɁ{GHȫō. 1 'ģƖßö! X ǎćǮŌ
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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2
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(11)
2
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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6
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Experimental
Calculation
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2
10
Ellipsoidal shape
6
4
2
1
10
2
-1
6
4
QY = 0.14 nm
Spherical shape
2
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
0.0
-0.5
-1.0
-1
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-1
QY (nm )
QZ (nm )
(a) QY œÔ- GI-SAXS
(b) QZ œÔ- GI-SAXS
à 4 ð÷ǽčȪǍǐǙ- GI-SAXS üȽ_ƒZ(DZƿNjŧɂ
0.35
Pore Size Distributions
In-plane
Out-of-plane
0.30
-1
10
6
4
2
6
4
Probability (nm )
Intensity (cps)
2
10
Intensity (cps)
10
ɂ
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
2
4
6
8
10
12
14
Diameter (nm)
à 5 ð÷ǽčȪǍǐǙŠ-ƹ÷RFWºĔɂ
-40-
A-93
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
8. GaP be€Fx-ƩĦRFWºĔ
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ɂGI-SAXS -ǯŦ+&.Ɂ€F
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ɂ
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Y
⎟ sin⎜ Z ⎟
J⎜ X
⎟ ⎝ 2 ⎠
2
2 1⎜
2
QX + QY ⎝
⎠
2πD
QZ
4
(12)
0.10
10
QY - direction
Experimental
Calculation
Size distribution of GaP nano-wire
1
QZ = -0.21 nm
0.08
-1
2
10
10
Probability (nm )
3
10
Intensity (cps)
ɂ4
-1
0
10
0.06
0.04
0.02
-1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-1
QY (nm )
0.00
0
10
20
30
40
50
60
Diameter (nm)
(a) QY œÔ- GI-SAXS
(b) GaP be€Fx-ƩĦºĔ
à 6 GaP be€Fx- GI-SAXS (ƩĦºĔɂ
-41-
A-94
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
à 6(a)+ GI-SAXS -üȽNjŧ(DZƿNjŧBɁ4
Ɂà 6(b)+be€Fx-ƩĦºĔB
ƲɂǯŦ+&Ɂ€Fxȧ L B 5 μmȿáûɀ(
œÔBƊû&>
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Ŷ¯ǥȳÞľūö.Ɂi]\ 100 nm -ØŜűȔBł$
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-ƁȧBŸƠ
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ɂ-„
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ɂGI-SAXS -ǯŦ+&.ɁőȳģƖBà 7 -;+v_}ÅɁ
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? σdɁǎĖ? σLɁƈ? σH BĆ²
ɂ4
Ɂ?-g{uƒZ(&Ɂi]\
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Z80
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H
60
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d
40
L
20
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θ
0
50
100
150
RB
200
Y
à 7 „Ŷ¯ǥȳÞľūö-őȳģƖv_}ɂ
-42-
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à 7 +ƲőȳģƖȫō S(Y)BƠ
F (Q,S (Y )) =
i
QZ
d
∫ (e
iQZ S (Y )
(-ģƖßö.(13)ğ'ˆ<?>ɂ
)
−1 e −iQY Y dY
0
(13)
à 8 +ɁŽŶ¯ X ǎÞľ®ɁQY œÔ-ÞľgZƒɁÑÞľǎ- QZ œÔ-ŌgZ
ƒBƲɂQY œÔ-ÞľgZƒ+.Ɂi]\ d +ăı
Þľǎȿ QY = 2πk d Ɂk :
ÞľŃōɀǭƊ?&>ɂ?<-ÞľġĜ.ÞľŃō+¡ø&=ɁǎĖ L .
ÞľġĜ-ÞľŃō¡øIJ<ƿ¹?>ɂ4
ɁÑÞľǎ- QZ œÔ-ŌgZƒ
+.ɁŔƬ*ėƉǒǭƊ?&>ɂėƉǒ-èŞØŜ ΔQZ .Ǝ-ƈ H +ăı>
ȿ H ≈ 2π ΔQZ ɀɂ4
ɁėƉǒ-ØŜɁ›ƪɁŅĖÞľŃō+;#&A+ïÅ
&>(º>ɂ¬íǮĜ θɁ`]l;0p`t-PƒbƒĦ RT, RB .?<ïÅ<ƿ¹?>ɂ
-2.0
-1
QZ (nm )
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-1
QY (nm )
(a) „Ŷ¯ǥȳÞľūö<-ŽŶ¯ X ǎÞľ®
7
12
k=1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
QY - direction
Diffraction pattern
k=5
k=1
QZ - direction
Experimental
Calculation
10
10
k = 10 Integrated intensity
Intensity /arb. unit
Intensity (counts)
10
Experimental
Calculation
k=2
8
10
k=3
6
10
4
10
2
10
k = 10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
-0.5
-1.0
-1.5
-1
QY (nm )
QZ (nm )
(b) QY œÔ-ÞľgZƒ (c) QZ œÔ-ŌgZƒ
à 8 „Ŷ¯ǥȳÞľūö<-(a)ŽŶ¯Þľ®Ɂ(b) QY GI-SAXSɁ(c) QZ-GISAXSɂ
(c)-.Ǫ9>
7+ X ǎġĜBIjX]`&ǥƲ&>ɂ
à 9 +ɁȑșåȱöȺĭȦ+;>őȳǭā(ɁGI-SAXS 'Ī<?
NjŧBƲɂ4
Ɂǥ 1 + GI-SAXS -ǯŦ'Ī<?
-43-
őȳģƖBŻȆ
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>ɂ
80
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60
X-ray
40
20
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50
100
150
200
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ǥɃ GI-SAXS ǯŦ'Ī<?
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d (nm)
L (nm)
H (nm)
θ (deg)
RT (nm)
RB (nm)
σd (nm)
σL (nm)
σH (nm)
99.98
52.95
69.2
88.0
9.2
5.4
2.0
2.2
0.68
10. A=+
GI-SAXS .Ɂ1980 ęȵ<ŋą±BŠį+ƮƸȕ7<?&
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[6]-[8]
Ɂ<+
DZƊļǤ(&ñƥċ>(Ŝħ?&>ɂ
11. Ìǖŏƙ
[1] L. G. Parratt: Phys. Rev., 95 (1954), 359-369.
-44-
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[2] S.K. Sinha, E. B. Shirota, S. Garoff, and H. B. Stanley: Phys. Rev. B, 38 (1988), 2297-2311.
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-45-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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㻌
Analysis of materials with synchrotron radiation
Kazuhiko DOHMAE
Toyota Central R&D Labs., INC., 41-1 Yokomichi, Nagakute, Aichi 480-1192, Japan
[email protected]
Industrial use of synchrotron radiation for analysis of materials has been greatly grown in
this decade in Japan. The synchrotron radiation has brought many analysis techniques such as
diffraction, scattering, absorption spectroscopy and imaging. Especially X-ray absorption fine
structure (XAFS) technique has not only chemical - and local structure analysis but advantages of
in situ - and high speed measurement. Therefore this technique has been mostly used for industrial.
In this article two applications of in situ time-resolved XAFS analysis are introduced, Analysis for
deterioration of cathode materials for lithium-ion batteries and NO-CO reaction analysis of
platinum supported catalyst.
㻌
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-46-
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表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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-47-
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A-100
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
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-48-
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0.2
0.4
0.6
x in Li1-xNi0.8Co0.15Al0.05O2
0.8
Figure2valencynumberofNiasafunctionofxin
Li1ͲxNi0.8Co0.15Al0.05O2.
Fresh is after one cycle of discharge and
charge. Cycle test is after 1000 cycle of
dischargeandchargeat60ΥAgingtestis
afteroneyearinchargedat60Υ.
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A-101
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Pt4+
100
Pt2+
0.8
RatioofPt
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MetallicPt
60
0.6
NOConv.
0.4
40
20
0.2
0.0
0
80
100
200
300
400
0
500
ConversionofNO/%
表面分析研究会 第43会研究会(2014.6.12-13/東京) 講演資料
Temperature/Υ
Figure 4 Ratio of chemical state of platinum and
NO conversion as a function of reaction
temperatureoverthePt/Al2O3.
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㻌
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Figure 3 Normalized Pt L3 absorption spectra in
NOͲCOreactionfrom50Υto500Υ.
-49-
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